JP5734744B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、不揮発性メモリ(不揮発性記憶素子、フラッシュメモリ、不揮発性半導体記憶装置)を備えた半導体装置であり、不揮発性メモリは、主として電荷蓄積部にトラップ性絶縁膜(電荷を蓄積可能な絶縁膜)を用いたものである。以下の実施の形態では、不揮発性メモリは、nチャネル型MISFET(MISFET:Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)を基本としトラップ性絶縁膜を用いたメモリセルをもとに説明を行う。また、以下の実施の形態での極性(書込・消去・読出時の印加電圧の極性やキャリアの極性)は、nチャネル型MISFETを基本としたメモリセルの場合の動作を説明するためのものであり、pチャネル型MISFETを基本とする場合は、印加電位やキャリアの導電型等の全ての極性を反転させることで、原理的には同じ動作を得ることができる。
図35は、本実施の形態2の半導体装置の要部断面図であり、上記実施の形態1の上記図1に対応するものである。本実施の形態の半導体装置も、不揮発性メモリを備えた半導体装置であり、図35には、不揮発性メモリのメモリセル領域の要部断面図が示されている。
図38は、本実施の形態3の半導体装置の要部断面図であり、上記実施の形態1の上記図1に対応するものである。本実施の形態の半導体装置も、不揮発性メモリを備えた半導体装置であり、図38には、不揮発性メモリのメモリセル領域の要部断面図が示されている。
図41は、本実施の形態4の半導体装置の要部断面図であり、上記実施の形態1の上記図1に対応するものである。本実施の形態の半導体装置も、不揮発性メモリを備えた半導体装置であり、図41には、不揮発性メモリのメモリセル領域の要部断面図が示されている。
本実施の形態においては、上記実施の形態3の不揮発性メモリの制御ゲート電極CGを金属膜4aとシリコン膜4bと絶縁膜との積層膜で形成する場合について説明する。
1A メモリセル領域
1B 周辺回路領域
2 素子分離領域
3 絶縁膜
3a 界面層
3b 絶縁膜
4 積層膜
4a 金属膜
4b シリコン膜
5 絶縁膜
5a,5c 酸化シリコン膜
5b 窒化シリコン膜
5d 絶縁膜
6a 金属膜
6b シリコン膜
7a,7b,7c n−型半導体領域
8a,8b,8c n+型半導体領域
11a,11b 側壁(側面)
12a,12b 側壁(側面)
13 絶縁膜
13a 側壁絶縁膜
14,14a,14b,14c 側壁絶縁膜
14d 絶縁膜
15 絶縁膜
16a 上端部
16b 側方端部
17,17a,18,19 金属酸化物部分
20 金属膜
21,21a,21b 金属シリサイド層
22 層間絶縁膜
24 絶縁膜
31 リーク電流
32,33 領域
41,41a,41b 絶縁膜
CG 制御ゲート電極
CNT コンタクトホール
HA ハロー領域
M1 配線
MC メモリセル
MD,MS 半導体領域
MG メモリゲート電極
PG プラグ
PW1,PW2 p型ウエル
SP1,SP2 積層膜スペーサ
SW,SW1,SW2 サイドウォールスペーサ
Claims (22)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の上部に形成され、前記第1ゲート電極と隣合う第2ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された第1絶縁膜と、
前記第2ゲート電極と前記半導体基板との間および前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間に形成された第2絶縁膜であって、その内部に電荷蓄積部を有する前記第2絶縁膜と、
を有し、
前記第2ゲート電極は、前記第2絶縁膜に隣接する第1金属膜と、前記第1金属膜上に形成されかつ前記第1金属膜を介して前記第2絶縁膜から離間する第1シリコン膜とを有し、
前記第1金属膜の上端部に、第1金属酸化物部分が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1金属酸化物部分を構成する金属元素と、前記第1金属膜を構成する金属元素とが同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記第1金属酸化物部分は、前記第1金属膜の一部が酸化されることにより形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記第1シリコン膜の上部に第1金属シリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記第1ゲート電極の上部に第2金属シリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、不揮発性メモリを有し、
前記第1および第2ゲート電極は、前記不揮発性メモリを構成するゲート電極であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記第2ゲート電極の側壁であって、前記第1ゲート電極に隣接する側とは反対側の側壁上に、サイドウォールスペーサが形成されており、
前記第1金属膜の前記上端部とは反対側に位置する端部と前記サイドウォールスペーサとの間に第2金属酸化物部分が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記第2金属酸化物部分の少なくとも一部は、前記第1シリコン膜と前記第2絶縁膜との間に位置していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置において、
前記第2金属酸化物部分は、前記第1金属膜の一部が酸化されることにより形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9記載の半導体装置において、
前記第1ゲート電極は、前記第1絶縁膜上に形成された第2金属膜と、前記第2金属膜上に形成された第2シリコン膜とを有し、前記第2金属シリサイド層は、前記第2シリコン膜の上部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置において、
前記第1絶縁膜は、高誘電率膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記半導体基板における前記第1ゲート電極の下方のチャネル領域の不純物濃度は、1×1017/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の上部に形成され、前記第1ゲート電極と隣合う第2ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された第1絶縁膜と、
前記第2ゲート電極と前記半導体基板との間および前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間に形成された第2絶縁膜であって、その内部に電荷蓄積部を有する前記第2絶縁膜と、
を有し、
前記第1ゲート電極は、前記第1絶縁膜上に形成された金属膜を有し、
前記第1ゲート電極のゲート長方向における前記金属膜の端部が酸化されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項13記載の半導体装置において、
前記第1ゲート電極は、前記金属膜上に形成されたシリコン膜を更に有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項14記載の半導体装置において、
前記第1絶縁膜は、高誘電率膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項15記載の半導体装置において、
前記半導体基板における前記第1ゲート電極の下方のチャネル領域の不純物濃度は、1×1017/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項16記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、不揮発性メモリを有し、
前記第1および第2ゲート電極は、前記不揮発性メモリを構成するゲート電極であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に形成され、互いに隣合う第1ゲート電極および第2ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された第1ゲート絶縁膜と、
前記第2ゲート電極と前記半導体基板との間に形成され、内部に電荷蓄積部を有する第2ゲート絶縁膜と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板を用意する工程、
(b)前記半導体基板の主面に前記第1ゲート絶縁膜用の第1絶縁膜を形成する工程、
(c)前記第1絶縁膜上に前記第1ゲート電極用の第1導電体膜を形成する工程、
(d)前記第1導電体膜をパターニングして前記第1ゲート電極を形成する工程、
(e)前記半導体基板の主面と前記第1ゲート電極の表面に、前記第2ゲート絶縁膜用でかつ内部に電荷蓄積部を有する第2絶縁膜を形成する工程、
(f)前記第2絶縁膜上に第1金属膜を形成する工程、
(g)前記第1金属膜上に第1シリコン膜を形成する工程、
(h)前記第1シリコン膜および前記第1金属膜の積層膜をエッチバックすることで、前記第1ゲート電極の側壁上に前記第2絶縁膜を介して前記積層膜を残して前記第2ゲート電極を形成する工程、
(i)前記第2ゲート電極で覆われていない部分の前記第2絶縁膜を除去し、前記第2ゲート電極と前記半導体基板との間および前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間に前記第2絶縁膜を残す工程、
(j)前記第2ゲート電極の上面で露出する前記第1金属膜の上端部を酸化して、第1金属酸化物部分を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項18記載の半導体装置の製造方法において、
(k)前記半導体基板上に、前記第1および第2ゲート電極を覆うように、第3絶縁膜を形成する工程、
(l)前記第3絶縁膜をエッチバックすることで、前記第1および第2ゲート電極の互いに隣接する側とは反対側の側壁上に前記第3絶縁膜を残してサイドウォールスペーサを形成する工程、
を更に有し、
前記(k)工程で形成される前記第3絶縁膜は、第1酸化シリコン膜の単体膜、または前記第1酸化シリコン膜を最下層とする積層膜からなり、
前記(j)工程では、前記第1酸化シリコン膜を形成する際に前記第1金属膜の上端部が酸化されて前記第1金属酸化物部分が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項19記載の半導体装置の製造方法において、
前記(j)工程では、
前記第1金属膜の前記上端部とは反対側に位置する端部であって、前記第2ゲート電極の前記第1ゲート電極と隣接する側とは反対側の側壁で露出する端部が、酸化されて第2金属酸化物部分が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項20記載の半導体装置の製造方法において、
前記(l)工程後、
(m)前記第2ゲート電極を構成する前記第1シリコン膜の上部と前記第1ゲート電極の上部とに、それぞれ金属シリサイド層を形成する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項18記載の半導体装置の製造方法において、
前記(i)工程後で前記(j)工程前に、
(i1)前記半導体基板上に、前記第1および第2ゲート電極を覆うように、窒化シリコン膜を形成する工程、
(i2)窒化シリコン膜をエッチバックすることで、前記第1および第2ゲート電極の互いに隣接する側とは反対側の側壁上に前記窒化シリコン膜を残し、前記第2ゲート電極の上面で前記第1金属膜の上端部を露出させる工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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