JP7107121B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態に係る半導体集積回路1として、図1に示すように、電源30と負荷32との間に出力段素子10を配置したハイサイド型IPSを例示する。本発明の実施形態に係る半導体集積回路1は、出力段素子10の他に、出力段素子10の制御端子(ゲート)を駆動する動作回路11と、動作回路11の動作を制御する論理回路12と、出力段素子10の過電流を検出する過電流検出回路(特性検出回路)13を備える。また、本発明の実施形態に係る半導体集積回路1は、電源端子21、出力端子22、入力端子23、状態端子24及び接地端子25を配置している。なお、図示を省略するが、本発明の実施形態に係る半導体集積回路1は、過熱検出回路等の他の回路を更に備えていてもよい。
VOUT≦Vcc-VOC …(1)
IOUT=(Vcc-VOUT)/Ron …(2)
ここで、比較例として、図2に示した動作回路11の代わりに、図4に示した動作回路11xを用いた場合を説明する。図4に示すように、比較例に係る動作回路11xは、内部電位生成回路41及びチャージポンプ回路42を有する点は図2に示した動作回路11と同様であるが、制御回路素子43、テストパッド44及び抵抗45を有しない点が図2に示した動作回路11と異なる。
これに対して、図2に示した動作回路11を用いた本発明の実施形態に係る半導体集積回路1における、ウェハ状態での過電流検出回路13の過電流閾値電圧VOUTの試験方法の一例を説明する。
本発明の実施形態に係る半導体集積回路1において、過電流検出回路13の過電流閾値電圧VOCを測定した。図1に示した電源電位Vccを13V、入力信号INの電圧VINのHレベルを5V、状態信号STの電圧VSTのHレベルを5Vとした。図2に示したテストパッド44に電圧を印加して制御回路素子43をオンし、内部電位VGNDと電源電位Vccを短絡させた。この状態で、出力端子22に接続した電流容量数十mAのパルスジェネレータにより、出力電圧VOUTを13Vから12Vまで下げた後、13Vまで戻すようにスイープしたときの波形を図5に示す。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
10…出力段素子
11…動作回路
12…論理回路
13…過電流検出回路
21…電源端子
22…出力端子
23…入力端子
24…状態端子
25…接地端子
30…電源
31…制御回路
32…負荷
41…内部電位生成回路
42…チャージポンプ回路
43…制御回路素子
44…テストパッド
45…抵抗
61…発振回路
62,64,68,72…インバータ
63…昇圧回路
65,69,73…コンデンサ
66,67,70,71,74,75…ダイオード
Claims (4)
- 電源と負荷との間に接続される出力段素子と、
前記出力段素子のオン指令時に動作し、前記出力段素子の電気的特性を検出する特性検出回路と、
前記電源から供給される電源電位を基準として、前記電源電位よりも低い内部電位を生成する内部電位生成回路と、
前記生成された内部電位に応じて、前記電源電位を昇圧することにより前記出力段素子を駆動するゲート信号を出力するチャージポンプ回路と、
前記電源に第1主端子領域が接続され、前記内部電位生成回路の出力端子と前記チャージポンプ回路の入力端子との間に第2主端子領域が接続された制御回路素子と、
前記制御回路素子の制御電極に接続されたテストパッドと、
を備え、
前記出力段素子のオン指令時に、前記テストパッドに電圧を印加して前記制御回路素子をオンすることにより前記チャージポンプ回路を強制的に停止させ、前記出力段素子をオフさせた状態で、前記特性検出回路が動作する閾値電圧を測定することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記制御回路素子の前記制御電極と、前記内部電位生成回路の前記出力端子との間に接続された抵抗を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記出力段素子のオン指令時に、前記内部電位生成回路を動作させる論理回路を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。
- 前記特性検出回路は、前記出力段素子の出力電圧から、前記出力段素子の過電流を検出する過電流検出回路であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
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JP2007228180A (ja) | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電力供給制御装置 |
JP2014147044A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP2016001822A (ja) | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 富士電機株式会社 | 負荷駆動回路 |
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