JP2014130518A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2014130518A JP2012288493A JP2012288493A JP2014130518A JP 2014130518 A JP2014130518 A JP 2014130518A JP 2012288493 A JP2012288493 A JP 2012288493A JP 2012288493 A JP2012288493 A JP 2012288493A JP 2014130518 A JP2014130518 A JP 2014130518A
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正浩 足達
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Abstract

【課題】電源ICの動作条件を変更するとともに、マイコンを動作させたときの電圧を監視し、さらに故障診断や異常検出の信頼性を高める。
【解決手段】一実施の形態に係る半導体装置は、電源電圧を生成するレギュレータ回路11を有する電源IC10と、電源電圧に対応する動作電圧を受けて動作するコア21を有するマイコン20と、診断設定信号に応じてレギュレータ回路11及びコア21の動作条件を変更し、電源電圧又は動作電圧を監視する電圧監視回路マイコン側電圧監視回路22とを有する。
【選択図】図1

Description

本発明は半導体装置に関し、例えば電圧監視機能を有する半導体装置に関する。
特許文献1には、電源IC内に、当該電源ICからの出力電圧の異常を検出する電圧監視回路を設ける技術が記載されている。特許文献2には、マイコン内に、当該マイコンに入力される電圧の異常を検出する電圧監視回路を設ける技術が記載されている。電圧監視回路としては、例えば特許文献3に記載されている、基準電圧回路、コンパレータ、A/Dコンバータ等を有するものが使用される。
電源ICと、当該電源ICからの電圧を受けて動作するマイコンを含む半導体装置では、電源IC側とマイコン側のそれぞれに電圧検出回路が設けられる場合がある。これらの電圧検出回路は、電源IC、マイコンの電圧を個別に監視、診断している。
特開2001−160004号公報 特開2008−171092号公報 特開2006−209486号公報
電源ICにかかる電流負荷は、マイコンの動作に応じて変動する。また、電源ICに設けられる出力トランジスタのドライブ能力が低下すること等により、電源ICからの出力電圧が低下する。すなわち、電源ICとマイコンを含む半導体装置では、電源IC側、マイコン側の電圧は、いずれも電源ICとマイコンの両方の動作条件等に影響を受ける。このため、電源ICの動作条件を変更するとともに、マイコンを動作させたときの電圧を監視し、さらに故障診断や異常検出の信頼性を高めることが望まれている。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、半導体装置は、入力される診断設定信号に応じて、電源装置及び処理装置の動作条件を変更し、電源装置において生成される電源電圧又は処理装置の動作に用いられる動作電圧を監視する。
これにより、電源装置、処理装置の両方の動作条件を変更したときの電圧を監視することができ、さらに信頼性を高めることが可能となる。
実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図である。 実施の形態1に係る半導体装置の他の構成を示す図である。 実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す図である。 図3に示す半導体装置におけるノードAの好ましい態様を示す図である。 実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す図である。 図5に示す半導体装置におけるノードAの好ましい態様を示す図である。 実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す図である。
本実施の形態は、電源装置と当該電源装置で生成される電源電圧を受けて動作する処理装置とを含む半導体装置に関する。実施の形態に係る半導体装置は、診断設定信号に応じて、電源装置及び処理装置の動作条件を変更し、電源装置において生成される出力電圧又は処理装置の動作に用いられる動作電圧を監視・診断する。
これにより、電源装置、処理装置の両方の動作条件を連動して変更したときの電圧を監視し、さらに故障診断や異常検出の信頼性を高めることが可能となる。以下、実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の図において、同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
実施の形態1.
実施の形態1に係る半導体装置について、図1を参照して説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図である。図1に示すように、半導体装置100は、電源装置である電源IC10、処理装置であるマイコン20の二つのICチップを備えている。電源IC10には、レギュレータ回路11、端子T11、T12が設けられている。レギュレータ回路11は、外部から供給される外部電圧に基づき電源電圧Voを生成する電圧生成回路である。レギュレータ回路11としては、例えば、LDO(Low Drop Out)レギュレータ、DC−DCコンバータ等を用いることができる。
レギュレータ回路11の一例には、基準電圧発生回路、誤差増幅器、出力トランジスタ、出力電圧設定用抵抗等が含まれる。出力トランジスタのソースに外部電圧が供給され、ドレインから電源電圧Voが出力される。出力トランジスタのゲートは、誤差増幅器の出力に接続される。誤差増幅器の反転入力端子には基準電圧発生回路からの基準電圧が入力され、非反転入力端子には電源電圧Voが出力電圧設定用抵抗を介して帰還される。誤差増幅器は入力される2つの信号を比較する。この比較結果に基づいて、出力トランジスタが制御される。電源電圧Voは、電源IC10内部の配線、パッケージ等の寄生インピーダンスR1を経由して端子T11から出力される。
マイコン20には、演算回路であるコア21、マイコン側電圧監視回路22、端子T21、T22が設けられている。端子T11から出力された電圧は、電源IC10、マイコン20間の基板配線インピーダンスR2を経由して、端子T21に入力される。また、マイコン20は、図示しない内蔵RAM(Random Access Memory)やメモリコントローラ等を備えている。内蔵RAMには、メモリコントローラにより外部ROM(Read Only Memory)から転送される制御プログラムが記憶される。コア21は、動作電圧を受けて、内蔵RAMに記憶された制御プログラムに従って、マイコン20における処理を実行する。
端子T21から入力された電圧は、マイコン20内部の配線、パッケージ等の寄生インピーダンスR3を経由して、コア21へ動作電圧として供給される。実施の形態1では、コア21が動作電圧を受けて動作する動作回路である。コア21は、動作電圧を受けて制御プログラムを実行する。動作電圧が供給されるノードをノードAとする。マイコン側電圧監視回路22はノードAに接続されている。実施の形態1では、マイコン側電圧監視回路22は動作電圧を監視する。
実施の形態1では、診断設定信号はコア21により生成される。診断設定信号は、コア21内のメモリに入力される。また、診断設定信号は、マイコン20の端子T22を介して、電源IC10の端子T12に入力される。端子T12に入力された診断設定信号は、電源IC10内のレギュレータ回路11に入力される。
診断設定信号は、コア21内の動作条件を変更するとともに、レギュレータ回路11の動作条件を変更する。すなわち、診断設定信号は、レギュレータ回路11とコア21とを同時に診断モードにする。
コア21の診断モードにおける動作条件としては、例えば、動作スピード、動作率等を最大とし、ノードAに流れる電流Iddが最大値となるように設定することができる。すなわち、診断モードでは、コア21の動作により電源IC10に最大電流負荷がかかる状態とする。つまり、コア21は、診断設定信号に応じて動作し負荷電流を発生させる演算回路である。
レギュレータ回路11の診断モードにおける動作条件としては、例えば、出力電流能力に関係する外部電圧や温度等を考慮し、故意に回路的に厳しい条件となるように設定することができる。例えば、ドライバ能力を削減したり、回路電流を削減して過渡応答を劣化させたり、出力電圧規格を最小値に設定したり、出力電圧判定回路の判定基準を厳しくする等が考えられる。
このように、実施の形態1では、電源IC10、マイコン20の双方にとって最も厳しい条件の組合せを同時に作り出す。マイコン側電圧監視回路22は、診断モードにおけるノードAの動作電圧を監視・診断する。これにより、さらに故障診断や異常検出の信頼性を高めることが可能となる。なお、レギュレータ回路11とコア21の診断モードにおける動作条件は一つに限るものではない。例えば、上記の様々な動作条件の組合せにより複数回の診断を行うことも可能である。
なお、端子T12、T22は、診断設定信号を出力する特定の端子であってもよく、診断設定信号と、電源IC10内のテストレジスタやタイマー、シーケンサー等の他の回路へI/F信号とを、診断設定信号に基づいて切り替えて出力する兼用端子であってもよい。
図2は、実施の形態1に係る半導体装置の他の構成を示す図である。図2に示す半導体装置100'では、電源IC10内にさらに電源側電圧監視回路12が設けられている。診断設定信号は、外部からコア21、レギュレータ回路11に直接入力されている。
図2に示す半導体装置100'では、マイコン側電圧監視回路22が診断モードにおけるノードAの動作電圧を監視するとともに、電源側電圧監視回路12が電源電圧Voを監視する。すなわち、電源IC10、マイコン20の双方にとって最も厳しい条件の組合せにおいて、電源IC10、マイコン20の診断を同時に行うことが可能となる。
実施の形態2.
実施の形態2に係る半導体装置100Aについて、図3を参照して説明する。図3は、半導体装置100Aの構成を示す図である。図3に示すように、半導体装置100Aは、電源IC10A、マイコン20Aの二つのICチップを備えている。電源IC10Aは、レギュレータ回路11、電源側電圧監視回路12、ウォッチドッグタイマ13、セレクタ14を有している。マイコン20Aは、コア21、IOバッファ回路23、セレクタ24を有している。
実施の形態2では、出力回路であるIOバッファ回路23の動作電圧を電源IC10A側に帰還し、電源側電圧監視回路12により診断を行う。電源側電圧監視回路12は、電源電圧Voの診断と、ノードAの動作電圧の診断とを切り替えて実行する。
実施の形態1と同様に、レギュレータ回路11から出力される電源電圧Voは、インピーダンスR1、R2、R3を経由してノードAに到達する。ノードAの電圧は、IOバッファ回路23の動作電圧として供給される。すなわち、実施の形態2では、IOバッファ回路23が動作電圧を受けて動作する動作回路である。
外部からの診断設定信号は、端子T22を介して、マイコン20Aのコア21、IOバッファ回路23、セレクタ24にそれぞれ入力される。コア21は、診断設定信号に応じて、例えば、ノードAに流れる電流Iddが最大値となるように動作条件が設定される。すなわち、コア21は診断設定信号に応じて負荷電流を発生させる。セレクタ24は、通常動作モードではコア21からの演算結果をIOバッファ回路23に出力し、診断モードではハイレベルのHi信号を固定して出力する。
IOバッファ回路23は、コア21から出力される演算結果を出力する複数の出力バッファを有する。IOバッファ回路23の複数の出力バッファの内の一つは、診断モードにおいてセレクタ24からのHi信号を出力するように構成されている。図3に示す例では、出力バッファBUF1が、セレクタ24の出力に接続されている。出力バッファBUF1は、診断モードでは動作電圧を用いてHi信号を出力する。
すなわち、出力バッファBUF1は、診断設定信号に応じて、コア21が動作し負荷電流が発生したときの、Hi信号を電圧モニタ信号として出力する。出力バッファBUF1以外の出力バッファは、Hi信号とローレベルのLow信号が交互に繰り返される矩形波信号を出力する。
電圧モニタ信号は、端子T23から出力され、端子T13から電源IC10Aに入力される。実施の形態2では、端子T13、T23は、ウォッチドッグタイマ13へ入力されるI/F信号と、電圧モニタ信号で兼用されている。通常動作モードでは、I/F信号が端子T23から出力され、端子T13を介してウォッチドッグタイマ13に入力される。一方、診断モードでは、端子T23から電圧モニタ信号が出力され、セレクタ14に入力される。このように、端子を兼用することにより、電源IC10A、マイコン20Aに新たな専用ピンを追加することが不要となる。
診断設定信号は、端子T12を介して、電源IC10Aのセレクタ14の一方の入力端子に入力される。また、セレクタ14の他方の入力端子には、レギュレータ回路11からの電源電圧Voが入力されている。セレクタ14は、診断設定信号に応じて、電源電圧Voを診断する第1監視モードと、電圧モニタ信号を診断する第2監視モードとを切り替える選択回路である。通常動作モードでは、セレクタ14は電源電圧Voを電源側電圧監視回路12に出力する。診断モードでは、セレクタ14は電圧モニタ信号を電源側電圧監視回路12に出力する。
なお、上記の実施の形態では、電源電圧Voと電圧モニタ信号とを切り替えて交互にモニタしたが、これに限定されない。例えば、電源IC10A側にコンパレータを二つ設け、一つのコンパレータで差電圧を常時モニタすることも可能である。
従って、電源側電圧監視回路12は、通常動作モードにおいて電源電圧Voを監視し、診断モードにおいて電圧モニタ信号を監視する。すなわち、電源側電圧監視回路12は、診断設定信号に応じて、電源電圧と電圧モニタ信号とを切り替えて監視する。このように、マイコン20A内の動作電圧を電源IC10A側に帰還する構成を有することにより、電源IC10A、マイコン20Aの電圧監視を一つの電圧監視回路で行うことが可能となる。これにより、電源IC、マイコン側それぞれに電圧監視回路が設けられる例と比較すると、コストを削減することができるとともに、チップ面積を小さくすることが可能となる。
また、電源IC、マイコンのそれぞれに電圧監視回路を設け、個別に電圧監視を行っている場合は、複数の電圧監視回路を設けることに起因するコスト増の問題に加え、負荷電流を発生させずに単に電圧監視のみを行っている場合、電源IC−マイコン間の基板配線インピーダンスの異常、または電源IC、マイコン内の配線等の寄生インピーダンスの異常は検出することができなかった。
実施の形態2では、ノードAの動作電圧は、寄生インピーダンスR1、R3、基板配線インピーダンスR2を経由した電圧である。コア21を動作させて負荷電流を発生させた状態では、ノードAの電圧VAは、VA=Vo−Idd×(R1+R2+R3)となる。電源側電圧監視回路12は、このノードAの動作電圧を用いて動作する出力バッファBUF1から出力される電圧モニタ信号を監視することができる。
これにより、各IC内の寄生インピーダンスR1、R3及びIC間の基板配線インピーダンスR2の異常を含めた診断が実現できる。診断終了後は、診断モードを解除し、コア21、IOバッファ回路23を通常動作とする。このとき、電源側電圧監視回路12は、レギュレータ回路11から出力される電源電圧Voを監視する。
なお、実施の形態2では、ウォッチドッグタイマ13への制御信号を出力する端子を電圧モニタ信号の出力端子に用いる例を示したが、これに限定されない。例えば、パワーコントロール信号等、電源IC10A−マイコン20A間のI/F信号を出力する端子であれば、いずれの端子でも電圧モニタ信号の出力端子として兼用することが可能である。端子T13はアナログ信号とデジタル信号の両方を受けられる端子であってもよい。
また、診断設定信号は、SPIやI2C等のシリアルI/Fによるレジスタ制御でも適応できる。また、診断設定信号は外部からのみでなく、マイコン側からもしくは電源IC側からと入力ソースは限定されない。
ここで、図4を参照して、ノードAの好ましい態様について説明する。図4は、図3のIOバッファ回路23の構成を示している。図4に示すように、IOバッファ回路23は、複数の出力バッファBUF1、BUF2、・・・、BUFn、IO電源供給点26、電源ライン27が設けられている。IOバッファ回路23には、IO電源供給点26から、動作電圧が供給される。複数の出力バッファBUF1、BUF2、・・・、BUFnは、同一の電源ライン27により接続されている。
IO電源供給点26から供給された動作電圧は、電源ライン27を介して、複数の出力バッファBUF1、BUF2、・・・、BUFnにそれぞれ供給される。ノードAは、IO電源供給点26から最も電圧降下が大きくなる箇所とする。図4に示す例では、複数の出力バッファBUF1、BUF2、・・・、BUFnのうち、当該出力バッファBUFまでの電源ライン27のインピーダンスが最も大きい出力バッファに入力される動作電圧が供給される箇所をノードAとすることができる。すなわち、IO電源供給点26から出力バッファまでの電源ライン27の物理的な長さが最も長くなる出力バッファとすることができる。
また、ノードAは、出力バッファの電圧スペックがクリティカルな箇所としてもよい。例えば、複数の出力バッファが接続される同一の電源ライン27において、駆動能力が大きく、AC出力される出力バッファに入力される動作電圧が供給される箇所をノードAとしてもよい。また、複数の出力バッファBUF1、BUF2、・・・、BUFnが接続される箇所をノードAとすることも可能である。これにより、より厳しい条件の電圧モニタ信号を監視することが可能となり、異常検出の信頼性を高めることが可能となる。
実施の形態3.
実施の形態3に係る半導体装置について、図5を参照して説明する。図5は、実施の形態3に係る半導体装置100Bの構成を示す図である。図5に示すように、半導体装置100Bは、電源IC10B、マイコン20Bの二つのICチップを備えている。電源IC10Bは、レギュレータ回路11、電源側電圧監視回路12、セレクタ14を有している。マイコン20Aは、コア21、セレクタ24、内部回路25を有している。
実施の形態3は、コア21の動作電圧(ノードAの電圧)を電圧モニタ信号として電源IC10A側に帰還し、電源側電圧監視回路12により診断を行う。電源側電圧監視回路12は、電源電圧Voの診断と、ノードAの動作電圧の診断とを切り替えて実行する。
実施の形態1と同様に、レギュレータ回路11から出力される電源電圧Voは、インピーダンスR1、R2、R3を経由してノードAに到達する。ノードAの電圧は、コア21の動作電圧として供給される。すなわち、実施の形態3では、コア21が動作電圧を受けて動作する動作回路である。この動作電圧は、セレクタ24の一方の入力端子に入力される。
内部回路25は、DAコンバータやOPAMP等のアナログ信号を出力する回路である。内部回路25が出力するアナログ信号は、セレクタ24の他方の入力端子に入力される。端子T23は、内部回路25からのアナログ信号を出力する端子である。実施の形態3では、端子T23を内部回路25からのアナログ信号と電圧モニタ信号とで兼用している。このように、端子を兼用することにより、新たな専用ピンを追加することが不要となる。
外部からの診断設定信号は、端子T22を介して、マイコン20Aのコア21、セレクタ24にそれぞれ入力される。コア21は、診断設定信号に応じて、例えば、ノードAに流れる電流Iddが最大値となるように動作条件が設定され、負荷電流を発生させる。セレクタ24は、通常動作モードでは内部回路25からのアナログ信号を出力し、診断モードでは電圧モニタ信号を出力する。内部回路25からのアナログ信号は外部出力される。
電源IC10Bの端子T13は、診断モードでは電圧モニタ信号を受けるが、通常動作モードではハイインピーダンスとし、内部回路25の出力に影響を与えないように制御される。なお、実施の形態2と同様に、診断設定信号は、SPIやI2C等のシリアルI/Fによるレジスタ制御でも適応できる。また、診断設定信号は外部からのみでなく、マイコン側からもしくは電源IC側からと入力ソースは限定されない。
診断設定信号は、端子T12を介して、セレクタ14の一方の入力端子に入力される。また、セレクタ14には、レギュレータ回路11からの電源電圧Voが入力されている。実施の形態2と同様に、セレクタ14は、通常動作モードでは電源電圧Voを出力し、診断モードでは、電圧モニタ信号を出力する。電源側電圧監視回路12は、診断設定信号に応じて、電源電圧Voと電圧モニタ信号とを切り替えて監視することができる。
このように実施の形態3では、マイコン20B側に電圧監視回路を設けることなく、これを構成するコンパレータ回路、基準電圧生成回路、ADコンバータ等を不要とすることが可能となる。これにより、コストを削減することができるとともに、チップ面積を小さくすることが可能となる。また、コア21を診断設定信号に応じて動作させ、負荷電流が発生した状態で、電圧モニタ信号を診断することにより、各IC内の寄生インピーダンスR1、R3及びIC間の基板配線インピーダンスR2の異常を含めた診断が実現できる。
ここで、図6を参照して、ノードAの好ましい態様について説明する。図6は、図5に示す半導体装置の一部の他の構成例を示す図である。図6に示す例では、複数のコア21A、21Bが設けられている。各コア21A、21Bには、コア電源供給点28から電源ライン27を介して動作電圧が供給されている。
ノードAは、コア電源供給点28から最も電圧降下が大きくなる箇所とする。図6に示す例では、複数のコア21A、21Bのうち、当該コアまでの電源ライン27のインピーダンスが最も大きいコア21Bの動作電圧が供給される箇所をノードAとすることができる。すなわち、コア電源供給点28からコアまでの電源ライン27の物理的な長さが最も長くなるコア21Bとすることができる。
また、ノードAは、コアの電圧スペックがクリティカルな箇所としてもよい。例えば、複数のコアのうち、ゲート規模、動作スピード、動作率のいずれかが他のコアよりも高いコアに入力される動作電圧が供給される箇所をノードAとしてもよい。これにより、より厳しい条件の電圧モニタ信号を監視することが可能となり、異常検出の信頼性を高めることが可能となる。なお、このノードAの選定方法は、実施の形態1と組み合わせることも可能である。
実施の形態4.
実施の形態4に係る半導体装置について、図7を参照して説明する。図7は、実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す図である。実施の形態4は、一つの電源IC10aで、複数のマイコン20a、20b、・・・、20nの動作電圧を診断する例である。電源IC10a、マイコン20a、20b、・・・、20nの構成は、実施の形態2において説明した電源IC10A、マイコン20Aそれぞれ同一であるため、詳細な説明は省略する。
電源IC10aには、各マイコン20a、20b、・・・、20nの個数に合わせて、各マイコンからの動作モニタ信号をそれぞれ受信するための複数の端子T13、T14、・・・が設けられている。外部から入力される診断設定信号により、マイコン20a、20a、20b、・・・、20nと順次診断を行うことができる。
このような構成により、診断対象となる全てのマイコン20a、20b、・・・、20nから電圧監視回路を完全に削除することが可能となる。また、各コア21a、21b、・・・、21nを動作させて負荷電流を発生させた状態で診断を行うことにより、各マイコン内のインピーダンスを含めた診断が可能となる。なお、マイコン20a、20b、・・・、20nは、実施の形態2に示した例に限られず、実施の形態3に示したマイコン20Bを用いることも可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
10 電源IC
10A、10B 電源IC
10a 電源IC
11 レギュレータ回路
12 電源側電圧監視回路
13 ウォッチドッグタイマ
14 セレクタ
20 マイコン
20A、20B マイコン
20a、20b、・・・、20n マイコン
21a、21b、・・・、21n コア
21 コア
21A、21B コア
22 マイコン側電圧監視回路
23 IOバッファ回路
24 セレクタ
25 内部回路
26 IO電源供給点
27 電源ライン
28 コア電源供給点
100 半導体装置
100'、100A、100B 半導体装置
Vo 電源電圧
A ノード
T11、T12、T13、T14、T15、T21、T22、T23 端子
R1 寄生インピーダンス
R2 基板配線インピーダンス
R3 寄生インピーダンス
BUF 出力バッファ

Claims (15)

  1. 電源電圧を生成する電圧生成回路を有する電源装置と、
    前記電源電圧に対応する動作電圧を受けて動作する動作回路を有する処理装置と、
    診断設定信号に応じて前記電圧生成回路及び前記動作回路の動作条件を変更し、前記電源電圧又は前記動作電圧を監視する電圧監視回路と、
    を有する半導体装置。
  2. 前記電圧監視回路は前記電源装置内に設けられており、前記電源電圧を監視する請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記処理装置内に設けられ、前記診断設定信号に応じて動作し負荷電流を発生させる演算回路をさらに備え、
    前記動作回路は、前記処理装置内に設けられた出力回路であり、
    前記出力回路は、前記診断設定信号に応じて、前記負荷電流が発生したときの前記動作電圧を電圧モニタ信号として前記電圧監視回路に出力し、
    前記電圧監視回路は、前記電源電圧と前記電圧モニタ信号とを監視する請求項2に記載の半導体装置。
  4. 前記電源装置内に設けられ、前記電圧監視回路を、前記電源電圧を監視する第1監視モードと前記電圧モニタ信号を監視する第2監視モードとに、前記診断設定信号に応じて切り替える選択回路をさらに備える請求項3に記載の半導体装置。
  5. 前記電源装置に設けられた第1回路と、
    前記処理装置から前記第1回路への第1信号が出力される第1端子をさらに備え、
    前記電圧モニタ信号は、前記診断設定信号に応じて、前記第1端子を用いて前記電圧監視回路に出力される請求項3に記載の半導体装置。
  6. 前記動作電圧は、電源供給点から前記出力回路に供給され、
    前記電圧モニタ信号は、前記電源供給点から最も電圧降下が大きくなる箇所から出力される請求項3に記載の半導体装置。
  7. 前記出力回路は、前記演算回路からの演算結果を出力する複数の出力バッファを有し、
    前記動作電圧は、電源ラインを介して前記複数の出力バッファにそれぞれ供給され、
    前記電圧モニタ信号は、前記複数の出力バッファのうち、前記電源ラインのインピーダンスが最も大きい出力バッファから出力される請求項6に記載の半導体装置。
  8. 前記出力回路は、前記演算回路からの演算結果を出力する複数の出力バッファを有し、
    前記電圧モニタ信号は、前記複数の出力バッファの電圧スペックがクリティカルな箇所の前記動作電圧である請求項3に記載の半導体装置。
  9. 前記出力回路は、前記演算回路からの演算結果を出力する複数の出力バッファを有し、
    前記動作電圧は、同一の電源ラインを介して前記複数の出力バッファにそれぞれ供給され、
    前記電圧モニタ信号は、前記複数の出力バッファのうち、駆動能力が最も大きい出力バッファから出力される請求項8に記載の半導体装置。
  10. 前記動作回路は、前記処理装置内に設けられた演算回路であり、
    前記演算回路は、前記診断設定信号に応じて動作して負荷電流を発生させた時の前記動作電圧を電圧モニタ信号として前記電圧監視回路に出力し、
    前記電圧監視回路は、前記電源電圧と前記電圧モニタ信号とを監視する請求項2に記載の半導体装置。
  11. 前記動作電圧は、電源供給点から前記演算回路に供給され、
    前記電圧モニタ信号は、前記電源供給点から最も電圧降下が大きくなる箇所から出力される請求項10に記載の半導体装置。
  12. 前記処理装置は、複数の演算回路を備え、
    前記動作電圧は、電源ラインを介して前記複数の演算回路にそれぞれ供給され、
    前記電圧モニタ信号は、前記複数の演算回路のうち、から出力される請求項11に記載の半導体装置。
  13. 前記処理装置は、複数の演算回路を備え、
    前記電圧モニタ信号は、前記複数の演算回路のうち、ゲート規模、動作スピード、動作率のいずれかが他の演算回路よりも大きい演算回路に入力される動作電圧に対応する請求項10に記載の半導体装置。
  14. 前記電圧監視回路は前記処理装置内に設けられており、前記動作回路に入力される動作電圧を監視する、請求項1に記載の半導体装置。
  15. 前記処理装置は、複数の演算回路を備え、
    前記電圧監視回路は、前記複数の演算回路に前記動作電圧をそれぞれ供給する電源ラインのうち、インピーダンスが最も大きい電源ラインの電圧を監視する請求項14に記載の半導体装置。
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