JP2014165384A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４と、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、半導体レーザ素子が出力するレーザ光の一部である２以上のレーザ光を透過特性に応じた透過率で透過する２以上の光フィルタ９，１０と、２以上の光フィルタを透過した各レーザ光を受光する２以上の受光器１１、１２、１３と、を備え、２以上の光フィルタは、１周期の１／３以内の差の周期の透過特性を有し、かつ、２以上の光フィルタは、２以上のレーザ光に対する透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なるように配置されている半導体レーザモジュール１００。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザモジュールに関するものである。

１本の光ファイバに波長が異なる複数の光信号を多重化して同時に伝送する波長分割多重（Wavelength Division Multiplexing：ＷＤＭ）通信分野では、情報通信量の増加に伴い、より狭い波長間隔で光信号を多重化することが求められている。より狭い波長間隔で光信号を多重化するためには、半導体レーザ素子から出射される、信号光となるレーザ光の波長を精度高く制御する必要がある。このため、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を選択的に透過するエタロンフィルタを備える半導体レーザモジュールが提案されている（特許文献１、２参照）。

この半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の一部をエタロンフィルタ側に分岐し、エタロンフィルタを透過した分岐光の強度に基づいて半導体レーザ素子の温度を制御することによって、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波長を制御する。エタロンフィルタは、レーザ光の波長に対して光の周波数的に周期的な透過特性を有するので、エタロンフィルタを透過した分岐光の強度が所定の値になるように半導体レーザ素子の温度を制御することによって、レーザ光を所定の波長に制御することができる。

なお、より高精度の波長制御のためには、制御すべきレーザ光の波長は、エタロンフィルタの透過特性における光の周波数に対する透過率の変化率（以下、透過率変化率という）が大きい周波数領域の波長に設定されることが好ましい。

特開２００７−１４２１１０号公報 特開２００３−１１０１９０号公報

ところで、近年４０Ｇｂｐｓ、１００Ｇｂｐｓ等のデジタルコヒーレント光通信が普及し始めている。このような大容量光通信の実現する場合に、光伝送波長帯域の効率的利用のために、レーザ光の周波数間隔についても、２５ＧＨｚや５０ＧＨｚに固定されていた従来の固定グリッド方式から、異なる周波数間隔で混在して配置される、いわゆるフレキシブルグリッド方式が導入されようとしている。

しかしながら、エタロンフィルタは固定した透過特性を有するため、制御すべきレーザ光の波長が、透過率変化率が小さい周波数領域の波長の場合は、高精度の波長制御が困難であり、フレキシブルグリッド方式には適用が困難であるという問題があった。なお、エタロンフィルタの透過特性は温度調整によってある程度は可能であるが、温度調整素子を追加で用意しなければならず、かつ調整に時間が掛かったり、３０℃近く温度を変化させなければいけない場合がある等、困難であった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザ光の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができる半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記半導体レーザ素子が出力するレーザ光の一部である２以上のレーザ光を前記透過特性に応じた透過率で透過する２以上の光フィルタと、前記２以上の光フィルタを透過した各レーザ光を受光する２以上の受光器と、を備え、前記２以上の光フィルタは、１周期の１／３以内の差の周期の前記透過特性を有し、かつ、前記２以上の光フィルタは、前記２以上のレーザ光に対する前記透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なるように配置されていることを特徴とする。

本発明に係る半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が出力するレーザ光を２以上のレーザ光に分岐する分岐器と、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記分岐した２以上のレーザ光を前記透過特性に応じた透過率で透過する光フィルタと、前記光フィルタを透過した各レーザ光を受光する２以上の受光器と、を備え、前記各レーザ光は、前記光フィルタの前記各レーザ光に対する前記透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なるような角度で前記光フィルタに入射することを特徴とする。

本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記光フィルタはエタロンフィルタであることを特徴とする。

本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記光フィルタはリング共振器型フィルタであることを特徴とする。

本発明によれば、レーザ光の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができるという効果を奏する。

図１は、実施の形態１に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。 図２は、エタロンフィルタの透過特性の一例を示す図である。 図３は、図１に示す２つのエタロンフィルタの透過特性を示す図である。 図４は、実施の形態２に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。 図５は、実施の形態３に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。 図６は、実施の形態４に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。 図７は、図６に示す３枚のエタロンフィルタの透過特性を示す図である。 図８は、リング共振器型光フィルタを用いた構成図である。

以下に、図面を参照して本発明に係る半導体レーザモジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する構成要素には適宜同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各層の厚さや厚さの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。また、本明細書では、半導体光増幅素子とは、レーザ増幅機能を有する半導体素子であって、半導体レーザ素子や半導体光増幅器を含むことを意味する。半導体光増幅器とは、入力された光をレーザ増幅して出力するものを意味する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。図１に示すように、半導体レーザモジュール１００は、筐体１、基台２、３、半導体レーザ素子４、サーミスタ５、コリメータレンズ６、光アイソレータ７、光分岐器であるビームスプリッタ８、２つのエタロンフィルタ９、１０、受光器である３つのフォトダイオード（ＰＤ）１１、１２、１３、集光レンズ１４、および光ファイバ１５を備えている。また、半導体レーザモジュール１００は制御器Ｃに接続している。

基台２は、筐体１内で不図示の温度調節素子に載置されている。基台２は、光アイソレータ７、ビームスプリッタ８、エタロンフィルタ９、１０、およびＰＤ１１、１２、１３、および基台３を載置している。基台３は、基台２に載置されるとともに、半導体レーザ素子４、サーミスタ５、およびコリメータレンズ６を載置している。集光レンズ１４、光ファイバ１５は筐体１に取り付けられている。

温度調節素子は、たとえばペルチェ素子である。温度調節素子は、駆動電流が供給されることによって半導体レーザ素子４を冷却してその温度を調節することができる。サーミスタ５は半導体レーザ素子４の温度を測定するために半導体レーザ素子４の近傍の配置されている。

基台２、３は、たとえば熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋと高い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるが、ＡｌＮに限らず、ＣｕＷ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドなどの熱伝導率が高い材料でもよい。

半導体レーザ素子４、たとえばＤＦＢレーザ素子や集積型半導体レーザ素子（たとえば、特許文献１参照）である。半導体レーザ素子４は、制御器Ｃから駆動電流を供給されて、レーザ光Ｌ１を出力する。レーザ光Ｌ１の波長は光通信用に用いられる波長帯（たとえば１５２０ｎｍ〜１６２０ｎｍ）内の波長である。

コリメートレンズ６は、半導体レーザ素子４のレーザ光を出力する側である前方側に配置されている。コリメートレンズ６は、半導体レーザ素子４から出力されたレーザ光Ｌ１を平行光に変換する。

光アイソレータ７は、レーザ光Ｌ１をビームスプリッタ８側に透過させるとともに、ビームスプリッタ８側から半導体レーザ素子４に光が戻ることを阻止する。

ビームスプリッタ８は、レーザ光Ｌ１の大部分を透過して集光レンズ１４に出力するとともに、レーザ光Ｌ１の一部（レーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４）を分岐し、それぞれパワーモニタ用のＰＤ１１、エタロンフィルタ９、１０に向けて反射させる。

集光レンズ１４は、ビームスプリッタ８から出力されたレーザ光Ｌ１を光ファイバ１５に集光して入力させる。光ファイバ１５はレーザ光Ｌ１を所定の装置等まで伝送する。

一方、ＰＤ１１は、レーザ光Ｌ２の強度を検出し、検出された強度に応じた電流を制御器Ｃに出力する。

エタロンフィルタ９、１０は、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、その透過特性に応じた透過率で、ビームスプリッタ８が反射したレーザ光Ｌ３、Ｌ４を選択的に透過して波長モニタ用のＰＤ１２、１３に入力する。ＰＤ１２、１３は、エタロンフィルタ９、１０を透過したレーザ光Ｌ３、Ｌ４の強度を検出し、検出された強度に応じた値の電流を制御器Ｃに出力する。

ＰＤ１１、１２、１３によって検出されたレーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の強度は、制御器Ｃによる波長ロック制御（レーザ光Ｌ１を所望の波長及び強度にするための制御）に用いられる。

ここで、エタロンフィルタ９、１０は、略同じ周期の透過特性を有するものである。ただし、図１に示すように、エタロンフィルタ１０は、レーザ光Ｌ４の進行方向に対して光軸が略並行になるように配置しているが、エタロンフィルタ９は、レーザ光Ｌ３の進行方向に対して光軸を傾斜させて配置している。傾斜角度は、エタロンフィルタ９、１０の周期が５０ＧＨｚの場合はたとえば０．７度程度である。

図２は、エタロンフィルタの透過特性の一例を示す図である。横軸は光の周波数を示し、縦軸はＰＤ電流を示している。縦軸のＰＤ電流はエタロンフィルタの透過率にほぼ比例する。図２の場合、たとえば周波数が１９１７００ＧＨｚ（曲線の谷）や１９１７５０ＧＨｚ（曲線の山）の光の場合、透過率変化率が小さいため、高精度の波長制御が困難である。

これに対して、図３は、図１に示す２つのエタロンフィルタ９、１０の透過特性を示す図である。曲線Ｃ１がエタロンフィルタ９の透過特性であり、曲線Ｃ２がエタロンフィルタ１０の透過特性である。このような曲線Ｃ１、Ｃ２は、周波数弁別カーブとも呼ばれる。上述したように、エタロンフィルタ１０は、レーザ光Ｌ４の進行方向に対して光軸が略並行になるように配置し、エタロンフィルタ９は、レーザ光Ｌ３の進行方向に対して光軸を傾斜させて配置しているので、図３に示すように、エタロンフィルタ９、１０は、周期は略同じであるが、透過特性の位相が互いに異なっている。

その結果、曲線Ｃ１、Ｃ２の太線部で示す、１０μＡ／ＧＨｚ程度の透過率変化率が大きくて高精度の波長制御に使用できる周波数領域が、図２で示すような場合よりも広範囲に存在することとなる。制御器の方で１μＡの精度で安定化させることができれば、０．１ＧＨｚの精度で波長が制御される。その結果、レーザ光Ｌ１の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができる。また、エタロンフィルタの透過特性の調整のための温度調整素子の追加の必要も無く、高精度かつ柔軟な波長制御を低コストで実現ができる。

具体的には、波長ロック制御において、制御器Ｃは、ＰＤ１１によって検出されたレーザ光Ｌ２の強度と、ＰＤ１２またはＰＤ１３によって検出された、エタロンフィルタ９またはエタロンフィルタ１０を透過後のレーザ光Ｌ３またはレーザ光Ｌ４の強度との比が、レーザ光Ｌ１の強度及び波長が所望の強度及び波長になるときの比になるように、半導体レーザ素子４の駆動電流と温度とを変化させる制御をする。これにより、レーザ光Ｌ１の強度及び波長を所望の強度及び波長（ロック波長）に制御することができる。

なお、エタロンフィルタの透過後のレーザ光の強度の検出結果として、ＰＤ１２およびＰＤ１３のいずれの値を使用するかについては、レーザ光Ｌ１の制御すべき波長において、エタロンフィルタ９およびエタロンフィルタ１０の透過率変化率のいずれか大きい方の検出結果を使用することが好ましい。なお、制御すべき波長において、いずれの透過率変化率が大きいかについては、制御器Ｃが制御波長と透過率変化率との対応を示すテーブルを記憶部に格納しておき、制御波長に応じて適宜選択するようにすればよい。

エタロン９、１０の基本周期としては、作製時の固定精度と透過率変化率を鑑みて２０ＧＨｚ〜１５０ＧＨｚ程度のものを用いることが望ましい。エタロンフィルタ９、１０の透過特性の位相の差異については、１周期の１／３〜１／５の範囲であれば、波長にして３０ｎｍ以上の範囲において、透過率変化率が大きい周波数領域を当該波長範囲にわたって分布させることができるので好ましい。

また、エタロンフィルタ９、１０の周期については、互いに略等しいことが好ましいが、１周期の１／３以内の差であれば、互いに異なっていても、透過率変化率が大きい周波数領域を広い波長範囲にわたって分布させることができるので好ましく、同一であることがさらに好ましい。

また、半導体レーザモジュール１００では、エタロンフィルタ１０は、レーザ光Ｌ４の進行方向に対して光軸が略並行になるように配置しているが、エタロンフィルタ９との透過特性の位相の差異を所望の値に設定できる程度に傾斜させてもよい。

（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。半導体レーザモジュール１００Ａは、半導体レーザモジュール１００のビームスプリッタ８、エタロンフィルタ９、１０を、ビーススプリッタ８Ａ、エタロンフィルタ９Ａに置き換えた構成を有する。なお、制御器Ｃは記載を省略してある。

この半導体レーザモジュール１００Ａでは、ビーススプリッタ８Ａは、レーザ光Ｌ３、Ｌ４を、互いの成す角度が所定の角度で傾斜するようにエタロンフィルタ９Ａに入射させる。その結果、エタロンフィルタ９Ａのレーザ光Ｌ３、Ｌ４に対する透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なることになる。これによって、１つのエタロンフィルタ９Ａにて、半導体レーザモジュール１００と同様に、レーザ光Ｌ１の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができる。

（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。半導体レーザモジュール１００Ｂは、半導体レーザモジュール１００のビームスプリッタ８、エタロンフィルタ９、１０、ＰＤ１１、１２、１３を、半導体レーザ素子４の後方に配置し、さらに、ビームスプリッタ１８、ＰＤ１９、コリメータレンズ２０を追加した構成を有する。なお、制御器Ｃは記載を省略してある。

この半導体レーザモジュール１００Ｂでは、半導体レーザ素子４が前端側から出力するレーザ光Ｌ１を、ビームスプリッタ１８で一部（レーザ光Ｌ５）を分岐し、ＰＤ１９側に反射させている。ＰＤ１９は、レーザ光Ｌ５の強度を検出し、検出された強度に応じた電流を制御器Ｃに出力する。このように、レーザ光Ｌ１の強度はＰＤ１９にて検出される。

一方、半導体レーザ素子４は、後端側からレーザ光Ｌ１ａを出力する。レーザ光Ｌ１ａは、レーザ光Ｌ１と同様に半導体レーザ素子４の内部にて発振したレーザ光であり、レーザ光Ｌ１と同一の波長と、レーザ光Ｌ１と比例する光強度とを有する。

コリメータレンズ２０は、半導体レーザ素子４から出力されたレーザ光Ｌ１ａを平行光に変換する。

ビームスプリッタ８は、レーザ光Ｌ１ａの一部（レーザ光Ｌ２ａ、Ｌ３ａ、Ｌ４ａ）を、それぞれＰＤ１１、エタロンフィルタ９、１０に向けて反射させる。

ＰＤ１１は、レーザ光Ｌ２ａの強度を検出し、検出された強度に応じた電流を制御器に出力する。

エタロンフィルタ９、１０は、その透過特性に応じた透過率で、ビームスプリッタ８が反射したレーザ光Ｌ３ａ、Ｌ４ａを選択的に透過して波長モニタ用のＰＤ１２、１３に入力する。ＰＤ１２、１３は、エタロンフィルタ９、１０を透過したレーザ光Ｌ３ａ、Ｌ４ａの強度を検出し、検出された強度に応じた値の電流を制御器に出力する。

ＰＤ１１、１２、１３によって検出されたレーザ光Ｌ２ａ、Ｌ３ａ、Ｌ４ａの強度は、半導体レーザモジュール１００の場合と同様に、制御器による波長ロック制御に用いられる。その結果、レーザ光Ｌ１の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができる。

（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４に係る半導体レーザモジュールの模式的な構成図である。半導体レーザモジュール１００Ｃは、半導体レーザモジュール１００のビームスプリッタ８をビームスプリッタ８Ｃに置き換え、さらにエタロンフィルタ２１、ＰＤ２２を追加した構成を有する。

ビームスプリッタ８Ｃは、レーザ光Ｌ１の大部分を透過して集光レンズ１４に入力させるとともに、レーザ光Ｌ１の一部（レーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ６）を、それぞれパワーモニタ用のＰＤ１１、エタロンフィルタ９、１０、２１に向けて反射させる。

エタロンフィルタ２１は、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、その透過特性に応じた透過率で、ビームスプリッタ８Ｃが反射したレーザ光Ｌ６を選択的に透過して波長モニタ用のＰＤ２２に入力する。

ＰＤ１１、１２、１３、２２によって検出されたレーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ６の強度は、制御器による波長ロック制御に用いられる。

ここで、エタロンフィルタ２１は、エタロンフィルタ９、１０と略同じ周期の透過特性を有するものであるが、レーザ光Ｌ６の進行方向に対して光軸を傾斜させて配置している。その傾斜角度は、エタロンフィルタ９の光軸の、レーザ光Ｌ３の進行方向に対する傾斜角度よりも小さく、たとえばエタロンフィルタ９、１０、２１の周期が５０ＧＨｚの場合はたとえば０．３５度程度である。

図７は、図６に示す３つのエタロンフィルタ９、１０、２１の透過特性を示す図である。曲線Ｃ１がエタロンフィルタ９の透過特性であり、曲線Ｃ２がエタロンフィルタ１０の透過特性である。曲線Ｃ３がエタロンフィルタ２１の透過特性である。上述したように、エタロンフィルタ２１は、レーザ光Ｌ６の進行方向に対して、エタロンフィルタ９の場合よりも小さい傾斜角度で光軸を傾斜させているので、図７に示すように、エタロンフィルタ９、１０、２１は、周期は略同じであるが、透過特性の位相が互いに異なっている。さらに、エタロンフィルタ２１の周波数弁別カーブである曲線Ｃ３は、曲線Ｃ１と曲線Ｃ２との間に位置することとなる。すなわち、曲線Ｃ１と曲線Ｃ３との位相差は、曲線Ｃ１と曲線Ｃ２との位相差よりも小さく、たとえば曲線Ｃ１と曲線Ｃ２との位相差の約１／２である。

その結果、曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３の太線部で示す、透過率変化率が大きい周波数領域が、図３で示すような場合よりもさらに広範囲に存在することとなる。その結果、レーザ光Ｌ１の制御波長を、高精度でありながらさらに柔軟に設定することができる。このように、エタロンフィルタの数は２以上であれば特に限定されない。

なお、上記実施の形態では、光フィルタとしてエタロンフィルタを使用しているが、光の周波数的に周期的な透過特性を有する他の種類の光フィルタを用いてもよい。

図８は、リング共振器型光フィルタを用いた構成図である。この構成では、平面光波回路（Planar Lightwave Circuit：ＰＬＣ）３０は、光分岐部３１と、直線型の光導波路３２と、リング共振器型光フィルタ３３ａを有する光導波路３３と、リング共振器型光フィルタ３４ａを有する光導波路３４とを有している。

リング共振器型光フィルタ３３ａ、３４ａは、１周期の１／３以内の差の周期の透過特性を有している。

ビームスプリッタ２９は、レーザ光Ｌ１の一部（レーザ光Ｌ７）を、ＰＬＣ３０に向けて反射させる。ＰＬＣ３０において、光分岐部３１は、レーザ光Ｌ７をレーザ光Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０に分岐する。

光導波路３２は、レーザ光Ｌ８をＰＤ１１に導波する。光導波路３３、３４は、それぞれレーザ光Ｌ９、１０をＰＤ１２、１３に導波する。

ここで、リング共振器型光フィルタ３３ａ、３４ａは、対応するレーザ光Ｌ９、Ｌ１０に対する透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なるように配置されている。その結果、エタロンフィルタ９、１０を用いた場合と同様に、ＰＤ１１、１２、１３によって検出されたレーザ光Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０の強度は、制御器による波長ロック制御に用いることができ、レーザ光Ｌ１の制御波長を、高精度でありながらより柔軟に設定することができる。

なお、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。たとえば、実施の形態２において、３以上のレーザ光を、互いの成す角度が所定の角度で傾斜するようにエタロンフィルタに入射させて、実施の形態４の場合と同様に３以上の周波数弁別カーブを備えるような構成としてもよい。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

１ 筐体
２、３ 基台
４ 半導体レーザ素子
５ サーミスタ
６ コリメータレンズ
７ 光アイソレータ
８、８Ａ、８Ｃ、１８、２９ ビームスプリッタ
９、９Ａ、１０、２１ エタロンフィルタ
１１、１２、１３、１９、２２ ＰＤ
１４ 集光レンズ
１５ 光ファイバ
２０ コリメータレンズ
２９ ビームスプリッタ
３０ ＰＬＣ
３１ 光分岐部
３２、３３、３４ 光導波路
３３ａ リング共振器型光フィルタ
３４ａ リング共振器型光フィルタ
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ 半導体レーザモジュール
Ｃ 制御器
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３ 曲線
Ｌ１、Ｌ１ａ、Ｌ２、Ｌ２ａ、Ｌ３、Ｌ３ａ、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９ レーザ光

Claims (4)

1. 半導体レーザ素子と、
   光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記半導体レーザ素子が出力するレーザ光の一部である２以上のレーザ光を前記透過特性に応じた透過率で透過する２以上の光フィルタと、
   前記２以上の光フィルタを透過した各レーザ光を受光する２以上の受光器と、
   を備え、
   前記２以上の光フィルタは、１周期の１／３以内の差の周期の前記透過特性を有し、かつ、前記２以上の光フィルタは、前記２以上のレーザ光に対する前記透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なるように配置されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
2. 半導体レーザ素子と、
   前記半導体レーザ素子が出力するレーザ光を２以上のレーザ光に分岐する分岐器と、
   光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記分岐した２以上のレーザ光を前記透過特性に応じた透過率で透過する光フィルタと、
   前記光フィルタを透過した各レーザ光を受光する２以上の受光器と、
   を備え、
   前記各レーザ光は、前記光フィルタの前記各レーザ光に対する前記透過特性が、１周期の１／３〜１／５の範囲で互いに位相が異なるような角度で前記光フィルタに入射することを特徴とする半導体レーザモジュール。
3. 前記光フィルタはエタロンフィルタであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザモジュール。
4. 前記光フィルタはリング共振器型フィルタであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。

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