JP2014130297A - 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法 - Google Patents

投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014130297A
JP2014130297A JP2012289243A JP2012289243A JP2014130297A JP 2014130297 A JP2014130297 A JP 2014130297A JP 2012289243 A JP2012289243 A JP 2012289243A JP 2012289243 A JP2012289243 A JP 2012289243A JP 2014130297 A JP2014130297 A JP 2014130297A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection
projection optical
substrate
optical system
scan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012289243A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Murakami
成郎 村上
Yukio Kakizaki
幸雄 柿▲ざき▼
Shohei Yamazaki
祥平 山▲ざき▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CERMA PREC Inc
CERMA PRECISION Inc
Original Assignee
CERMA PREC Inc
CERMA PRECISION Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CERMA PREC Inc, CERMA PRECISION Inc filed Critical CERMA PREC Inc
Priority to JP2012289243A priority Critical patent/JP2014130297A/ja
Publication of JP2014130297A publication Critical patent/JP2014130297A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】画角の小さいレンズを用いた1台の投影光学系で正立正像を得ることができ、基板の大型化に伴うレンズコストの増大を抑えて露光装置のコストダウンを図りつつ、表示パネルのような大型基板をスキャン露光で効率よく製造する。
【解決手段】一の光軸上に配置されたレンズで構成される投影レンズ10と、投影レンズ10の後側に配置され、それぞれ平らな反射面を有する第1及び第2折返しミラー15、16とを備え、光源からマスク像aに出射された照明光を、投影レンズ10の半分の第1領域11に入射させ、投影レンズ10の第1領域11を通過した照明光を、第1折返しミラー15に反射させてマスク像aの倒立正像dを結像させ、第1折返しミラー15に反射された照明光を、第2折返しミラー12に反射させて投影レンズ10の他の半分の第2領域12に入射させ、投影レンズ10の第2領域12を通過した照明光を基板の面上に出射し、マスク像aの正立正像gを結像させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、画角の小さいレンズを用いた1台の投影光学系で正立正像を得ることができ、レンズコストの増大を抑えて露光装置のコストダウンを図りつつ、表示パネルのような大型基板をスキャン露光で効率よく製造することが可能な投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法に関する。
図11は、既存のステッパー(投影型露光装置)で一括露光可能な基板サイズとレンズサイズとの関係を示す説明図である。例えば、LED、ソーラーパネル、タッチパネルなどの製造に用いられる4〜14インチの範囲内の基板であれば、既存のステッパーに搭載された投影光学系の比較的小さなレンズサイズ(φ)により一括露光することができる。
また、図12に示すように、14インチを超える基板であっても、基板を複数回に分割して露光する繋ぎ露光によって対応することができる。しかし、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示パネルは、大型化及び高精細化のニーズが極めて高く、今後も露光対象となる基板サイズが加速度的に大きくなることが予想される。
このような基板の大型化に、一括露光又は繋ぎ露光で対応しようとすれば、投影光学系を構成するレンズの高解像化、高画角化が必要となり、レンズのコストが極めて過大となり、求められるレンズ精度も高くなる。すなわち、図13に示すように、レンズの直径Dは、画角φ*開口数NAに比例する。また、レンズの体積Vは、レンズの直径Dの3乗に比例する。したがって、レンズのコストは、レンズの体積Vに比例し、画角φ*開口数NAの3次関数で増大することになる。
今後も大型化し続ける基板サイズに、一括露光又は繋ぎ露光で対応することは困難であり、近年、スキャン露光への移行が試みられている。例えば、特許文献1〜3では、平凸レンズと凹面鏡とからなるダイソン型光学系で一の投影光学系を構成し、第1の投影光学系で形成された物体の反転正像を、同様の構成の第2の投影光学系に入射させて正立正像を形成するスキャン露光装置が提案されている。
特許第3791037公報 特許第3448663公報 特許第3348467公報
しかし、上述した従来のスキャン露光装置では、1つの正立正像を形成するために、同一構成のダイソン型光学系を2台設ける必要がある。このため、露光領域を拡大しようとすれば、2の倍数でダイソン型光学系を増設しなければならず、投影光学系が全体として複雑かつ大型化するという問題があった。また、2の倍数で増設したダイソン型光学系を、マスクステージと基板ステージとの間のスペースに設置しなければならず、露光領域の拡大に限界があるという問題もあった。
さらに、平凸レンズと凹面鏡とからなるダイソン型光学系は、一般的なステッパーの投影光学系とは構成が異なり、一般的なステッパーに用いられているような、画角の小さいレンズを適用することができないという問題もある。画角が小さいレンズは、開口数の高いものを容易かつ安価、高精度に製造することができるというというメリットがあり、一般的なステッパーに用いられているような画角の小さいレンズを、大型化する基板の露光に引き続き使用することが可能であれば、レンズコストの増大を抑えて露光装置をコストダウンすることができる。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、画角の小さいレンズを用いた1台の投影光学系で正立正像を得ることができ、基板の大型化に伴うレンズコストの増大を抑えて露光装置のコストダウンを図りつつ、表示パネルのような大型基板をスキャン露光で効率よく製造することが可能な投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法の提供を目的とする。
(1)上記目的を達成するために、本発明の投影光学系は、光源に照明された物体の像を投影面に結像させるための投影光学系であって、一の光軸上に配置された一又は複数のレンズで構成される投影レンズと、前記投影レンズの後側に配置され、それぞれ平らな反射面を有する第1及び第2折返しミラーと、を備え、前記光源から前記物体に出射された照明光を、前記投影レンズの半分の第1領域に入射させ、前記投影レンズの第1領域を通過した照明光を、前記第1折返しミラーに反射させて前記物体の倒立正像を結像させ、前記第1折返しミラーに反射された照明光を、前記第2折返しミラーに反射させて前記投影レンズの他の半分の第2領域に入射させ、前記投影レンズの第2領域を通過した照明光を前記投影面に出射し、前記物体の正立正像を前記投影面に結像させる構成としてある。
上記構成からなる本発明の投影光学系は、投影レンズの半分の第1領域を通過した照明光で、物体の倒立正像を形成し、この照明光を折り返し、投影レンズの他の半分の第2領域を通過させることで、物体の正立正像を形成している。
このような本発明の投影光学系によれば、1台の投影光学系で正立正像を得ることができ、従来のダイソン型光学系の1/2の台数で露光領域の拡大を図ることが可能となる。これにより、投影光学系の設置スペースを縮小することができ、露光装置の構成を簡単かつ小型化することが可能となる。
また、本発明の投影光学系によりスキャン露光を行えば、一般的なステッパーで用いられているような画角の小さいレンズで大型基板を露光することができる。これにより、加速度的に大型化する基板に対応して、高価で精度確保が困難な高画角のレンズを使用する必要がなくなり、基板の大型化の要請に、引き続き画角の小さいレンズで対応することが可能となる。画角の小さいレンズは、開口数の高いものを容易かつ安価、高精度に製造することができるというメリットがあり、この結果、基板の大型化に伴うレンズコストの増大を抑えて露光装置をコストダウンすることができる。
(2)好ましくは、上記(1)の投影光学系において、前記投影レンズの前側に配置され、それぞれ平らな反射面を有する入射ミラー及び出射ミラーを備え、前記光源から前記物体に出射された照明光を、前記入射ミラーに反射させて前記投影レンズの第1領域に入射させ、その後、前記第1及び第2折返しミラーに反射され、前記投影レンズの第2領域を通過した照明光を、前記出射ミラーに反射させて前記投影面に出射する構成にするとよい。
上記構成によれば、投影レンズの前側に入射ミラー及び出射ミラーを配置したことにより、本発明の投影光学系に対する物体面及び投影面の位置を任意に設定することが可能となる。例えば、本発明の投影光学系を間に挟んで、物体面及び投影面を上下又は前後に平行に配置することができ、このような配置において、光源及び投影光学系の組み合わせと、物体面及び投影面の組み合わせとを相対的に移動させることで、基板のスキャン露光が可能となる。
(3)好ましくは、上記(1)又は(2)の本発明の投影光学系において、複数の前記投影光学系を備え、各投影光学系の前記投影レンズの光軸が互いにシフトするように配置した構成にするとよい。
上記構成によれば、複数の投影光学系を設けることで、各投影光学系の露光領域の合計面積を1回で露光することが可能となる。これにより、露光装置全体としての露光領域の拡大を図り、露光装置の単位時間当たりの処理能力を向上させることが可能となる。すなわち、複数の投影光学系を用いることにより、露光装置の露光領域を拡大させ、1回で露光可能な面積を増大させることができ、画角の小さいレンズを用いながら、高画角レンズを用いたのと同様の効果が得られる。
(4)好ましくは、上記(1)〜(3)のいずれかの投影光学系において、前記投影レンズが開口絞りを備え、前記開口絞りを開閉させて前記投影レンズの開口数を可変とし、露光領域の大きさを調整可能とした構成にするとよい。
上記構成によれば、開口絞りを開くことにより、投影レンズの開口数を大きくすることができる。この場合は、投影レンズの解像力が高くなり、投影光学系の露光領域の幅が小さくなる。一方、開口絞りを閉じることにより、投影レンズの開口数を小さくすることができる。この場合は、投影レンズの解像力が低くなり、投影光学系の露光領域の幅が大きくなる。したがって、解像力が許容される範囲内で露光領域の大きさを調整することが可能となり、投影光学系の露光領域の整数倍を、フォトマスクのパターン領域の寸法に対応する大きさとし、この露光領域の整数倍の回数で過不足なく露光が完了するようにできる。
(5)上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、前記物体としてのフォトマスクの像を、前記投影面である基板面に結像させて露光する露光装置であって、上記(1)〜(4)のいずれかに記載した一又は複数の投影光学系を備えた構成としてある。
上述したように、本発明の投影光学系は、1台の投影光学系で正立正像を得ることができ、複数台の投影光学系を用いることで、高画角レンズを用いたのと同様に、露光領域の拡大を図ることができる。このような投影光学系を露光装置に適用すれば、LEDや太陽電池パネルなどの小型の基板を一括露光又は繋ぎ露光することができ、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示パネルのように大型化が要望される基板には、スキャン露光で対応することが可能である。
(6)上記目的を達成するために、本発明のスキャン露光装置は、前記物体としてのフォトマスクの像を、前記投影面である基板面に結像させて露光する露光装置であって、上記(1)〜(4)のいずれかに記載した一又は複数の投影光学系と、前記フォトマスクが載置されるマスクステージと、前記フォトマスクを照明する光源と、前記基板が載置される基板ステージと、を備え、前記光源及び前記投影光学系の組み合わせ、又は前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせのうち、少なくとも一方の組み合わせを同一のスキャン方向に移動させて、前記基板をスキャン露光する構成としてある。
このような本発明のスキャン露光装置によれば、光源と投影光学系とを互いに同一のスキャン方向に移動させ、又はマスクステージと基板ステージとを互いに同一のスキャン方向に移動させて、基板をスキャン露光することが可能となる。
すなわち、従来のスキャン露光装置は、マスクステージと基板ステージとを互いに反対のスキャン方向に移動させて、基板をスキャン露光していたので、これらマスクステージと基板ステージとを、精密に反対方向に同期制御することが困難であった。これに対し、本発明のスキャン露光装置では、光源と投影光学系とを互いに同一のスキャン方向に移動させ、又はマスクステージと基板ステージとを互いに同一のスキャン方向に移動させる構成となっているので、これら部材の同期制御が極めて容易になる。
(7)好ましくは、上記(6)のスキャン露光装置において、前記光源及び前記投影光学系の組み合わせと、前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせとを、互いに反対のスキャン方向に移動させて、前記基板をスキャン露光する構成にするとよい。
上記構成によれば、光源及び投影光学系の組み合わせ、又はマスクステージ及び基板ステージの組み合わせのいずれか一方を同一のスキャン方向に移動させる場合と比較して、移動距離及び移動時間を短縮することができ、スキャン露光装置の単位時間当たりの処理能力を向上させることが可能となる。
(8)好ましくは、上記(6)又は(7)のスキャン露光装置において、前記基板を複数回にわたってスキャン露光する場合に、前記光源及び前記投影光学系の組み合わせ、又は前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせのうち、少なくとも一方の組み合わせを前記スキャン方向と直交する同一のシフト方向に移動させて、2回目以降のスキャン露光を行う構成にするとよい。
上記構成によれば、光源と投影光学系とを互いに同一のシフト方向に移動させ、又はマスクステージと基板ステージとを互いに同一のシフト方向に移動させて、複数回にわたるスキャン露光の露光領域を繋ぐことができる。上記(6)のスキャン露光装置と同様に、光源と投影光学系とを互いに同一のシフト方向に移動させ、又はマスクステージと基板ステージとを互いに同一のシフト方向に移動させる構成となっているので、これら部材の同期制御が極めて容易となる。
(9)好ましくは、上記(8)のスキャン露光装置において、前記光源及び前記投影光学系の組み合わせと、前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせとを、互いに反対のシフト方向に移動させて、2回目以降のスキャン露光を行う構成にするとよい。
上記構成によれば、光源及び投影光学系の組み合わせ、又はマスクステージ及び基板ステージの組み合わせのいずれか一方を同一のシフト方向に移動させる場合と比較して、移動距離及び移動時間を短縮することができ、スキャン露光装置の単位時間当たりの処理能力を向上させることが可能となる。
(10)上記目的を達成するために、本発明の表示パネルの製造方法は、上記(6)〜(9)のいずれかに記載したスキャン露光装置を用いたことを特徴としている。
このような本発明の表示パネルの製造方法によれば、本発明のスキャン露光装置を用いて、表示パネルを構成する大型の基板を効率よくスキャン露光することができる。本発明のスキャン露光装置を用いることにより、加速度的に大型化する基板に対応して、高価で精度確保が困難な高画角のレンズを使用する必要がなくなり、基板の大型化の要請に、引き続き画角の小さいレンズで対応することが可能となる。画角の小さいレンズは、開口数の高いもの、つまり解像力の高いものを容易かつ安価、高精度に製造することができるというメリットがあり、この結果、基板の大型化に伴うレンズコストの増大を抑えて露光装置をコストダウンすることができる。
上述した本発明の投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法によれば、画角の小さいレンズを用いた1台の投影光学系で正立正像を得ることができ、基板の大型化に伴うレンズコストの増大を抑えて露光装置のコストダウンを図りつつ、表示パネルのような大型基板をスキャン露光で効率よく製造することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る投影光学系を示す模式図である。 上記投影光学系の原理を示す模式図である。 上記投影光学系を構成するレンズの第1及び第2領域を示す模式図である。 本発明の第1実施形態に係るスキャン露光装置を示す模式図である。 上記スキャン露光装置の主要な構成要素とその動作を説明するための模式図である。 上記スキャン露光装置の露光工程を示すものであり、同図(a)、(c)はスキャン露光装置の露光動作の概略図、同図(b)、(d)は基板面上の露光領域の模式図である。 同じく上記スキャン露光装置の露光工程を示すものであり、同図(a)、(c)はスキャン露光装置の露光動作の概略図、同図(b)、(d)は基板面上の露光領域の模式図である。 同じく上記スキャン露光装置の露光工程を示すものであり、同図(a)、(c)はスキャン露光装置の露光動作の概略図、同図(b)、(d)は基板面上の露光領域の模式図である。 本発明の第2実施形態に係るスキャン露光装置を示す模式図である。 本発明の第3実施形態に係るスキャン露光装置を示すものであり、同図(a)は装置構成の模式図、同図(b)は基板面上の露光領域の模式図である。 既存のステッパーで一括露光可能な基板サイズとレンズサイズとの関係を示す説明図である。 同図(a)は既存レンズの画角(φ)と基板サイズ(L、W)の関係を示す模式図であり、同図(b)は基板サイズ(L、W)の大型化と露光回数の関係を示す説明図である。 同図(a)、(b)はレンズの直径(D)、画角(φ)、開口数(NA)とレンズコストの関係を示す説明図である。
<投影光学系>
まず、本発明の一実施形態に係る投影光学系について、図1〜図3を参照しつつ説明する。
<<全体構成>>
図1において、本実施形態の投影光学系1は、投影レンズ10、入射ミラー13、出射ミラー14、第1及び第2折返しミラー15、16を備えた構成となっている。投影レンズ10は、一の光軸上に配置された複数のレンズで構成してある。
入射ミラー13、出射ミラー14、第1及び第2折返しミラー15、16は、いずれも平らな反射面を有しており、入射ミラー13及び出射ミラー14は、投影レンズ10の前側に配置してあり、第1及び第2折返しミラー15、16は、投影レンズ10の後側に配置してある。図示しないが、入射ミラー13の上方には、光源装置及びフォトマスクマスクが配置してあり、出射ミラー14の下方には、露光対象である基板が配置してある。
前記フォトマスクのパターン領域に描画されたマスク像aは、前記光源装置に照明される。前記フォトマスクを通過した照明光は、入射ミラー13に反射され、投影レンズ10を構成する最も前側のレンズの半分の第1領域11に入射される。その後、照明光は、各レンズの第1領域11、11、11・・・を通過し、最も後側のレンズの第1領域11から第1折返しミラー15に出射される。第1折返しミラー15は、照明光を反射させてマスク像の倒立正像dを結像させる。
第1折返しミラー15に反射された照明光は、第2折返しミラー16に反射され、投影レンズ10を構成する最も後側のレンズの他の半分の第2領域12に入射される。その後、照明光は、各レンズの第2領域12、12、12・・・を通過し、最も前側のレンズの第2領域12から出射ミラー14に出射される。出射ミラー14は、照明光を反射させてマスク像aの正立正像gを前記基板面上に結像させる。
<<正立正像の形成原理>>
上述した1台の投影光学系1で、マスク像の正立正像が基板面上に形成される原理について、図2及び図3を参照しつつ説明する。ここで、図2の符号a〜gはマスク像の正立像及び倒立像を表すものである。図中の「×」及び「●」は、紙面に対して垂直方向の像の向きを表すものであり、「×」は手前から紙面へ向かうベクトル、「●」は紙面から手前へ向かうベクトルを表す。図中の「←」、「↑」、「↓」は、紙面に対して水平方向の像の向きを表すものである。また、図2に示す投影レンズ10は、説明の便宜上、レンズ10A、10Bの2枚とする。
図2において、フォトマスク17のパターン領域に描画されたマスク像aは、図示しない光源装置の照明光に照明され、入射ミラー13に反射されて、水平方向の向きが「←」から「↑」に変化した正立像bとなる。次いで、正立像bは、レンズ10A、10Bの半分の第1領域11、11を通過して、垂直方向及び水平方向に180°反転した倒立像cとなる。この倒立像cは、第1折返しミラー15に反射されて、水平方向の向きが「↓」から「←」に変化した倒立正像dとなって光軸上に結像する。
この倒立正像dは、第2折返しミラー16に反射されて、水平方向の向きが「←」から「↑」に変化した倒立像eになる。次いで、倒立像eは、レンズ10B、10Aの他の半分の第2領域12、12を通過して、垂直方向及び水平方向に180°反転した正立像fとなる。この正立像fは、出射ミラー14に反射されて、水平方向の向きが「↓」から「←」に変化した正立正像gとなって基板18の面上に結像する。
図3に示すように、投影レンズ10を構成する前側のレンズ10Aの半分の第1領域11は、照明光の入射面となっており、他の半分の第2領域12は、折り返した照明光の出射面となっている。本実施形態の投影光学系1を露光装置に適用した場合、第2領域12中のハッチングで示した矩形部分が、基板18(図2を参照)の露光領域1Aとなる。
<<投影光学系の作用効果>>
上述した本実施形態の投影光学系1によれば、1台の投影光学系1で正立正像を得ることができ、従来のダイソン型光学系の1/2の台数で露光領域の拡大を図ることが可能となる。これにより、投影光学系1の設置スペースを縮小することができ、露光装置の構成を簡単かつ小型化することが可能となる。
また、次に説明するように、本実施形態の投影光学系1によりスキャン露光を行えば、一般的なステッパーで用いられているような画角の小さいレンズ(例えば、図11に示すレンズサイズφ=4〜14インチ)で、大型の基板18を露光することができる。これにより、加速度的に大型化する基板18に対応して、高価で精度確保が困難な高画角のレンズを使用する必要がなくなり、基板18の大型化の要請に、引き続き画角の小さいレンズで対応することが可能となる。画角の小さいレンズは、開口数の高いもの、つまり解像力の高いものを容易かつ安価、高精度に製造することができるというメリットがあり、この結果、基板の大型化に伴うレンズコストの増大を抑えて露光装置をコストダウンすることができる。
<スキャン露光装置>
<<第1実施形態>>
次に、本発明の第1実施形態に係るスキャン露光装置について、図4〜図8を参照しつつ説明する。なお、本実施形態において、上述した投影光学系の実施形態と同様の箇所については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
<<<全体構成と基本動作>>>
図4において、本実施形態のスキャン露光装置2は、主として、2台の光源装置20、20と、2台の投影光学系1、1と、マスクステージ21と、基板ステージ22とを備えた構成となっている。このうち、各光源装置20、20及び各投影光学系1、1の組み合わせは、Xレール23、24に沿ってスキャン方向(図中の左右方向、太い黒矢印を参照)に同時に移動可能となっている。一方、マスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせは、互いに断面略コ字形に連結してあり、Yレール25、25に沿ってシフト方向(スキャン方向と直交する図中の奥行き方向)に同時に移動可能となっている。
ここで、図5は、スキャン露光装置2の主要な構成要素と動作を説明するための模式図である。なお、説明の便宜上、図5には、投影光学系1を1台のみ図示する。
同図において、光源装置20は、例えば、超高圧水銀ランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザなどの図示しない光源を備えている。図5には1台の光源装置20のみを示すが、図6〜図8に示すように、光源装置20は、2台の投影光学系1、1にそれぞれ対応して設けてある。このような光源装置20は、フォトマスク17のパターン領域17a(図6(b)を参照)を照明し、パターン領域17aを通過した照明光を、投影光学系1の入射ミラー13に入射させる。
既に述べたように、投影光学系1は、投影レンズ10の半分の第1領域11を通過した照明光を、第1折返しミラー15で反射させてマスク像aの倒立正像dを形成し、この照明光を、第2折返しミラー16で反射させて投影レンズ10の他の半分の第2領域12を通過させ、その後、この照明光を、出射ミラー14で反射させてマスク像aの正立正像gを基板18の面上に結像させる(図2を参照)。
上述した光源装置20及び各投影光学系1、1の組み合わせは、図4に示すXレール23、24に沿って、スキャン方向であるX方向(図5中の太い白矢印を参照)に同時に移動する。このX方向の同時移動により、光源装置20から出射された照明光が、フォトマスク17及び基板18をX方向に走査し、1回のスキャン露光が行われる。
スキャン露光が1回行われるごとに、図4に示すマスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせが、Yレール25、25に沿って、シフト方向であるY方向(図5中の太い黒矢印を参照)に同時に移動する。このY方向の同時移動により、光源装置20から出射された照明光の位置が相対的にY方向にシフトし、フォトマスク17及び基板18の未だ走査していない部分に露光領域1A、1Bが位置決めされる。
このような光源装置20及び各投影光学系1、1のX方向のスキャン露光と、マスクステージ21及び基板ステージ22のY方向のシフト移動とを交互に繰り返すことにより、基板18の面上に塗布されたレジスト膜が全て露光される。
<<<露光領域の拡大>>>
本実施形態に係るスキャン露光装置2では、図6(a)及び(b)に示すように、2台の投影光学系1、1を、互いの投影レンズ10、10の光軸がシフトするように対向配置してある。このような配置関係とすることにより、各投影光学系1、1から基板18の面上に出射された各照明光の露光領域1A、1Bが、スキャン方向にシフトした状態で互いに隣接する。これにより、各投影光学系1、1の露光領域1A、1Bの合計面積を1回でスキャン露光することが可能となり、スキャン露光装置2の全体としての露光領域が拡大する。
<<<スキャン露光の各工程>>>
以下、2台の投影光学系1、1を備えたスキャン露光装置2によるスキャン露光の各工程について、図6〜図8を参照しつつ説明する。
図6(a)、(b)に示す初期状態のスキャン露光装置2を起動させると、2台の光源装置20、20と、2台の投影光学系1、1とが、一定の速度でスキャン方向(図中の太い白矢印を参照)に同時に移動する。すると、図6(c)、(d)に示すように、各光源装置20、20から出射された各照明光が、静止しているフォトマスク17のパターン領域17aを走査するとともに、各投影光学系1、1から出射された各照明光が、パターン領域17aに重複する基板18の面上を走査する。
そして、図7(a)、(b)に示すように、各照明光がパターン領域17aの一端から他端まで走査したところで、各光源装置20、20及び各投影光学系1、1が移動を停止する。次いで、マスクステージ21及び基板ステージ22(図4を参照)が駆動し、図7(c)、(d)に示すように、フォトマスク17と、基板18とが、2つの露光領域1A、1Bの幅分だけシフト方向(図中の細い白矢印を参照)に同時に移動する。これにより、各光源装置20、20から出射された各照明光の位置が相対的にY方向にシフトし、パターン領域17a及び基板18の未だ走査していない部分に露光領域1A、1Bが位置決めされる。
その後、図8(a)、(b)に示すように、各光源装置20、20と、各投影光学系1、1とが、一定の速度でスキャン方向(図中の太い白矢印を参照)に同時に移動し、図8(c)、(d)に示すように、各照明光がパターン領域17aの他端から一端まで走査したところで移動を停止する。これにより、パターン領域17aに重複する基板18の全面の露光が完了する。
<<<作用効果>>>
本実施形態のスキャン露光装置2によれば、2台の投影光学系1,1を設けることで、各投影光学系1、1の露光領域1A、1Bの合計面積を1回で露光することが可能となる。これにより、スキャン露光装置2の全体としての露光領域1A、1Bの拡大を図り、単位時間当たりの処理能力を向上させることが可能となる。すなわち、投影光学系1の台数を増大することにより、スキャン露光装置2の露光領域1A、1B・・・を拡大させ、1回で露光可能な面積を増大させることができ、画角の小さいレンズ10A、10Bを用いながら、高画角レンズを用いたのと同様の効果が得られる。
<<第2実施形態>>
次に、本発明の第2実施形態に係るスキャン露光装置について、図9を参照しつつ説明する。なお、本実施形態において、上述した投影光学系及びスキャン露光装置の実施形態と同様の箇所については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本発明のスキャン露光装置は、光源及び投影光学系の組み合わせ、又はマスクステージ及び基板ステージの組み合わせのうち、少なくとも一方の組み合わせを同一のスキャン方向に移動させることにより、基板をスキャン露光することができる。
上述した第2実施形態のスキャン露光装置2(図6〜図8を参照)では、光源装置20、20及び投影光学系1、1の組み合わせを同一のスキャン方向に移動させる構成としたが、本発明のスキャン露光装置は、この構成に限定されるものではない。図9に示す本実施形態のスキャン露光装置3は、マスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせを同一のスキャン方向に移動させる構成としてある。
図9において、本実施形態のスキャン露光装置3は、第1実施形態と同様に、マスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせを、互いに断面略コ字形に連結した構成となっている。第1実施形態と異なり、本実施形態のスキャン露光装置3では、これらマスクステージ21及び基板ステージ22の全体を基台30に載置してあり、この基台30に設けたXレール31に沿って、マスクステージ21及び基板ステージ22の全体が、スキャン方向(図中の左右方向、太い黒矢印を参照)に同時に移動可能となっている。
マスクステージ21及び基板ステージ22を載置した基台30は、装置本体に設けたYレール25、25に沿ってシフト方向(スキャン方向と直交する図中の奥行き方向)に同時に移動可能となっている。
このような本実施形態のスキャン露光装置3では、光源装置20、20及び投影光学系1、1の組み合わせが装置本体に固定してあり、これら光源装置20、20及び投影光学系1、1を間に挟んで、マスクステージ21及び基板ステージ22をスキャン方向又はシフト方向に同時に移動させることで、第1実施形態と同様に、基板18をスキャン露光することができる。
ここで、上述した第1及び第2実施形態では、光源装置20、20及び投影光学系1、1の組み合わせ、又はマスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせのうち、少なくとも一方の組み合わせを同一のスキャン方向又はシフト方向に移動させて、基板18をスキャン露光する構成としたが、この構成に限定されるものでない。
例えば、光源装置20、20及び投影光学系1、1の組み合わせと、マスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせとを、互いに反対のスキャン方向、又は互いに反対のシフト方向に移動させて、基板18をスキャン露光する構成としてもよい。
このような構成とした場合は、光源装置20、20及び投影光学系1、1の組み合わせ、又はマスクステージ21及び基板ステージ22の組み合わせのいずれか一方を同一のスキャン方向、又は同一シフト方向に移動させる場合と比較して、移動距離及び移動時間を短縮することができ、スキャン露光装置2、3の単位時間当たりの処理能力を向上させることが可能となる。
<<第3実施形態>>
次に、本発明の第3実施形態に係るスキャン露光装置について、図10(a)、(b)を参照しつつ説明する。なお、本実施形態において、上述した投影光学系及びスキャン露光装置の実施形態と同様の箇所については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図10(a)において、本実施形態のスキャン露光装置4は、投影光学系1の投影レンズ10が開口絞り40を備え、この開口絞り40を開閉させて投影レンズ10の開口数を可変とし、同図(b)に示す露光領域1Aの大きさを調整可能とした構成にしてある。
すなわち、本実施形態のスキャン露光装置4では、開口絞り40を開くことにより、投影レンズ10の開口数NAを大きくすることができる。この場合は、投影レンズ10の解像力が高くなり、図10(b)に示す露光領域1Aの幅wが小さくなる。
一方、開口絞り40を閉じることにより、投影レンズ10の開口数NAを小さくすることができる。この場合は、投影レンズ10の解像力が低くなり、図10(b)に示す露光領域1Aの幅wが大きくなる。
本実施形態のスキャン露光装置4によれば、投影光学系1によって形成した露光領域1Aの大きさを、開口絞り40によって調整することが可能となる。これにより、投影光学系1の露光領域1Aの整数n倍を、フォトマスク17のパターン領域17aの寸法に対応する大きさとし、この露光領域1Aの整数n倍の回数で過不足なく露光が完了するようにできる(図10(b)を参照)。
<その他の変更>
本発明の投影光学系及びスキャン露光装置の構成は、上述した各実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、投影光学系の投影レンズを複数枚のレンズで構成したが、投影レンズを1枚にしても、本発明によって正立正像を得ることはできる。また、上述した実施形態では、スキャン露光装置に2台の投影光学系を設ける構成としたが、1台又は3台以上の投影光学系を設けてもよい。
1 投影光学系
1A、1B 露光領域
10 投影レンズ
11 第1領域
12 第2領域
13 入射ミラー
14 出射ミラー
15 第1折返しミラー
16 第2折返しミラー
17 フォトマスク
17a パターン領域
18 基板
2、3、4 スキャン露光装置
20 光源装置
21 マスクステージ
22 基板ステージ
23、24、31 Xレール
25 Yレール
30 基台
40 開口絞り

Claims (10)

  1. 光源に照明された物体の像を投影面に結像させるための投影光学系であって、
    一の光軸上に配置された一又は複数のレンズで構成される投影レンズと、
    前記投影レンズの後側に配置され、それぞれ平らな反射面を有する第1及び第2折返しミラーと、を備え、
    前記光源から前記物体に出射された照明光を、前記投影レンズの半分の第1領域に入射させ、
    前記投影レンズの第1領域を通過した照明光を、前記第1折返しミラーに反射させて前記物体の倒立正像を結像させ、
    前記第1折返しミラーに反射された照明光を、前記第2折返しミラーに反射させて前記投影レンズの他の半分の第2領域に入射させ、
    前記投影レンズの第2領域を通過した照明光を前記投影面に出射し、前記物体の正立正像を前記投影面に結像させる、ことを特徴とする投影光学系。
  2. 前記投影レンズの前側に配置され、それぞれ平らな反射面を有する入射ミラー及び出射ミラーを備え、
    前記光源から前記物体に出射された照明光を、前記入射ミラーに反射させて前記投影レンズの第1領域に入射させ、
    その後、前記第1及び第2折返しミラーに反射され、前記投影レンズの第2領域を通過した照明光を、前記出射ミラーに反射させて前記投影面に出射する、請求項1に記載の投影光学系。
  3. 複数の前記投影光学系を備え、各投影光学系の前記投影レンズの光軸が互いにシフトするように配置した、請求項1又は2に記載の投影光学系。
  4. 前記投影レンズが開口絞りを備え、前記開口絞りを開閉させて前記投影レンズの開口数を可変とし、露光領域の大きさを調整可能とした、請求項1〜3に記載の投影光学系。
  5. 前記物体としてのフォトマスクの像を、前記投影面である基板面に結像させて露光する露光装置であって、請求項1〜4のいずれか1項に記載した一又は複数の投影光学系を備えたことを特徴とする露光装置。
  6. 前記物体としてのフォトマスクの像を、前記投影面である基板面に結像させて露光する露光装置であって、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載した一又は複数の投影光学系と、
    前記フォトマスクが載置されるマスクステージと、
    前記フォトマスクを照明する光源と、
    前記基板が載置される基板ステージと、を備え、
    前記光源及び前記投影光学系の組み合わせ、又は前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせのうち、少なくとも一方の組み合わせを同一のスキャン方向に移動させて、前記基板をスキャン露光する、ことを特徴とするスキャン露光装置。
  7. 前記光源及び前記投影光学系の組み合わせと、前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせとを、互いに反対のスキャン方向に移動させて、前記基板をスキャン露光する、請求項6に記載のスキャン露光装置。
  8. 前記基板を複数回にわたってスキャン露光する場合に、前記光源及び前記投影光学系の組み合わせ、又は前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせのうち、少なくとも一方の組み合わせを前記スキャン方向と直交する同一のシフト方向に移動させて、2回目以降のスキャン露光を行う、請求項6又は7に記載のスキャン露光装置。
  9. 前記光源及び前記投影光学系の組み合わせと、前記マスクステージ及び前記基板ステージの組み合わせとを、互いに反対のシフト方向に移動させて、2回目以降のスキャン露光を行う、請求項8に記載のスキャン露光装置。
  10. 請求項6〜9のいずれか1項に記載したスキャン露光装置を用いた、ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
JP2012289243A 2012-12-29 2012-12-29 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法 Pending JP2014130297A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012289243A JP2014130297A (ja) 2012-12-29 2012-12-29 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012289243A JP2014130297A (ja) 2012-12-29 2012-12-29 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014130297A true JP2014130297A (ja) 2014-07-10

Family

ID=51408726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012289243A Pending JP2014130297A (ja) 2012-12-29 2012-12-29 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014130297A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018031873A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5830726A (ja) * 1981-08-19 1983-02-23 Ricoh Co Ltd 結像光学装置
JPH07335525A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Nikon Corp 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに その調整方法
JPH11260712A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Nikon Corp 露光装置及び方法
JP2004012574A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Pentax Corp 投影露光光学系および投影露光装置
JP2004062205A (ja) * 2002-07-24 2004-02-26 Heidelberger Druckmas Ag 版に画像付けするコンパクトな装置
JP2007108559A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Nikon Corp 走査型露光装置及びデバイスの製造方法
JP2007299918A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Nikon Corp 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法
JP2008203857A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Nikon Corp 露光方法、フラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法、及び露光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5830726A (ja) * 1981-08-19 1983-02-23 Ricoh Co Ltd 結像光学装置
JPH07335525A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Nikon Corp 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに その調整方法
JPH11260712A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Nikon Corp 露光装置及び方法
JP2004012574A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Pentax Corp 投影露光光学系および投影露光装置
JP2004062205A (ja) * 2002-07-24 2004-02-26 Heidelberger Druckmas Ag 版に画像付けするコンパクトな装置
JP2007108559A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Nikon Corp 走査型露光装置及びデバイスの製造方法
JP2007299918A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Nikon Corp 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法
JP2008203857A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Nikon Corp 露光方法、フラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法、及び露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018031873A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431430B (zh) 曝光方法、曝光裝置、光罩以及光罩的製造方法
KR101096140B1 (ko) 조정가능한 에텐듀를 갖는 펄스 조정기
KR102277452B1 (ko) 조명 광학계, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JPWO2007138805A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2007235041A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2012174936A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2007065080A (ja) 空間光変調光学装置とこれを用いた虚像光学装置及び投射型画像表示装置
JP2017534902A (ja) 投影リソグラフィのための照明光学ユニット及びそのための中空導波管構成要素
JP2019049723A (ja) 投影光学装置、走査露光装置、及びデバイス製造方法
TW201015245A (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TWI520173B (zh) Exposure method and apparatus, and component manufacturing method
JP5692076B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2008210814A (ja) 変調器
KR102631210B1 (ko) Euv 투영 리소그래피용 패싯 미러 및 이러한 패싯 미러를 포함하는 조명 광학 유닛
JP2014130297A (ja) 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法
KR102239056B1 (ko) 카타디옵트릭 광학계, 조명 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법
JP4444869B2 (ja) リソグラフィ装置、照明装置、及び強度分布を回転させるための光学要素
JP2010197628A5 (ja)
JP4302716B2 (ja) 光ビームの軸間ピッチ変換装置および基板露光装置
JP4110606B2 (ja) 走査型露光装置および露光方法
JP2014195048A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP7493156B2 (ja) 光学系
JP6457754B2 (ja) 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
US9485491B2 (en) Optical system
KR102092363B1 (ko) 이미징 광학 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150317

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160906

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160921

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170307