CN114300829A - 天线装置与高频辐射单元 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种天线装置与高频辐射单元，高频辐射单元包括支撑巴伦、四个辐射臂、四个同轴线与两个馈电件。框体其中一组对角的两个半波振子构成一个二元阵，能提高辐射单元的增益，形成一个极化；另一组对角的两个半波振子构成另一个二元阵，形成另一个极化，两个极化正交。由于辐射臂是共用设计，一个极化的半波振子辐射臂馈电点位置对应为另一个极化辐射单元辐射臂的终端，尺寸缩小为同频段半波振子形式的0.7倍，从而实现了高频辐射单元的小型化。辐射臂下方的支撑巴伦对四个辐射臂起到支撑作用与平衡馈电作用。设置为对角二元阵以提高增益，同时将两个极化共用辐射臂以缩小尺寸，最终在辐射单元口径缩小的情况下实现了增益的提高。

Description

天线装置与高频辐射单元

技术领域

本发明涉及天线通信技术领域，特别是涉及一种天线装置与高频辐射单元。

背景技术

随着通信技术的不断发展，对基站天线的小型化、集成化的要求越来越高，对天线装置的辐射单元也提出了小型化的要求，而简单地缩小辐射单元的口径尺寸，不仅仅会降低辐射单元的增益，同时也会影响电路匹配，造成驻波比的恶化。

发明内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种天线装置与高频辐射单元，它能够保证在不影响增益和驻波比的情况下，尽量减小口径尺寸大小。

其技术方案如下：一种高频辐射单元，所述高频辐射单元包括：支撑巴伦与四个辐射臂，所述支撑巴伦分别与四个所述辐射臂相连，四个所述辐射臂构成框体，相邻两个所述辐射臂的端部间设有间隔，且相邻两个所述辐射臂端部的间隔区域定义为间隔部；四个同轴线与两个馈电件，四个所述同轴线的第一端分别与所述框体的四个间隔部一一对应设置，所述同轴线第一端的内芯与其所对应间隔部的其中一个所述辐射臂连接，所述同轴线第一端的外导体与其所对应间隔部的另一个所述辐射臂连接；与所述框体的其中一组对角相对应设置的两个所述同轴线第二端的内芯均和其中一个所述馈电件连接，与所述框体的另一组对角相对应设置的两个所述同轴线第二端的内芯均和另一个所述馈电件连接，所有所述同轴线第二端的外导体均与所述支撑巴伦连接。

上述的高频辐射单元，其中一个馈电件与框体的其中一组对角相对应设置的两个同轴线相连，另一个馈电件与框体的另一组对角相对应设置的两个同轴线相连，通过四个同轴线对四个辐射臂进行馈电，相邻两个辐射臂构成一个半波振子；框体其中一组对角的两个半波振子构成一个二元阵，能提高辐射单元的增益，形成高频辐射单元的一个极化；框体另一组对角的两个半波振子构成另一个二元阵，形成高频辐射单元的另一个极化，两个极化正交。其中，由于辐射臂是共用设计，一个极化的半波振子辐射臂馈电点位置对应为另一个极化辐射单元辐射臂的终端，将高频辐射单元的尺寸缩小为同频段半波振子形式的0.7倍，从而实现了高频辐射单元的小型化。辐射臂下方的支撑巴伦对四个辐射臂起到支撑作用与平衡馈电作用。如此，设置为对角二元阵以提高增益，同时将两个极化共用辐射臂以缩小尺寸，最终在辐射单元口径缩小的情况下实现了增益的提高。

在其中一个实施例中，所述支撑巴伦包括连接部以及与连接部相连的四个支撑分体；四个所述支撑分体与四个所述辐射臂一一对应相连，相邻两个所述支撑分体间隔设置形成馈电槽。

在其中一个实施例中，所述馈电槽的长度定义为L，L为1/4λ；所述辐射臂的长度定义为M，M为1/4λ；其中，λ为工作频段中心频点的波长。

在其中一个实施例中，所述辐射臂的辐射面定义为参考面，所述支撑分体包括相对于所述参考面垂直设置的第一支撑部、以及相对于所述参考面倾斜设置的第二支撑部；所述第一支撑部一端与所述连接部相连，所述第一支撑部另一端与所述第二支撑部相连，所述第二支撑部与所述辐射臂相连。

在其中一个实施例中，相邻两个所述第一支撑部间隔设置形成第一馈电槽，相邻两个所述第二支撑部间隔设置形成第二馈电槽，所述第一馈电槽与所述第二馈电槽对应连通形成所述馈电槽。

在其中一个实施例中，所述同轴线还包括设置于外导体外部的绝缘护套，所述绝缘护套固定于所述支撑巴伦上。

在其中一个实施例中，所述支撑巴伦上设置有与四个所述同轴线一一对应的卡槽，所述绝缘护套卡接固定于所述卡槽内。

在其中一个实施例中，所述馈电件为馈电芯、馈电板或馈电芯与馈电板组合结构；所述支撑巴伦与四个所述辐射臂通过压铸一体成型。

在其中一个实施例中，四个所述辐射臂分别为依次设置的第一辐射臂、第二辐射臂、第三辐射臂与第四辐射臂；四个所述同轴线分别为依次设置的第一同轴线、第二同轴线、第三同轴线与第四同轴线；两个所述馈电件分别为第一馈电件与第二馈电件；所述第一同轴线的内芯、所述第二同轴线的内芯均与所述第一辐射臂相连，所述第一同轴线的外导体与所述第四辐射臂相连，所述第二同轴线的外导体与所述第二辐射臂相连；所述第三同轴线的外导体、所述第四同轴线的外导体均与所述第三辐射臂相连，所述第三同轴线的内芯与所述第二辐射臂相连，所述第四同轴线的内芯与所述第四辐射臂相连。

在其中一个实施例中，所述框体为正方形框或圆形框。

一种天线装置，所述天线装置包括所述的高频辐射单元。

上述的天线装置，其中一个馈电件与框体的其中一组对角相对应设置的两个同轴线相连，另一个馈电件与框体的另一组对角相对应设置的两个同轴线相连，通过四个同轴线对四个辐射臂进行馈电，相邻两个辐射臂构成一个半波振子；框体其中一组对角的两个半波振子构成一个二元阵，能提高辐射单元的增益，形成高频辐射单元的一个极化；框体另一组对角的两个半波振子构成另一个二元阵，形成高频辐射单元的另一个极化，两个极化正交。其中，由于辐射臂是共用设计，一个极化的半波振子辐射臂馈电点位置对应为另一个极化辐射单元辐射臂的终端，将高频辐射单元的尺寸缩小为同频段半波振子形式的0.7倍，从而实现了高频辐射单元的小型化。辐射臂下方的支撑巴伦对四个辐射臂起到支撑作用与平衡馈电作用。如此，设置为对角二元阵以提高增益，同时将两个极化共用辐射臂以缩小尺寸，最终在辐射单元口径缩小的情况下实现了增益的提高。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例的高频辐射单元的其中一视角结构示意图；

图2为本发明一实施例的高频辐射单元的另一视角结构示意图；

图3为本发明一实施例的高频辐射单元的又一视角结构示意图；

图4为图3在A处的放大结构示意图；

图5为图3在B处的放大结构示意图；

图6为本发明一实施例的高频辐射单元和半波振子辐射单元的增益对比图。

10、支撑巴伦；11、连接部；12、支撑分体；121、第一支撑部；122、第二支撑部；123、第一馈电槽；124、第二馈电槽；13、卡槽；20、辐射臂；201、第一辐射臂；202、第二辐射臂；203、第三辐射臂；204、第四辐射臂；30、同轴线；301、第一同轴线；302、第二同轴线；303、第三同轴线；304、第四同轴线；31、内芯；32、外导体；33、绝缘护套；40、馈电件；401、第一馈电件；402、第二馈电件。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

参阅图1至图5，图1至图3分别示意出了本发明一实施例的高频辐射单元的三个不同视角结构示意图，图4示出了图3在A处的放大结构示意图，图5示出了图3在B处的放大结构示意图。本发明一实施例提供的一种高频辐射单元，高频辐射单元包括支撑巴伦10、四个辐射臂20、四个同轴线30与两个馈电件40。支撑巴伦10分别与四个辐射臂20相连，四个辐射臂20构成框体，相邻两个辐射臂20的端部间设有间隔，且相邻两个辐射臂20端部的间隔区域定义为间隔部。具体而言，框体包括但不限于为正方形框、圆形框或其它中心对称的框体。四个同轴线30的第一端分别与框体的四个间隔部一一对应设置，同轴线30第一端的内芯31与其所对应间隔部的其中一个辐射臂20连接，同轴线30第一端的外导体32与其所对应间隔部的另一个辐射臂20连接。与框体的其中一组对角相对应设置的两个同轴线30第二端的内芯31均和其中一个馈电件40连接，与框体的另一组对角相对应设置的两个同轴线30第二端的内芯31均和另一个馈电件40连接，所有同轴线30第二端的外导体32均与支撑巴伦10连接。

需要说明的是，框体的对角指的是框体上对角线上的两个间隔部，处于框体的对角线上的两个间隔部构成一组对角，由于框体设有两个对角线，即框体上有两组对角。

上述的高频辐射单元，其中一个馈电件40与框体的其中一组对角相对应设置的两个同轴线30相连，另一个馈电件40与框体的另一组对角相对应设置的两个同轴线30相连，通过四个同轴线30对四个辐射臂20进行馈电，相邻两个辐射臂20构成一个半波振子；框体其中一组对角的两个半波振子构成一个二元阵，能提高辐射单元的增益，形成高频辐射单元的一个极化；框体另一组对角的两个半波振子构成另一个二元阵，形成高频辐射单元的另一个极化，两个极化正交。其中，由于辐射臂20是共用设计，一个极化的半波振子辐射臂20馈电点位置对应为另一个极化辐射单元辐射臂20的终端，将高频辐射单元的尺寸缩小为同频段半波振子形式的0.7倍，从而实现了高频辐射单元的小型化。辐射臂20下方的支撑巴伦10对四个辐射臂20起到支撑作用与平衡馈电作用。如此，设置为对角二元阵以提高增益，同时将两个极化共用辐射臂20以缩小尺寸，最终在辐射单元口径缩小的情况下实现了增益的提高(可参阅图6所示的增益对比图)。

请参阅图6，图6示出了本发明一实施例的高频辐射单元和半波振子辐射单元的增益对比图。从图6中可以看到，本发明实例的高频辐射单元在口径缩小的情况下，增益反而提升了0.8dB，实现了小型化和高增益的共存。

在一个实施例中，同轴线30第一端的内芯31通过包括但不限于为焊接的方式与其中一个辐射臂20相连，同轴线30第一端的外导体32通过包括但不限于为焊接的方式与另一个辐射臂20相连。

在一个实施例中，同轴线30第二端的内芯31通过包括但不限于为焊接的方式与馈电件40相连，只要能实现两者电性连接并组装固定在一起即可，具体电连接方式在此不进行限定，可以根据实际需求设置。同轴线30第二端的外导体32通过包括但不限于为焊接的方式与支撑巴伦10相连，只要能实现两者电性连接并组装固定在一起即可，具体电连接方式在此不进行限定，可以根据实际需求设置。

参阅图1至图3，在一个实施例中，支撑巴伦10包括连接部11以及与连接部11相连的四个支撑分体12。四个支撑分体12与四个辐射臂20一一对应相连，相邻两个支撑分体12间隔设置形成馈电槽。如此，馈电槽起到巴伦平衡馈电的作用。在一个实施例中，馈电槽的长度定义为L，L为1/4λ。其中，λ为工作频段中心频点的波长。

请参阅图3，在一个实施例中，辐射臂20的长度定义为M，M为1/4λ。其中，λ为工作频段中心频点的波长。

参阅图1至图3，在一个实施例中，辐射臂20的辐射面定义为参考面(如图2所示的S)，支撑分体12包括相对于参考面垂直设置的第一支撑部121、以及相对于参考面倾斜设置的第二支撑部122。第一支撑部121一端与连接部11相连，第一支撑部121另一端与第二支撑部122相连，第二支撑部122与辐射臂20相连。如此，高频辐射单元不止是设置有第二支撑部122，还设置有相对于参考面垂直设置的第一支撑部121，通过例如调节第一支撑部121的长度和/或调节设置于第一支撑板上的馈电件40的尺寸，能较为容易地改善匹配性能。具体而言，第二支撑部122包括两个支撑杆，两个支撑杆的底端均连接到第一支撑部121，两个支撑杆的顶端分别与支撑分体12相对应的辐射臂20的两端相连。

参阅图1至图3，在一个实施例中，相邻两个第一支撑部121间隔设置形成第一馈电槽123，相邻两个第二支撑部122间隔设置形成第二馈电槽124。第一馈电槽123与第二馈电槽124对应连通形成馈电槽。如此，第一馈电槽123、第二馈电槽124所起到的巴伦平衡馈电作用较好。第一馈电槽123的长度定义为L₁，第二馈电槽124的长度定义为L₂，L₁与L₂各自的具体长度大小根据实际情况进行设置即可，只要两者之和等于1/4λ即可。

参阅图1至图3，在一个实施例中，同轴线30还包括设置于外导体32外部的绝缘护套33。绝缘护套33固定于支撑巴伦10上。如此，绝缘护套33能避免同轴线30的外导体32侧壁与支撑巴伦10电性接触而出现短路，保证了天线的指标与性能可靠。

参阅图1至图3，在一个实施例中，支撑巴伦10上设置有与四个同轴线30一一对应的卡槽13。绝缘护套33卡接固定于卡槽13内。如此，同轴线30通过卡接固定设置于卡槽13内，能实现快速地固定装设于支撑巴伦10上。具体而言，卡槽13设置于第二支撑部122上，绝缘护套33卡接固定于第二支撑部122的卡槽13内。当然，同轴线30还可以是通过其它方式固定地装设于支撑巴伦10上，在此不进行限定，根据实际需求进行设置即可。

在一个实施例中，四个同轴线30一一对应地设置于四个第二支撑部122上。其中两个第一支撑部121上设有与两个馈电件40一一对应设置的两个通孔，两个馈电件40一一对应地设置于两个通孔内，两个馈电件40用于与移相器电性连接。为了避免馈电件40与第一支撑部121电性接触而导致短路，在馈电件40的外壁与通孔的内壁之间设有绝缘隔离件。

在一个实施例中，馈电件40为馈电芯、馈电板或馈电芯与馈电板组合结构。如此，当馈电件40为馈电芯时，通过调节馈芯的粗细可以调节辐射单元的电路匹配；当馈电件40为馈电板时，通过调整馈电板的宽度与厚度尺寸，可以调节辐射单元的电路匹配。

在一个实施例中，支撑巴伦10与四个辐射臂20通过压铸一体成型。由于支撑巴伦10与辐射臂20通过压铸一体成型，即相对于焊接连接方式而言，能大大减小焊点数量，从而保证了天线的指标与性能可靠。

参阅图1至图3，在一个实施例中，四个辐射臂20分别为依次设置的第一辐射臂201、第二辐射臂202、第三辐射臂203与第四辐射臂204。四个同轴线30分别为依次设置的第一同轴线301、第二同轴线302、第三同轴线303与第四同轴线304。两个馈电件40分别为第一馈电件401与第二馈电件402。第一同轴线301的内芯31、第二同轴线302的内芯31均与第一辐射臂201相连，第一同轴线301的外导体32与第四辐射臂204相连，第二同轴线302的外导体32与第二辐射臂202相连。第三同轴线303的外导体32、第四同轴线304的外导体32均与第三辐射臂203相连，第三同轴线303的内芯31与第二辐射臂202相连，第四同轴线304的内芯31与第四辐射臂204相连。此外，第一同轴线301的内芯31、第三同轴线303的内芯31均与第一馈电件401相连，第二同轴线302的内芯31、第四同轴线304的内芯31均与第二馈电件402相连，第一同轴线301的外导体32、第二同轴线302的外导体32、第三同轴线303的外导体32、第四同轴线304的外导体32均与支撑巴伦10相连。

参阅图1至图3，在一个实施例中，一种天线装置，天线装置包括上述任一实施例的高频辐射单元。

上述的天线装置，其中一个馈电件40与框体的其中一组对角相对应设置的两个同轴线30相连，另一个馈电件40与框体的另一组对角相对应设置的两个同轴线30相连，通过四个同轴线30对四个辐射臂20进行馈电，相邻两个辐射臂20构成一个半波振子；框体其中一组对角的两个半波振子构成一个二元阵，能提高辐射单元的增益，形成高频辐射单元的一个极化；框体另一组对角的两个半波振子构成另一个二元阵，形成高频辐射单元的另一个极化，两个极化正交。其中，由于辐射臂20是共用设计，一个极化的半波振子辐射臂20馈电点位置对应为另一个极化辐射单元辐射臂20的终端，将高频辐射单元的尺寸缩小为同频段半波振子形式的0.7倍，从而实现了高频辐射单元的小型化。辐射臂20下方的支撑巴伦10对四个辐射臂20起到支撑作用与平衡馈电作用。如此，设置为对角二元阵以提高增益，同时将两个极化共用辐射臂20以缩小尺寸，最终在辐射单元口径缩小的情况下实现了增益的提高(可参阅图6所示的增益对比图)。

需要说明的是，该“支撑分体12”可以为“连接部11的一部分”，即“支撑分体12”与“连接部11的其他部分”一体成型制造；也可以与“连接部11的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“支撑分体12”可以独立制造，再与“连接部11的其他部分”组合成一个整体。

需要说明的是，该“辐射臂20”可以为“支撑巴伦10的一部分”，即“辐射臂20”与“支撑巴伦10的其他部分”一体成型制造；也可以与“支撑巴伦10的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“辐射臂20”可以独立制造，再与“支撑巴伦10的其他部分”组合成一个整体。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

Claims (11)

1.一种高频辐射单元，其特征在于，所述高频辐射单元包括：

支撑巴伦与四个辐射臂，所述支撑巴伦分别与四个所述辐射臂相连，四个所述辐射臂构成框体，相邻两个所述辐射臂的端部间设有间隔，且相邻两个所述辐射臂端部的间隔区域定义为间隔部；

四个同轴线与两个馈电件，四个所述同轴线的第一端分别与所述框体的四个间隔部一一对应设置，所述同轴线第一端的内芯与其所对应间隔部的其中一个所述辐射臂连接，所述同轴线第一端的外导体与其所对应间隔部的另一个所述辐射臂连接；与所述框体的其中一组对角相对应设置的两个所述同轴线第二端的内芯均和其中一个所述馈电件连接，与所述框体的另一组对角相对应设置的两个所述同轴线第二端的内芯均和另一个所述馈电件连接，所有所述同轴线第二端的外导体均与所述支撑巴伦连接。

2.根据权利要求1所述的高频辐射单元，其特征在于，所述支撑巴伦包括连接部以及与连接部相连的四个支撑分体；四个所述支撑分体与四个所述辐射臂一一对应相连，相邻两个所述支撑分体间隔设置形成馈电槽。

3.根据权利要求2所述的高频辐射单元，其特征在于，所述馈电槽的长度定义为L，L为1/4λ；所述辐射臂的长度定义为M，M为1/4λ；其中，λ为工作频段中心频点的波长。

4.根据权利要求2所述的高频辐射单元，其特征在于，所述辐射臂的辐射面定义为参考面，所述支撑分体包括相对于所述参考面垂直设置的第一支撑部、以及相对于所述参考面倾斜设置的第二支撑部；所述第一支撑部一端与所述连接部相连，所述第一支撑部另一端与所述第二支撑部相连，所述第二支撑部与所述辐射臂相连。

5.根据权利要求4所述的高频辐射单元，其特征在于，相邻两个所述第一支撑部间隔设置形成第一馈电槽，相邻两个所述第二支撑部间隔设置形成第二馈电槽，所述第一馈电槽与所述第二馈电槽对应连通形成所述馈电槽。

6.根据权利要求1所述的高频辐射单元，其特征在于，所述同轴线还包括设置于外导体外部的绝缘护套，所述绝缘护套固定于所述支撑巴伦上。

7.根据权利要求6所述的高频辐射单元，其特征在于，所述支撑巴伦上设置有与四个所述同轴线一一对应的卡槽，所述绝缘护套卡接固定于所述卡槽内。

8.根据权利要求1所述的高频辐射单元，其特征在于，所述馈电件为馈电芯、馈电板或馈电芯与馈电板组合结构；所述支撑巴伦与四个所述辐射臂通过压铸一体成型。

9.根据权利要求1所述的高频辐射单元，其特征在于，四个所述辐射臂分别为依次设置的第一辐射臂、第二辐射臂、第三辐射臂与第四辐射臂；四个所述同轴线分别为依次设置的第一同轴线、第二同轴线、第三同轴线与第四同轴线；两个所述馈电件分别为第一馈电件与第二馈电件；所述第一同轴线的内芯、所述第二同轴线的内芯均与所述第一辐射臂相连，所述第一同轴线的外导体与所述第四辐射臂相连，所述第二同轴线的外导体与所述第二辐射臂相连；所述第三同轴线的外导体、所述第四同轴线的外导体均与所述第三辐射臂相连，所述第三同轴线的内芯与所述第二辐射臂相连，所述第四同轴线的内芯与所述第四辐射臂相连。

10.根据权利要求1所述的高频辐射单元，其特征在于，所述框体为正方形框或圆形框。

11.一种天线装置，其特征在于，所述天线装置包括如权利要求1至10任意一项所述的高频辐射单元。

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