JP2014150374A - 直交八木宇田アンテナ - Google Patents

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Abstract

【課題】小型軽量で製作が容易であり、且つ良好な電気特性が得られると共に1GHzを超える高い周波数帯でも有用な直交八木宇田アンテナを提供する。
【解決手段】プリント基板20の前面に、放射素子21、導波素子22a、22b、…を所定の間隔で設ける共に放射素子21の後方にバラン24及び反射素子23を設け、基板裏面には給電線路26を設ける。プリント基板30の前面に、放射素子31、導波素子32a、32b、…を所定の間隔で設けると共に放射素子31の後方にバラン34及び反射素子33を設け、基板裏面には給電線路36を設ける。プリント基板20には下方中央の長手方向にスリットを設け、プリント基板30にはプリント基板20のスリットから上方に位置するように中央長手方向にスリットを設ける。プリント基板20、30を上記スリットに差し込んで直交した状態に組み立て、スリットにより切断された素子間を半田付けして接続する。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば移動体通信、ローカル・エリア・ネットワーク、TV放送等に使用される2偏波の直交八木宇田アンテナに関する。
直交八木宇田アンテナに用いられる従来の直交ダイポールアンテナは、図12に示すように構成されている。この直交ダイポールアンテナは、第1のダイポールアンテナを構成する放射素子11a、11bと、第2のダイポールアンテナを構成する放射素子12a、12bとを90°の角度で交差させて放射状に配置し、給電部16にバラン(平衡不平衡変換素子)13を接続している。このバラン13は、同軸ケーブルを用いた給電ケーブル14a、14bと、導電ケーブルを用いたバラン用ケーブル15a、15bからなり、給電部16では異なる偏波の芯線が接触しないようにブリッジされている。また、バラン13は、給電部16からλ/4(λは使用周波数の波長)下方の位置で金属リング17によりショートされている。
上記従来の直交ダイポールアンテナの構造では、部品点数が多く、調整箇所も限られていると共に、アンテナを支持する支柱を必要としている。また、従来の直交ダイポールアンテナは、1GHzより低い周波数において用いられていることが多く、これより高い周波数での製作が難しいという問題がある。これは、放射器が一般的なダイポールアンテナである場合、0.4〜0.5λの素子長となるが、バラン13の構造を小さくする限界から給電間隔が大きくなってしまい、放射器に励振される電流を阻害してしまって電気特性が不安定となるからである。
また、本発明に関連する公知技術として、第1の多素子八木アンテナと第2の多素子八木アンテナとを直線状のアームに直交配置してダイバーシティの送受信を可能とした偏波ダイバーシティアンテナ装置(例えば、特許文献1参照。)や、2つの誘電体基板上にそれぞれアンテナパターンを形成し、該2つの誘電体基板を直交配置してなるクロスダイポールアンテナ(例えば、特許文献2、3参照。)等が知られている。
特開2006−87138号公報 特開2001−168637号公報 特開2009−124403号公報
上記図12に示した従来の直交ダイポールアンテナでは、部品点数が多く、調整箇所も限られていると共に、アンテナを支持する支柱を必要とし、且つ1GHzより高い周波数での製作が難しいという問題がある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、部品点数が少なく、小型軽量で製作が容易であり、且つ良好な電気特性が得られると共に1GHzを超える高い周波数帯でも有用な直交八木宇田アンテナを提供することを目的とする。
第1の発明は、主偏波用のアンテナ素子を備えた第1のプリント基板及び逆偏波用のアンテナ素子を備えた第2のプリント基板を直交した状態に構成してなる直交八木宇田アンテナにおいて、
前記第1のプリント基板及び第2のプリント基板は、それぞれ前面の長手方向の一方の端部側に近接して設けられる放射素子と、前記放射素子から他方の端部側に向かって順次所定の間隔で設けられる複数の導波素子と、前記放射素子から一方の端部側に所定の間隔で設けられる反射素子と、前記放射素子と前記反射素子との間に設けられる平衡不平衡変換素子と、基板裏面に設けられて前記放射素子の給電点にスルーホールにより接続される給電線路とを備え、且つ、
前記第1のプリント基板は、長手方向中央に沿って形成されて一方の端部に開口する基板差し込み用スリットを備え、
前記第2のプリント基板は、長手方向中央に沿って形成されて他方の端部に開口する基板差し込み用スリットを備え、
前記第1のプリント基板及び第2のプリント基板を相互に前記基板差し込み用スリットに差し込んで直交状態に保持し、前記基板差し込み用スリットにより切断された素子間を半田付けして接続することを特徴とする。
第2の発明は、前記第1の発明に係る直交八木宇田アンテナにおいて、前記第1のプリント基板及び第2のプリント基板に設けられる給電線路は、放射素子の給電点に接続される線路位置の高さを異ならせ、相互に絶縁した状態で交差するように構成したことを特徴とする。
第3の発明は、前記第1の発明又は第2の発明に係る直交八木宇田アンテナにおいて、前記基板差し込み用スリットにより切断された素子間の接続は、該切断された素子近傍の基板差し込み用スリット及びプリント基板に設けた貫通溝に導体片を挿入して半田付け処理を行うことを特徴とする。
本発明によれば、部品点数が少なく、小型軽量であり、組立て手順が少なく製作が容易で十分な強度を確保でき、且つ良好な電気特性が得られ、1GHzを超える高い周波数帯に対しても対応可能な直交八木宇田アンテナを構成することができる。
本発明の一実施形態に係る直交八木宇田アンテナの要部の構成を示す斜視図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナにおいて、プリント基板の前面に形成されるアンテナパターンの構成例を示す図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナにおいて、プリント基板の裏面に形成される給電線路のパターン構成例を示す図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナにおいて、基板前面に形成されるアンテナパターン、基板裏面に形成される給電線路のパターン、及び基板差し込み用スリットの配置関係を示すプリント基板の正面図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナにおいて、2つのプリント基板に設けられたアンテナ素子間の接続方法を示す要部断面図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナにおいて、2つのプリント基板に設けられたアンテナ素子間の他の接続方法を示す要部断面図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナのVSWR特性を示す図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナの特性を示すスミスチャートである。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナの主偏波給電点と逆偏波給電点の端子間結合量を示す図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナの指向性パターンを示す図である。 同実施形態に係る直交八木宇田アンテナの主偏波の利得特性を示す図である。 従来の直交ダイポールアンテナの構成を示す斜視図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る直交八木宇田アンテナの要部の構成を示す斜視図である。本発明に係る直交八木宇田アンテナは、主偏波用の第1のプリント基板20及び逆偏波用の第2のプリント基板30を備え、該2枚のプリント基板20、30が直交した状態に組み立てられる。上記プリント基板20、30は、厚さが例えば約1.6mmの誘電体により長方形状に形成される。
上記第1のプリント基板20の前面には図2(a)に示すアンテナパターンが左右対称に形成され、第2のプリント基板30の前面には図2(b)に示すアンテナパターンが左右対称に形成される。すなわち、第1のプリント基板20の前面には、図2(a)に示すように一方の端部に近接して例えば折返しダイポールによる放射素子21が設けられると共に、この放射素子21の上方(前方)に複数の導波素子22a〜22fが所定の間隔で設けられる。放射素子21の下方(後方)には、所定の間隔で反射素子23が設けられると共に、放射素子21と反射素子23との間にバラン(平衡不平衡変換器)24が設けられる。また、放射素子21には、素子端部に給電点28が設けられる。
また、第2のプリント基板30の前面には、図2(b)に示すように一方の端部に近接して例えば折返しダイポールによる放射素子31が設けられると共に、この放射素子31の上方(前方)に複数の導波素子32a〜32fが所定の間隔で設けられる。放射素子31の下方(後方)には、所定の間隔で反射素子33が設けられると共に、放射素子31と反射素子33との間にバラン34が設けられる。また、放射素子31には、素子端部に給電点38が設けられる。
上記第1のプリント基板20の前面に形成されるアンテナパターンと第2のプリント基板30の前面に形成されるアンテナパターンは、ほぼ同じ形状となっている。
そして、第1のプリント基板20及び第2のプリント基板30の裏面には、図3に示すように給電線路のパターンが形成される。すなわち、第1のプリント基板20の裏面には、図3(a)に示すように前面側の放射素子21に対応させて給電線路26が設けられる。この給電線路26は、第1のプリント基板20の下方部位において基板の長手方向に沿って直線状に設けられ、その上端部が90°折曲げられる。この給電線路26の上部折曲げ部29は、基板前面側の放射素子21の下方側の素子に対応して設けられ、その先端はスルーホール28aにより放射素子21の給電点28に接続される。また、給電線路26の下端部は給電ケーブル接続点27となっており、第1の偏波の給電ケーブル芯線が接続される。そして、第1のプリント基板20には、給電線路26の上部折曲げ部29の下側に近接する中央位置から基板の下側縁まで、基板差し込み用スリット25が設けられる。この基板差し込み用スリット25の幅tは、第2のプリント基板30の厚さより少し広く形成され、この基板差し込み用スリット25内に第2のプリント基板30を差し込めるようになっている。
また、第2のプリント基板30の裏面には、図3(b)に示すように前面側の放射素子31に対応させて給電線路36が設けられる。この給電線路36は、第2のプリント基板30の下方部位において基板の長手方向に沿って直線状に設けられ、その上端部が90°折曲げられる。この給電線路36の上部折曲げ部39は、基板前面側の放射素子31の下方側の素子に対応して設けられ、その先端はスルーホール38aにより放射素子21の給電点38に接続される。この場合、上部折曲げ部39は、第1のプリント基板20側の上部折曲げ部29より所定距離低い位置に形成され、第1のプリント基板20と第2のプリント基板30を直交して組み立てたとき、両者が接触しないようにブリッジ構造としている。上記上部折曲げ部29、39によるブリッジ構造は、図12に示した従来の直交ダイポールアンテナにおける給電部16のブリッジ構造に対応している。また、給電線路36の下端部は、給電ケーブル接続点37となっており、第2の偏波の給電ケーブル芯線が接続される。そして、第2のプリント基板30には、上側縁中央から給電線路36の上部折曲げ部39に近接する位置まで、基板差し込み用スリット35が設けられる。この場合、第1のプリント基板20の基板差し込み用スリット25の上部高さ位置と、第2のプリント基板30の基板差し込み用スリット35の下部高さ位置が一致するように設定される。また、基板差し込み用スリット35の幅tは、プリント基板20の厚さより少し広く形成され、この基板差し込み用スリット35内に第1のプリント基板20を差し込めるようになっている。
図4(a)は第1のプリント基板20の正面図、同図(b)は第2のプリント基板30の正面図で、図2に示すように基板前面に形成されるアンテナパターン、図3に示すように基板裏面に形成される給電線路26、36のパターン、及び基板差し込み用スリット25、35の配置関係を示している。
上記図4(a)に示すように構成された第1のプリント基板20を図4(b)に示すように構成された第2のプリント基板30の上方において、直交するように位置させ、第1のプリント基板20を下端側から第2のプリント基板30の基板差し込み用スリット35に差し込み、基板差し込み用スリット35の下端部まで達した後は、第1のプリント基板20の基板差し込み用スリット25内に第2のプリント基板30の下部を差し込む。
第1のプリント基板20と第2のプリント基板30とを、基板差し込み用スリット25及び基板差し込み用スリット35を利用して相互に差し込むことによって、図1に示したように第1のプリント基板20と第2のプリント基板30とが直交して位置するように組み合わせる。このとき基板差し込み用スリット25及び基板差し込み用スリット35によって切断されてしまった、本来は導体であった箇所、すなわち、放射素子21、31、導波素子22a〜22f、32a〜32f、反射素子23、33、バラン24、34等に対して適宜に半田付けを行って接続する。
図5は、アンテナパターン例えば第1のプリント基板20の導波素子22a及び第2のプリント基板30の導波素子32aについて、基板差し込み用スリット35によって切断された箇所を接続する場合の例を示したものである。この場合の例では、L字形に形成した導体片41a、41bを使用して切断箇所の接続及び補強を行っている。スリット35によって切断された導波素子32aとプリント基板20の導波素子22aとを接続する場合、プリント基板20に対し、導波素子32aに近接する位置に導体片41aを挿入するための貫通溝、すなわち、基板前面と裏面との間を貫通する貫通溝42を設ける。この貫通溝42内にL字形の導体片41aを挿入し、基板20側の導波素子22aと基板30側の導波素子32aに接触させ、半田付けにより両者を接続する。また、スリット35により切断された導波素子32aに対しては、導波素子32a近傍のスリット35内にL字形の導体片41bを挿入し、基板30側の導波素子32aと基板20側の導波素子22aに接触させ、半田付けして両者を接続する。更に、導体片41a、41b間も近接する部位において、半田付けを行って接続する。
上記のようにして基板20側の導波素子22aと基板30側の導波素子32aとを電気的に接続し、且つ導波素子22a、32a間の接続を導体片41a、41bによって補強する。
また、図6(a)は、スリット35によって切断されたプリント基板30の導波素子32aとプリント基板20の導波素子22aとを接続する場合の他の接続例を示している。この例では、第1のプリント基板20と第2のプリント基板30の両方に、スリット35の近傍で、導波素子22a及び導波素子32aにそれぞれ接続するスルーホール45a〜45dを設ける。そして、プリント基板20、30が交差する各角部において、スルーホール45a〜45dと導波素子22a、32aとの間、あるいはスルーホール45a、45c間にて半田付け46a〜46dを行い、導波素子22a、32a間を一体的に接続する。
上記のようにスルーホール45a〜45dを設けて導波素子22a、32a間の接続を行った場合には、図5に示したような貫通溝42を設ける必要は無い。
また、図6(b)は、同図(a)に示したようにスルーホールを設けて素子間を接続する場合において、第1のプリント基板20に対し、スリット35の近傍で導波素子22aに接続する1つのスルーホール45aを設けた場合の例を示している。このときスルーホール45aとプリント基板30に設けた導波素子32aとが近接する角部にて、スルーホール45aと導波素子32aとの間を半田付け46aにより接続すると共に、プリント基板20の導波素子22aとプリント基板30の導波素子32aが交差する角部にて、導波素子22a、32a間を半田付け46bにより接続する。
上記図6(b)に示した例では、1つのスルーホール45aを設けるだけで、半田付けにより導波素子22a、32a間を一体的に接続することが可能である。
なお、上記図6の例では、素子接続箇所にそれぞれ1つのスルーホールを設けた場合について示したが、各接続箇所に複数のスルーホールを設けて接続の密度を高くするようにしても良い。また、スルーホールに対して導体片を介在して半田付けするようにしても良い。
また、図5及び図6では、導波素子22a、32a間を一体的に接続する場合について示したが、その他の導波素子や放射素子等においても同様にして接続することが可能である。
上記第1のプリント基板20及び第2のプリント基板30は、基板差し込み用スリット25、35を利用して直交した状態に組立て、スリット25、35によって切断された各アンテナ素子を半田付けした接続した後、反射素子23、33側の端部を保持基板に装着し、保護ケースに収納する。
図7は、上記のように構成された直交八木宇田アンテナにおいて、使用周波数帯を2GHz帯に設定した場合のVSWR特性であり、横軸に周波数[GHz]をとり、縦軸にVSWRをとって示した。図7において、実線で示す特性a1は主偏波系のVSWR特性、破線で示す特性b1は逆偏波系のVSWR特性を示している。上記主偏波系のVSWR特性a1及び逆偏波系のVSWR特性b1は、ほぼ同様の特性で2GHz以上の周波数領域においても良好な特性を示している。
図8は上記直交八木宇田アンテナにおけるスミスチャートで、図中のa2は主偏波系におけるインピーダンス整合状態、b2は逆偏波系におけるインピーダンス整合状態で、上記a2、b2の始端位置は2.2GHzの周波数、終端位置は2.5GHzの周波数における状態を示している。
図9は上記直交八木宇田アンテナにおける主偏波給電点と逆偏波給電点の端子間結合量を示したもので、横軸に周波数[GHz]をとり、縦軸に端子間結合量[dB]をとって示した。この場合の主偏波給電点と逆偏波給電点の端子間結合量は、設定周波数帯域において[−20dB]以下の値となっており、良好な特性を示している。
図10は上記直交八木宇田アンテナにおける指向性パターンで、図中のA1は主偏波系の磁界面指向性、A2は主偏波系の電界面指向性、B1は逆偏波系の磁界面指向性、B2は逆偏波系の電界面指向性を示している。なお、図10は、主偏波系のアンテナ側からみた指向性パターンを示している。
図11は上記直交八木宇田アンテナにおける主偏波系の利得特性を示し、横軸に周波数[GHz]をとり、縦軸に利得[dBi]をとって示した。設定周波数帯域の全体において十分な利得が得られており、特に2.35GHzを中心とする2.30〜2.40GHzの範囲で高い利得が得られている。また、図示しないが、逆偏波系においても主偏波系と同様に良好な利得特性が得られている。
上記実施形態によれば、第1のプリント基板20と第2のプリント基板30とを直交した状態に組み合わせて直交八木宇田アンテナを構成しているので、部品点数が少なく、小型軽量であり、且つ組立て手順が少なく製作が容易で、十分な強度を確保することができる。また、放射素子や導波素子だけでなくバラン24、34及び給電線路26、36等も基板上にプリントしているので、プリントパターンと形状を工夫することによって、独立した直交2偏波を有しつつも、給電部を簡略化でき、良好な電気特性を得ることができる。なお、偏波間結合容量、逆偏波分離度については、従来とほぼ同等である。
また、プリント基板20、30を使用することにより、給電部のブリッジ構造も簡易化して構成することが可能である。更にバラン24、34の構造を簡略化して小さくできるので、放射素子に励振される電流の阻害を防止して電気特性を安定化し、2GHzを超える高周波帯においても対応することができる。
更に、プリント基板20、30を用いて製作できるので、大量生産する場合にも、効率的に対応することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できるものである。
20…第1のプリント基板、21…放射素子、22a〜22f…導波素子、23…反射素子、24…バラン(平衡不平衡変換素子)、25…基板差し込み用スリット、26…給電線路、27…給電ケーブル接続点、28…給電点、28a…スルーホール、30…第2のプリント基板、31…放射素子、32a〜32f…導波素子、33…反射素子、34…バラン(平衡不平衡変換素子)、35…基板差し込み用スリット、36…給電線路、37…給電ケーブル接続点、38…給電点、38a…スルーホール、41a、41b…導体片、42…貫通溝、45a〜45d…スルーホール。

Claims (3)

  1. 主偏波用のアンテナ素子を備えた第1のプリント基板及び逆偏波用のアンテナ素子を備えた第2のプリント基板を直交した状態に構成してなる直交八木宇田アンテナにおいて、
    前記第1のプリント基板及び第2のプリント基板は、それぞれ前面の長手方向の一方の端部側に近接して設けられる放射素子と、前記放射素子から他方の端部側に向かって順次所定の間隔で設けられる複数の導波素子と、前記放射素子から一方の端部側に所定の間隔で設けられる反射素子と、前記放射素子と前記反射素子との間に設けられる平衡不平衡変換素子と、基板裏面に設けられて前記放射素子の給電点にスルーホールにより接続される給電線路とを備え、且つ、
    前記第1のプリント基板は、長手方向中央に沿って形成されて一方の端部に開口する基板差し込み用スリットを備え、
    前記第2のプリント基板は、長手方向中央に沿って形成されて他方の端部に開口する基板差し込み用スリットを備え、
    前記第1のプリント基板及び第2のプリント基板を相互に前記基板差し込み用スリットに差し込んで直交状態に保持し、前記基板差し込み用スリットにより切断された素子間を半田付けして接続することを特徴とする直交八木宇田アンテナ。
  2. 前記第1のプリント基板及び第2のプリント基板に設けられる給電線路は、放射素子の給電点に接続される線路位置の高さを異ならせ、相互に絶縁した状態で交差するように構成したことを特徴とする請求項1に記載の直交八木宇田アンテナ。
  3. 前記基板差し込み用スリットにより切断された素子間の接続は、該切断された素子近傍の基板差し込み用スリット及びプリント基板に設けた貫通溝に導体片を挿入して半田付け処理を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の直交八木宇田アンテナ。
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