JP2014146790A - 半導体デバイスに使用される浅い接合の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】a.基板の第1主面に浅い接合を含む基板であって、浅い接合は第1主面に実質的に平行に形成された基板を形成する工程と、b.第1主面の上に誘電体層を形成する工程と、c.以下の繰り返し工程:放電手段により誘電体層の所定の領域の上で、それぞれの電荷の値を提供して決定する工程、所定の領域の対応する光電圧を測定する工程:の組み合わせを、少なくとも2回繰り返す工程と、d.基板の所定の領域に対して、平均ホール/電子移動度の測定、または活性ドーパントのドーズの測定の少なくとも1つを、それぞれの電荷およびそれに対応する接合光電圧から導き出す工程と、を含む方法、および関連するコンピュータプログラム。
【選択図】図2
Description
a.基板の第1主面に浅い接合を含む基板であって、浅い接合は第1主面に実質的に平行に形成された基板を形成する工程と、
b.第1主面の上に誘電体層を形成する工程と、
c.以下の繰り返し工程:
放電手段により誘電体層の所定の領域の上で、それぞれの電荷の値を提供して決定する工程、
所定の領域の対応する光電圧を測定する工程:
の組み合わせを、少なくとも2回繰り返す工程と、
d.基板の所定の領域に対して、(平均ホール/電子移動度のような)平均ホール/電子移動度の測定、または(活性ドーパントのドーズのような)活性ドーパントのドーズを測定の少なくとも1つを、それぞれの電荷およびそれに対応する接合光電圧から導き出す工程と、を含む。
所定の具体例では、最初のコロナ電荷堆積は、誘電体中に最初に存在する電荷、または界面トラップに含まれる電荷を相殺するように提供されても良い。例えば方法の組織だった間違いを見積もり、または減らすために、同じ出発条件の下でプロセスが繰り返された場合、最初のコロナ電荷堆積もまた繰り返されても良い。
Claims (13)
- 半導体デバイスで使用される浅い接合の評価のための方法であって、
a.基板の第1主面に浅い接合を含む基板であって、浅い接合は第1主面に実質的に平行に形成された基板を形成する工程と、
b.第1主面の上に誘電体層を形成する工程と、
c.以下の繰り返し工程:
放電手段により誘電体層の所定の領域の上で、それぞれの電荷の値を提供して決定する工程、
所定の領域の対応する光電圧を測定する工程:
の組み合わせを、少なくとも2回繰り返す工程と、
d.基板の所定の領域に対して、平均ホール/電子移動度の測定、または活性ドーパントのドーズの測定の少なくとも1つを、それぞれの電荷およびそれに対応する接合光電圧から導き出す工程と、を含む方法。 - さらに、反復工程の組み合わせの反復前に、誘電体層の所定の領域から堆積した電荷を除去または中和する工程を含む請求項1に記載の方法。
- 所定の領域に対して、平均ホール/電子移動度の測定、または活性ドーパントのドーズの測定の少なくとも1つを導出する工程は、線形近似を行う工程を含む請求項1または2に記載の方法。
- 線形近似は、1/Rs=μp・(q・Dp−Qc)、または1/Rs=μn・(q・Dn−Qc)の関係であって、Qcは誘電体層の上に堆積したそれぞれの電荷、Rsは上部接合層のシート抵抗、Dp/Dnは電荷を与える前の、ホール/電子の真性ドーズ、μp/μnは浅い接合のp+/n+上層中の平均ホール/電子移動度、そしてqは電子電荷の単位である関係に基づく請求項3に記載の方法。
- 誘電体層および第1主面は、直接コンタクトをとっている請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- それぞれの電荷は、コロナ帯電により提供される請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 浅い接合は、p+n型の接合である請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 浅い接合は、n+p型の接合である請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- それぞれの電荷は、正である請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- それぞれの電荷は、負である請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 基板の上の浅い接合の特徴的な情報をマッピングする方法であって、少なくとも2つの所定のおよび別々の領域の上で、請求項1〜10のいずれかにかかる方法を行う工程を含む方法。
- 複数の所定の別々の領域の上で行われ、所定の別々の領域の結合は、基板の第1主面に対応する請求項11に記載の方法。
- コンピュータ上で走らした場合に、請求項1の工程で使用されおよび/または導き出されたそれぞれの電荷および対応する接合光電圧から、浅い接合を含む基板の所定の領域に対して、平均ホール/電子移動度の測定、または活性ドーパントのドーズの測定、の少なくとも1つを導き出する工程を行うために適用されるコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13151644.5 | 2013-01-17 | ||
EP13151644.5A EP2757579B1 (en) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | Method for characterisation of shallow junctions for use in semiconductor devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014146790A true JP2014146790A (ja) | 2014-08-14 |
JP2014146790A5 JP2014146790A5 (ja) | 2016-07-21 |
JP6208006B2 JP6208006B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=47664140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013269213A Active JP6208006B2 (ja) | 2013-01-17 | 2013-12-26 | 半導体デバイスに使用される浅い接合の評価方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9472474B2 (ja) |
EP (1) | EP2757579B1 (ja) |
JP (1) | JP6208006B2 (ja) |
TW (1) | TWI601213B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2013-01-17 EP EP13151644.5A patent/EP2757579B1/en active Active
- 2013-12-26 JP JP2013269213A patent/JP6208006B2/ja active Active
-
2014
- 2014-01-16 US US14/157,373 patent/US9472474B2/en active Active
- 2014-01-16 TW TW103101551A patent/TWI601213B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6208006B2 (ja) | 2017-10-04 |
EP2757579A1 (en) | 2014-07-23 |
TW201436053A (zh) | 2014-09-16 |
EP2757579B1 (en) | 2019-06-19 |
TWI601213B (zh) | 2017-10-01 |
US9472474B2 (en) | 2016-10-18 |
US20140197862A1 (en) | 2014-07-17 |
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