JP2014147044A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないオシレータを備える。半導体集積回路は、発振信号に応じて負電圧である出力電圧を生成して出力パッドに出力するネガティブチャージポンプを備える。半導体集積回路は、出力電圧を検知し、前記出力電圧が目標電圧に近づくように、オシレータを活性状態または非活性状態に制御する負電圧検知回路を備える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体集積回路は、活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないオシレータを備える。半導体集積回路は、発振信号に応じて負電圧である出力電圧を生成して出力パッドに出力するネガティブチャージポンプを備える。半導体集積回路は、出力電圧を検知し、前記出力電圧が目標電圧に近づくように、オシレータを活性状態または非活性状態に制御する負電圧検知回路を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体集積回路および不揮発性半導体記憶装置に関する。
従来、負電圧発生回路の出力電圧ばらつきは、検出抵抗のトリミングを行わないと大きくなる。
そして、検出抵抗のトリミングを行う場合は、負電圧が出力または入力される専用のテストパッドが必要となる。
テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することが可能な半導体集積回路を提供する。
実施例に従った半導体集積回路は、活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないオシレータを備える。半導体集積回路は、前記発振信号に応じて負電圧である出力電圧を生成して出力パッドに出力するネガティブチャージポンプを備える。半導体集積回路は、前記出力電圧を検知し、前記出力電圧が目標電圧に近づくように、前記オシレータを活性状態または非活性状態に制御する負電圧検知回路を備える。
前記負電圧検知回路は、電源にソースが接続された第1のpMOSトランジスタを備える。負電圧検知回路は、前記第1のpMOSトランジスタのドレインに一端が接続され、接地に他端が接続された第1の抵抗を備える。負電圧検知回路は、前記第1の抵抗の一端と前記第1のpMOSトランジスタのドレインとの間の第1の電圧と、基準電圧と、が等しくなるように、前記第1のpMOSトランジスタのゲート電圧を制御する第1のコンパレータを備える。負電圧検知回路は、前記電源にソースが接続され、前記第1のpMOSトランジスタに流れる第1の電流をカレントミラーした第2の電流が流れる第2のpMOSトランジスタを備える。負電圧検知回路は、前記第2のpMOSトランジスタのドレインに一端が接続された第2の抵抗を備える。負電圧検知回路は、前記第2の抵抗の他端に一端が接続され、前記出力パッドに他端が接続された第3の抵抗を備える。負電圧検知回路は、前記第2の抵抗の他端に一端が接続され、前記接地に他端が接続された第1のテストスイッチ素子を備える。負電圧検知回路は、前記第2の抵抗の一端と前記第2のpMOSトランジスタのドレインとの間の第2の電圧と、前記基準電圧との比較し、前記第2の電圧が前記基準電圧未満である場合には、前記オシレータを活性状態にする活性化信号を出力し、一方、前記第2の電圧が前記基準電圧以上である場合には、前記オシレータを非活性状態にする非活性化信号を出力する第2のコンパレータを備える。
負電圧検知回路は、テスト時において、前記第1のテストスイッチ素子をオンし、且つ前記ネガティブチャージポンプの出力と前記第3の抵抗の他端との間を絶縁状態に又は前記ネガティブチャージポンプを非活性化状態に制御し、その後、前記第2のコンパレータの出力が、前記活性化信号から前記非活性化信号又は前記非活性化信号から前記活性化信号に切り替わるように、前記第2の電流の電流値を変化させる。
負電圧検知回路は、前記第2のコンパレータの出力に応じて前記ネガティブチャージポンプが動作する通常動作時において、前記第1のテストスイッチ素子をオフし、且つ、前記第2の電流の電流値を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの値に固定する。
以下、各実施例について図面に基づいて説明する。
図1は、実施例1に係る半導体集積回路18の構成の一例を示す図である。
図1に示すように、半導体集積回路(負電圧システム)18は、例えば、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
オシレータ22は、活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないようになっている。
オシレータ22は、活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないようになっている。
ネガティブチャージポンプ23は、発振信号に応じて負電圧である出力電圧VBBを生成して出力パッドToutに出力するようになっている。
負電圧検知回路21は、通常動作時において、出力電圧VBBを検知し、出力電圧VBBが目標電圧に近づくように(出力電圧VBBに基づいた第2の電圧V2が基準電圧Vrefに近づくように)、オシレータ22を活性状態または非活性状態に制御するようになっている。
なお、テスト時においては、負電圧検知回路21は、第2の電圧V2と基準電圧Vrefとを比較した結果に応じた信号を出力するようになっている。
ここで、負電圧検知回路21は、図1に示すように、第1のpMOSトランジスタP1と、第2のpMOSトランジスタP2と、第3のpMOSトランジスタP3と、第4のpMOSトランジスタP4と、第1のnMOSトランジスタN1と、第2のnMOSトランジスタN2と、第3のnMOSトランジスタN3と、第4のnMOSトランジスタN4と、第1の抵抗R1と、第2の抵抗R2と、第3の抵抗R3と、第1のコンパレータC1と、第2のコンパレータC2と、第1のテストスイッチ素子SWt1と、第2のテストスイッチ素子SWt2と、第1のトリミングスイッチ素子SWa1と、第2のトリミングスイッチ素子SWa2と、第3のトリミングスイッチ素子SWa3と、制御回路CONと、を備える。
第1のpMOSトランジスタP1は、電源VCCにソースが接続されている。
第1の抵抗R1は、第1のpMOSトランジスタP1のドレインに一端が接続され、接地に他端が接続されている。
第1のコンパレータC1は、基準電圧Vrefが反転入力端子に入力され、第1の抵抗R1の一端に非反転入力端子が接続され、第1のpMOSトランジスタP1のゲートに出力が接続されている。
この第1のコンパレータC1は、第1の抵抗R1の一端と第1のpMOSトランジスタP1のドレインとの間の第1の電圧V1と、基準電圧Vrefと、が等しくなるように、第1のpMOSトランジスタP1のゲート電圧を制御するようになっている。
第2のpMOSトランジスタP2は、電源VCCにソースが接続され、第1のpMOSトランジスタP1に流れる第1の電流I1をカレントミラーした第2の電流I2が流れるようになっている。
第2の抵抗R2は、第2のpMOSトランジスタP2のドレインに一端が接続されている。
第3の抵抗R3は、第2の抵抗R2の他端に一端が接続され、出力パッドToutに他端が接続されている。
第1のテストスイッチ素子SWt1は、第2の抵抗R2の他端に一端が接続され、接地に他端が接続されている。
第2のテストスイッチ素子SWt2は、第3の抵抗R3の他端と出力パッドToutとの間に接続されている。
第3のpMOSトランジスタP3は、電源VCCにソースが接続され、第1のコンパレータC1の出力及び第1のpMOSトランジスタP1のゲートにゲートが接続されている。
この第3のpMOSトランジスタP3は、第1のpMOSトランジスタP1と同様に、第1のコンパレータC1の出力により制御される。すなわち、第3のpMOSトランジスタP3には、第1のpMOSトランジスタP1に流れる第1の電流I1に比例した電流が流れる。
第1のnMOSトランジスタN1は、第3のpMOSトランジスタP3のドレインにドレインが接続され、接地にソースが接続され、ダイオード接続されている。
この第1のnMOSトランジスタN1には、第3のpMOSトランジスタP3に流れる電流が流れる。
第4のpMOSトランジスタP4は、電源VCCにソースが接続され、第2のpMOSトランジスタのゲートにゲートが接続され、ダイオード接続されている。
したがって、第4のpMOSトランジスタP4に流れる電流をカレントミラーした電流が、第2のpMOSトランジスタP2に流れる第2の電流I2になる。
第2のnMOSトランジスタN2は、第4のpMOSトランジスタP4のドレインにドレインが接続され、第1のnMOSトランジスタN1のゲートにゲートが接続されている。
第1のトリミングスイッチ素子SWa1は、第2のnMOSトランジスタN2のソースと接地との間に接続されている。
第3のnMOSトランジスタN3は、第4のpMOSトランジスタP4のドレインにドレインが接続され、第1のnMOSトランジスタN1のゲートにゲートが接続されている。
第2のトリミングスイッチ素子SWa2は、第3のnMOSトランジスタN3のソースと接地との間に接続されている。
第4のnMOSトランジスタN4は、第4のpMOSトランジスタP4のドレインにドレインが接続され、第1のnMOSトランジスタN1のゲートにゲートが接続されている。
第3のトリミングスイッチ素子SWa3は、第4のnMOSトランジスタN4のソースと接地との間に接続されている。
ここで、第1のnMOSトランジスタN1と、これらの第2から第4のnMOSトランジスタN2〜N4とは、カレントミラー回路を構成する。
すなわち、第2から第4のnMOSトランジスタN2〜N4には、第1のnMOSトランジスタN1に流れる電流をカレントミラーした電流が流れるようになっている。
そして、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン/オフを制御することにより、上記カレントミラー回路のミラー比を制御することができるようになっている。
したがって、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のうち何れかがオンして、第2から第4のnMOSトランジスタN2〜N4の何れかに流れる電流の総和が、第4のpMOSトランジスタP4に流れる電流が流れる。
既述のように、この第4のpMOSトランジスタP4に流れる電流をカレントミラーした電流が、第2のpMOSトランジスタP2に流れる第2の電流I2になる。
結果として、既述のように、第2のpMOSトランジスタP2は、第1のpMOSトランジスタP1に流れる第1の電流I1をカレントミラーした第2の電流I2が流れることとなる。
また、第2のコンパレータC2は、基準電圧Vrefが反転入力端子(第1の入力)に入力され、第2の抵抗R2の一端に非反転入力端子(第2の入力)が接続され、オシレータ22の入力に出力が接続されている。
この第2のコンパレータC2は、第2の抵抗R2の一端と第2のpMOSトランジスタP2のドレインとの間の第2の電圧V2と、基準電圧Vrefと、を比較するようになっている。
そして、第2のコンパレータC2は、第2の電圧V2が基準電圧Vref未満である場合には、オシレータ22を活性状態にする活性化信号(“High”レベルの出力信号)を出力するようになっている。
一方、第2のコンパレータC2は、第2の電圧V2が基準電圧Vref以上である場合には、オシレータ22を非活性状態にする非活性化信号(“Low”レベルの出力信号)を出力するようになっている。
制御回路CONは、第2のコンパレータC2の出力に基づいて、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWt1〜SWt3と、第1および第2のテストスイッチ素子SWt1、SWt2のオン/オフを制御するようになっている。
すなわち、この制御回路CONは、第2のコンパレータC2の出力の切り替わりを検出し、第2の電流I2の電流値を制御するようになっている。
ここで、第2のコンパレータC2の出力信号の電圧は、正電圧である。したがって、制御回路CONは、第2のコンパレータC2の出力信号の切り替わりを検出するために、負電圧を検出するための回路を備える必要が無い。
例えば、制御回路CONは、第1の電流I1のオフセットを調整するためのテスト時において、第1のテストスイッチ素子SWt1をオンし、且つネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に又はネガティブチャージポンプ23を非活性化状態に制御するようになっている。
さらに、制御回路CONは、このテスト時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオフすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に制御するようになっている。
そして、制御回路CONは、第2のコンパレータC2の出力が活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させるようになっている。
また、制御回路CONは、第2のコンパレータの出力に応じてネガティブチャージポンプが動作する通常動作時において、制御回路CONは、第1のテストスイッチ素子SWt1をオフし、且つ、第2の電流I2の電流値をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定するようになっている。
さらに、制御回路CONは、この通常動作時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオンすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を導通状態に制御するようになっている。
なお、制御回路CONは、テスト時において、ネガティブチャージポンプ23を強制的に非活性状態にして、ネガティブチャージポンプ23の出力を接地電位にするようにしてもよい。この場合、第2のテストスイッチ素子SWt2は省略される。
この場合も、制御回路CONは、通常動作時においては、ネガティブチャージポンプ23の動作状態は、第2のコンパレータC2の出力信号に応じてオシレータ22が出力する発振信号に応じて、制御される。
次に、以上のような構成を有する半導体集積回路18の動作の一例について説明する。
制御回路CONは、テスト時において、第1のテストスイッチ素子SWt1をオンし、且つネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に又はネガティブチャージポンプ23を非活性化状態に制御する。
さらに、制御回路CONは、このテスト時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオフすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に制御する。
その後、制御回路CONは、テスト時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3の少なくとも1つがオンするようにして、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3をオン又はオフに制御する。これにより、第2のコンパレータC2の出力が活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させる。
このとき、制御回路CONは、第2のコンパレータC2の出力を検出し、第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときにおける、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を記憶する。
そして、制御回路CONは、通常動作時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を、テスト時に記憶した状態に固定する。すなわち、制御回路CONは、通常動作時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの状態に固定する。これにより、第2の電流I2の電流値がテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定される。
なお、例えば、トリミングスイッチ素子が2つの場合、制御回路CONは、テスト時及び通常動作時において、以下の制御動作を実行する。
すなわち、制御回路CONは、テスト時において、第1および第2のトリミングスイッチ素子SWa1、SWa2の少なくとも1つがオンするようにして、第1および第2のトリミングスイッチ素子SWa1、SWa2をオン又はオフに制御する。
これにより、第2のコンパレータC2の出力が、活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値が変化させる。
一方、制御回路CONは、通常動作時において、第1および第2のトリミングスイッチ素子SWa1、SWa2のオン又はオフの状態をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの状態に設定する。これにより、第2の電流I2の電流値がテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定される。
なお、3つ以上のトリミングスイッチ素子を制御する場合も、制御回路CONの基本的な制御動作はトリミングスイッチ素子が2つの場合と同様である。
ここで、図1に示す半導体集積回路18の動作特性について説明する。
トリミングが完了した状態における通常動作時の出力電圧VBBは、以下の式(1)で表される。なお、式(1)において、オフセット電源電圧Voffset4は第2のコンパレータC2に入力される基準電圧Vrefのオフセット電圧である。また、各抵抗R1〜R3のオフセットは無視している。
VBB=(Vref+Voffset4)-(Vref+Voffset4)/R2×(R2+R3) (1)
上記式(1)に示すように、第1の電流I1のオフセットの要素は、出力電圧VBBに含まれていない。すなわち 第1の電流I1のオフセットを第2の電流I2のトリミング(第1〜第3のトリミングスイッチ素子SWt1〜SWt3のオン/オフの切り替えによるミラー比の調整)で相殺することができる。
VBB=(Vref+Voffset4)-(Vref+Voffset4)/R2×(R2+R3) (1)
上記式(1)に示すように、第1の電流I1のオフセットの要素は、出力電圧VBBに含まれていない。すなわち 第1の電流I1のオフセットを第2の電流I2のトリミング(第1〜第3のトリミングスイッチ素子SWt1〜SWt3のオン/オフの切り替えによるミラー比の調整)で相殺することができる。
このように、半導体集積回路18は、テスト用の負電圧を出力するパッドが不要である。さらに、半導体集積回路18の負電圧検知回路21のオフセット要因を削減することができる。
ここで、図1に示す半導体集積回路(負電圧システム)18が適用されるデバイスの一例について説明する。図2は、図1に示す半導体集積回路(負電圧システム)18が適用される不揮発性半導体記憶装置1000の構成の一例を示すブロック図である。
図2に示すように、不揮発性半導体記憶装置(NOR型フラッシュメモリ)1000は、メモリセルアレイ11と、ロウデコーダ(アドレスデコーダ回路)12と、カラムデコーダ/センスアンプ(セレクタ/データ読み出し回路)13と、コントローラ14と、電圧システムコントロール回路(電圧生成コントロール回路)15と、バンドギャップリファレンス(BGR)回路(基準電圧発生回路)16と、正電圧システム17と、負電圧システム(半導体集積回路)18と、電圧スイッチ回路(電源出力切り換えスイッチ回路)19と、を備える。
図2に示すように、不揮発性半導体記憶装置(NOR型フラッシュメモリ)1000は、メモリセルアレイ11と、ロウデコーダ(アドレスデコーダ回路)12と、カラムデコーダ/センスアンプ(セレクタ/データ読み出し回路)13と、コントローラ14と、電圧システムコントロール回路(電圧生成コントロール回路)15と、バンドギャップリファレンス(BGR)回路(基準電圧発生回路)16と、正電圧システム17と、負電圧システム(半導体集積回路)18と、電圧スイッチ回路(電源出力切り換えスイッチ回路)19と、を備える。
メモリセルアレイ11内には、複数の不揮発性メモリセルが行及び列方向に配列されている。
メモリセルの行はロウデコーダ12によって選択され、また、メモリセルの列はカラムデコーダ/センスアンプ13によって選択され、選択されたメモリセルからビット線に読み出されたデータがセンスアンプで増幅される。あるいは、外部から入力された書き込みデータがセンスアンプで増幅されてビット線に供給され、選択されたメモリセルに書き込まれる。
コントローラ14は、メモリセルアレイ11、カラムデコーダ/センスアンプ13及び電圧システムコントロール回路15等、フラッシュメモリ回路全体の動作を制御する。
BGR回路16は、温度依存性の無い例えば1.25Vの基準電圧Vrefを発生する。この基準電圧Vrefは、正電圧システム17及び負電圧システム18に供給される。
正電圧システム17及び負電圧システム18は、電圧システムコントロール回路15により動作が制御され、正電圧システム17は例えば+12Vの電圧を生成し、負電圧システム18は例えば-8Vの電圧を生成する。
半導体集積回路である負電圧システム18は、負電圧検知回路(SVNEG)21、オシレータ(OSC:発振回路)22及びネガティブチャージポンプ(負電圧昇圧回路)23等を備えている。
負電圧システム18では、オシレータ22の発振出力によりネガティブチャージポンプ23の昇圧動作が制御されて負電圧が生成される。
ネガティブチャージポンプ23で生成された負電圧は負電圧検知回路21に供給される。
負電圧検知回路21では、抵抗分割回路の一端に負電圧が供給された状態で、他端に定電流を流すことにより正極性の電圧が生成され、この正極性の電圧とBGR回路16で発生された基準電圧Vrefが第2のコンパレータC2で比較されることにより、負電圧が検知される。そして、この検知結果に応じてオシレータ22の発振動作が制御される。
正電圧システム17の正電圧出力(+12V)と負電圧システム18の負電圧出力(-8V)は電圧スイッチ回路19に供給される。
電圧スイッチ回路19は正電圧出力及び負電圧出力を選択して、メモリセルアレイ11、ロウデコーダ12及びカラムデコーダ/センスアンプ13の電源端子に供給する。
メモリセルアレイ11、ロウデコーダ12及びカラムデコーダ/センスアンプ13の動作はコントローラ14により制御され、データの読み出し動作、書き込み動作、消去動作等に応じて電源電圧が選択的に切り換えられる。
上記のようにして、図1に示す半導体集積回路(負電圧システム)18は、不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
以上のように、本実施例1に係る半導体集積回路18によれば、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図3は、実施例2に係る半導体集積回路18Aの構成の一例を示す図である。なお、この図3において、図1と同じ符号は、実施例1と同様の構成を示す。また、この実施例2に係る半導体集積回路18Aは、既述の実施例1に係る半導体集積回路18と同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
図3に示すように、半導体集積回路18Aは、例えば、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
ここで、負電圧検知回路21は、実施例1と比較して、第3のテストスイッチ素子SWt3と、第4のテストスイッチ素子SWt4と、をさらに備える。
第3のテストスイッチ素子SWt3は、基準電圧Vrefが一端に供給され、第2のコンパレータC2の第1の入力に他端が接続されている。
第4のテストスイッチ素子SWt4は、第2のコンパレータC2の反転入力端子(第1の入力)に一端が接続され、テストパッドTtに他端が接続されている。
また、第2の抵抗R2の一端は、第2のコンパレータC2の非反転入力端子(第2の入力)に接続されている。
なお、半導体集積回路18Aのその他の構成は、実施例1の半導体集積回路18と同様である。
次に、以上のような構成を有する半導体集積回路18Aの動作の一例について説明する。
制御回路CONは、実施例1と同様に、テスト時において、第1のテストスイッチ素子SWt1をオンし、且つネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に又はネガティブチャージポンプ23を非活性化状態に制御する。
さらに、制御回路CONは、実施例1と同様に、このテスト時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオフすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に制御する。
ここで、特に本実施例2においては、このテスト時において、テストパッドTtにテスト用基準電圧Vinが印加される。このテスト用基準電圧Vinは、外部のテスタ(図示せず)により、テストパッドTtに供給される。そして、制御回路CONは、第3のテストスイッチ素子SWt3をオフし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオンする。
これにより、テスト用基準電圧Vinが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
その後、制御回路CONは、実施例1と同様に、このテスト時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3の少なくとも1つがオンするようにして、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3をオン又はオフに制御する。これにより、第2のコンパレータC2の出力が活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させる。
このとき、制御回路CONは、実施例1と同様に、第2のコンパレータC2の出力を検出し、第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときにおける、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を記憶する。
そして、制御回路CONは、実施例1と同様に、通常動作時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を、テスト時に記憶した状態に固定する。
すなわち、制御回路CONは、この通常動作時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの状態に固定する。
これにより、第2の電流I2の電流値がテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定される。
さらに、制御回路CONは、この通常動作時において、第3のテストスイッチ素子SWt3をオンし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオフする。
これにより、基準電圧Vrefが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
ここで、図3に示す半導体集積回路18Aの動作特性について説明する。
トリミングが完了した状態における通常動作時の出力電圧VBBは、以下の式(2)で表される。また、各抵抗R1〜R3のオフセットは無視している。
VBB=Vref-Vin/R2×(R2+R3) (2)
上記式(2)に示すように、(R2+R3)/R2が十分大きければテスト用基準電圧Vinで出力電圧VBBを制御することができる。
VBB=Vref-Vin/R2×(R2+R3) (2)
上記式(2)に示すように、(R2+R3)/R2が十分大きければテスト用基準電圧Vinで出力電圧VBBを制御することができる。
さらに、既述のように、実施例1と同様に、第1の電流I1のオフセットの要素は、出力電圧VBBに含まれていない。すなわち、第1の電流I1のオフセットを第2の電流I2のトリミング(第1〜第3のトリミングスイッチ素子SWt1〜SWt3のオン/オフの切り替えによるミラー比の調整)で相殺することができる。
このように、半導体集積回路18Aは、テスト用の負電圧を出力するパッドが不要である。さらに、半導体集積回路18Aの負電圧検知回路21のオフセット要因を削減することができる。
以上のように、本実施例2に係る半導体集積回路18Aによれば、実施例1と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図4は、実施例3に係る半導体集積回路18Bの構成の一例を示す図である。なお、この図4において、図1と同じ符号は、実施例1と同様の構成を示す。
図4に示すように、半導体集積回路18Bは、例えば、実施例1と同様に、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
この実施例3に係る半導体集積回路18Bは、既述の実施例1に係る半導体集積回路18と同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
ここで、負電圧検知回路21は、実施例1と比較して、制御回路CONが省略されている。省略された制御回路CONによる制御動作は、半導体集積回路18Bの外部のテスト装置(図示せず)が代替的に実行する。
また、負電圧検知回路21は、実施例1と比較して、検出パッドTdをさらに備える。
また、負電圧検知回路21は、実施例1と比較して、検出パッドTdをさらに備える。
この検出パッドTdは、第2のコンパレータC2の出力に接続され、第2のコンパレータC2の出力信号を外部に出力するようになっている。
既述のテスト装置は、この検出パッドTtの信号に基づいて、第2のコンパレータC2の出力の切り替わりを検出するようになっている。
なお、この検出パッドTtの電圧は、第2のコンパレータC2の出力信号の電圧であるので、正電圧である。したがって、テスト装置は、検出パッドTtの電圧を検出するために、負電圧を検出するための回路を備える必要が無い。
なお、半導体集積回路18Bのその他の構成は、実施例1の半導体集積回路18と同様である。
次に、以上のような構成を有する半導体集積回路18Bの動作の一例について説明する。
テスト装置は、テスト時において、第1のテストスイッチ素子SWt1をオンし、且つネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に又はネガティブチャージポンプ23を非活性化状態に制御する。
さらに、テスト装置は、このテスト時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオフすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に制御する。
その後、テスト装置は、テスト時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3の少なくとも1つがオンするようにして、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3をオン又はオフに制御する。これにより、第2のコンパレータC2の出力が活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させる。
このとき、テスト装置は、第2のコンパレータC2の出力を検出し、第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときにおける、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を記憶する。
そして、テスト装置は、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を、テスト時に記憶した状態に固定させる。
これにより、通常動作時において、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態が、テスト時に記憶した状態に固定される。すなわち、通常動作時は、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの状態に固定されている。これにより、第2の電流I2の電流値がテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定される。
なお、この半導体集積回路18Bの動作特性は、実施例1と同様である。
すなわち、本実施例3に係る半導体集積回路18Bによれば、実施例1と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図5は、実施例4に係る半導体集積回路18Cの構成の一例を示す図である。なお、この図5において、図3、4と同じ符号は、実施例2、3と同様の構成を示す。
図5に示すように、半導体集積回路18Cは、例えば、実施例2と同様に、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
この実施例4に係る半導体集積回路18Cは、既述の実施例2に係る半導体集積回路18Bと同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
ここで、負電圧検知回路21は、実施例2と比較して、制御回路CONが省略されている。省略された制御回路CONによる制御動作は、半導体集積回路18Cの外部のテスト装置(図示せず)が代替的に実行する。
また、負電圧検知回路21は、実施例3と同様に、検出パッドTdをさらに備える。
なお、半導体集積回路18Cのその他の構成は、実施例2、3の半導体集積回路18A、Bと同様である。
ここで、特に本実施例4においては、このテスト時において、テストパッドTtにテスト用基準電圧Vinが印加される。このテスト用基準電圧Vinは、外部のテスタ(図示せず)により、テストパッドTtに供給される。そして、テスト装置は、第3のテストスイッチ素子SWt3をオフし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオンする。
これにより、テスト用基準電圧Vinが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
さらに、通常動作時においては、第3のテストスイッチ素子SWt3をオンし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオフするように設定される。
これにより、通常動作時においては、基準電圧Vrefが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
なお、半導体集積回路18Cのその他の動作においては、制御回路CONの制御動作を外部のテスト装置が代替する。
また、半導体集積回路18Cの動作特性は、実施例2と同様である。
すなわち、本実施例4に係る半導体集積回路18Cによれば、実施例1と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図6は、実施例5に係る半導体集積回路18Dの構成の一例を示す図である。なお、この図6において、図1と同じ符号は、実施例1と同様の構成を示す。
図6に示すように、半導体集積回路18Dは、例えば、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
この実施例5に係る半導体集積回路18Dは、既述の実施例1に係る半導体集積回路18と同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
ここで、負電圧検知回路21は、図6に示すように、第1のpMOSトランジスタP1と、第2のpMOSトランジスタP2と、第1の抵抗R1と、第2の抵抗R2と、第3の抵抗R3と、第1のコンパレータC1と、第2のコンパレータC2と、第1のテストスイッチ素子SWt1と、第2のテストスイッチ素子SWt2と、制御回路CONと、を備える。
すなわち、実施例5の負電圧検知回路21は、実施例1と比較して、第3、第4のpMOSトランジスタP3、P4、第1ないし第4のnMOSトランジスタN1〜N4、および、第1ないし第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3が省略されている。
また、第1の抵抗R1は、この実施例5では、可変抵抗である。
制御回路CONは、テスト時において、第1の抵抗R1の抵抗値を制御して第1の電流I1を変化させるようになっている。これにより、第2のコンパレータC2の出力が、活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させる。
また、制御回路CONは、通常動作時において、第1の抵抗R1の電流値をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定するようになっている。これにより、第2の電流I2の電流値をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定する。
なお、半導体集積回路18Dのその他の構成は、実施例1の半導体集積回路18と同様である。
次に、以上のような構成を有する半導体集積回路18Dの動作の一例について説明する。
制御回路CONは、実施例1と同様に、テスト時において、第1のテストスイッチ素子SWt1をオンし、且つネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に又はネガティブチャージポンプ23を非活性化状態に制御する。
さらに、制御回路CONは、実施例1と同様に、このテスト時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオフすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に制御する。
その後、制御回路CONは、このテスト時において、第1の抵抗R1の抵抗値を制御して第1の電流I1を変化させる。これにより、第2のコンパレータC2の出力が活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させる。
このとき、制御回路CONは、実施例1と同様に、第2のコンパレータC2の出力を検出し、第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときにおける、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を記憶する。
そして、制御回路CONは、実施例1と同様に、通常動作時において、第1の抵抗R1の電流値を、テスト時に記憶した状態に固定する。
すなわち、制御回路CONは、この通常動作時において、第1の抵抗R1の電流値をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定する。
これにより、第2の電流I2の電流値がテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定される。
なお、図6に示す半導体集積回路18Dの動作特性は、実施例1と同様である。
すなわち、本実施例5に係る半導体集積回路18Dによれば、実施例1と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図7は、実施例6に係る半導体集積回路18Eの構成の一例を示す図である。なお、この図7において、図4、6と同じ符号は、実施例3、5と同様の構成を示す。
図7に示すように、半導体集積回路18Eは、例えば、実施例5と同様に、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
この実施例6に係る半導体集積回路18Eは、既述の実施例1に係る半導体集積回路18と同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
また、負電圧検知回路21は、実施例3と同様に、検出パッドTdをさらに備える。
なお、半導体集積回路18Eのその他の構成は、実施例3、5の半導体集積回路18B、Dと同様である。
次に、以上のような構成を有する半導体集積回路18Eの動作の一例について説明する。
制御回路CONは、実施例1と同様に、テスト時において、第1のテストスイッチ素子SWt1をオンし、且つネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に又はネガティブチャージポンプ23を非活性化状態に制御する。
さらに、制御回路CONは、実施例1と同様に、このテスト時において、第2のテストスイッチ素子SWt2をオフすることにより、ネガティブチャージポンプ23の出力と第3の抵抗R3の他端との間を絶縁状態に制御する。
さらに、このテスト時において、テストパッドTtにテスト用基準電圧Vinが印加される。このテスト用基準電圧Vinは、外部のテスタ(図示せず)により、テストパッドTtに供給される。そして、制御回路CONは、第3のテストスイッチ素子SWt3をオフし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオンする。
これにより、テスト用基準電圧Vinが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
その後、制御回路CONは、実施例1と同様に、このテスト時において、1の抵抗R1の抵抗値を制御して第1の電流I1を変化させる。これにより、第2のコンパレータC2の出力が活性化信号から非活性化信号又は非活性化信号から活性化信号に切り替わるように、第2の電流I2の電流値を変化させる。
このとき、制御回路CONは、実施例1と同様に、第2のコンパレータC2の出力を検出し、第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときにおける、第1から第3のトリミングスイッチ素子SWa1〜SWa3のオン又はオフの状態を記憶する。
そして、制御回路CONは、実施例1と同様に、通常動作時において、第1の抵抗R1の電流値をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定する。
すなわち、制御回路CONは、この通常動作時において、第1の抵抗R1の電流値をテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの状態に固定する。
これにより、第2の電流I2の電流値がテスト時に第2のコンパレータC2の出力が切り替わったときの値に固定される。
さらに、制御回路CONは、この通常動作時において、第3のテストスイッチ素子SWt3をオンし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオフする。
これにより、基準電圧Vrefが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
なお、図7に示す半導体集積回路18Eの動作特性は、実施例5と同様である。
すなわち、本実施例6に係る半導体集積回路18Eによれば、実施例5と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図8は、実施例7に係る半導体集積回路18Fの構成の一例を示す図である。なお、この図8において、図4、6と同じ符号は、実施例3、5と同様の構成を示す。
図8に示すように、半導体集積回路18Fは、例えば、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
この実施例7に係る半導体集積回路18Fは、既述の実施例1に係る半導体集積回路18と同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
ここで、負電圧検知回路21は、実施例5と比較して、制御回路CONが省略されている。省略された制御回路CONによる制御動作は、実施例3と同様に、半導体集積回路18Fの外部のテスト装置(図示せず)が代替的に実行する。
なお、半導体集積回路18Fのその他の構成は、実施例3、5の半導体集積回路18B、18Dと同様である。
なお、半導体集積回路18Fのその他の構成は、実施例3、5の半導体集積回路18B、18Dと同様である。
また、半導体集積回路18Fの制御動作は、省略された制御回路CONによる制御動作を、半導体集積回路18Fの外部のテスト装置(図示せず)が代替的に実行する点以外は、実施例5と同様である。
また、この半導体集積回路18Fの動作特性は、実施例5と同様である。
すなわち、本実施例7に係る半導体集積回路18Fによれば、実施例5と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
図9は、実施例8に係る半導体集積回路18Gの構成の一例を示す図である。なお、この図9において、図5、7と同じ符号は、実施例4、6と同様の構成を示す。
図9に示すように、半導体集積回路18Gは、例えば、オシレータ22と、ネガティブチャージポンプ23と、負電圧検知回路21と、を備える。
この実施例8に係る半導体集積回路18Gは、既述の実施例1に係る半導体集積回路18と同様に、図2に示す不揮発性半導体記憶装置1000に適用される。
ここで、負電圧検知回路21は、実施例6と比較して、制御回路CONが省略されている。省略された制御回路CONによる制御動作は、半導体集積回路18Gの外部のテスト装置(図示せず)が代替的に実行する。
また、負電圧検知回路21は、実施例6と同様に、検出パッドTdをさらに備える。
なお、半導体集積回路18Gのその他の構成は、実施例4、6の半導体集積回路18C、Eと同様である。
ここで、特に本実施例8においては、このテスト時において、テストパッドTtにテスト用基準電圧Vinが印加される。このテスト用基準電圧Vinは、外部のテスタ(図示せず)により、テストパッドTtに供給される。そして、テスト装置は、第3のテストスイッチ素子SWt3をオフし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオンする。
これにより、テスト用基準電圧Vinが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
さらに、通常動作時においては、第3のテストスイッチ素子SWt3をオンし且つ第4のテストスイッチ素子SWt4をオフするように設定される。
これにより、通常動作時においては、基準電圧Vrefが第2のコンパレータC2の反転入力端子に供給されることになる。
なお、半導体集積回路18Gのその他の動作においては、制御回路CONの制御動作を外部のテスト装置が代替する。
また、半導体集積回路18Gの動作特性は、実施例6と同様である。
すなわち、本実施例8に係る半導体集積回路18Gによれば、実施例5と同様に、テスト用の負電圧を出力するパッドを削減しつつ、負電圧検知回路のオフセット要因を削減することができる。
なお、実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
18、18A、18B、18C、18D、18E、18F、18G 半導体集積回路(負電圧システム)
21 負電圧検知回路
22 オシレータ
23 ネガティブチャージポンプ
1000 不揮発性半導体記憶装置
21 負電圧検知回路
22 オシレータ
23 ネガティブチャージポンプ
1000 不揮発性半導体記憶装置
Claims (8)
- 活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないオシレータと、
前記発振信号に応じて負電圧である出力電圧を生成して出力パッドに出力するネガティブチャージポンプと、
前記出力電圧を検知し、前記出力電圧が目標電圧に近づくように、前記オシレータを活性状態または非活性状態に制御する負電圧検知回路と、を備え、
前記負電圧検知回路は、
電源にソースが接続された第1のpMOSトランジスタと、
前記第1のpMOSトランジスタのドレインに一端が接続され、接地に他端が接続された第1の抵抗と、
前記第1の抵抗の一端と前記第1のpMOSトランジスタのドレインとの間の第1の電圧と、基準電圧と、が等しくなるように、前記第1のpMOSトランジスタのゲート電圧を制御する第1のコンパレータと、
前記電源にソースが接続され、前記第1のpMOSトランジスタに流れる第1の電流をカレントミラーした第2の電流が流れる第2のpMOSトランジスタと、
前記第2のpMOSトランジスタのドレインに一端が接続された第2の抵抗と、
前記第2の抵抗の他端に一端が接続され、前記出力パッドに他端が接続された第3の抵抗と、
前記第2の抵抗の他端に一端が接続され、前記接地に他端が接続された第1のテストスイッチ素子と、
前記第2の抵抗の一端と前記第2のpMOSトランジスタのドレインとの間の第2の電圧と、前記基準電圧との比較し、前記第2の電圧が前記基準電圧未満である場合には、前記オシレータを活性状態にする活性化信号を出力し、一方、前記第2の電圧が前記基準電圧以上である場合には、前記オシレータを非活性状態にする非活性化信号を出力する第2のコンパレータと、を備え、
テスト時において、
前記第1のテストスイッチ素子をオンし、且つ前記ネガティブチャージポンプの出力と前記第3の抵抗の他端との間を絶縁状態に又は前記ネガティブチャージポンプを非活性化状態に制御し、
その後、前記第2のコンパレータの出力が、前記活性化信号から前記非活性化信号又は前記非活性化信号から前記活性化信号に切り替わるように、前記第2の電流の電流値を変化させ、
前記第2のコンパレータの出力に応じて前記ネガティブチャージポンプが動作する通常動作時において、
前記第1のテストスイッチ素子をオフし、且つ、前記第2の電流の電流値を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの値に固定する
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記負電圧検知回路は、前記第2のコンパレータの出力の切り替わりを検出し、前記第2の電流の電流値を制御する制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記負電圧検知回路は、
前記第3の抵抗の他端と前記出力パッドとの間に接続された第2のテストスイッチ素子をさらに備え、
前記テスト時において、前記第2のテストスイッチ素子をオフすることにより、前記ネガティブチャージポンプの出力と前記第3の抵抗の他端との間を絶縁状態に制御し、
前記通常動作時において、前記第2のテストスイッチ素子をオンすることにより、前記ネガティブチャージポンプの出力と前記第3の抵抗の他端との間を導通状態に制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記第1の抵抗は、可変抵抗であり、
前記テスト時において、
前記第1の抵抗の抵抗値を制御して前記第1の電流を変化させることにより、前記第2のコンパレータの出力が、前記活性化信号から前記非活性化信号又は前記非活性化信号から前記活性化信号に切り替わるように、前記第2の電流の電流値を変化させ、
前記通常動作時において、
前記第1の抵抗の電流値を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの値に固定することにより、前記第2の電流の電流値を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの値に固定する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記負電圧検知回路は、
前記電源にソースが接続され、前記第1のコンパレータの出力および前記第1のpMOSトランジスタのゲートにゲートが接続された第3のpMOSトランジスタと、
前記第3のpMOSトランジスタのドレインにドレインが接続され、前記接地にソースが接続され、ダイオード接続された第1のnMOSトランジスタと、
前記電源にソースが接続され、前記第2のpMOSトランジスタのゲートにゲートが接続され、ダイオード接続された第4のpMOSトランジスタと、
前記第4のpMOSトランジスタのドレインにドレインが接続され、前記第1のnMOSトランジスタのゲートにゲートが接続された第2のnMOSトランジスタと、
前記第2のnMOSトランジスタのソースと前記接地との間に接続された第1のトリミングスイッチ素子と、
前記第4のpMOSトランジスタのドレインにドレインが接続され、前記第1のnMOSトランジスタのゲートにゲートが接続された第3のnMOSトランジスタと、
前記第3のnMOSトランジスタのソースと前記接地との間に接続された第2のトリミングスイッチ素子と、をさらに備え、
前記テスト時において、
前記第1および第2のトリミングスイッチ素子の少なくとも1つがオンするようにして、前記第1および第2のトリミングスイッチ素子をオン又はオフに制御することにより、前記第2のコンパレータの出力が、前記活性化信号から前記非活性化信号又は前記非活性化信号から前記活性化信号に切り替わるように、前記第2の電流の電流値を変化させ、
前記通常動作時において、
前記第1および第2のトリミングスイッチ素子のオン又はオフの状態を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの状態に設定することにより、前記第2の電流の電流値を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの値に固定する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記第2のコンパレータの出力に接続され、前記第2のコンパレータの出力信号を外部に出力するための検出パッドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記負電圧検知回路は、
前記基準電圧が一端に供給され、他端が前記第2のコンパレータの第1の入力に接続された第3のテストスイッチ素子と、
前記第2のコンパレータの前記第1の入力に一端が接続され、テストパッドに他端が接続された第4のテストスイッチ素子と、をさらに備え、
前記第2の抵抗の一端は、前記第2のコンパレータの第2の入力に接続されており、
前記テスト時において、
前記テストパッドにテスト用基準電圧が印加され、
前記第3のテストスイッチ素子がオフし且つ前記第4のテストスイッチ素子がオンし、
前記通常動作時において、
前記第3のテストスイッチ素子がオンし且つ前記第4のテストスイッチ素子がオフすることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 正電圧を出力する正電圧システムと、
負電圧を出力する負電圧システムである半導体集積回路と、
複数のメモリセルが行及び列方向に配列されたメモリセルアレイと、
メモリセルの行を選択するロウデコーダと、
メモリセルの列を選択するカラムデコーダ/センスアンプと、
正電圧出力及び負電圧出力を選択して、メモリセルアレイ、ロウデコーダ及びカラムデコーダ/センスアンプに供給する電圧スイッチ回路と、を備え、
前記半導体集積回路は、
活性化状態で発振信号を生成して出力し、一方、非活性化状態では発振信号を生成しないオシレータと、
前記発振信号に応じて負電圧である出力電圧を生成して出力パッドに出力するネガティブチャージポンプと、
前記出力電圧を検知し、前記出力電圧が目標電圧に近づくように、前記オシレータを活性状態または非活性状態に制御する負電圧検知回路と、を備え、
前記負電圧検知回路は、
電源にソースが接続された第1のpMOSトランジスタと、
前記第1のpMOSトランジスタのドレインに一端が接続され、接地に他端が接続された第1の抵抗と、
前記第1の抵抗の一端と前記第1のpMOSトランジスタのドレインとの間の第1の電圧と、基準電圧と、が等しくなるように、前記第1のpMOSトランジスタのゲート電圧を制御する第1のコンパレータと、
前記電源にソースが接続され、前記第1のpMOSトランジスタに流れる第1の電流をカレントミラーした第2の電流が流れる第2のpMOSトランジスタと、
前記第2のpMOSトランジスタのドレインに一端が接続された第2の抵抗と、
前記第2の抵抗の他端に一端が接続され、前記出力パッドに他端が接続された第3の抵抗と、
前記第2の抵抗の他端に一端が接続され、前記接地に他端が接続された第1のテストスイッチ素子と、
前記第2の抵抗の一端と前記第2のpMOSトランジスタのドレインとの間の第2の電圧と、前記基準電圧との比較し、前記第2の電圧が前記基準電圧未満である場合には、前記オシレータを活性状態にする活性化信号を出力し、一方、前記第2の電圧が前記基準電圧以上である場合には、前記オシレータを非活性状態にする非活性化信号を出力する第2のコンパレータと、を備え、
テスト時において、
前記第1のテストスイッチ素子をオンし、且つ前記ネガティブチャージポンプの出力と前記第3の抵抗の他端との間を絶縁状態に又は前記ネガティブチャージポンプを非活性化状態に制御し、
その後、前記第2のコンパレータの出力が、前記活性化信号から前記非活性化信号又は前記非活性化信号から前記活性化信号に切り替わるように、前記第2の電流の電流値を変化させ、
前記第2のコンパレータの出力に応じて前記ネガティブチャージポンプが動作する通常動作時において、
前記第1のテストスイッチ素子をオフし、且つ、前記第2の電流の電流値を前記テスト時に前記第2のコンパレータの出力が切り替わったときの値に固定する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
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