JP2014165197A - リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents

リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 Download PDF

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Abstract

【課題】端子部間における各端子部と樹脂層との剥離の発生を抑制することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、表面及び裏面にそれぞれＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ及び外部端子面１１ｂ、１２ｂを設けた複数の端子部１１、１２を有し、端子部１１、１２のうち少なくとも一つの表面にＬＥＤ素子２が接続される光半導体装置１に用いられるリードフレーム１０において、各端子部１１、１２は、その表面の互いに対向する辺の少なくとも一部に、そのＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪んだ凹部Ｍを有すること、を特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱等によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合がある。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまうことがある。
また、このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、リードフレームのリフレクタが形成される側の面が、その面とは反対側の面に比べ樹脂が多く形成されるため、温度変化が生じた場合において、金属及び樹脂の線膨張率の差によって反りが生じてしまい、上述の剥離現象の発生をより顕著にする場合がある。
特に、リードフレームの端子部間は、リードフレームの厚み部分のみで樹脂部と端子部とが接合しており、他の部分に比べ両者の接合面積が狭く接合強度が弱いため、上述の剥離が発生しやすくなる。この端子部間の剥離は、光半導体装置の製造時に透明樹脂を形成する工程で透明樹脂が裏面に漏れ出るほか、光半導体装置がその端子部間で破損したり、剥離した部分から半田に含まれるフラックスや、水分等が浸入し、端子部や樹脂層等を変色させてしまい光半導体装置の光反射特性を劣化させたりする要因になる場合があった。
特開２０１１−１５１０６９号公報
本発明の課題は、端子部間における各端子部と樹脂層との剥離の発生を抑制することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第１の発明は、表面及び裏面に端子面（１１ａ、１２ａ）を設けた複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）において、前記各端子部は、その表面又は裏面の互いに対向する辺の少なくとも一部に、その端子面から窪んだ凹部（Ｍ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第２の発明は、第１の発明のリードフレーム（１０）において、前記凹部（Ｍ）と、前記端子部（１１、１２）の外周側面とは、連通していること、を特徴とするリードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、前記凹部（Ｍ）が設けられた面とは反対側の面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部（Ｄ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第４の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、前記凹部（Ｍ）が設けられた面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部（Ｄ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第５の発明は、表面及び裏面に端子面（１６１１ａ、１６１１ｂ、１６１２ａ、１６１２ｂ）を設けた複数の端子部（１６１１、１６１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１６１０）において、前記各端子部は、互いに対向する辺の少なくとも一部に、貫通孔（Ｈ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第６の発明は、第５の発明のリードフレーム（１７１０）において、前記各端子部（１７１１、１７１２）は、その表面又は裏面にその端子面（１７１１ａ）から窪んだ凹部（Ｍ）を有し、前記凹部と、前記貫通孔（Ｈ）とは、連通していること、を特徴とするリードフレームである。
第７の発明は、第５の発明又は第６の発明のリードフレーム（１６１０）において、前記端子部（１６１１、１６１２）は、表面又は裏面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部（Ｄ）を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第８の発明は、第１の発明から第７の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部（２０ａ）を有する樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームである。
第９の発明は、第８の発明の樹脂付きリードフレーム（１０）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレームの前記光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ｂ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。
第１０の発明は、第１の発明から第７の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体（ＭＳ）である。
第１１の発明は、第８の発明又は第９の発明の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第１２の発明は、第８の発明又は第９の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）と、を備える光半導体装置（１）である。
第１３の発明は、第１２の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。
第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置１の他の形態を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。 トランスファ成形の概略を説明する図である。 インジェクション成形の概略を説明する図である。 第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。 第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第６実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第７実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第８実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第９実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１０実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１３実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。 第１４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１６実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図２に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Ｄが設けられている。
段部Ｄは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周縁に外部端子面１１ｂ、１２ｂから落ち込んだ部分、換言すれば、端子部１１、１２の厚みと比較して１／３〜２／３程度に形成されている部分である。
また、端子部１１及び端子部１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。ここで、辺とは、各端子部の辺上だけでなく、その辺の近傍の領域を含むものをいう。
凹部Ｍは、端子部１１、１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪んだ円弧状の凹みであり、端子部１１、１２の外周縁とつながって（連通して）いる。また、凹部Ｍは、その窪んだ部分の厚みが、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
ここで、端子部１１、１２は、その外周縁の一部において、表面に形成された凹部Ｍと、裏面に形成された段部Ｄとが平面視上重なる。本実施形態では、この凹部Ｍと段部Ｄとが平面視上重なる部位は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、各端子部の外周縁を切り欠いた切り欠き部Ｔとなるが、切り欠き部Ｔが形成されないように、凹部Ｍ及び段部Ｄの深さを浅くしてもよい。
ここで、平面視とは、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面（ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ）に垂直な方向（Ｚ方向）から、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面を視た状態をいい、例えば、図２（ａ）に示すように、平面図で表されるものをいう。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凹部Ｍや段部Ｄにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍ及び段部Ｄは、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。また、凹部Ｍは、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）において、端子部１１、１２間の光反射樹脂層２０が各端子部１１、１２から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部１３ａは、図２（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図２（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部１３は、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。枠体Ｆは、多面付けされたリードフレーム１０を固定する部材である。
光反射樹脂層２０は、図３に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周や、空隙部Ｓ、切り欠き部Ｔ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の多面付け体ＭＳの状態において、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。リフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２の外周縁に形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面や、凹部Ｍに形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面上の一部に形成されており、フレーム樹脂部２０ａと結合している。なお、リフレクタ樹脂部２０ｂは、凹部Ｍに形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面の全面に重なるように形成されてもよい。
ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。そのため、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（樹脂付きリードフレーム）は、各端子部に外部機器との半田溶着による熱や、ＬＥＤ素子２の発光による熱が加わることによって、各端子部と光反射樹脂層２０との間で剥離が生じてしまう場合がある。
また、リードフレーム１０は、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、樹脂付きリードフレームは、上記熱が加わったり、冷えたりすることで、上述の線膨張率の差によって反りが生じたり、その反りが戻ったりして、これが繰り返されると、上記剥離がより発生しやすくなる。
特に、リードフレーム１０の端子部１１、１２間は、端子部１１、１２と光反射樹脂層２０との接合面積が狭いため、接合強度が弱く、剥離の発生が顕著となる。光半導体装置１を組み立てる際に、ＬＥＤ素子２と電気的な接続部となる金属面を覆うために透明な樹脂で封止を行うが、特に高耐光性を持つためにシリコーン、エポキシなどの熱硬化樹脂が用いられる。熱硬化樹脂は、一般的に加熱硬化前はモノマーもしくはプレポリマーであり、液状もしくは非常に流動性の高い粘性体である。このため、樹脂付きのリードフレームの状態で、光反射樹脂層２０とリードフレーム１０の端子部間においてこの剥離が発生した場合、ＬＥＤ素子２の搭載側の端子部間から外部端子面側へ透明樹脂が漏れ出て外部端子面１１ｂ、１２ｂを覆い、製造された光半導体装置１が使用不可能な状態になる場合がある。
また、製造した光半導体装置１の端子部間においてこの剥離が発生した場合、端子部間で光半導体装置１が折れて破損する可能性がある。更に、光半導体装置１の雰囲気中の水分や、外部端子面に溶着する半田のフラックス等が、剥離した隙間に浸入してしまい、各端子部の表面のめっき層や、光反射樹脂層２０、透明樹脂層３０等を変色させてしまう可能性がある。
上記剥離の一因となる反りを抑制するために、光反射樹脂層２０の樹脂中に特定のフィラー（粉末）を含有させて線膨張率を、リードフレーム１０の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層２０の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、熱可塑性を維持するために三次元架橋密度を上げられないという分子構造上、フィラーを多量に充填した場合に強度が保てないことから、実用レベルとしては線膨張率の調整自体をすることが困難となる。
そのため、本実施形態では、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２に凹部Ｍ及び段部Ｄを設け、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。また、特に各端子部間に対しては、凹部Ｍが、各端子部１１、１２の互いに対向する辺の角部に設けられることによって、凹部Ｍに形成された樹脂が、各端子部間の空隙部Ｓに形成された光反射樹脂層２０を各端子部に対して強固に結合し、上記剥離の発生を抑制する。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
以上より、リードフレームの多面付け体ＭＳに多面付けされるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、本実施形態の光半導体装置、リードフレームの他の形態について説明する。
図４は、第１実施形態の光半導体装置１の他の形態を説明する図である。
図４（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図４（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図４（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、凹部Ｍを設けたリードフレーム１０の表面にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、図４に示すように、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置１に適用してもよい。
また、上述の説明では、リードフレーム１０は、各端子部の表裏面のそれぞれに、凹部Ｍ、段部Ｄを設けるようにしたが、裏面の段部Ｄを省略してもよい。これにより、上述の各端子部及び光反射樹脂層の剥離抑制の効果を奏しつつ、光半導体装置の裏面に表出する外部端子面の面積を広くすることができる。
次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いることができるが、アクリル系、カゼイン、ゼラチンなどのタンパク質系、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系などが酸性のエッチング液耐性が高く、望ましい。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓ、各端子部の外周縁に設けられた切り欠き部Ｔのように貫通した空間と、凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍや段部Ｄが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。
次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。
次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）の断面図に基づくものである。
図７（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、段部Ｄ、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２０ｂが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図７（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図６の破線部参照）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
次に、上述の図７（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図８は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図８（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図８（ｂ）〜図８（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図９は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図８及び図９において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。
（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図８（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図８（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図８（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図８（ｄ）及び図８（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図８（ｆ）及び図８（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図８（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図８（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。
（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図９（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図９（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図９（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。
電子線硬化樹脂を用いた場合には、形成された樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒに、リードフレームの表裏面側から低加速電圧の電子線の照射あるいは、片面から高加速電圧の電子線の照射を行うことで、樹脂の耐熱性を高めた高架橋の光反射樹脂層２０を得ることができる。
また、各端子部の凹部Ｍが露出している面側から低加速電圧の電子線を照射した場合、リフレクタ樹脂部２０ｂの内部よりも、この露出した凹部Ｍ内に形成されたフレーム樹脂部２０ａの架橋密度を向上させることができる。そのため、リフレクタ樹脂部２０ｂの性能を損なうことなく、結合部分（凹部Ｍ内のフレーム樹脂部２０ａ）の強度をより向上させることができ、好適である。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の表面の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面から窪んだ凹部Ｍを形成しているので、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填された場合に、凹部Ｍに形成された樹脂が、端子部間の空隙部Ｓに形成された樹脂を各端子部１１、１２に対して強固に結合する。そのため、リードフレーム１０は、接合強度の弱い端子部間における各端子部と光反射樹脂層２０において、結合強度を向上させることができ、各端子部と光反射樹脂層２０との剥離の発生を抑制することができる。これにより、端子部間における光半導体装置１の破損や、剥離した部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生を抑制することができる。また、光半導体装置１の製造時における透明樹脂の裏面への漏れ出しを防ぐことができる。
（２）リードフレーム１０は、凹部Ｍが各端子部１１、１２の外周側面とつながって（連通して）いるので、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
（３）リードフレーム１０は、各端子部の表面に凹部Ｍが形成され、各端子部の裏面に段部Ｄが形成されているので、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１０は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）は、それぞれ図１０（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１１は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１１（ｃ）、図１１（ｄ）は、それぞれ図１１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態のリードフレーム２１０は、端子部２１１、２１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部２１１及び端子部２１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１０に示すように、端子部２１１、２１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面２１１ａ、２１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、第１実施形態の凹部Ｍと相違して、端子部２１１、２１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。そのため、端子部２１１、２１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されない。
凹部Ｍは、図１１に示すように、リフレクタ樹脂部２２０ｂと平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部２２０ｂが成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム２１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部２１１、２１２と光反射樹脂層２２０との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層２２０がリードフレーム２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム２１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層２２０の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず端子部間における光反射樹脂層２２０の上記剥離発生の抑制効果を更に向上させることができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１２は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）は、それぞれ図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
第３実施形態のリードフレーム３１０は、端子部３１１、３１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部３１１及び端子部３１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１２に示すように、端子部３１１、３１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面３１１ａ、３１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、端子部３１１、３１２の互いに対向する辺の外周縁ではつながって（連通して）いないが、各端子部の配列方向（Ｘ方向）と平行な辺（上辺又は下辺）の外周縁とはつながるように形成されている。そのため、端子部３１１、３１２には、その上辺及び下辺の外周縁に切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム３１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部３１１、３１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部３１１、３１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、リードフレーム３１０は、凹部Ｍが、各端子部の互いに対向する辺の外周縁ではつながっていないので、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム３１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１３は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）は、それぞれ図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
第４実施形態のリードフレーム４１０は、端子部４１１、４１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部４１１及び端子部４１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１３に示すように、端子部４１１、４１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面４１１ａ、４１２ａから窪んだ円形状の穴である。凹部Ｍは、第１実施形態の凹部Ｍと相違して、端子部４１１、４１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム４１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、端子部間において、端子部４１１、４１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム４１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム４１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、凹部Ｍの形状は、円形状に限らず、楕円を含む長円形状や、矩形状等に形成されてもよい。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１４は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１４（ａ）、図１４（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１４（ｃ）は、それぞれ図１４（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
第５実施形態のリードフレーム５１０は、端子部５１１、５１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部５１１及び端子部５１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１４に示すように、端子部５１１、５１２の互いに対向する辺の中央部に、ＬＥＤ端子面５１１ａ、５１２ａから窪んだ半円状の凹みであり、半円の中心が互いに対向する端子部のある方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、端子部５１１、５１２の外周縁とつながっている。そのため、端子部５１１、５１２は、その外周縁の一部において、表面に形成された凹部Ｍと、裏面に形成された段部Ｄとが重なり、その部分に切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置から樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム５１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部５１１、５１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部５１１、５１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム５１０の外形（図１４中の破線）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この中央部近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム５１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。また、凹部Ｍの形状は、半円状だけでなく、円や長円の円弧形状や、矩形状の凹みであってもよい。
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１５は、第６実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１５（ａ）、図１５（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１５（ｃ）は、それぞれ図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
第６実施形態のリードフレーム６１０は、端子部６１１、６１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部６１１及び端子部６１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１５に示すように、端子部６１１、６１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面６１１ａ、６１２ａから窪んだ長円弧状の凹みであり、円弧の中心が互いに対向する端子部のある方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、第１実施形態の凹部Ｍと相違して、端子部６１１、６１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。そのため、端子部６１１、６１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されない。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム６１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部６１１、６１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム６１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム６１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず上記端子部間の剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム６１０の外形（図１５中の破線部）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この中央部近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１６は、第７実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１６（ａ）、図１６（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１６（ｃ）は、それぞれ図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
第７実施形態のリードフレーム７１０は、端子部７１１、７１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部７１１及び端子部７１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１６に示すように、端子部７１１、７１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面７１１ａ、７１２ａから窪んだ直方体状の凹みである。この直方体状の凹み部分は、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならない位置に形成されている。また、凹部Ｍは、直方体状の凹みの中央部に、各端子部の外周縁側につながる凹みが形成されており、端子部７１１、７１２の互いに対向する辺の外周縁につながっている。そのため、凹部Ｍは、この外周縁側につながる凹みが段部Ｄと平面視上重なることとなり、端子部７１１、７１２には、互いに対向する辺に切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム７１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部７１１、７１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム７１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部７１１、７１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、リードフレーム７１０は、各端子部の対向する辺に沿うようにして凹部Ｍが形成されているので、凹部Ｍに充填されるフレーム樹脂部が、各端子部と光反射樹脂層とをより強固に結合させることができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム７１０の外形（図１６中の破線部）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この部位の近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム７１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。
（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１７は、第８実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１７（ａ）、図１７（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１７（ｃ）は、それぞれ図１７（ａ）のｃ−ｃ断面図、を示す。
第８実施形態のリードフレーム８１０は、端子部８１１、８１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部８１１及び端子部８１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１７に示すように、端子部８１１、８１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面８１１ａ、８１２ａから窪んだ直方体状の凹みである。凹部Ｍは、その直方体状の凹み一端が、各端子部８１１、８１２の上辺又は下辺のいずれかの外周縁につながるように形成されている。具体的には、端子部８１１の凹部Ｍは、端子部８１１の上辺の外周縁につながり、端子部８１２の凹部Ｍは、端子部８１２の下辺の外周縁につながる。そのため、凹部Ｍは、その外周縁とつながる部分が段部Ｄと平面視上重なることとなり、端子部８１１、８１２には、切り欠き部Ｔが形成される。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム８１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部８１１、８１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム８１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部８１１、８１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、リードフレーム８１０は、凹部Ｍが、各端子部の互いに対向する辺の外周縁ではつながっていないので、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレーム８１０の外形（図１７中の破線部）の中央部近傍は、ＬＥＤ素子の発光熱等により最も熱の影響を受けやすいが、この部位の近傍に凹部Ｍが設けられるので、この部位における端子部と光反射樹脂層との剥離を効果的に抑制することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム８１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。
（第９実施形態）
次に、本発明の第９実施形態について説明する。
図１８は、第９実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１８（ａ）、図１８（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１８（ｃ）は、それぞれ図１８（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
第９実施形態のリードフレーム９１０は、端子部９１１、９１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部９１１及び端子部９１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１８に示すように、端子部９１１、９１２の互いに対向する辺に沿うようにして、ＬＥＤ端子面９１１ａ、９１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、第６実施形態の凹部Ｍ（図１５参照）とは円弧の向きが反対向きに、すなわち、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、端子部９１１、９１２の外周縁とはつながっておらず、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。そのため、端子部９１１、９１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されない。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム９１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部９１１、９１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム９１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム９１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周側面とつながっていないので、凹部Ｍ内に形成された光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）に対して移動することができず上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、リードフレーム９１０は、円弧状の凹部Ｍが、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されるので、端子部９１１に配置されるＬＥＤ素子の配置位置を、第６実施形態の場合よりもリードフレーム９１０（光半導体装置）の外形の中央に配置することができる。これにより、製造された光半導体装置の光の出射効率等を向上させることができる。
（第１０実施形態）
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。
図１９は、第１０実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１９（ａ）、図１９（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１９（ｃ）は、それぞれ図１９（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
第１０実施形態のリードフレーム１０１０は、端子部１０１１、１０１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
また、端子部１０１１及び端子部１０１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図１９に示すように、端子部１０１１、１０１２の互いに対向する辺の中央部に、ＬＥＤ端子面１０１１ａ、１０１２ａから窪んだ円弧状の凹みである。凹部Ｍは、第５実施形態の凹部Ｍ（図１４参照）とは円弧の向きが反対向きに、すなわち、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されている。凹部Ｍは、円弧の中央部で各端子部１０１１、１０１２の外周縁とつながっており、各端子部の外周縁には、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄと平面視上重なる位置に切り欠き部Ｔが形成されている。
凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置から樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１０１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１０１１、１０１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１０１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１０１０は、円弧状の凹部Ｍが、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成されるので、端子部１０１１に配置されるＬＥＤ素子の配置位置を、第５実施形態の場合よりもリードフレーム１０１０（光半導体装置）の外形の中央に配置することができる。これにより、製造された光半導体装置の光の出射効率等を向上させることができる。
（第１１実施形態）
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。
図２０は、第１１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２０（ａ）、図２０（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）は、それぞれ図２０（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
第１１実施形態のリードフレーム１１１０は、端子部１１１１、１１１２に設けられる段部Ｄの形状が第１実施形態と相違する。
端子部１１１１及び端子部１１１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２０に示すように、端子部１１１１、１１１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１１１１ａ、１１１２ａから窪んだ円弧状の凹みであり、各端子部の外周縁とつながっている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、その内部にも樹脂が流れ込む。
段部Ｄは、リードフレーム１１１０の裏面側から見て、各端子部１１１１、１１１２の外周縁に外部端子面１１１１ｂ、１１１２ｂから落ち込んだ部分である。段部Ｄは、各端子部において、凹部Ｍと対応する位置には形成されていない。そのため、各端子部１１１１、１１１２の外周縁には、第１実施形態のように切り欠き部が形成されていない。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１１１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様の効果を奏することができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１１１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。
（第１２実施形態）
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。
図２１は、第１２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２１（ａ）、図２１（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２１（ｃ）、図２１（ｄ）は、それぞれ図２１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
第１２実施形態のリードフレーム１２１０は、端子部１２１１、１２１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部１２１１及び端子部１２１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２１に示すように、端子部１２１１、１２１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１２１１ａ、１２１２ａから窪んだ円形状の穴である。この円形状の穴は、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならない位置に形成されている。また、凹部Ｍは、円形状の穴に、各端子部間の外周縁側につながる穴径より小さい幅の凹みが形成されており、各端子部１２１１、１２１２の互いに対向する辺の外周縁につながっている。そのため、凹部Ｍは、この外周縁側につながる凹みが段部Ｄと平面視上重なることとなり、端子部１２１１、１２１２には、互いに対向する辺に切り欠き部Ｔが形成される。
また、凹部Ｍは、円形状の穴の底部が、図２１（ｄ）に示すように、各端子部の厚み方向（Ｚ方向）において、段部Ｄの底部よりも裏面側に形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。また、凹部Ｍには、フレーム樹脂部が形成される場合に、切り欠き部Ｔが形成される位置からも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１２１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１２１１、１２１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。更に、凹部Ｍが各端子部１２１１、１２１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
また、リードフレーム１２１０は、円形状の穴の底部が、各端子部の厚み方向において、段部Ｄの底部よりも裏面側に形成されているので、凹部Ｍに充填されるフレーム樹脂部が、各端子部と光反射樹脂層とをより強固に結合させることができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１２１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。
（第１３実施形態）
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。
図２２は、第１３実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。図２２（ａ）は、第１３実施形態のリードフレーム１３１０の一の形態を示す図であり、図２２（ｂ）は、第１３実施形態のリードフレーム１４１０の別な形態を示す図であり、図２２（ｃ）は、第１３実施形態のリードフレーム１５１０の他の形態を示す図である。
第１３実施形態のリードフレーム１３１０は、端子部１３１１、１３１２に設けられる凹部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部１３１１及び端子部１３１２は、それぞれの表面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２２（ａ）に示すように、端子部１３１１、１３１２の互いに対向する辺の角部に、ＬＥＤ端子面１３１１ａ、１３１２ａから窪んだ直方体状の凹みであり、直方体状の窪みの短辺が、各端子部の互いに対向する辺と平行するように形成されている。凹部Ｍは、端子部の外周縁とつながっておらず、各端子部の裏面の外周縁に設けられた段部Ｄとは重ならないように形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１３１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１３１１、１３１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。
また、リードフレーム１３１０は、凹部Ｍが、各端子部の外周縁につながっていないので、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
また、図２２（ｂ）に示すように、リードフレーム１４１０は、凹部Ｍを、ＬＥＤ端子面１４１１ａ、１４１２ａから窪んだ直方体状の凹みに形成し、直方体状の窪みの長辺が、各端子部１４１１、１４１２の互いに対向する辺と平行するようにしてもよい。
この場合、上述のリードフレーム１３１０に比べ、リードフレーム１４１０は、凹部Ｍに充填された光反射樹脂層の凹部Ｍ内における対向する端子部側の接触面積を広くすることができる。これにより、リードフレーム１４１０は、凹部Ｍに充填されるフレーム樹脂部が、各端子部と光反射樹脂層とをより強固に結合させることができ、上述の剥離発生の抑制効果を更に向上させることができる。
更に、図２２（ｃ）に示すように、リードフレーム１５１０は、凹部Ｍを、ＬＥＤ端子面１５１１ａ、１５１２ａから窪んだ直方体状の凹みに形成し、各凹部Ｍが、各端子部１５１１、１５１２の上辺又は下辺のいずれかの外周縁につながるように形成してもよい。凹部Ｍは、端子部の裏面の外周縁に設けられた段部Ｄと平面視上重なることとなり、各端子部の外周縁には切り欠き部Ｔが形成される。
また、凹部Ｍを、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成し、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込むようにしてもよい。
この場合、リードフレーム１５１０は、凹部Ｍが各端子部１５１１、１５１２の外周側面とつながっているので、光反射樹脂層を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂を、凹部Ｍ内に各端子部の外周側面から容易に流し込むことができる。
なお、上述のリードフレーム１５１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。
（第１４実施形態）
次に、本発明の第１４実施形態について説明する。
図２３は、第１４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２３（ａ）、図２３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２３（ｃ）、図２３（ｄ）は、それぞれ図２３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
第１４実施形態のリードフレーム１６１０は、端子部１６１１、１６１２に貫通孔Ｈが形成されている点で第１実施形態と相違する。
端子部１６１１及び端子部１６１２は、互いに対向する辺に、表裏面に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。
貫通孔Ｈは、図２３に示すように、端子部１６１１、１６１２の互いに対向する辺の角部に設けられた円形状の孔である。貫通孔Ｈは、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄと平面視上重なる位置に形成されている。
貫通孔Ｈは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、貫通孔Ｈの内部にも樹脂が流れ込む。また、貫通孔Ｈには、フレーム樹脂部が形成される場合に、段部Ｄからも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１６１０は、貫通孔Ｈに樹脂が充填されることによって、端子部間において、端子部１６１１、１６１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１６１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１６１０は、光反射樹脂層が形成された場合に、貫通孔Ｈの樹脂が、各端子部の表面のリフレクタ樹脂部及び裏面の段部Ｄに形成されたフレーム樹脂部と結合する。そのため、各端子部１６１１、１６１２は、貫通孔Ｈ内に形成された光反射樹脂層によって、各端子部の配列方向（Ｘ方向）だけでなく、垂直な厚み方向（Ｚ方向）や、上下方向（Ｙ方向）に対しての移動を規制することができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１６１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。また、貫通孔Ｈの形状は、円形状に限らず、楕円を含む長円形状や、矩形状等に形成されてもよい。さらに、貫通孔Ｈは、各端子部の互いに対向する辺上に沿って、複数個設けるようにしてもよい。
（第１５実施形態）
次に、本発明の第１５実施形態について説明する。
図２４は、第１５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図２４（ａ）、図２４（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２４（ｃ）、図２４（ｄ）、図２４（ｅ）は、それぞれ図２４（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
第１５実施形態のリードフレーム１７１０は、端子部１７１１、１７１２に貫通孔Ｈが形成されている点で第１実施形態と主に相違する。
端子部１７１１及び端子部１７１２は、互いに対向する辺に、表裏面に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。また、端子部１７１１、１７１２は、それぞれの表面側の貫通孔Ｈの近傍に凹部Ｍが設けられている。
貫通孔Ｈは、図２４に示すように、端子部１７１１、１７１２の互いに対向する辺の角部に設けられた円形状の孔である。貫通孔Ｈは、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄと平面視上重なる位置に形成されている。
貫通孔Ｈは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍを介して貫通孔Ｈの内部にも樹脂が流れ込む。また、貫通孔Ｈには、フレーム樹脂部が形成される場合に、段部Ｄからも樹脂が流れ込む。
凹部Ｍは、端子部１７１１、１７１２の表面の互いに対向する辺の角部であって、貫通孔Ｈの開口部に設けられ、ＬＥＤ端子面１７１１ａ、１７１２ａから窪んだ直方体状の凹みである。凹部Ｍは、端子部１７１１、１７１２の互いに対向する辺の外周縁ではつながっていないが、その底部が貫通孔Ｈとつながるように形成されている。
凹部Ｍは、リフレクタ樹脂部と平面視上重なる位置に形成されており、リフレクタ樹脂部が成形される場合に、凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１７１０は、貫通孔Ｈに樹脂が充填されることによって、端子部間において、端子部１７１１、１７１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１７１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１７１０は、光反射樹脂層が形成された場合に、貫通孔Ｈの樹脂が、凹部Ｍの樹脂及び裏面の段部Ｄに形成されたフレーム樹脂部と結合する。そのため、各端子部１７１１、１７１２は、貫通孔Ｈ内に形成された光反射樹脂層によって、各端子部の配列方向（Ｘ方向）だけでなく、垂直な厚み方向（Ｚ方向）や、上下方向（Ｙ方向）に対しての移動を規制することができ、上記剥離発生の抑制効果を向上させることができる。
更に、リードフレーム１７１０は、凹部Ｍを設けることによって、凹部Ｍ及び貫通孔Ｈ内に形成される光反射樹脂層の各端子部の配列方向（Ｘ方向）対する接触面積を増やすことができ、上記剥離発生の抑制効果を更に向上させることができる。
なお、本実施形態のリードフレーム１７１０は、第１実施形態のリードフレームと同様に、カップ型の光半導体装置だけでなく、フラット型の光半導体装置の製造に適用することができる。また、貫通孔Ｈの形状は、円形状に限らず、楕円を含む長円形状や、矩形状等に形成されてもよい。さらに、貫通孔Ｈは、各端子部の互いに対向する辺上に沿って、複数個設けるようにしてもよい。
（第１６実施形態）
次に、本発明の第１６実施形態について説明する。
図２５は、第１６実施形態のリードフレームの詳細を説明する図である。図２５（ａ）は、第１６実施形態のリードフレーム１８１０の裏面の一の形態を示す図であり、図２５（ｂ）は、第１６実施形態のリードフレーム１９１０の裏面の別な形態を示す図である。また、図２５（ｃ）は、第１６実施形態のリードフレーム２０１０の裏面の他の形態を示す図であり、図２５（ｄ）は、第１６実施形態のリードフレーム２１１０の裏面のその他の形態を示す図である。
第１６実施形態のリードフレーム１８１０は、凹部Ｍ及び段部Ｄが各端子部の裏面にのみ設けられる点で第１実施形態と相違する。
端子部１８１１及び端子部１８１２は、それぞれの裏面側の互いに対向する辺に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、図２５（ａ）に示すように、端子部１８１１、１８１２の互いに対向する辺に沿って、外部端子面１８１１ｂ、１８１２ｂから窪んだ複数の円形状の穴である。この円形状の穴は、各端子部の裏面に設けられた段部Ｄとは重ならない位置に形成されている。また、凹部Ｍは、円形状の穴に、各端子部間の外周縁側につながる穴径より小さい幅の凹みが形成されており、段部Ｄにつながっている。
凹部Ｍは、フレーム樹脂部が形成される場合に、段部Ｄを介して凹部Ｍの内部にも樹脂が流れ込む。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム１８１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、各端子部間において、各端子部１８１１、１８１２と光反射樹脂層との結合強度を向上させ、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。また、各端子部の裏面に段部Ｄを形成しているので、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１８１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、図２５（ｂ）に示すように、リードフレーム１９１０は、第１０実施形態の凹部Ｍのように、各端子部の裏面の互いに対向する辺に、円弧状の凹みからなる凹部Ｍを、円弧の中心が互いに対向する端子部とは反対側の方向に向くように形成し、円弧の中央部と段部Ｄとがつながるように形成してもよい。
この場合、上述のリードフレーム１８１０の効果に加え、リードフレーム１９１０は、端子部１９１１に配置されるＬＥＤ素子の配置位置を、第１実施形態の場合よりもリードフレーム１９１０（光半導体装置）の外形の中央に配置することができる。これにより、製造された光半導体装置の光の出射効率等を向上させることができる。
更に、図２５（ｃ）に示すように、リードフレーム２０１０は、第５実施形態の凹部Ｍのように、各端子部の裏面の互いに対向する辺に、半円状の凹みからなる凹部Ｍを、半円の中心が互いに対向する端子部の方向に向くように形成し、半円の端部と段部Ｄとがつながるように形成してもよい。
この場合も、上述のリードフレーム１８１０の効果と同様の効果を奏することができる。
更に、図２５（ｄ）に示すように、リードフレーム２１１０は、第１実施形態の凹部Ｍのように、各端子部の裏面の互いに対向する辺の角部に、円弧状の凹みからなる凹部Ｍを段部Ｄとつながるように形成してもよい。
この場合も、上述のリードフレーム１８１０の効果と同様の効果を奏することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の裏面に段部Ｄを設ける例を説明したが、これに限定されるものでない。例えば、各端子部の裏面に段部Ｄを設けなくてもよい。
（２）第１実施形態から第１３実施形態において、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の表面に凹部Ｍを設ける例を説明したが、これに限定されるものでない。例えば、各端子部の裏面に凹部Ｍを設けるようにしてもよい。この場合、第１６実施形態のように、凹部Ｍと段部Ｄとを並存させてもよく、また、段部Ｄを省略し、凹部Ｍのみを設けるようにしてもよい。
（３）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つにはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。この場合、それぞれの端子部間に凹部Ｍや、貫通孔Ｈを設けることにより、上述の実施形態と同様に、端子部間における、各端子部と光反射樹脂層との剥離に発生を抑制することができる。
（４）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
Ｄ 段部
Ｆ 枠体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Ｔ 切り欠き部

Claims (13)

  1. 表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
    前記各端子部は、その表面又は裏面の互いに対向する辺の少なくとも一部に、その端子面から窪んだ凹部を有すること、
    を特徴とするリードフレーム。
  2. 請求項１に記載のリードフレームにおいて、
    前記凹部と、前記端子部の外周側面とは、連通していること、
    を特徴とするリードフレーム。
  3. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームにおいて、
    前記端子部は、前記凹部が設けられた面とは反対側の面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部を有すること、
    を特徴とするリードフレーム。
  4. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームにおいて、
    前記端子部は、前記凹部が設けられた面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部を有すること、
    を特徴とするリードフレーム。
  5. 表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
    前記各端子部は、互いに対向する辺の少なくとも一部に、貫通孔を有すること、
    を特徴とするリードフレーム。
  6. 請求項５に記載のリードフレームにおいて、
    前記各端子部は、その表面又は裏面にその端子面から窪んだ凹部を有し、
    前記凹部と、前記貫通孔とは、連通していること、
    を特徴とするリードフレーム。
  7. 請求項５又は請求項６に記載のリードフレームにおいて、
    前記端子部は、表面又は裏面の外周縁の少なくとも一部に、その端子面から落ち込んだ段部を有すること、
    を特徴とするリードフレーム。
  8. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のリードフレームと、
    前記リードフレームの前記端子部の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層と、
    を備える樹脂付きリードフレーム。
  9. 請求項８に記載の樹脂付きリードフレームにおいて、
    前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレーム。
  10. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のリードフレームが枠体に多面付けされていること、
    を特徴とするリードフレームの多面付け体。
  11. 請求項８又は請求項９に記載の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
  12. 請求項８又は請求項９に記載の樹脂付きリードフレームと、
    前記樹脂付きリードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
    前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層と、
    を備える光半導体装置。
  13. 請求項１２に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
    を特徴とする光半導体装置の多面付け体。
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