JP2014160779A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014160779A JP2014160779A JP2013031396A JP2013031396A JP2014160779A JP 2014160779 A JP2014160779 A JP 2014160779A JP 2013031396 A JP2013031396 A JP 2013031396A JP 2013031396 A JP2013031396 A JP 2013031396A JP 2014160779 A JP2014160779 A JP 2014160779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- region
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- emitter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 51
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 27
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 21
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 本明細書が開示する半導体装置10は、半導体基板12と、第1電極50を有する。半導体基板12には、素子領域14と、その素子領域14を取り囲む非素子領域16とが形成されている。第1電極50は、半導体基板12上に配置されており、半導体基板12に形成された素子領域14と電気的に接続されている。第1電極50は弾性率が異なる2以上の材料により構成されている。半導体基板12を平面視した場合の第1電極50の外周部における単位面積当たりの弾性率は、第1電極50の中央部における単位面積当たりの弾性率よりも小さい。
【選択図】図1
Description
次に、図5を参照して実施例3の変形例1について説明する。以下では、実施例3と相違する点についてのみ説明し、実施例3と同一の構成についてはその詳細な説明を省略する。
12:半導体基板
14:素子領域
16:非素子領域
27:トレンチ
28:ゲート電極
29:絶縁膜
40:ゲート配線層
42、44:めっき層
48:金属ブロック
50:エミッタ電極
52:絶縁体
54:導電体
60:絶縁膜
Claims (5)
- 素子領域が形成された半導体基板と、
半導体基板上に配置されており、半導体基板に形成された素子領域と電気的に接続されている第1電極を有しており、
第1電極は、弾性率が異なる2以上の材料により構成されており、
半導体基板を平面視した場合の第1電極の外周部における単位面積当たりの弾性率は、第1電極の中央部における単位面積当たりの弾性率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 第1電極の上面にはめっき層が配置されており、
めっき層の上面には金属ブロックが配置されており、
金属ブロックは、第1電極の少なくとも一部を覆っており、めっき層を介して第1電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1の半導体装置。 - 半導体基板にはさらに、素子領域を取り囲む非素子領域が形成されており、
素子領域には、絶縁ゲート型の半導体素子が形成されており、
非素子領域上にはさらに、半導体素子の絶縁ゲートに電気的に接続されたゲート配線層が配置されており、
第1電極の外周部は、第1電極の中央部よりもゲート配線層に近接していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 第1電極の中央部からゲート配線層に近接する方向に向かうにつれて、第1電極の単位面積当たりの弾性率が小さくなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 半導体基板の素子領域上の一部には、絶縁膜を介して第1電極が配置されており、
第1電極は、絶縁材料で形成された少なくとも1つの絶縁体を有しており、その絶縁体の弾性率は、第1電極を構成する前記絶縁材料以外の材料の弾性率より小さくされており、
前記絶縁膜が配置された範囲の上方には前記絶縁体が配置されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013031396A JP2014160779A (ja) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | 半導体装置 |
US14/166,215 US9111988B2 (en) | 2013-02-20 | 2014-01-28 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013031396A JP2014160779A (ja) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014160779A true JP2014160779A (ja) | 2014-09-04 |
Family
ID=51350583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013031396A Pending JP2014160779A (ja) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9111988B2 (ja) |
JP (1) | JP2014160779A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017059720A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11855206B2 (en) | 2021-02-18 | 2023-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7103256B2 (ja) * | 2019-02-13 | 2022-07-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049281A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175206A (ja) | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP3812549B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-08-23 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4191567B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-12-03 | 株式会社リコー | 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法 |
JP3750680B2 (ja) | 2003-10-10 | 2006-03-01 | 株式会社デンソー | パッケージ型半導体装置 |
WO2010092691A1 (ja) * | 2009-02-16 | 2010-08-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
DE102010038933A1 (de) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Denso Corporation, Kariya-City | Halbleitervorrichtung mit Halbleiterchip und Metallplatte und Verfahren zu deren Fertigung |
-
2013
- 2013-02-20 JP JP2013031396A patent/JP2014160779A/ja active Pending
-
2014
- 2014-01-28 US US14/166,215 patent/US9111988B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049281A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017059720A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11855206B2 (en) | 2021-02-18 | 2023-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9111988B2 (en) | 2015-08-18 |
US20140231868A1 (en) | 2014-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6588363B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP4984485B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5135719B2 (ja) | トレンチ型絶縁ゲート半導体装置 | |
JP6460016B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP6299789B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP6666292B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016167539A (ja) | 半導体装置 | |
JP5605095B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6668804B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017135245A (ja) | 半導体装置 | |
WO2017056176A1 (ja) | 半導体装置およびそれを備える半導体モジュール | |
JP5633135B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014160779A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014130896A (ja) | 半導体装置 | |
JP6759275B2 (ja) | ボンドパッド間のゲートフィンガを含むワイドバンドギャップ半導体デバイス | |
CN211929493U (zh) | 晶闸管 | |
JP7310356B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011060883A (ja) | 絶縁ゲートトランジスタ | |
JP6825298B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010062331A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2021005692A (ja) | 半導体装置 | |
KR101602411B1 (ko) | 게이트 패드 영역에 액티브셀 배치 구조를 가지는 전력 반도체 장치 | |
WO2022153652A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7230303B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2024036071A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170123 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170321 |