JP2008300837A - 反転電荷キャリアの移動度測定 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】誘電体材料層と半導体基板の上面との間の界面の品質の決定方法であって、上面に誘電体材料層が堆積して界面を形成しており、前記誘電体材料層の表面は、上面を規定する半導体基板と直接接触または接触していない半導体基板を用意するステップと、放電手段により、前記上面の専用エリアに電荷を付着させるステップと、前記上面での電圧Vsを測定するステップと、前記専用エリアに照射手段を適用し、照射スポットを規定するステップと、前記エリアの照射時に、測定手段を用いて前記決定した照射スポットの内側および外側での光電圧を測定するステップとを含む。
【選択図】図1
Description
・上面に誘電体材料層が堆積して、界面を形成している半導体基板を用意するステップ。前記誘電体材料層の表面は、上面を規定する半導体基板と直接接触し、または接触していない。
・放電手段により、前記上面の所定エリアに電荷を付着させるステップ。
・前記上面での電圧Vsを測定するステップ。
・前記所定エリアに照射手段を適用し、照射スポットを規定するステップ。
・前記エリアの照射時に、測定手段を用いて前記決定した照射スポットの内側および外側での光電圧(photovoltage)を測定するステップ。
・少なくとも1つの成膜した層を含む基板を保持するための基板ホルダ。
・コロナ電荷を基板上に付着させるための手段。コロナ電荷を付着させるための手段は、表面電位Vsを特定エリアにおいて少なくとも局所的に誘起するように設計される。
・表面電位を表すパラメータを決定するための手段。
・成膜した層を含む基板の表面、特に、前記特定エリアを局所的に照射して、照射スポットを作成するための手段。
・少なくとも2つの、好ましくは部分的に同心円状である電極を有し、第1電極は照射スポットの内部に位置し、第2電極は照射スポットの外側に位置するようにした手段。
・第1電極および第2電極の(光)電圧V1,V2をそれぞれ測定して、基板と成膜層との界面における反転電荷の移動度が導出可能であるシート抵抗を表すパラメータを計算する手段。
反転電荷キャリアの移動度の決定方法を開示する。反転電荷キャリアは、堆積または成長した層と、この層が堆積した基板との接触表面に位置している。反転電荷キャリアは、コロナ電荷を、成膜した層の上面に少なくとも局所的に付着させることによって、生成される。好ましくは、成膜した層は、例えば、ゲート誘電体層などの誘電体層であり、該方法は、下にある層または下にある基板での反転電荷キャリアの移動度に対するゲート誘電体層の影響を決定するために用いられる。
好ましい実施形態によれば、測定は、3つのテクニックまたは方法の組合せである。第1のテクニックは、コロナ電荷を(ゲート)誘電体層の上に堆積するために用いられ、好ましくは、図1Bに示すように、ゲート誘電体の表面に渡って10kVの金属製(タングステン)ワイヤを通過させることによって行われる。
一実施形態は、(ゲート)誘電体および下方の基板の界面における反転電荷キャリアの移動度を決定するためのシステムも含む。該システムは、ゲート誘電体(層)を含む基板を保持するための基板ホルダと、コロナ電荷をゲート誘電体上に少なくとも局所的に付着させて、表面電位を少なくとも局所的に誘起するための手段と、表面電位を表すパラメータを決定するための手段と、過剰な電子を少なくとも局所的に生成するための手段と、シート抵抗を少なくとも局所的に測定するための手段とを少なくとも備える。
測定テクニックの評価として、互いに相対比較して、どれがどの移動度の劣化を示すかについてゲート誘電体の測定テストに投入した。300mmのp−Siウエハを(表1)に示したように処理した。ゲート誘電体は、同じ範囲の等価酸化物厚を有するように選ばれる。
Claims (17)
- 誘電体材料層と半導体基板の上面との間の界面の品質の決定方法であって、
・上面に誘電体材料層が堆積して界面を形成しており、前記誘電体材料層の表面は、上面を規定する半導体基板と直接接触または接触していない半導体基板を用意するステップと、
・放電手段により、前記上面の専用エリアに電荷を付着させるステップと、
・前記上面での電圧Vsを測定するステップと、
・前記専用エリアに照射手段を適用し、照射スポットを規定するステップと、
・前記エリアの照射時に、測定手段を用いて前記決定した照射スポットの内側および外側での光電圧を測定するステップと、を含む方法。 - 照射スポットの内側および外側で測定した光電圧は、界面に位置した反転電荷キャリアの移動度に関係した情報を提供するようにした請求項1記載の方法。
- 放電手段により付着した電荷は、前記基板の上面全体に付着したコロナ電荷である請求項1または2記載の方法。
- 基板は、例えば、シリコン(Si)またはゲルマニウム(Ge)ウエハなどの平坦な基板であり、好ましくはドープされて、例えば、pドープまたはnドープの基板を得るようにした請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つの誘電体層は、ゲート誘電体層または、ゲート誘電体層の組合せである請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つの誘電体層は、高誘電率(high-k)誘電体である請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 特別な層および、好ましくはキャップ層が、少なくとも1つの誘電体層上に堆積され、及び/又は、窒化物形成プロセスが該少なくとも1つの誘電体層に適用される請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- コロナ電荷を付着させるステップは、好ましくは、固定電位、例えば、10kVの金属製ワイヤをウエハの上で通過させることによって基板全体に渡って行われ、専用エリアにコロナ電荷を生成するようにした請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- コロナ電荷を付着させるステップは、コロナジェットを用いることによって、局所的に行われ、コロナジェットは、コロナ電荷を基板表面に局所的に吹き付けて、コロナ電荷を前記専用エリア上に生成するようにした請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記専用エリアで少なくとも局所的に表面電位(Vs)を測定するステップは、ケルビンプローブを用いて非接触で行われる請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 照射スポットの内側および外側での光電圧を測定するステップは、接合光電圧の原理を用いて、少なくとも部分的に同心円状の2つの電極を用いて行われ、第1電極は、照射スポットの内側に位置し、第2電極は、照射スポットの外側に位置している請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 2つの電極は、線状の電極である請求項11記載の方法。
- 2つの電極は、少なくとも部分的に同心円状である請求項12記載の方法。
- 少なくとも部分的に同心円状である2つの電極は、リング電極である請求項12記載の方法。
- 半導体基板と、成膜した層、好ましくは誘電体層との界面における反転電荷の移動度を決定するための装置であって、
・少なくとも1つの成膜した層を含む基板を保持するための基板ホルダと、
・コロナ電荷を基板上に付着させるための手段であって、表面電位Vsを特定エリアにおいて少なくとも局所的に誘起するように設計された手段と、
・表面電位を表すパラメータを決定するための手段と、
・成膜した層を含む基板の表面、特に、前記特定エリアを局所的に照射して、照射スポットを作成するための手段と、
・少なくとも2つの(部分的に同心円状の)電極を有し、第1電極は照射スポットの内部に位置し、第2電極は照射スポットの外側に位置するようにした手段と、
・第1電極および第2電極の(光)電圧V1,V2をそれぞれ測定して、基板と成膜層との界面における反転電荷の移動度が導出可能であるシート抵抗を表すパラメータを計算する手段と、を備える装置。 - 移動度を温度の関数として測定する、請求項1〜14のいずれかに記載の方法または請求項15記載の装置の使用。
- 移動度を機械的応力の関数として測定する、請求項1〜14のいずれかに記載の方法または請求項15記載の装置の使用。
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