JP2014116542A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN系半導体層12,13,14上に、発光層17よりも小なるIn組成のInGaN結晶を含む第1のInGaN層15と、発光層よりも大なるIn組成を有し且つ第1のInGaN層側から発光層側に向けてインジウム組成が減少しているInGaN結晶を含む第2のInGaN層16とが順に積層されており、この第2のInGaN層上に発光層が形成されている。
【選択図】図1
Description
12 低温バッファ層
13 高温バッファ層
14 n−GaN層
15 第1のInGaN層
16 第2のInGaN層
17 発光層
18 p−AlGaN層
19 p−GaN層
Claims (6)
- 第1導電型の第1のGaN系半導体層と、
InGaN結晶からなる第1の井戸層と、前記第1の井戸層よりも小なるインジウム組成を有するInGaN結晶又はGaN結晶からなる第1の障壁層とが交互に繰り返し積層され、前記第1のGaN系半導体層上に形成された第1のInGaN層と、
前記第1のInGaN層上に形成された第2のInGaN層と、
前記第1の井戸層よりも大なるインジウム組成を有するInGaN結晶からなる第2の井戸層と、前記第2の井戸層よりも小なるインジウム組成を有するInGaN結晶又はGaN結晶からなる第2の障壁層とが交互に繰り返し積層され、前記第2のInGaN層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された、第1導電型とは反対導電型の第2導電型の第2のGaN系半導体層と、を有し、
前記第2のInGaN層は、前記第1のInGaN層との界面において前記第2の井戸層よりも大なるインジウム組成を有し、且つ前記第1のInGaN層側から前記発光層側に向けてインジウム組成が減少しているInGaN結晶からなることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2のInGaN層は、夫々異なるインジウム組成を有するn層(nは2以上の整数)のInGaN結晶層が積層された構造を有し、
前記n層のInGaN結晶層の各々は、前記発光層に近い位置に配置されているものほど小なるインジウム組成を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第2のInGaN層は、前記発光層との界面において前記第2の井戸層と同じインジウム組成を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 基板上に第1導電型の第1のGaN系半導体層を形成する工程と、
前記第1のGaN系半導体層上に、InGaN結晶からなる第1の井戸層と、前記第1の井戸層よりも小なるインジウム組成を有するInGaN結晶又はGaN結晶からなる第1の障壁層とが交互に繰り返し積層されてなる第1のInGaN層を形成する工程と、
前記第1のInGaN層上に、前記第1のInGaN層との界面において前記第2の井戸層よりも大なるインジウム組成を有し、且つ前記第1のInGaN層から離間した領域ほどインジウム組成が減少しているInGaN結晶からなる第2のInGaN層を形成する工程と、
前記第2のInGaN層上に、前記第1の井戸層よりも大なるインジウム組成を有するInGaN結晶からなる第2の井戸層と、前記第2の井戸層よりも小なるインジウム組成を有するInGaN結晶又はGaN結晶からなる第2の障壁層とが交互に繰り返し積層されてなる発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、前記第1導電型とは反対導電型の第2導電型の第2のGaN系半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記発光層に近い位置に配置されているものほど小なるインジウム組成を有するn層(nは2以上の整数)のInGaN結晶層を積層したものを前記第2のInGaN層として形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記発光層との界面における前記第2のInGaN層のインジウム組成が、前記第2の井戸層のインジウム組成と同一であるように前記第2のInGaN層を形成することを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体発光素子の製造方法。
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