JP2014093398A - Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member - Google Patents

Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member Download PDF

Info

Publication number
JP2014093398A
JP2014093398A JP2012242621A JP2012242621A JP2014093398A JP 2014093398 A JP2014093398 A JP 2014093398A JP 2012242621 A JP2012242621 A JP 2012242621A JP 2012242621 A JP2012242621 A JP 2012242621A JP 2014093398 A JP2014093398 A JP 2014093398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength conversion
conversion member
light
semiconductor light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012242621A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisafumi Yoshida
尚史 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2012242621A priority Critical patent/JP2014093398A/en
Publication of JP2014093398A publication Critical patent/JP2014093398A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting device, a lighting device having the semiconductor light-emitting device and a wavelength conversion member used for those, which ca achieve downsizing and high luminance without causing decrease in luminous efficiency, and achieve simplification and reduction in a manufacturing process and reduction in manufacturing cost.SOLUTION: A semiconductor light-emitting device comprises: a semiconductor light-emitting element for emitting ultraviolet light or blue light; a fluorescent substance for absorbing at least a part of incident light from the semiconductor light-emitting element to output outgoing beams having a wavelength different from that of the incident light; and a wavelength conversion member including at least one threadlike light-emitting compact composed of a mother material for holding the fluorescent substance. The wavelength conversion member is formed in a planar shape or a three-dimensional shape by using the at least one threadlike light-emitting compact.

Description

本発明は、半導体発光素子から入射する入射光の少なくとも一部を波長変換して当該入射光とは異なる波長の出射光を放出する波長変換部材を用いた半導体発光装置、当該半導体発光装置を有する照明装置、及びこれらの装置に用いられる当該波長変換部材に関する。   The present invention includes a semiconductor light emitting device using a wavelength conversion member that wavelength-converts at least part of incident light incident from a semiconductor light emitting element and emits outgoing light having a wavelength different from the incident light, and the semiconductor light emitting device. The present invention relates to an illumination device and the wavelength conversion member used in these devices.

発光装置の光源として白熱電球や蛍光灯が従来より広く用いられている。近年では、これらに加え、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)や有機EL(OLED)等の半導体発光素子を光源とした半導体発光装置が開発され使用されつつある。これらの半導体発光素子では、様々な発光色を得ることが可能であるため、発光色の異なる複数の半導体発光素子を組み合わせ、それぞれの発光色を合成して所望の色の合成光を得るようにした半導体発光装置も開発され使用され始めている。   Incandescent light bulbs and fluorescent lamps have been widely used as light sources for light emitting devices. In recent years, in addition to these, semiconductor light-emitting devices using a semiconductor light-emitting element such as a light-emitting diode (LED) or an organic EL (OLED) as a light source have been developed and used. Since these semiconductor light emitting elements can obtain various emission colors, a plurality of semiconductor light emitting elements having different emission colors are combined, and the respective emission colors are combined to obtain a combined light of a desired color. Such semiconductor light emitting devices have been developed and used.

例えば、発光色が赤色のLEDチップを用いた赤色LEDと、発光色が緑色のLEDチップを用いた緑色LEDと、発光色が青色のLEDチップを用いた青色LEDとを組み合わせ、各LEDに供給する駆動電流を調整して各LEDから発せられた光を合成することにより、所望の白色光を放射させるようにした半導体発光装置が特許文献1に開示されている。   For example, a red LED using an LED chip whose emission color is red, a green LED using an LED chip whose emission color is green, and a blue LED using an LED chip whose emission color is blue are combined and supplied to each LED. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-151867 discloses a semiconductor light emitting device that emits desired white light by adjusting the driving current to be synthesized and combining the light emitted from each LED.

元来、LEDチップ自体の発光スペクトル幅は比較的狭いため、LEDチップ自体が発する光をそのまま照明に用いた場合、一般的な照明光において重要となる演色性が低下するという問題がある。そこで、このような問題を解消すべく、LEDチップが発する光を蛍光体などの波長変換部材によって波長変換し、波長変換によって得られた光を放射するようにしたLEDが開発され、このようなLEDを組み合わせた半導体発光装置が、例えば特許文献2に開示されている。   Originally, since the emission spectrum width of the LED chip itself is relatively narrow, when the light emitted from the LED chip itself is used as it is for illumination, there is a problem that the color rendering properties that are important in general illumination light are lowered. Therefore, in order to solve such problems, an LED has been developed in which the light emitted from the LED chip is wavelength-converted by a wavelength conversion member such as a phosphor, and the light obtained by the wavelength conversion is emitted. A semiconductor light emitting device combining LEDs is disclosed in, for example, Patent Document 2.

特許文献2に開示されている半導体発光装置においては、青色の光を発するLEDチップを接触しつつ覆うように透明樹脂が設けられ、当該透明樹脂の内部に黄色蛍光体が含有されている。すなわち、特許文献2に開示されている半導体発光装置は、LEDチップを直接的に覆うように波長変換部材が設けられている。しかしながら、このような構造を有する半導体発光装置においては、半導体発光装置の輝度のばらつき及び色ムラが大きかった。また、このような構造を有する半導体発光装置においては、波長変換部材がLEDチップから生じる熱の影響を受けるため、半導体発光装置自体の発光効率の低下を招いていた。このような問題を解決するために、LEDチップから蛍光体を含有する樹脂(すなわち、波長変換部材)を離間して配置した構造を有する半導体発光装置の研究開発及び製品化が、近年においては盛んに行われている。このような構造を有する半導体発光装置は、例えば特許文献3に開示されている。   In the semiconductor light emitting device disclosed in Patent Document 2, a transparent resin is provided so as to cover an LED chip that emits blue light while being in contact with it, and a yellow phosphor is contained inside the transparent resin. That is, the semiconductor light emitting device disclosed in Patent Document 2 is provided with a wavelength conversion member so as to directly cover the LED chip. However, in the semiconductor light emitting device having such a structure, variations in luminance and color unevenness of the semiconductor light emitting device are large. Further, in the semiconductor light emitting device having such a structure, since the wavelength conversion member is affected by heat generated from the LED chip, the light emission efficiency of the semiconductor light emitting device itself is lowered. In order to solve such problems, research and development and commercialization of a semiconductor light emitting device having a structure in which a resin containing a phosphor (that is, a wavelength conversion member) is arranged apart from an LED chip have been actively performed in recent years. Has been done. A semiconductor light emitting device having such a structure is disclosed in Patent Document 3, for example.

特開2006−4839号公報JP 2006-4839 A 特開2007−122950号公報JP 2007-122950 A 特開2011−159813号公報JP 2011-159813 A

LEDチップから波長変換部材を離間して配置した構造を有する半導体発光装置は、上述したような問題を解決する構造となっているが、その製造コストは、波長変換部材がLEDチップを直接的に覆う構造を有する半導体発光装置の製造コストよりも高くなっている。このため、半導体発光装置自体の小型化によるコスト低減の要望がより強まってきている。また、近年における半導体発光装置の使用用途の多彩化により、半導体発光装置自体の高輝度化の要望も強まってきているため、LEDチップへの供給電力の増加がより一層図られている。   The semiconductor light-emitting device having a structure in which the wavelength conversion member is spaced apart from the LED chip has a structure that solves the above-described problems, but its manufacturing cost is that the wavelength conversion member directly attaches the LED chip. The manufacturing cost of the semiconductor light emitting device having the covering structure is higher. For this reason, there is an increasing demand for cost reduction by downsizing the semiconductor light emitting device itself. In addition, due to the diversification of usages of semiconductor light emitting devices in recent years, there is an increasing demand for higher brightness of the semiconductor light emitting devices themselves, so that the power supplied to the LED chip is further increased.

しかしながら、上述したようなLEDチップから波長変換部材を離間して配置した構造を有する半導体発光装置においては、半導体発光装置の寸法及び発光特性に応じて波長変換部材を別途製造する必要があり、波長変換部材の寸法及び特性が異なれば、波長変換部材用の異なる金型が必要であった。このため、多種にわたる半導体発光装置を製造する場合には複数種類の金型を製造することによるコスト増加が生じ、半導体発光装置の小型化のみでは、波長変換部材及び半導体発光装置のコスト低減を十分に図ることが困難であった。   However, in the semiconductor light emitting device having the structure in which the wavelength conversion member is arranged away from the LED chip as described above, it is necessary to separately manufacture the wavelength conversion member according to the dimensions and light emission characteristics of the semiconductor light emitting device. Different dimensions and characteristics of the conversion member required different molds for the wavelength conversion member. For this reason, when manufacturing a wide variety of semiconductor light emitting devices, there is an increase in cost due to manufacturing a plurality of types of molds, and the cost reduction of the wavelength conversion member and the semiconductor light emitting device is sufficient only by downsizing the semiconductor light emitting device. It was difficult to achieve.

また、板状に形成された波長変換部材は、比較的に硬質であるため、半導体発光装置の発光面を立体的な形状とする場合、複数の波長変換部材を組み合わせて当該立体的な形状を形成する必要があった。このため、半導体発光装置の製造工程の簡素化及び削減、並びに製造コストの低減を図ることが困難であった。   Moreover, since the wavelength conversion member formed in plate shape is comparatively hard, when making the light emission surface of a semiconductor light-emitting device into a three-dimensional shape, it combines the said three-dimensional shape by combining several wavelength conversion members. There was a need to form. For this reason, it has been difficult to simplify and reduce the manufacturing process of the semiconductor light emitting device and to reduce the manufacturing cost.

更に、LEDチップから波長変換部材を離間して配置した構造を有する半導体発光装置であっても、波長変換部材に含まれる蛍光体自体の発熱が抑制されているわけではないため、半導体発光装置自体の小型化や、LEDチップへの供給電力の増加に伴って波長変換部材に到達する入射光の光密度が大きくなると、波長変換部材を構成する蛍光体における発熱量が増加し、半導体発光装置自体の発光効率が低下するという問題が生じていた。従って、LEDチップから波長変換部材を離間して配置した構造を有する半導体発光装置においては、波長変換部材がLEDチップを直接的に覆う構造を有する従来のような半導体発光装置よりも発熱による発光効率の低下は発生しにくいものの、小型化及び高輝度化を十分に図ることは困難であった。   Furthermore, even in a semiconductor light emitting device having a structure in which the wavelength conversion member is disposed apart from the LED chip, the heat generation of the phosphor itself contained in the wavelength conversion member is not suppressed, so the semiconductor light emitting device itself When the light density of the incident light reaching the wavelength conversion member increases with downsizing or increase in power supplied to the LED chip, the amount of heat generated in the phosphor constituting the wavelength conversion member increases, and the semiconductor light emitting device itself There has been a problem in that the luminous efficiency of the liquid crystal decreases. Therefore, in the semiconductor light emitting device having a structure in which the wavelength conversion member is disposed apart from the LED chip, the light emission efficiency due to heat generation is higher than in the conventional semiconductor light emitting device having a structure in which the wavelength conversion member directly covers the LED chip. However, it is difficult to reduce the size and increase the brightness sufficiently.

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光効率の低下を起こすことなく小型化及び高輝度化を図ることができ、且つ製造工程の簡素化及び削減、並びに製造コストの低減を図ることができる半導体発光装置、当該半導体発光装置を有する照明装置、及びこれらに用いられる波長変換部材を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and the object of the present invention is to reduce the size and increase the luminance without causing a decrease in light emission efficiency, and to simplify the manufacturing process and An object of the present invention is to provide a semiconductor light-emitting device capable of reducing the manufacturing cost and reducing the manufacturing cost, a lighting device having the semiconductor light-emitting device, and a wavelength conversion member used in these devices.

上記目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、紫外光又は青色光を放射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から入射される入射光の少なくとも一部を吸収して前記入射光とは異なる波長の出射光を出射する蛍光体、及び前記蛍光体を保持する母材からなる少なくとも1本の発光糸状成形体を含む波長変換部材と、を有し、前記波長変換部材は、前記少なくとも1本の発光糸状成形体を用いて面状又は立体形状に形成されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a semiconductor light emitting device of the present invention includes a semiconductor light emitting element that emits ultraviolet light or blue light, and absorbs at least part of incident light incident from the semiconductor light emitting element. Includes a phosphor that emits emitted light having different wavelengths, and a wavelength conversion member that includes at least one luminescent filamentary molded body made of a base material that holds the phosphor, and the wavelength conversion member includes at least the wavelength conversion member It is characterized in that it is formed into a planar shape or a three-dimensional shape using a single luminescent thread-like molded body.

また、上記目的を達成するため、本発明の照明装置は、上記半導体発光装置と、前記半導体発光素子に向かう対流を生成する送風機と、を有することを特徴とする。   Moreover, in order to achieve the said objective, the illuminating device of this invention has the said semiconductor light-emitting device and the air blower which produces | generates the convection which goes to the said semiconductor light-emitting element, It is characterized by the above-mentioned.

更に、上記目的を達成するため、本発明の波長変換部材は、外部から入射される入射光の少なくとも一部を吸収して前記入射光とは異なる波長の出射光を出射する蛍光体、及び前記蛍光体を保持する母材からなる少なくとも1本の発光糸状成形体を有し、前記少なくとも1本の発光糸状成形体によって面状又は立体形状に形成されていることを特徴とする。   Furthermore, in order to achieve the above object, the wavelength conversion member of the present invention comprises a phosphor that absorbs at least part of incident light incident from the outside and emits outgoing light having a wavelength different from that of the incident light, and It has at least one luminescent thread-like molded body made of a base material that holds a phosphor, and is formed in a planar shape or a three-dimensional shape by the at least one luminescent thread-like molded body.

本発明に係る半導体発光装置及び照明装置においては、当該装置に用いられる波長変換部材が、半導体発光素子から入射される入射光の少なくとも一部を吸収して当該入射光とは異なる波長の出射光を出射する蛍光体、及び当該蛍光体を保持する母材からなる少なくとも1本の発光糸状成形体を用いて面状又は立体形状に形成されているため、発光効率の低下を起こすことなく小型化及び高輝度化を図ることができ、且つ製造工程の簡素化及び削減、並びに製造コストの低減を図ることができる。   In the semiconductor light emitting device and the illumination device according to the present invention, the wavelength conversion member used in the device absorbs at least a part of incident light incident from the semiconductor light emitting element and emits light having a wavelength different from that of the incident light. Since it is formed into a planar or three-dimensional shape using at least one luminescent thread-like molded body made of a phosphor that emits light and a base material that holds the phosphor, the size is reduced without causing a decrease in luminous efficiency. In addition, the luminance can be increased, the manufacturing process can be simplified and reduced, and the manufacturing cost can be reduced.

また、本発明に係る波長変換部材は、入射する光を異なる波長の光に変換する蛍光体及び当該蛍光体を保持する母材からなる少なくとも1本の発光糸状成形体を用いて面状又は立体形状に形成されている。このため、本発明に係る波長変換部材を半導体発光装置に用いることにより、当該半導体発光装置の発光効率の低下を起こすことなく、当該半導体発光装置の小型化及び高輝度化を図ることができる。また、このような波長変換部材の構成により、波長変換部材の製造工程の簡素化及び削減、並びに製造コストの低減を図ることができる。   In addition, the wavelength conversion member according to the present invention is planar or three-dimensional using at least one luminescent filamentary molded body composed of a phosphor that converts incident light into light of a different wavelength and a base material that holds the phosphor. It is formed into a shape. For this reason, by using the wavelength conversion member according to the present invention in a semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device can be reduced in size and brightness without causing a decrease in the light emission efficiency of the semiconductor light emitting device. Moreover, the structure of such a wavelength conversion member can aim at simplification and reduction of the manufacturing process of a wavelength conversion member, and reduction of manufacturing cost.

実施例1に係る半導体発光装置の概略を示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing a semiconductor light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例1に係る半導体発光装置の平面図である。1 is a plan view of a semiconductor light emitting device according to Example 1. FIG. 図2中のIII−III線に沿う半導体発光装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device taken along line III-III in FIG. 2. 図3に示された断面図の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of sectional drawing shown by FIG. 実施例1に係る波長変換部材の部分拡大平面図である。3 is a partially enlarged plan view of a wavelength conversion member according to Example 1. FIG. 変形例に係る波長変換部材の部分拡大平面図である。It is the elements on larger scale of the wavelength conversion member concerning a modification. 変形例に係る波長変換部材の部分拡大正面図である。It is the elements on larger scale of the wavelength conversion member concerning a modification. 変形例に係る波長変換部材の模式的な部分拡大平面図である。It is a typical partial enlarged plan view of a wavelength conversion member concerning a modification. 変形例に係る波長変換部材の模式的な部分拡大平面図である。It is a typical partial enlarged plan view of a wavelength conversion member concerning a modification. 変形例に係る波長変換部材の部分拡大平面図である。It is the elements on larger scale of the wavelength conversion member concerning a modification. 変形例に係る波長変換部材の部分拡大平面図である。It is the elements on larger scale of the wavelength conversion member concerning a modification. 実施例2に係る半導体発光装置の概略を示す斜視図である。6 is a perspective view illustrating an outline of a semiconductor light emitting device according to Example 2. FIG. 図12中のXIII−XIII線に沿う半導体発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor light-emitting device which follows the XIII-XIII line | wire in FIG. 実施例3に係る半導体発光装置の概略を示す斜視図である。7 is a perspective view illustrating an outline of a semiconductor light emitting device according to Example 3. FIG. 図14中のXV−XV線に沿う半導体発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor light-emitting device which follows the XV-XV line | wire in FIG. 実施例4に係る半導体発光装置の概略を示す斜視図である。6 is a perspective view illustrating an outline of a semiconductor light emitting device according to Example 4. FIG. 図16中のXVII−XVII線に沿う半導体発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor light-emitting device which follows the XVII-XVII line | wire in FIG. 実施例5に係る照明装置の概略を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an outline of a lighting apparatus according to a fifth embodiment.

以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について、実施例及び変形例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、実施例及び変形例の説明に用いる図面は、いずれも本発明による半導体発光装置、照明装置及び波長変換部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っており、各構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、実施例及び変形例で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on examples and modifications with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to the content demonstrated below, In the range which does not change the summary, it can change arbitrarily and can implement. In addition, the drawings used for explaining the embodiments and the modification schematically show the semiconductor light-emitting device, the lighting device, and the wavelength conversion member according to the present invention, and are partially emphasized, enlarged, and deepened for better understanding. In some cases, reduction or omission is performed, and the scale or shape of each component member is not accurately represented. Furthermore, the various numerical values used in the embodiments and the modifications are only examples, and can be variously changed as necessary.

<半導体発光装置の全体構成>
先ず、本発明の実施例に係る半導体発光装置1の構成を図1乃至図4を参照しつつ説明する。図1は、実施例に係る半導体発光装置1の全体構成の概略を示す斜視図である。図2は、図1の半導体発光装置1の平面図である。図3は、図2中のIII−III線に沿う半導体発光装置1の断面図である。図4は、図3に示された断面図の要部拡大図である。なお、図1乃至図4において、半導体発光装置1の平面図における一方向をX方向、当該平面図においてX方向と直交する方向をY方向、半導体発光装置1の高さ方向をZ方向と定義する。
<Overall configuration of semiconductor light emitting device>
First, the configuration of a semiconductor light emitting device 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view illustrating an outline of the entire configuration of a semiconductor light emitting device 1 according to an embodiment. FIG. 2 is a plan view of the semiconductor light emitting device 1 of FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 1 taken along the line III-III in FIG. 4 is an enlarged view of a main part of the cross-sectional view shown in FIG. 1 to 4, one direction in the plan view of the semiconductor light emitting device 1 is defined as the X direction, a direction orthogonal to the X direction in the plan view is defined as the Y direction, and the height direction of the semiconductor light emitting device 1 is defined as the Z direction. To do.

本実施例において、半導体発光装置1は、擬似的な白色光を放射する光源である。図1乃至図3から分かるように、半導体発光装置1は、外形が円柱状であって、その内部が円柱状にくり抜かれている筐体2を備える。筐体2の内部には、配線基板3、及び配線基板3上に実装された発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)チップ4が配置されている。また、LEDチップ4から放射される光の少なくとも一部を波長変換する機能を有する波長変換部材5が、筐体2の開口2aを覆うように設けられている。   In the present embodiment, the semiconductor light emitting device 1 is a light source that emits pseudo white light. As can be seen from FIG. 1 to FIG. 3, the semiconductor light emitting device 1 includes a housing 2 having an outer shape that is cylindrical and the inside of which is hollowed out into a cylindrical shape. Inside the housing 2, a wiring board 3 and a light emitting diode (LED) chip 4 mounted on the wiring board 3 are arranged. In addition, a wavelength conversion member 5 having a function of converting the wavelength of at least part of light emitted from the LED chip 4 is provided so as to cover the opening 2 a of the housing 2.

従って、本実施例に係る半導体発光装置1においては、LEDチップ4から放射される光と、波長変換部材5の波長変換機能によって波長変換された光との合成光である白色光が、光出射面1aから所定方向に出射されることになる。以下において、半導体発光装置1を構成する各部材を詳細に説明するとともに、半導体発光装置1の動作及び効果を詳細に説明する。   Therefore, in the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment, white light that is a combined light of the light emitted from the LED chip 4 and the light subjected to wavelength conversion by the wavelength conversion function of the wavelength conversion member 5 is emitted. The light is emitted from the surface 1a in a predetermined direction. Below, each member which comprises the semiconductor light-emitting device 1 is demonstrated in detail, and the operation | movement and effect of the semiconductor light-emitting device 1 are demonstrated in detail.

(筐体)
円柱状の外形を有する筐体2は、内部に収納される各種の構成部材を半導体発光装置1の外部から加えられる力(すなわち、外力)から保護するために、金属、セラミックス又はプラスチック等の比較的に強固な部材から構成されている。本実施例においては、筐体2の材料としてアルミニウムを用いた。上述したように、筐体2は、その内部が円柱状にくり抜かれており、円柱状(図3においては、コ字状)の部材収納空間2bが形成されている。このような部材収納空間2bが形成されることにより、筐体2の所定の面(図1乃至図3においては、XY平面に平行であって+Z方向に位置する面)に開口2aが形成されることになる。なお、筐体2の開口2aから、上述した合成光である白色光が放射されるため、半導体発光装置1の光放射面1aは、開口2a側に位置することになる。
(Casing)
The casing 2 having a cylindrical outer shape is a comparison of metals, ceramics, plastics, or the like in order to protect various components housed therein from the force applied from the outside of the semiconductor light emitting device 1 (ie, external force). It is composed of a strong member. In this embodiment, aluminum is used as the material of the housing 2. As described above, the inside of the housing 2 is hollowed out in a columnar shape, and a columnar (U-shaped in FIG. 3) member storage space 2b is formed. By forming such a member storage space 2b, an opening 2a is formed on a predetermined surface of the housing 2 (a surface parallel to the XY plane and positioned in the + Z direction in FIGS. 1 to 3). Will be. In addition, since the white light which is the synthesized light described above is emitted from the opening 2a of the housing 2, the light emission surface 1a of the semiconductor light emitting device 1 is located on the opening 2a side.

筐体2はアルミニウムから形成されているため、筐体2の内部側面2cは、LEDチップ4から放射される光(請求項1における入射光)や、波長変換部材5によって波長変換された光(請求項1における出射光)を開口2a(すなわち、半導体発光装置1の光出射面1a)に向けて反射する。これにより、LEDチップ4から放射される光及び波長変換部材5から放射される光を無駄なく開口2aに導くことができ、半導体発光装置1自体の発光効率の向上を図ることができる。なお、筐体2が比較的に高い反射率を有さない部材から構成されている場合には、反射率の高いアルミナ系セラミック等の反射部材を、筐体2の部材収納空間2bを囲むように配置することが好ましい。反射部材としては、アルミナ系セラミックに限定されることなく、例えば、樹脂、ガラスエポキシ樹脂、樹脂中にフィラーを含有した複合樹脂などから選択された材料であってもよく、或いは、アルミナ粉末、シリカ粉末、酸化マグネシウム、酸化チタンなどの白色顔料を含むシリコーン樹脂であってもよい。   Since the housing 2 is made of aluminum, the inner side surface 2 c of the housing 2 is light emitted from the LED chip 4 (incident light in claim 1) or light wavelength-converted by the wavelength conversion member 5 ( The outgoing light in claim 1 is reflected toward the opening 2a (that is, the light outgoing surface 1a of the semiconductor light emitting device 1). Thereby, the light emitted from the LED chip 4 and the light emitted from the wavelength conversion member 5 can be guided to the opening 2a without waste, and the light emission efficiency of the semiconductor light emitting device 1 itself can be improved. In addition, when the housing | casing 2 is comprised from the member which does not have a comparatively high reflectance, reflective members, such as an alumina type ceramic with a high reflectance, are enclosed so that the member storage space 2b of the housing | casing 2 may be enclosed. It is preferable to arrange in. The reflecting member is not limited to alumina ceramic, but may be a material selected from, for example, resin, glass epoxy resin, composite resin containing filler in resin, or alumina powder, silica It may be a silicone resin containing a white pigment such as powder, magnesium oxide or titanium oxide.

(配線基板)
配線基板3は、電気絶縁性に優れて良好な放熱性を有し、かつ、反射率の高い(好ましくは反射率が80%以上の)アルミナ系セラミックから構成されている。また、図4に示すように、配線基板3のチップ実装面3aには、LEDチップ4を実装し且つLEDチップ4に対して電流を供給するための配線パターン6、7が形成されている。なお、配線パターン6、7と、LEDチップ4との接続については、LEDチップ4を説明する際に詳細に説明する。
(Wiring board)
The wiring board 3 is made of an alumina-based ceramic that has excellent electrical insulation, good heat dissipation, and high reflectivity (preferably a reflectivity of 80% or more). As shown in FIG. 4, wiring patterns 6 and 7 for mounting the LED chip 4 and supplying current to the LED chip 4 are formed on the chip mounting surface 3 a of the wiring board 3. The connection between the wiring patterns 6 and 7 and the LED chip 4 will be described in detail when the LED chip 4 is described.

なお、配線基板3の材質はアルミナ系セラミックに限定されるものではなく、例えば、電気絶縁性に優れた材料として、樹脂、ガラスエポキシ樹脂、樹脂中にフィラーを含有した複合樹脂などから選択された材料を用いて配線基板3の本体を形成してもよい。或いは、配線基板3のチップ実装面3aにおける光の反射性を良くして半導体発光装置1の発光効率を向上させる上では、アルミナ粉末、シリカ粉末、酸化マグネシウム、酸化チタンなどの白色顔料を含むシリコーン樹脂を用いることが好ましい。一方、より優れた放熱性及び反射性を得るため、配線基板3の本体を絶縁体で被覆したアルミニウム等の金属製としてもよい。このような場合には、配線基板3の配線パターンなどを金属製の本体から電気的に絶縁する必要がある。   In addition, the material of the wiring board 3 is not limited to alumina-based ceramics. For example, the material having excellent electrical insulation is selected from a resin, a glass epoxy resin, a composite resin containing a filler in the resin, and the like. The body of the wiring board 3 may be formed using a material. Alternatively, in order to improve the light reflectivity on the chip mounting surface 3a of the wiring substrate 3 and improve the light emission efficiency of the semiconductor light emitting device 1, silicone containing white pigment such as alumina powder, silica powder, magnesium oxide, titanium oxide or the like is used. It is preferable to use a resin. On the other hand, in order to obtain better heat dissipation and reflectivity, the wiring substrate 3 may be made of a metal such as aluminum whose body is covered with an insulator. In such a case, it is necessary to electrically insulate the wiring pattern of the wiring board 3 from the metal body.

図3に示すように、配線基板3は、筐体2の部材収納空間2bの底部に配置される。配線基板3は、接着剤を使用して筐体2に固着されてもよく、又はネジ等を用いた機械的な固定方法によって固定されてもよい。また、XY平面における配線基板3の形状を、筐体2の開口部2bと同一にし、接着剤等を用いることなく、配線基板3を筐体2の部材収納空間2bに嵌着してもよい。   As shown in FIG. 3, the wiring board 3 is disposed at the bottom of the member storage space 2 b of the housing 2. The wiring board 3 may be fixed to the housing 2 using an adhesive, or may be fixed by a mechanical fixing method using screws or the like. Further, the shape of the wiring board 3 in the XY plane may be the same as that of the opening 2b of the housing 2, and the wiring board 3 may be fitted into the member storage space 2b of the housing 2 without using an adhesive or the like. .

(LEDチップ)
本実施形態においてLEDチップ4には、460nmのピーク波長を有した青色光を発するLEDチップを用いる。具体的には、このようなLEDチップとして、例えばInGaN半導体が発光層に用いられるGaN系LEDチップがある。なお、LEDチップ4の種類や発光波長特性はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨から逸脱しない限りにおいて、様々なLEDチップなどの半導体発光素子を用いることができる。本実施形態においてLEDチップ4が発する光のピーク波長は、360nm〜480nmの波長範囲内にあることが好ましく、390nm〜430nmの波長範囲内又は430nm〜480nmの波長範囲内にあることがより好ましい。
(LED chip)
In the present embodiment, the LED chip 4 is an LED chip that emits blue light having a peak wavelength of 460 nm. Specifically, as such an LED chip, for example, there is a GaN-based LED chip in which an InGaN semiconductor is used for a light emitting layer. Note that the type and emission wavelength characteristics of the LED chip 4 are not limited to these, and various semiconductor light emitting elements such as LED chips can be used without departing from the gist of the present invention. In the present embodiment, the peak wavelength of light emitted from the LED chip 4 is preferably in the wavelength range of 360 nm to 480 nm, and more preferably in the wavelength range of 390 nm to 430 nm or in the wavelength range of 430 nm to 480 nm.

図1及び図2から分かるように、配線基板3のチップ実装面3aには、12個のLEDチップ4が規則的に配列されている。具体的には、配線基板3の中央部に4個のLEDチップ4が等間隔で配置され、当該4個のLEDチップ4の四方を囲むように8個のLEDチップ4が配置されている。そして、中央部に配置された4個のLEDチップ4のそれぞれは、配線基板3の中心から等しい距離だけ離間した位置に配置され、同様に、四方を囲むように配置された8個のLEDチップ4のそれぞれは、配線基板3の中心から等しい距離だけ離間した位置に配置されている。すなわち、当該4個のLEDチップ4及び当該8個のLEDチップ4のそれぞれが同心円状に配置され、12個のLEDチップ4全体として、略円形のLEDチップ実装領域(図示せず)を形成している。このようにLEDチップ4を配置することにより、半導体発光装置1から放射される光にムラが生じにくくなる。   As can be seen from FIGS. 1 and 2, twelve LED chips 4 are regularly arranged on the chip mounting surface 3 a of the wiring board 3. Specifically, four LED chips 4 are arranged at equal intervals in the central portion of the wiring board 3, and eight LED chips 4 are arranged so as to surround four sides of the four LED chips 4. Each of the four LED chips 4 arranged in the central portion is arranged at a position separated by an equal distance from the center of the wiring board 3, and similarly, eight LED chips arranged so as to surround the four sides. Each of 4 is disposed at a position spaced apart from the center of the wiring board 3 by an equal distance. That is, each of the four LED chips 4 and the eight LED chips 4 are arranged concentrically to form a substantially circular LED chip mounting area (not shown) as the entire 12 LED chips 4. ing. By arranging the LED chip 4 in this way, unevenness is less likely to occur in the light emitted from the semiconductor light emitting device 1.

図4に示すように、LEDチップ4は、配線基板3のチップ実装面3aに対向する面側に、p電極8及びn電極9を有している。そして、配線パターン6にはp電極8が接合され、配線パターン7にはn電極9が接合されている。これらのp電極8及びn電極9の配線パターン6及び配線パターン7への接続は、図示しない金属バンプを介し、ハンダ付けによって行われている。また、図4において図示されていない他のLEDチップ4も、それぞれのLEDチップ4に対応して配線基板3のチップ実装面3aに形成された配線パターン6及び配線パターン7に、それぞれのp電極8及びn電極9が同様にして接合されている。ここで、LEDチップ4同士は、配線パターン6及び配線パターン7を介して直列接続さていてもよく、並列接続されていてもよく、更には直列接続及び並列接続を組み合わせた接続がなされていてもよい。本実施形態において、LEDチップ4同士は、並列接続されているものとする。   As shown in FIG. 4, the LED chip 4 has a p-electrode 8 and an n-electrode 9 on the side facing the chip mounting surface 3 a of the wiring substrate 3. A p-electrode 8 is bonded to the wiring pattern 6, and an n-electrode 9 is bonded to the wiring pattern 7. The p electrode 8 and the n electrode 9 are connected to the wiring pattern 6 and the wiring pattern 7 by soldering via metal bumps (not shown). Further, other LED chips 4 not shown in FIG. 4 are also connected to the wiring patterns 6 and 7 formed on the chip mounting surface 3a of the wiring board 3 corresponding to the respective LED chips 4, and the respective p electrodes The 8 and n electrodes 9 are joined in the same manner. Here, the LED chips 4 may be connected in series via the wiring pattern 6 and the wiring pattern 7, may be connected in parallel, and further connected in combination of series connection and parallel connection. Also good. In the present embodiment, the LED chips 4 are connected in parallel.

なお、LEDチップ4の配線基板3への実装方法は、これに限定されるものではなく、LEDチップ4の種類や構造などに応じて適切な方法を選択可能である。例えば、LEDチップ4を配線基板3の所定位置に接着固定した後、各LEDチップ4の2つの電極を対応する配線パターンにワイヤボンディングによって接続してもよいし、一方の電極を上述のように対応する配線パターンに接合すると共に、他方の電極を対応する配線パターンにワイヤボンディングによって接続するようにしてもよい。   The method of mounting the LED chip 4 on the wiring board 3 is not limited to this, and an appropriate method can be selected according to the type and structure of the LED chip 4. For example, after the LED chip 4 is bonded and fixed to a predetermined position on the wiring board 3, the two electrodes of each LED chip 4 may be connected to the corresponding wiring pattern by wire bonding, or one electrode may be connected as described above. While joining to a corresponding wiring pattern, you may make it connect the other electrode to a corresponding wiring pattern by wire bonding.

(波長変換部材)
次に、波長変換部材5について、図4及び図5を参照しつつ詳細に説明する。ここで、図5は、本実施例に係る波長変換部材5の部分拡大平面図である。なお、図5におけるX方向及びY方向は、図2のX方向及びY方向に対応している。
(Wavelength conversion member)
Next, the wavelength conversion member 5 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5. Here, FIG. 5 is a partially enlarged plan view of the wavelength conversion member 5 according to the present embodiment. Note that the X direction and the Y direction in FIG. 5 correspond to the X direction and the Y direction in FIG. 2.

図5に示すように、本実施例の波長変換部材5は、複数の発光糸状成形体11から構成されている。より具体的には、X方向において平行に配置された複数の経糸11aと、Y方向に往復しながら経糸11aの間を縫うように配置された緯糸11bとから、波長変換部材5が構成されている。このように経糸11aと緯糸11bとを交差するように織り込む又は編み込むことにより、面状の波長変換部材5が形成されることになる。換言すれば、波長変換部材5は、布状の成形物である。ここで、経糸11a及び緯糸11bの本数は、図5に示されているものに限られることなく、波長変換部材5の寸法に応じて適宜変更することができ、例えば、複数の緯糸11bが複数の経糸11aの間を縫うようにしてもよい。   As shown in FIG. 5, the wavelength conversion member 5 of this example is composed of a plurality of luminescent filamentous molded bodies 11. More specifically, the wavelength converting member 5 is composed of a plurality of warps 11a arranged in parallel in the X direction and wefts 11b arranged so as to sew between the warps 11a while reciprocating in the Y direction. Yes. Thus, the planar wavelength conversion member 5 is formed by weaving or weaving the warp yarn 11a and the weft yarn 11b so as to cross each other. In other words, the wavelength conversion member 5 is a cloth-like molded product. Here, the number of the warp yarns 11a and the weft yarns 11b is not limited to that shown in FIG. 5, but can be appropriately changed according to the dimensions of the wavelength conversion member 5. For example, a plurality of weft yarns 11b are provided. You may make it sew between the warp yarns 11a.

また、図5に示すように、波長変換部材5は、複数の発光糸状成形体11を交差することによって形成される複数の空隙12を備えている。このような空隙12を備えることにより、空気が波長変換部材5を通り抜けることが可能となり、波長変換部材5の一方の面側から他方の面側に向かう空気の対流を生じさせることができる。当該空気の対流が生じることで、波長変換部材5から生じる熱を放熱することが可能になる。   As shown in FIG. 5, the wavelength conversion member 5 includes a plurality of gaps 12 formed by intersecting a plurality of luminescent filamentous molded bodies 11. By providing such a gap 12, air can pass through the wavelength conversion member 5, and convection of air from one surface side of the wavelength conversion member 5 to the other surface side can be generated. Due to the convection of the air, the heat generated from the wavelength conversion member 5 can be radiated.

発光糸状成形体11は、蛍光体と母材を含む組成物を細長く引き伸ばした形状の成形体であって、その成形体の断面の直径は、0.1mm以上3.0mm以下であることが好ましく、本実施例においては0.5mmとした。これは、波長変換部材5の強度及び可撓性を確保するためである。より具体的には、発光糸状成形体11の断面の直径が0.1mm未満になると、波長変換部材5としての可撓性は得られるものの、発光糸状成形体11自体が折れたり又は破損しやすくなり、半導体発光装置1の部材として十分な強度を備えることが困難になる。一方、発光糸状成形体11の断面の直径が3.0mmより大きくなると、波長変換部材5として強度は十分になるものの、様々な半導体発光装置1の形状に適合させるための十分な可撓性を得ることが困難になる。従って、本実施例に係る波長変換部材5は、基本的な形状が平坦な布状であるものの、要求される半導体発光装置1の形状に容易に適合することができるような十分な可撓性を備え、且つ外力が加えられた場合にも破損することがない十分な強度を備えている。すなわち、本実施例に係る波長変換部材5は、屈曲自在である。   The luminescent thread-like molded body 11 is a molded body having a shape obtained by elongating a composition containing a phosphor and a base material, and the cross-sectional diameter of the molded body is preferably 0.1 mm or more and 3.0 mm or less. In this embodiment, the thickness is 0.5 mm. This is to ensure the strength and flexibility of the wavelength conversion member 5. More specifically, when the diameter of the cross section of the luminescent filamentous molded body 11 is less than 0.1 mm, the wavelength conversion member 5 is flexible, but the luminescent filamentous molded body 11 itself is easily broken or damaged. Therefore, it is difficult to provide sufficient strength as a member of the semiconductor light emitting device 1. On the other hand, when the diameter of the cross-section of the light emitting filament 11 is larger than 3.0 mm, the wavelength conversion member 5 has sufficient strength but sufficient flexibility to adapt to various shapes of the semiconductor light emitting device 1. It becomes difficult to obtain. Therefore, the wavelength conversion member 5 according to the present embodiment is sufficiently flexible so that it can be easily adapted to the required shape of the semiconductor light emitting device 1 although the basic shape is a flat cloth shape. And sufficient strength not to be damaged even when an external force is applied. That is, the wavelength conversion member 5 according to the present embodiment is bendable.

図4の断面図に示すように、発光糸状成形体11である経糸11a及び緯糸11bのそれぞれは、LEDチップ4から入射する青色光の少なくとも一部を吸収し、当該青色光とは異なる波長の出射光を放出する蛍光体13と、蛍光体13を保持する母材14とから構成されている。本実施例に係る半導体発光装置1においては、青色光を放射するLEDチップ4を半導体発光素子として使用しているため、当該青色光の一部を黄色光及び赤色光に波長変換し、LEDチップ4から放射する青色光、波長変換部材5から出射する黄色光及び赤色光を合成して擬似的な白色光を出射する。従って、本実施例における蛍光体13には、青色光を吸収して励起し、基底状態に戻る際に青色光とは異なる波長の光を発する黄色蛍光体及び赤色蛍光体が用いられる。   As shown in the cross-sectional view of FIG. 4, each of the warp yarn 11a and the weft yarn 11b, which are the light emitting yarn-shaped molded body 11, absorbs at least part of the blue light incident from the LED chip 4 and has a wavelength different from that of the blue light. It is composed of a phosphor 13 that emits emitted light and a base material 14 that holds the phosphor 13. In the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment, the LED chip 4 that emits blue light is used as a semiconductor light emitting element. Therefore, a part of the blue light is wavelength-converted into yellow light and red light, and the LED chip. The blue light emitted from 4, the yellow light emitted from the wavelength conversion member 5, and the red light are combined to emit pseudo white light. Therefore, as the phosphor 13 in this embodiment, a yellow phosphor and a red phosphor that absorb and excite blue light and emit light having a wavelength different from that of the blue light when returning to the ground state are used.

具体的な黄色蛍光体の発光ピーク波長は、通常は530nm以上、好ましくは540nm以上、より好ましくは550nm以上で、通常は620nm以下、好ましくは600nm以下、より好ましくは580nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、黄色蛍光体として例えば、YAG蛍光体又はLSN蛍光体等の蛍光体が好ましく、より具体的には、Y3Al512:Ce、(Y,Gd)3Al512:Ce、(Sr,Ca,Ba,Mg)2SiO4:Eu、(Ca,Sr)Si222:Eu、α−サイアロン、La3Si611:Ce(但し、その一部がCaやOで置換されていてもよい)が好ましい。 The emission peak wavelength of a specific yellow phosphor is usually 530 nm or more, preferably 540 nm or more, more preferably 550 nm or more, and usually 620 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less. Is preferred. Among them, as the yellow phosphor, for example, a phosphor such as a YAG phosphor or an LSN phosphor is preferable, and more specifically, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12 : Ce, (Sr, Ca, Ba, Mg) 2 SiO 4 : Eu, (Ca, Sr) Si 2 N 2 O 2 : Eu, α-sialon, La 3 Si 6 N 11 : Ce (provided that some of them are Ca or O may be substituted with O).

また、具合的な赤色蛍光体の発光ピーク波長は、通常は570nm以上、好ましくは580nm以上、より好ましくは585nm以上で、通常は780nm以下、好ましくは700nm以下、より好ましくは680nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、赤色蛍光体として例えば、CASN蛍光体又はSCASN蛍光体等の蛍光体が好ましく、より具体的には(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O)2:Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O)3:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、SrAlSi47:Eu、(La,Y)22S:Eu、Eu(ジベンゾイルメタン)3・1,10−フェナントロリン錯体などのβ−ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、K2SiF6:Mn、Mn付活ジャーマネートが好ましく、(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Sr,Ca)AlSi(N,O)3:Eu、SrAlSi47:Eu、(La,Y)22S:Eu、K2SiF6:Mn(但し、Siの一部がAlやNaで置換されていてもよい)がより好ましい。 Further, the emission peak wavelength of a specific red phosphor is usually 570 nm or more, preferably 580 nm or more, more preferably 585 nm or more, and usually 780 nm or less, preferably 700 nm or less, more preferably 680 nm or less. Some are preferred. Among them, as the red phosphor, for example, a phosphor such as CASN phosphor or SCASN phosphor is preferable, and more specifically, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, (Ca, Sr , Ba) Si (N, O) 2 : Eu, (Ca, Sr, Ba) AlSi (N, O) 3 : Eu, (Sr, Ba) 3 SiO 5 : Eu, (Ca, Sr) S: Eu, SrAlSi 4 N 7 : Eu, (La, Y) 2 O 2 S: Eu, β-diketone Eu complexes such as Eu (dibenzoylmethane) 3 , 10-phenanthroline complex, carboxylic acid Eu complexes, K 2 SiF 6 : Mn, Mn activated germanate is preferred, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, (Sr, Ca) AlSi (N, O) 3 : Eu, SrAlSi 4 N 7 : Eu, (La, Y) 2 O 2 S: Eu, K 2 S iF 6 : Mn (however, a part of Si may be substituted with Al or Na) is more preferable.

母材14には、熱可撓性樹脂(熱可撓性エポキシ樹脂)、熱硬化性樹脂(熱硬化性シリコーン樹脂、メラミン樹脂)、熱可塑性樹脂(ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂)又はガラス等の透光性を備える材料を用いることができ、より具体的には熱可塑性樹脂であるポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル(PET)樹脂、又は複数樹脂を用いたアロイ等を用いることができる。本実施例においては、ポリカーボネート樹脂を使用した。また、母材14は、光透過率が80%以上であってJIS K7171に従って測定した曲げ弾性率が100MPa以上20000MPa以下であることが好ましい。これは、LEDチップ4から放射される青色光、蛍光体13によって波長変換された黄色光及び赤色光を効率良く外部に出射しつつ、波長変換部材5自体の優れた可撓性をもたらすためである。従って、上述した光透過率及び曲げ弾性率を満たすことができれば、上述した以外の材料を用いてもよい。   The base material 14 includes a heat flexible resin (thermo flexible epoxy resin), a thermosetting resin (thermosetting silicone resin, melamine resin), and a thermoplastic resin (polyethylene, polypropylene, polyester, fluorine resin, polycarbonate resin). ) Or a material having translucency such as glass, more specifically, a polycarbonate resin, an acrylic resin, a polyester (PET) resin, or an alloy using a plurality of resins, which is a thermoplastic resin, is used. Can do. In this example, a polycarbonate resin was used. The base material 14 preferably has a light transmittance of 80% or more and a flexural modulus measured according to JIS K7171 of 100 MPa to 20000 MPa. This is because blue light emitted from the LED chip 4, yellow light and red light wavelength-converted by the phosphor 13 are efficiently emitted to the outside, and the wavelength conversion member 5 itself has excellent flexibility. is there. Therefore, materials other than those described above may be used as long as the above-described light transmittance and bending elastic modulus can be satisfied.

ここで、母材14としては、ポリカーボネート樹脂が、透明性、耐熱性、機械的特性、難燃性に優れる点で、最も好ましく使用できる。以下に、ポリカーボネート樹脂について詳細に説明する。   Here, as the base material 14, a polycarbonate resin can be most preferably used because it is excellent in transparency, heat resistance, mechanical properties, and flame retardancy. Hereinafter, the polycarbonate resin will be described in detail.

本発明に用いるポリカーボネート樹脂は、下記の一般的な化学式(1)で表される、炭酸結合を有する基本構造の重合体である。

Figure 2014093398
The polycarbonate resin used in the present invention is a polymer having a basic structure having a carbonic acid bond represented by the following general chemical formula (1).
Figure 2014093398

化学式(1)中、X1は一般には炭化水素であるが、種々の特性付与のためヘテロ原子、ヘテロ結合の導入されたX1を用いてもよい。 In the chemical formula (1), X 1 is generally a hydrocarbon, but X 1 into which a hetero atom or a hetero bond is introduced may be used for imparting various properties.

また、ポリカーボネート樹脂は、炭酸結合に直接結合する炭素がそれぞれ芳香族炭素である芳香族ポリカーボネート樹脂、及び脂肪族炭素である脂肪族ポリカーボネート樹脂に分類できるが、いずれを用いることもできる。なかでも、耐熱性、機械的物性、電気的特性等の観点から、芳香族ポリカーボネート樹脂が好ましい。   The polycarbonate resin can be classified into an aromatic polycarbonate resin in which carbon directly bonded to a carbonic acid bond is aromatic carbon and an aliphatic polycarbonate resin in which aliphatic carbon is aliphatic carbon, either of which can be used. Of these, aromatic polycarbonate resins are preferred from the viewpoints of heat resistance, mechanical properties, electrical characteristics, and the like.

ポリカーボネート樹脂の具体的な種類に制限はないが、例えば、ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体とを反応させてなるポリカーボネート重合体が挙げられる。この際、ジヒドロキシ化合物及びカーボネート前駆体に加えて、ポリヒドロキシ化合物等を反応させるようにしてもよい。また、二酸化炭素をカーボネート前駆体として、環状エーテルと反応させる方法も用いてもよい。また、ポリカーボネート重合体は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよい。さらに、ポリカーボネート重合体は1種の繰り返し単位からなる単独重合体であってもよく、2種以上の繰り返し単位を有する共重合体であってもよい。このとき共重合体は、ランダム共重合体、ブロック共重合体等、種々の共重合形態を選択することができる。なお、通常、このようなポリカーボネート重合体は、熱可塑性の樹脂となる。   Although there is no restriction | limiting in the specific kind of polycarbonate resin, For example, the polycarbonate polymer formed by making a dihydroxy compound and a carbonate precursor react is mentioned. At this time, in addition to the dihydroxy compound and the carbonate precursor, a polyhydroxy compound or the like may be reacted. Further, a method of reacting carbon dioxide with a cyclic ether using a carbonate precursor may be used. The polycarbonate polymer may be linear or branched. Further, the polycarbonate polymer may be a homopolymer composed of one type of repeating unit or a copolymer having two or more types of repeating units. At this time, the copolymer can be selected from various copolymerization forms such as a random copolymer and a block copolymer. In general, such a polycarbonate polymer is a thermoplastic resin.

芳香族ポリカーボネート樹脂の原料となるモノマーのうち、芳香族ジヒドロキシ化合物の例を挙げると、1,2−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロキシベンゼン(即ち、レゾルシノール)、1,4−ジヒドロキシベンゼン等のジヒドロキシベンゼン類;2,5−ジヒドロキシビフェニル、2,2'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジヒドロキシビフェニル等のジヒドロキシビフェニル類;2,2'−ジヒドロキシ−1,1'−ビナフチル、1,2−ジヒドロキシナフタレン、1,3−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類;2,2'−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3'−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4'−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4'−ジヒドロキシ−3,3'−ジメチルジフェニルエーテル、1,4−ビス(3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン等のジヒドロキシジアリールエーテル類;2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(即ち、ビスフェノールA)、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、α,α’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン、1,3−ビス[2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル]ベンゼン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)(4−プロペニルフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ナフチルメタン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−ナフチルエタン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ノナン、10−ビス(4−ヒドロキシフェニル)デカン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ドデカン等のビス(ヒドロキシアリール)アルカン類;1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジメチルシクロヘキサン、1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,4−ジメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,5−ジメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−プロピル−5−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−tert−ブチル−シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−tert−ブチル−シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン等のビス(ヒドロキシアリール)シクロアルカン類;9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン等のカルド構造含有ビスフェノール類;4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4'−ジヒドロキシ−3,3'−ジメチルジフェニルスルフィド等のジヒドロキシジアリールスルフィド類;4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4'−ジヒドロキシ−3,3'−ジメチルジフェニルスルホキシド等のジヒドロキシジアリールスルホキシド類;4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4'−ジヒドロキシ−3,3'−ジメチルジフェニルスルホン等のジヒドロキシジアリールスルホン類等が挙げられる。   Examples of aromatic dihydroxy compounds among monomers used as raw materials for aromatic polycarbonate resins include dihydroxy compounds such as 1,2-dihydroxybenzene, 1,3-dihydroxybenzene (ie, resorcinol), 1,4-dihydroxybenzene, and the like. Benzenes; dihydroxybiphenyls such as 2,5-dihydroxybiphenyl, 2,2′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-dihydroxybiphenyl; 2,2′-dihydroxy-1,1′-binaphthyl, 1,2-dihydroxy Dihydroxynaphthalenes such as naphthalene, 1,3-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene; 2 , 2'-di Droxydiphenyl ether, 3,3′-dihydroxydiphenyl ether, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 4,4′-dihydroxy-3,3′-dimethyldiphenyl ether, 1,4-bis (3-hydroxyphenoxy) benzene, 1, Dihydroxydiaryl ethers such as 3-bis (4-hydroxyphenoxy) benzene; 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (ie, bisphenol A), 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2 , 2-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (3-methoxy-4 -Hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (3-tert-butyl) 4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) propane, 2- (4- Hydroxyphenyl) -2- (3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl) propane, α, α′-bis (4-hydroxyphenyl) -1,4-diisopropylbenzene, 1,3-bis [2- (4-hydroxy Phenyl) -2-propyl] benzene, bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) phenylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) (4-propenylphenyl) ) Methane, bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (4- Droxyphenyl) naphthylmethane, 1-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 2-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1,1- Bis (4-hydroxyphenyl) -1-naphthylethane, 1-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 2-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) pentane, 1, 1-bis (4-hydroxyphenyl) hexane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexane, 1-bis (4-hydroxyphenyl) octane, 2-bis (4-hydroxyphenyl) octane, 1-bis ( 4-hydroxyphenyl) hexane, 2-bis (4-hydroxyphenyl) hexane, 4,4-bis (4-hydro) Bis (hydroxyaryl) alkanes such as xylphenyl) heptane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) nonane, 10-bis (4-hydroxyphenyl) decane, 1-bis (4-hydroxyphenyl) dodecane; Bis (4-hydroxyphenyl) cyclopentane, 1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 4-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,3-dimethylcyclohexane 1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,4-dimethylcyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3,5-dimethylcyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3 , 3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxy 3,5-dimethylphenyl) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3-propyl-5-methylcyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)- 3-tert-butyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3-tert-butyl-cyclohexane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -3-phenylcyclohexane, 1,1-bis Bis (hydroxyaryl) cycloalkanes such as (4-hydroxyphenyl) -4-phenylcyclohexane; 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) Bisphenols containing cardo structure such as fluorene; 4,4'-dihydroxydiphenylsulfur Dihydroxy diaryl sulfides such as 4,4′-dihydroxy-3,3′-dimethyldiphenyl sulfide; 4,4′-dihydroxydiphenyl sulfoxide, 4,4′-dihydroxy-3,3′-dimethyldiphenyl sulfoxide, etc. Dihydroxydiaryl sulfoxides; dihydroxydiaryl sulfones such as 4,4′-dihydroxydiphenylsulfone and 4,4′-dihydroxy-3,3′-dimethyldiphenylsulfone;

これらの中でもビス(ヒドロキシアリール)アルカン類が好ましく、中でもビス(4−ヒドロキシフェニル)アルカン類が好ましく、特に耐衝撃性、耐熱性の点から2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(即ち、ビスフェノールA)が好ましい。   Among these, bis (hydroxyaryl) alkanes are preferable, and bis (4-hydroxyphenyl) alkanes are preferable, and 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (ie, from the viewpoint of impact resistance and heat resistance). Bisphenol A) is preferred.

なお、芳香族ジヒドロキシ化合物は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, 1 type may be used for an aromatic dihydroxy compound and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

また、脂肪族ポリカーボネート樹脂の原料となるモノマーの例を挙げると、エタン−1,2−ジオール、プロパン−1,2−ジオール、プロパン−1,3−ジオール、2,2−ジメチルプロパン−1,3−ジオール、2−メチル−2−プロピルプロパン−1,3−ジオール、ブタン−1,4−ジオール、ペンタン−1,5−ジオール、ヘキサン−1,6−ジオール、デカン−1,10−ジオール等のアルカンジオール類;シクロペンタン−1,2−ジオール、シクロヘキサン−1,2−ジオール、シクロヘキサン−1,4−ジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)シクロヘキサノール、2,2,4,4−テトラメチル−シクロブタン−1,3−ジオール等のシクロアルカンジオール類;2,2'−オキシジエタノール(即ち、エチレングリコール)、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、スピログリコール等のグリコール類;1,2−ベンゼンジメタノール、1,3−ベンゼンジメタノール、1,4−ベンゼンジメタノール、1,4−ベンゼンジエタノール、1,3−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、1,4−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、2,3−ビス(ヒドロキシメチル)ナフタレン、1,6−ビス(ヒドロキシエトキシ)ナフタレン、4,4'−ビフェニルジメタノール、4,4'−ビフェニルジエタノール、1,4−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ビフェニル、ビスフェノールAビス(2−ヒドロキシエチル)エーテル、ビスフェノールSビス(2−ヒドロキシエチル)エーテル等のアラルキルジオール類;1,2−エポキシエタン(即ち、エチレンオキシド)、1,2−エポキシプロパン(即ち、プロピレンオキシド)、1,2−エポキシシクロペンタン、1,2−エポキシシクロヘキサン、1,4−エポキシシクロヘキサン、1−メチル−1,2−エポキシシクロヘキサン、2,3−エポキシノルボルナン、1,3−エポキシプロパン等の環状エーテル類が挙げられ、これらは1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Examples of the monomer that is a raw material for the aliphatic polycarbonate resin include ethane-1,2-diol, propane-1,2-diol, propane-1,3-diol, 2,2-dimethylpropane-1, 3-diol, 2-methyl-2-propylpropane-1,3-diol, butane-1,4-diol, pentane-1,5-diol, hexane-1,6-diol, decane-1,10-diol Alkanediols such as cyclopentane-1,2-diol, cyclohexane-1,2-diol, cyclohexane-1,4-diol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 4- (2-hydroxyethyl) cyclohexanol, Cycloalkanediols such as 2,2,4,4-tetramethyl-cyclobutane-1,3-diol; 2,2′-oxy Glycols such as sidiethanol (ie, ethylene glycol), diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, spiroglycol; 1,2-benzenedimethanol, 1,3-benzenedimethanol, 1,4-benzenedimethanol, 1 , 4-benzenediethanol, 1,3-bis (2-hydroxyethoxy) benzene, 1,4-bis (2-hydroxyethoxy) benzene, 2,3-bis (hydroxymethyl) naphthalene, 1,6-bis (hydroxy Ethoxy) naphthalene, 4,4′-biphenyldimethanol, 4,4′-biphenyldiethanol, 1,4-bis (2-hydroxyethoxy) biphenyl, bisphenol A bis (2-hydroxyethyl) ether, bisphenol S bis (2 -Hydroxyethyl) Aralkyl diols such as ether; 1,2-epoxyethane (ie, ethylene oxide), 1,2-epoxypropane (ie, propylene oxide), 1,2-epoxycyclopentane, 1,2-epoxycyclohexane, 1,4 -Cyclic ethers such as epoxycyclohexane, 1-methyl-1,2-epoxycyclohexane, 2,3-epoxynorbornane, 1,3-epoxypropane and the like may be used, and these may be used alone or in combination of two or more May be used in any combination and ratio.

芳香族ポリカーボネート樹脂の原料となるモノマーのうち、カーボネート前駆体の例を挙げると、カルボニルハライド、カーボネートエステル等が挙げられる。なお、カーボネート前駆体は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Among the monomers used as the raw material for the aromatic polycarbonate resin, examples of the carbonate precursor include carbonyl halide and carbonate ester. In addition, 1 type may be used for a carbonate precursor and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

カルボニルハライドとしては、具体的には例えば、ホスゲンや、ジヒドロキシ化合物のビスクロロホルメート体、ジヒドロキシ化合物のモノクロロホルメート体等のハロホルメート等が挙げられる。   Specific examples of the carbonyl halide include phosgene, haloformates such as a bischloroformate of a dihydroxy compound, and a monochloroformate of a dihydroxy compound.

カーボネートエステルとしては、具体的には例えば、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート等のジアリールカーボネート類;ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のジアルキルカーボネート類;ジヒドロキシ化合物のビスカーボネート体、ジヒドロキシ化合物のモノカーボネート体、環状カーボネート等のジヒドロキシ化合物のカーボネート体等が挙げられる。   Specific examples of the carbonate ester include diaryl carbonates such as diphenyl carbonate and ditolyl carbonate; dialkyl carbonates such as dimethyl carbonate and diethyl carbonate; biscarbonate bodies of dihydroxy compounds, monocarbonate bodies of dihydroxy compounds, and cyclic carbonates. And carbonate bodies of dihydroxy compounds such as

ポリカーボネート樹脂の製造方法は、特に限定されるものではなく、任意の方法を採用できる。その例を挙げると、界面重合法、溶融エステル交換法、ピリジン法、環状カーボネート化合物の開環重合法、プレポリマーの固相エステル交換法などを挙げることができる。以下、これらの方法のうち特に好適な、界面重合法及び溶融エステル交換法について具体的に説明する。   The method for producing the polycarbonate resin is not particularly limited, and any method can be adopted. Examples thereof include an interfacial polymerization method, a melt transesterification method, a pyridine method, a ring-opening polymerization method of a cyclic carbonate compound, and a solid phase transesterification method of a prepolymer. Hereinafter, the interfacial polymerization method and the melt transesterification method, which are particularly suitable among these methods, will be specifically described.

「界面重合法」
界面重合法では、反応に不活性な有機溶媒及びアルカリ水溶液の存在下で、通常pHを9以上に保ち、ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体(好ましくは、ホスゲン)とを反応させた後、重合触媒の存在下で界面重合を行うことによってポリカーボネート樹脂を得る。なお、反応系には、必要に応じて分子量調整剤(末端停止剤)を存在させるようにしてもよく、ジヒドロキシ化合物の酸化防止のために酸化防止剤を存在させるようにしてもよい。
"Interfacial polymerization"
In the interfacial polymerization method, a dihydroxy compound and a carbonate precursor (preferably phosgene) are reacted in the presence of an organic solvent inert to the reaction and an aqueous alkaline solution, usually at a pH of 9 or higher. Polycarbonate resin is obtained by interfacial polymerization in the presence. In the reaction system, a molecular weight adjusting agent (terminal terminator) may be present as necessary, or an antioxidant may be present to prevent the oxidation of the dihydroxy compound.

ジヒドロキシ化合物及びカーボネート前駆体は、前述のとおりである。なお、カーボネート前駆体の中でもホスゲンを用いることが好ましく、ホスゲンを用いた場合の方法は特にホスゲン法と呼ばれる。   The dihydroxy compound and the carbonate precursor are as described above. Of the carbonate precursors, phosgene is preferably used, and a method using phosgene is particularly called a phosgene method.

反応に不活性な有機溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、クロロホルム、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の塩素化炭化水素等;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。なお、有機溶媒は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Examples of the organic solvent inert to the reaction include chlorinated hydrocarbons such as dichloromethane, 1,2-dichloroethane, chloroform, monochlorobenzene and dichlorobenzene; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene. . In addition, 1 type may be used for an organic solvent and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

アルカリ水溶液に含有されるアルカリ化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物が挙げられるが、中でも水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムが好ましい。なお、アルカリ化合物は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Examples of the alkali compound contained in the alkaline aqueous solution include alkali metal compounds and alkaline earth metal compounds such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, and sodium hydrogen carbonate, among which sodium hydroxide and water Potassium oxide is preferred. In addition, 1 type may be used for an alkali compound and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

アルカリ水溶液中のアルカリ化合物の濃度に制限はないが、通常、反応のアルカリ水溶液中のpHを10〜12にコントロールするために、5〜10重量%で使用される。また、例えばホスゲンを吹き込むに際しては、水相のpHが10〜12、好ましくは10〜11になる様にコントロールするために、ビスフェノール化合物とアルカリ化合物とのモル比を、通常1:1.9以上、中でも1:2.0以上、また、通常1:3.2以下、中でも1:2.5以下とすることが好ましい。   Although there is no restriction | limiting in the density | concentration of the alkali compound in aqueous alkali solution, Usually, in order to control pH in the aqueous alkali solution of reaction to 10-12, it is used at 5 to 10 weight%. For example, when phosgene is blown, the molar ratio of the bisphenol compound and the alkali compound is usually 1: 1.9 or more in order to control the pH of the aqueous phase to be 10 to 12, preferably 10 to 11. Among these, it is preferable that the ratio is 1: 2.0 or more, usually 1: 3.2 or less, and more preferably 1: 2.5 or less.

重合触媒としては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリヘキシルアミン等の脂肪族三級アミン;N,N’−ジメチルシクロヘキシルアミン、N,N’−ジエチルシクロヘキシルアミン等の脂環式三級アミン;N,N’−ジメチルアニリン、N,N’−ジエチルアニリン等の芳香族三級アミン;トリメチルベンジルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド等の第四級アンモニウム塩、ピリジン、グアニン、グアニジンの塩等が挙げられる。なお、重合触媒は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Examples of the polymerization catalyst include aliphatic tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, tributylamine, tripropylamine, and trihexylamine; alicyclic rings such as N, N′-dimethylcyclohexylamine and N, N′-diethylcyclohexylamine. Tertiary amines of formula; aromatic tertiary amines such as N, N′-dimethylaniline and N, N′-diethylaniline; quaternary ammonium salts such as trimethylbenzylammonium chloride, tetramethylammonium chloride and triethylbenzylammonium chloride; Examples include pyridine, guanine, guanidine salts, and the like. In addition, 1 type may be used for a polymerization catalyst and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

分子量調整剤としては、例えば、一価のフェノール性水酸基を有する芳香族フェノール;メタノール、ブタノールなどの脂肪族アルコール、メルカプタン、フタル酸イミド等が挙げられるが、中でも芳香族フェノールが好ましい。このような芳香族フェノールとしては、具体的に、m−メチルフェノール、p−メチルフェノール、m−プロピルフェノール、p−プロピルフェノール、p−tert−ブチルフェノール、p−長鎖アルキル置換フェノール等のアルキル基置換フェノール;イソプロパニルフェノール等のビニル基含有フェノール、エポキシ基含有フェノール、o−オキシン安息香酸、2−メチル−6−ヒドロキシフェニル酢酸等のカルボキシル基含有フェノール等が挙げられる。なお、分子量調整剤は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Examples of the molecular weight modifier include aromatic phenols having a monovalent phenolic hydroxyl group; aliphatic alcohols such as methanol and butanol, mercaptans, and phthalimides, among which aromatic phenols are preferred. Specific examples of such aromatic phenols include alkyl groups such as m-methylphenol, p-methylphenol, m-propylphenol, p-propylphenol, p-tert-butylphenol, and p-long chain alkyl-substituted phenol. Substituted phenols: Vinyl group-containing phenols such as isopropanyl phenol, epoxy group-containing phenols, carboxyl group-containing phenols such as o-oxine benzoic acid, 2-methyl-6-hydroxyphenylacetic acid, and the like. In addition, a molecular weight regulator may use 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

分子量調整剤の使用量は、ジヒドロキシ化合物100モルに対して、通常0.5モル以上、好ましくは1モル以上であり、また、通常50モル以下、好ましくは30モル以下である。分子量調整剤の使用量をこの範囲とすることで、ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性及び耐加水分解性を向上させることができる。   The usage-amount of a molecular weight modifier is 0.5 mol or more normally with respect to 100 mol of dihydroxy compounds, Preferably it is 1 mol or more, and is 50 mol or less normally, Preferably it is 30 mol or less. By making the usage-amount of a molecular weight modifier into this range, the thermal stability and hydrolysis resistance of a polycarbonate resin composition can be improved.

反応の際に、反応基質、反応媒、触媒、添加剤等を混合する順番は、所望のポリカーボネート樹脂が得られる限り任意であり、適切な順番を任意に設定すればよい。例えば、カーボネート前駆体としてホスゲンを用いた場合には、分子量調節剤はジヒドロキシ化合物とホスゲンとの反応(ホスゲン化)の時から重合反応開始時までの間であれば任意の時期に混合できる。なお、反応温度は通常0〜40℃であり、反応時間は通常は数分(例えば、10分)〜数時間(例えば、6時間)である。   In the reaction, the order of mixing the reaction substrate, reaction medium, catalyst, additive and the like is arbitrary as long as a desired polycarbonate resin is obtained, and an appropriate order may be arbitrarily set. For example, when phosgene is used as the carbonate precursor, the molecular weight regulator can be mixed at any time as long as it is between the reaction (phosgenation) of the dihydroxy compound and phosgene and the start of the polymerization reaction. In addition, reaction temperature is 0-40 degreeC normally, and reaction time is normally several minutes (for example, 10 minutes)-several hours (for example, 6 hours).

「溶融エステル交換法」
溶融エステル交換法では、例えば、炭酸ジエステルとジヒドロキシ化合物とのエステル交換反応を行う。
"Melted ester exchange method"
In the melt transesterification method, for example, a transesterification reaction between a carbonic acid diester and a dihydroxy compound is performed.

ジヒドロキシ化合物は、前述の通りである。一方、炭酸ジエステルとしては、例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジ−tert−ブチルカーボネート等の炭酸ジアルキル化合物;ジフェニルカーボネート;ジトリルカーボネート等の置換ジフェニルカーボネートなどが挙げられる。中でも、ジフェニルカーボネート及び置換ジフェニルカーボネートが好ましく、特にジフェニルカーボネートが好ましい。なお、炭酸ジエステルは1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   The dihydroxy compound is as described above. On the other hand, examples of the carbonic acid diester include dialkyl carbonate compounds such as dimethyl carbonate, diethyl carbonate, and di-tert-butyl carbonate; diphenyl carbonate; substituted diphenyl carbonate such as ditolyl carbonate, and the like. Of these, diphenyl carbonate and substituted diphenyl carbonate are preferable, and diphenyl carbonate is particularly preferable. In addition, carbonic acid diester may use 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの比率は所望のポリカーボネート樹脂が得られる限り任意であるが、ジヒドロキシ化合物1モルに対して、炭酸ジエステルを等モル量以上用いることが好ましく、中でも1.01モル以上用いることがより好ましい。なお、上限は通常1.30モル以下である。このような範囲にすることで、末端水酸基量を好適な範囲に調整できる。   The ratio of the dihydroxy compound and the carbonic acid diester is arbitrary as long as the desired polycarbonate resin can be obtained, but it is preferable to use an equimolar amount or more of the carbonic acid diester with respect to 1 mol of the dihydroxy compound. Is more preferable. The upper limit is usually 1.30 mol or less. By setting it as such a range, the amount of terminal hydroxyl groups can be adjusted to a suitable range.

ポリカーボネート樹脂では、その末端水酸基量が熱安定性、加水分解安定性、色調等に大きな影響を及ぼす傾向がある。このため、公知の任意の方法によって末端水酸基量を必要に応じて調整してもよい。エステル交換反応においては、通常、炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物との混合比率、エステル交換反応時の減圧度などを調整することにより、末端水酸基量を調整したポリカーボネート樹脂を得ることができる。なお、この操作により、通常は得られるポリカーボネート樹脂の分子量を調整することもできる。   In the polycarbonate resin, the amount of terminal hydroxyl groups tends to have a great influence on thermal stability, hydrolysis stability, color tone and the like. For this reason, you may adjust the amount of terminal hydroxyl groups as needed by a well-known arbitrary method. In the transesterification reaction, a polycarbonate resin in which the terminal hydroxyl group amount is adjusted can be usually obtained by adjusting the mixing ratio of the carbonic acid diester and the aromatic dihydroxy compound, the degree of vacuum during the transesterification reaction, and the like. In addition, the molecular weight of the polycarbonate resin usually obtained can also be adjusted by this operation.

炭酸ジエステルとジヒドロキシ化合物との混合比率を調整して末端水酸基量を調整する場合、その混合比率は前記の通りである。また、より積極的な調整方法としては、反応時に別途、末端停止剤を混合する方法が挙げられる。この際の末端停止剤としては、例えば、一価フェノール類、一価カルボン酸類、炭酸ジエステル類などが挙げられる。なお、末端停止剤は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   When adjusting the amount of terminal hydroxyl groups by adjusting the mixing ratio of the carbonic acid diester and the dihydroxy compound, the mixing ratio is as described above. Further, as a more aggressive adjustment method, there may be mentioned a method in which a terminal terminator is mixed separately during the reaction. Examples of the terminal terminator at this time include monohydric phenols, monovalent carboxylic acids, carbonic acid diesters, and the like. In addition, 1 type may be used for a terminal terminator and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

溶融エステル交換法によりポリカーボネート樹脂を製造する際には、通常、エステル交換触媒が使用される。エステル交換触媒は任意のものを使用できる。なかでも、例えばアルカリ金属化合物及び/又はアルカリ土類金属化合物を用いることが好ましい。また補助的に、例えば塩基性ホウ素化合物、塩基性リン化合物、塩基性アンモニウム化合物、アミン系化合物などの塩基性化合物を併用してもよい。なお、エステル交換触媒は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   When producing a polycarbonate resin by the melt transesterification method, a transesterification catalyst is usually used. Any transesterification catalyst can be used. Among them, it is preferable to use, for example, an alkali metal compound and / or an alkaline earth metal compound. In addition, auxiliary compounds such as basic boron compounds, basic phosphorus compounds, basic ammonium compounds, and amine compounds may be used in combination. In addition, 1 type may be used for a transesterification catalyst and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

溶融エステル交換法において、反応温度は通常100〜320℃である。また、反応時の圧力は通常2mmHg以下の減圧条件である。具体的操作としては、前記の条件で、芳香族ヒドロキシ化合物等の副生成物を除去しながら、溶融重縮合反応を行えばよい。   In the melt transesterification method, the reaction temperature is usually 100 to 320 ° C. The pressure during the reaction is usually a reduced pressure condition of 2 mmHg or less. As a specific operation, a melt polycondensation reaction may be performed under the above-mentioned conditions while removing a by-product such as an aromatic hydroxy compound.

溶融重縮合反応は、バッチ式、連続式の何れの方法でも行うことができる。バッチ式で行う場合、反応基質、反応媒、触媒、添加剤等を混合する順番は、所望の芳香族ポリカーボネート樹脂が得られる限り任意であり、適切な順番を任意に設定すればよい。ただし中でも、ポリカーボネート樹脂及びポリカーボネート樹脂組成物の安定性等を考慮すると、溶融重縮合反応は連続式で行うことが好ましい。   The melt polycondensation reaction can be performed by either a batch method or a continuous method. When performing by a batch type, the order which mixes a reaction substrate, a reaction medium, a catalyst, an additive, etc. is arbitrary as long as a desired aromatic polycarbonate resin is obtained, What is necessary is just to set an appropriate order arbitrarily. However, considering the stability of the polycarbonate resin and the polycarbonate resin composition, the melt polycondensation reaction is preferably carried out continuously.

溶融エステル交換法においては、必要に応じて、触媒失活剤を用いてもよい。触媒失活剤としてはエステル交換触媒を中和する化合物を任意に用いることができる。その例を挙げると、イオウ含有酸性化合物及びその誘導体などが挙げられる。なお、触媒失活剤は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In the melt transesterification method, a catalyst deactivator may be used as necessary. As the catalyst deactivator, a compound that neutralizes the transesterification catalyst can be arbitrarily used. Examples thereof include sulfur-containing acidic compounds and derivatives thereof. In addition, 1 type may be used for a catalyst deactivator and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

触媒失活剤の使用量は、前記のエステル交換触媒が含有するアルカリ金属又はアルカリ土類金属に対して、通常0.5当量以上、好ましくは1当量以上であり、また、通常10当量以下、好ましくは5当量以下である。更には、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、通常1ppm以上であり、また、通常100ppm以下、好ましくは20ppm以下である。   The amount of the catalyst deactivator used is usually 0.5 equivalents or more, preferably 1 equivalent or more, and usually 10 equivalents or less, relative to the alkali metal or alkaline earth metal contained in the transesterification catalyst. Preferably it is 5 equivalents or less. Furthermore, it is 1 ppm or more normally with respect to aromatic polycarbonate resin, and is 100 ppm or less normally, Preferably it is 20 ppm or less.

ポリカーボネート樹脂の分子量は任意であり、適宜選択して決定すればよいが、溶液粘度から換算した粘度平均分子量[Mv]は、通常10,000以上、好ましくは16,000以上、より好ましくは18,000以上であり、また、通常40,000以下、好ましくは30,000以下である。粘度平均分子量を前記範囲の下限値以上とすることにより本発明のポリカーボネート樹脂組成物の機械的強度をより向上させることができ、機械的強度の要求の高い用途に用いる場合により好ましいものとなる。一方、粘度平均分子量を前記範囲の上限値以下とすることにより本発明のポリカーボネート樹脂組成物の流動性低下を抑制して改善でき、成形加工性を高めて成形加工を容易に行えるようになる。なお、粘度平均分子量の異なる2種類以上のポリカーボネート樹脂を混合して用いてもよく、この場合には、粘度平均分子量が上記の好適な範囲外であるポリカーボネート樹脂を混合してもよい。   The molecular weight of the polycarbonate resin is arbitrary and may be appropriately selected and determined. The viscosity average molecular weight [Mv] converted from the solution viscosity is usually 10,000 or more, preferably 16,000 or more, more preferably 18, 000 or more, and usually 40,000 or less, preferably 30,000 or less. By setting the viscosity average molecular weight to be equal to or higher than the lower limit of the above range, the mechanical strength of the polycarbonate resin composition of the present invention can be further improved, which is more preferable when used for applications requiring high mechanical strength. On the other hand, by setting the viscosity average molecular weight to be equal to or lower than the upper limit of the above range, the polycarbonate resin composition of the present invention can be suppressed and improved in fluidity, and the molding processability can be improved and the molding process can be easily performed. Two or more types of polycarbonate resins having different viscosity average molecular weights may be mixed and used, and in this case, a polycarbonate resin having a viscosity average molecular weight outside the above-mentioned preferred range may be mixed.

なお、粘度平均分子量[Mv]とは、溶媒としてメチレンクロライドを使用し、ウベローデ粘度計を用いて温度20℃での極限粘度[η](単位dl/g)を求め、Schnellの粘度式、すなわち、η=1.23×10-4Mv0.83から算出される値を意味する。また極限粘度[η]とは、各溶液濃度[C](g/dl)での比粘度[ηsp]を測定し、下記数式(1)により算出した値である。 The viscosity average molecular weight [Mv] is obtained by using methylene chloride as a solvent and obtaining an intrinsic viscosity [η] (unit: dl / g) at a temperature of 20 ° C. using an Ubbelohde viscometer. Η = 1.23 × 10 −4 Mv 0.83 . The intrinsic viscosity [η] is a value calculated by the following formula (1) by measuring the specific viscosity [η sp ] at each solution concentration [C] (g / dl).

Figure 2014093398
Figure 2014093398

ポリカーボネート樹脂の末端水酸基濃度は任意であり、適宜選択して決定すればよいが、通常1,000ppm以下、好ましくは800ppm以下、より好ましくは600ppm以下である。これにより本発明のポリカーボネート樹脂組成物の滞留熱安定性及び色調をより向上させることができる。また、その下限は、通常10ppm以上、好ましくは30ppm以上、より好ましくは40ppm以上である。これにより、分子量の低下を抑制し、本発明のポリカーボネート樹脂組成物の機械的特性をより向上させることができる。なお、末端水酸基濃度の単位は、ポリカーボネート樹脂の重量に対する、末端水酸基の重量をppmで表示したものである。その測定方法は、四塩化チタン/酢酸法による比色定量(Macromol.Chem.88 215(1965)に記載の方法)である。   The terminal hydroxyl group concentration of the polycarbonate resin is arbitrary and may be appropriately selected and determined, but is usually 1,000 ppm or less, preferably 800 ppm or less, more preferably 600 ppm or less. Thereby, the residence heat stability and color tone of the polycarbonate resin composition of the present invention can be further improved. Moreover, the minimum is 10 ppm or more normally, Preferably it is 30 ppm or more, More preferably, it is 40 ppm or more. Thereby, the fall of molecular weight can be suppressed and the mechanical characteristic of the polycarbonate resin composition of this invention can be improved more. The unit of the terminal hydroxyl group concentration is the weight of the terminal hydroxyl group expressed in ppm relative to the weight of the polycarbonate resin. The measurement method is colorimetric determination (method described in Macromol. Chem. 88 215 (1965)) by the titanium tetrachloride / acetic acid method.

ポリカーボネート樹脂は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   A polycarbonate resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

ポリカーボネート樹脂は、ポリカーボネート樹脂単独(ポリカーボネート樹脂単独とは、ポリカーボネート樹脂の1種のみを含む態様に限定されず、例えば、モノマー組成や分子量が互いに異なる複数種のポリカーボネート樹脂を含む態様を含む意味で用いる。)で用いてもよく、ポリカーボネート樹脂と他の熱可塑性樹脂とのアロイ(混合物)とを組み合わせて用いてもよい。さらに、例えば、難燃性や耐衝撃性をさらに高める目的で、ポリカーボネート樹脂を、シロキサン構造を有するオリゴマーまたはポリマーとの共重合体;熱酸化安定性や難燃性をさらに向上させる目的でリン原子を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーとの共重合体;熱酸化安定性を向上させる目的で、ジヒドロキシアントラキノン構造を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーとの共重合体;光学的性質を改良するためにポリスチレン等のオレフィン系構造を有するオリゴマーまたはポリマーとの共重合体;耐薬品性を向上させる目的でポリエステル樹脂オリゴマーまたはポリマーとの共重合体等の、ポリカーボネート樹脂を主体とする共重合体として構成してもよい。他の熱可塑性樹脂と組み合わせて用いる場合は、樹脂成分中のポリカーボネート樹脂の割合が50重量%以上であることが好ましく、60重量%であることがより好ましく、70重量%以上であることがさらに好ましい。   The polycarbonate resin is a polycarbonate resin alone (the polycarbonate resin alone is not limited to an embodiment containing only one type of polycarbonate resin, and is used in a sense including an embodiment containing a plurality of types of polycarbonate resins having different monomer compositions and molecular weights, for example. .), Or an alloy (mixture) of a polycarbonate resin and another thermoplastic resin may be used in combination. Further, for example, for the purpose of further improving flame retardancy and impact resistance, a polycarbonate resin is copolymerized with an oligomer or polymer having a siloxane structure; for the purpose of further improving thermal oxidation stability and flame retardancy A monomer, oligomer or polymer having a copolymer; a monomer, oligomer or polymer having a dihydroxyanthraquinone structure for the purpose of improving thermal oxidation stability; Copolymers with oligomers or polymers having an olefin-based structure; for the purpose of improving chemical resistance, they may be configured as copolymers mainly composed of polycarbonate resins, such as copolymers with polyester resin oligomers or polymers. . When used in combination with other thermoplastic resins, the proportion of the polycarbonate resin in the resin component is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight, and further preferably 70% by weight or more. preferable.

また、成形品の外観の向上や流動性の向上を図るため、ポリカーボネート樹脂は、ポリカーボネートオリゴマーを含有していてもよい。このポリカーボネートオリゴマーの粘度平均分子量[Mv]は、通常1,500以上、好ましくは2,000以上であり、また、通常9,500以下、好ましくは9,000以下である。さらに、含有されるポリカーボネートリゴマーは、ポリカーボネート樹脂(ポリカーボネートオリゴマーを含む)の30重量%以下とすることが好ましい。   Further, in order to improve the appearance of the molded product and improve the fluidity, the polycarbonate resin may contain a polycarbonate oligomer. The viscosity average molecular weight [Mv] of this polycarbonate oligomer is usually 1,500 or more, preferably 2,000 or more, and usually 9,500 or less, preferably 9,000 or less. Furthermore, the polycarbonate ligomer contained is preferably 30% by weight or less of the polycarbonate resin (including the polycarbonate oligomer).

さらに、ポリカーボネート樹脂は、バージン原料だけでなく、使用済みの製品から再生されたポリカーボネート樹脂(いわゆるマテリアルリサイクルされたポリカーボネート樹脂)であってもよい。前記の使用済みの製品としては、例えば、光学ディスク等の光記録媒体;導光板;自動車窓ガラス、自動車ヘッドランプレンズ、風防等の車両透明部材;水ボトル等の容器;メガネレンズ;防音壁、ガラス窓、波板等の建築部材などが挙げられる。また、製品の不適合品、スプルー、ランナー等から得られた粉砕品またはそれらを溶融して得たペレット等も使用可能である。   Further, the polycarbonate resin may be not only a virgin raw material but also a polycarbonate resin regenerated from a used product (so-called material-recycled polycarbonate resin). Examples of the used products include: optical recording media such as optical disks; light guide plates; vehicle window glass, vehicle headlamp lenses, windshields and other vehicle transparent members; water bottles and other containers; eyeglass lenses; Examples include architectural members such as glass windows and corrugated sheets. Also, non-conforming products, pulverized products obtained from sprues, runners, etc., or pellets obtained by melting them can be used.

ただし、再生されたポリカーボネート樹脂は、本発明のポリカーボネート樹脂組成物に含まれるポリカーボネート樹脂のうち、80重量%以下であることが好ましく、中でも50重量%以下であることがより好ましい。再生されたポリカーボネート樹脂は、熱劣化や経年劣化等の劣化を受けている可能性が高いため、このようなポリカーボネート樹脂を前記の範囲よりも多く用いた場合、色相や機械的物性を低下させる可能性があるためである。   However, the regenerated polycarbonate resin is preferably 80% by weight or less, more preferably 50% by weight or less, among the polycarbonate resins contained in the polycarbonate resin composition of the present invention. Recycled polycarbonate resin is likely to have undergone deterioration such as heat deterioration and aging deterioration, so when such polycarbonate resin is used more than the above range, hue and mechanical properties can be reduced. It is because there is sex.

上述した母材14には、本発明の特性を損なわない範囲において必要に応じて公知の各種添加剤を含有させることができる。例えば、拡散剤、熱安定剤、酸化防止剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、紫外線吸収剤、滑剤、光安定剤、可塑剤、帯電防止剤、熱伝導性改良剤、導電性改良剤、着色剤、耐衝撃性改良剤、抗菌剤、耐薬品性改良剤、強化剤、レーザーマーキング改良剤、屈折率調整剤などが挙げられる。これらの添加剤の具体的な種類や量は、母材14に対して公知の好適なものを選択することができる。   The base material 14 described above can contain various known additives as necessary within a range not impairing the characteristics of the present invention. For example, diffusion agent, heat stabilizer, antioxidant, mold release agent, flame retardant, flame retardant aid, UV absorber, lubricant, light stabilizer, plasticizer, antistatic agent, thermal conductivity improver, conductivity Examples include improvers, colorants, impact resistance improvers, antibacterial agents, chemical resistance improvers, reinforcing agents, laser marking improvers, refractive index adjusters, and the like. Specific types and amounts of these additives can be selected from known suitable materials for the base material 14.

ここで、ポリカーボネート樹脂に配合する好ましい添加剤について例示する。ポリカーボネート樹脂には、拡散剤を含有することが好ましい。拡散剤を含有することで、母材に光拡散性を付与することが可能となる。拡散剤は、無機系光拡散剤、有機系光拡散剤、又は気泡が挙げられる。   Here, it illustrates about the preferable additive mix | blended with polycarbonate resin. The polycarbonate resin preferably contains a diffusing agent. By containing the diffusing agent, it is possible to impart light diffusibility to the base material. Examples of the diffusing agent include inorganic light diffusing agents, organic light diffusing agents, and bubbles.

無機系光拡散剤としては、例えば、珪素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛及びバリウム等の元素を含有する無機系光拡散剤を用いることが可能であり、また、珪素、アルミニウム、チタン、及びジルコニウムからなる群の少なくとも1つの元素を含む無機系光拡散剤を用いることが好ましい。有機系光拡散剤材としては、アクリル系、スチレン系、ポリアミド系若しくは元素として珪素もしくはフッ素を含む有機系光拡散剤を用いることが可能であり、中でも、アクリル系光拡散剤、又は元素として珪素を含む有機系光拡散剤を用いることが好ましい。   As the inorganic light diffusing agent, for example, an inorganic light diffusing agent containing an element such as silicon, aluminum, titanium, zirconium, calcium, magnesium, zinc and barium can be used, and silicon, aluminum, It is preferable to use an inorganic light diffusing agent containing at least one element of the group consisting of titanium and zirconium. As the organic light diffusing agent material, it is possible to use acrylic, styrene, polyamide, or an organic light diffusing agent containing silicon or fluorine as an element, and among them, an acrylic light diffusing agent or silicon as an element. It is preferable to use an organic light diffusing agent containing

無機系光拡散剤の具体例としては、二酸化ケイ素(シリカ)、ホワイトカーボン、溶融シリカ、タルク、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ホウ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、珪酸アルミニウム、珪酸アルミ化ナトリウム、珪酸亜鉛、硫化亜鉛、ガラス粒子、ガラス繊維、ガラスフレーク、マイカ、ワラストナイト、ゼオライト、セピオライト、ベントナイト、モンモリロナイト、ハイドロタルサイト、カオリン、チタン酸カリウム等の材料が挙げられる。   Specific examples of inorganic light diffusing agents include silicon dioxide (silica), white carbon, fused silica, talc, magnesium oxide, zinc oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, boron oxide, boron nitride, aluminum nitride, and nitride. Silicon, calcium carbonate, barium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, calcium hydroxide, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, barium sulfate, calcium silicate, magnesium silicate, aluminum silicate, sodium silicate aluminide, zinc silicate, zinc sulfide, Examples of the material include glass particles, glass fibers, glass flakes, mica, wollastonite, zeolite, sepiolite, bentonite, montmorillonite, hydrotalcite, kaolin, and potassium titanate.

これらの無機拡散剤は、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、メチルハイドロジェンポリシロキサン、脂肪酸含有炭化水素化合物等の各種表面処理剤で処理されたものであっても良く、表面を不活性な無機化合物で被覆されたものでもよい。   These inorganic diffusing agents may be treated with various surface treatment agents such as silane coupling agents, titanate coupling agents, methyl hydrogen polysiloxanes, fatty acid-containing hydrocarbon compounds, and the surface is inactive. It may be coated with an inorganic compound.

有機系光拡散剤としては、スチレン系(共)重合体、アクリル系(共)重合体、シロキサン系(共)重合体、ポリアミド系(共)重合体等の材料が挙げられる。これら、有機系拡散剤の分子の一部又は全部は、架橋していても架橋していなくてもよい。ここで、「(共)重合体」とは「重合体」及び「共重合体」の双方を意味する。   Examples of the organic light diffusing agent include materials such as styrene (co) polymers, acrylic (co) polymers, siloxane (co) polymers, and polyamide (co) polymers. Some or all of these organic diffusing agent molecules may or may not be crosslinked. Here, “(co) polymer” means both “polymer” and “copolymer”.

拡散剤としては、シリカ、ガラス、炭酸カルシウム、マイカ、架橋アクリル系(共)重合体粒子、シロキサン系(共)重合体粒子からなる群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。また、さらに平均粒子径が1μm以上であることが好ましく、30μm以下であることが好ましい。なお、平均粒子径は、積算重量百分率、粒度分布計等により測定した粒子径である。   The diffusing agent preferably contains at least one selected from the group consisting of silica, glass, calcium carbonate, mica, crosslinked acrylic (co) polymer particles, and siloxane (co) polymer particles. Further, the average particle diameter is preferably 1 μm or more, and preferably 30 μm or less. The average particle size is a particle size measured with an integrated weight percentage, a particle size distribution meter or the like.

拡散剤を用いる場合、母材14中に、通常0.1重量%以上、好ましくは0.3重量%以上含有する。また、通常40重量%以下、好ましくは30重量%以下含有する。   When a diffusing agent is used, the base material 14 is usually contained in an amount of 0.1% by weight or more, preferably 0.3% by weight or more. Further, it is usually contained in an amount of 40% by weight or less, preferably 30% by weight or less.

拡散剤は、波長変換部材を成形する前の樹脂組成物に対しては、通常0.1重量%以上、好ましくは0.3重量%以上含有する。また、通常40重量%以下、好ましくは30重量%以下含有する。   The diffusing agent is usually contained in an amount of 0.1% by weight or more, preferably 0.3% by weight or more with respect to the resin composition before molding the wavelength conversion member. Further, it is usually contained in an amount of 40% by weight or less, preferably 30% by weight or less.

熱安定剤としては、例えばリン系化合物が挙げられる。リン系化合物としては、公知の任意のものを使用できる。具体例を挙げると、リン酸、ホスホン酸、亜燐酸、ホスフィン酸、ポリリン酸などのリンのオキソ酸;酸性ピロリン酸ナトリウム、酸性ピロリン酸カリウム、酸性ピロリン酸カルシウムなどの酸性ピロリン酸金属塩;リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸セシウム、リン酸亜鉛など第1族または第10族金属のリン酸塩;有機ホスフェート化合物、有機ホスファイト化合物、有機ホスホナイト化合物などが挙げられる。   Examples of the heat stabilizer include phosphorus compounds. Any known phosphorous compound can be used. Specific examples include phosphorus oxo acids such as phosphoric acid, phosphonic acid, phosphorous acid, phosphinic acid, and polyphosphoric acid; acidic pyrophosphate metal salts such as acidic sodium pyrophosphate, acidic potassium pyrophosphate, and acidic calcium pyrophosphate; phosphoric acid Examples thereof include phosphates of Group 1 or Group 10 metals such as potassium, sodium phosphate, cesium phosphate, and zinc phosphate; organic phosphate compounds, organic phosphite compounds, and organic phosphonite compounds.

なかでも、トリフェニルホスファイト、トリス(モノノニルフェニル)ホスファイト、トリス(モノノニル/ジノニル・フェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリステアリルホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト等の有機ホスファイトが好ましい。   Among them, triphenyl phosphite, tris (monononylphenyl) phosphite, tris (monononyl / dinonyl phenyl) phosphite, tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, monooctyl diphenyl phosphite, Dioctyl monophenyl phosphite, monodecyl diphenyl phosphite, didecyl monophenyl phosphite, tridecyl phosphite, trilauryl phosphite, tristearyl phosphite, 2,2-methylenebis (4,6-di-tert-butylphenyl) ) Organic phosphites such as octyl phosphite are preferred.

熱安定剤の含有量は、ポリカーボネート樹脂100重量部に対して、通常0.001重量部以上、好ましくは0.001重量部以上、より好ましくは0.01重量部以上であり、また、通常1重量部以下、好ましくは0.5重量部以下、より好ましくは0.3重量部以下、さらに好ましくは0.1重量部以下である。熱安定剤が少なすぎると熱安定性改良効果が得難く、多すぎると逆に熱安定性が低下する場合がある。   The content of the heat stabilizer is usually 0.001 parts by weight or more, preferably 0.001 parts by weight or more, more preferably 0.01 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the polycarbonate resin. It is not more than parts by weight, preferably not more than 0.5 parts by weight, more preferably not more than 0.3 parts by weight, still more preferably not more than 0.1 parts by weight. If the amount of the heat stabilizer is too small, it is difficult to obtain the effect of improving the heat stability. If the amount is too large, the heat stability may be lowered.

酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が挙げられる。その具体例としては、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、N,N'−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオナミド)、2,4−ジメチル−6−(1−メチルペンタデシル)フェノール、ジエチル[[3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシフェニル]メチル]ホスフォエート、3,3’,3’’,5,5’,5’’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート]、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミノ)フェノール等が挙げられる。   As antioxidant, a hindered phenolic antioxidant is mentioned, for example. Specific examples thereof include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl). ) Propionate, thiodiethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], N, N′-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-) tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 2,4-dimethyl-6- (1-methylpentadecyl) phenol, diethyl [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl ] Methyl] phosphoate, 3,3 ′, 3 ″, 5,5 ′, 5 ″ -hexa-tert-butyl-a, a ′, a ''-(Mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert- Butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate], hexamethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris (3,5- Di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4 6-bis (octylthio) -1,3,5-triazin-2-ylamino) phenol and the like.

なかでも、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートが好ましい。   Among them, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate preferable.

酸化防止剤の含有量は、ポリカーボネート樹脂100重量部に対して、通常0.001重量部以上、好ましくは0.01重量部以上であり、また、通常1重量部以下、好ましくは0.5重量部以下、より好ましくは0.3重量部以下である。酸化防止剤の含有量が前記範囲の下限値以下の場合は、酸化防止剤としての効果が不十分となる可能性があり、酸化防止剤の含有量が前記範囲の上限値を超える場合は、効果が頭打ちとなり経済的でなくなる可能性がある。   The content of the antioxidant is usually 0.001 part by weight or more, preferably 0.01 part by weight or more, and usually 1 part by weight or less, preferably 0.5 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polycarbonate resin. Part or less, more preferably 0.3 part by weight or less. When the content of the antioxidant is less than or equal to the lower limit of the range, the effect as an antioxidant may be insufficient, and when the content of the antioxidant exceeds the upper limit of the range, There is a possibility that the effect reaches its peak and is not economical.

離型剤としては、例えば、脂肪族カルボン酸、脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステル、数平均分子量200〜15,000の脂肪族炭化水素化合物、ポリシロキサン系シリコーンオイルなどが挙げられる。   Examples of the release agent include aliphatic carboxylic acids, esters of aliphatic carboxylic acids and alcohols, aliphatic hydrocarbon compounds having a number average molecular weight of 200 to 15,000, polysiloxane silicone oils, and the like.

脂肪族カルボン酸としては、例えば、飽和または不飽和の脂肪族一価、二価または三価カルボン酸を挙げることができる。ここで脂肪族カルボン酸とは、脂環式のカルボン酸も包含する。これらの中で好ましい脂肪族カルボン酸は炭素数6〜36の一価または二価カルボン酸であり、炭素数6〜36の脂肪族飽和一価カルボン酸がさらに好ましい。かかる脂肪族カルボン酸の具体例としては、パルミチン酸、ステアリン酸、カプロン酸、カプリン酸、ラウリン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、メリシン酸、テトラリアコンタン酸、モンタン酸、アジピン酸、アゼライン酸などが挙げられる。   Examples of the aliphatic carboxylic acid include saturated or unsaturated aliphatic monovalent, divalent or trivalent carboxylic acid. Here, the aliphatic carboxylic acid includes alicyclic carboxylic acid. Among these, preferable aliphatic carboxylic acids are monovalent or divalent carboxylic acids having 6 to 36 carbon atoms, and aliphatic saturated monovalent carboxylic acids having 6 to 36 carbon atoms are more preferable. Specific examples of such aliphatic carboxylic acids include palmitic acid, stearic acid, caproic acid, capric acid, lauric acid, arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, serotic acid, mellicic acid, tetrariacontanoic acid, montanic acid, adipine Examples include acids and azelaic acid.

脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステルにおける脂肪族カルボン酸としては、例えば、前記脂肪族カルボン酸と同じものが使用できる。一方、アルコールとしては、例えば、飽和または不飽和の一価または多価アルコールが挙げられる。これらのアルコールは、フッ素原子、アリール基などの置換基を有していてもよい。これらの中では、炭素数30以下の一価または多価の飽和アルコールが好ましく、炭素数30以下の脂肪族又は脂環式飽和一価アルコールまたは脂肪族飽和多価アルコールがさらに好ましい。   As aliphatic carboxylic acid in ester of aliphatic carboxylic acid and alcohol, the same thing as the said aliphatic carboxylic acid can be used, for example. On the other hand, examples of the alcohol include saturated or unsaturated monohydric or polyhydric alcohols. These alcohols may have a substituent such as a fluorine atom or an aryl group. Among these, a monovalent or polyvalent saturated alcohol having 30 or less carbon atoms is preferable, and an aliphatic or alicyclic saturated monohydric alcohol or aliphatic saturated polyhydric alcohol having 30 or less carbon atoms is more preferable.

かかるアルコールの具体例としては、オクタノール、デカノール、ドデカノール、ステアリルアルコール、ベヘニルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、2,2−ジヒドロキシペルフルオロプロパノール、ネオペンチレングリコール、ジトリメチロールプロパン、ジペンタエリスリトール等が挙げられる。   Specific examples of such alcohols include octanol, decanol, dodecanol, stearyl alcohol, behenyl alcohol, ethylene glycol, diethylene glycol, glycerin, pentaerythritol, 2,2-dihydroxyperfluoropropanol, neopentylene glycol, ditrimethylolpropane, dipentaerythritol, and the like. Is mentioned.

脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステルの具体例としては、蜜ロウ(ミリシルパルミテートを主成分とする混合物)、ステアリン酸ステアリル、ベヘン酸ベヘニル、ベヘン酸ステアリル、グリセリンモノパルミテート、グリセリンモノステアレート、グリセリンジステアレート、グリセリントリステアレート、ペンタエリスリトールモノパルミテート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレート等が挙げられる。   Specific examples of esters of aliphatic carboxylic acids and alcohols include beeswax (a mixture based on myricyl palmitate), stearyl stearate, behenyl behenate, stearyl behenate, glycerin monopalmitate, glycerin monostearate Examples thereof include rate, glycerol distearate, glycerol tristearate, pentaerythritol monopalmitate, pentaerythritol monostearate, pentaerythritol distearate, pentaerythritol tristearate, pentaerythritol tetrastearate and the like.

数平均分子量200〜15,000の脂肪族炭化水素化合物としては、例えば、流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、ポリエチレンワックス、フィッシャ−トロプシュワックス、炭素数3〜12のα−オレフィンオリゴマー等が挙げられる。なお、ここで脂肪族炭化水素としては、脂環式炭化水素も含まれる。   Examples of the aliphatic hydrocarbon compound having a number average molecular weight of 200 to 15,000 include liquid paraffin, paraffin wax, microwax, polyethylene wax, Fischer-Tropsch wax, and α-olefin oligomer having 3 to 12 carbon atoms. . Here, the aliphatic hydrocarbon includes alicyclic hydrocarbons.

これらの中では、パラフィンワックス、ポリエチレンワックスまたはポリエチレンワックスの部分酸化物が好ましく、パラフィンワックス、ポリエチレンワックスがさらに好ましい。   Among these, paraffin wax, polyethylene wax, or a partial oxide of polyethylene wax is preferable, and paraffin wax and polyethylene wax are more preferable.

また、前記の脂肪族炭化水素の数平均分子量は、好ましくは5,000以下である。   The number average molecular weight of the aliphatic hydrocarbon is preferably 5,000 or less.

ポリシロキサン系シリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルシリコーンオイル、フェニルメチルシリコーンオイル、ジフェニルシリコーンオイル、フッ素化アルキルシリコーン等が挙げられる。   Examples of the polysiloxane silicone oil include dimethyl silicone oil, phenylmethyl silicone oil, diphenyl silicone oil, and fluorinated alkyl silicone.

離型剤の含有量は、ポリカーボネート樹脂100重量部に対して、通常0.001重量部以上、好ましくは0.01重量部以上であり、また、通常5重量部以下、好ましくは3重量部以下、より好ましくは1重量部以下、さらに好ましくは0.5重量部以下である。離型剤の含有量が前記範囲の下限値以下の場合は、離型性の効果が十分でない場合があり、離型剤の含有量が前記範囲の上限値を超える場合は、耐加水分解性の低下、押出射出成形時の金型汚染などが生じる可能性がある。   The content of the release agent is usually 0.001 part by weight or more, preferably 0.01 part by weight or more, and usually 5 parts by weight or less, preferably 3 parts by weight or less, relative to 100 parts by weight of the polycarbonate resin. More preferably, it is 1 part by weight or less, and still more preferably 0.5 part by weight or less. When the content of the release agent is not more than the lower limit of the above range, the effect of releasability may not be sufficient, and when the content of the release agent exceeds the upper limit of the above range, hydrolysis resistance And mold contamination during extrusion injection molding may occur.

難燃剤としては、ハロゲン系、リン系、有機酸金属塩系、シリコーン系の難燃剤、難燃助剤としては、フッ素樹脂系難燃助剤が挙げられる。難燃剤及び難燃助剤は併用することも可能であり、また、複数を組み合わせて使用することもできる。中でも好ましいのは、リン系難燃剤、有機酸金属塩系難燃剤、フッ素樹脂系難燃助剤である。   Examples of the flame retardant include halogen-based, phosphorus-based, organic acid metal salt-based, and silicone-based flame retardants, and examples of the flame retardant auxiliary include fluororesin-based flame retardant auxiliary. A flame retardant and a flame retardant aid can be used in combination, or a plurality of flame retardants can be used in combination. Among these, phosphorus flame retardants, organic acid metal salt flame retardants, and fluororesin flame retardant aids are preferred.

リン系難燃剤としては芳香族リン酸エステルやホスファゼン化合物が挙げられる。有機酸金属塩系難燃剤としては、有機スルホン酸金属塩が好ましく含フッ素の有機スルホン酸金属塩が特に好ましく、具体的にはパーフルオロブタンスルホン酸カリウム等を例示できる。フッ素系難燃助剤としては、フルオロオレフィン樹脂が好ましく、フィブリル構造を有するテトラフルオロエチレン樹脂が例示できる。フッ素系難燃助剤はパウダー状でもディスパージョン状でも、フッ素樹脂を別の樹脂で被覆したパウダー状でも何れの形態であってもよい。   Examples of phosphorus flame retardants include aromatic phosphate esters and phosphazene compounds. As the organic acid metal salt flame retardant, an organic sulfonic acid metal salt is preferable, and a fluorine-containing organic sulfonic acid metal salt is particularly preferable. Specific examples thereof include potassium perfluorobutane sulfonate. As the fluorine-based flame retardant aid, a fluoroolefin resin is preferable, and a tetrafluoroethylene resin having a fibril structure can be exemplified. The fluorine-based flame retardant aid may be in a powder form, a dispersion form, a powder form in which a fluororesin is coated with another resin, or any form.

これらの難燃剤、難燃助剤の配合比率は所望の難燃レベルを達成するために必要な量を配合すればよいが、通常はポリカーボネート100重量部に対して、リン系難燃剤の場合で1〜20重量部の範囲、有機酸金属塩の場合は0.01〜1重量部の範囲、フッ素樹脂系難燃助剤の場合で0.01〜1重量部の範囲で配合することが好ましい。上記範囲で難燃剤、難燃助剤を1種類もしくは2種類以上を使用することができる。この範囲より少ないと難燃性の改良効果が出難くなり、これより多いと熱安定性、機械的特性が低下する傾向にあり好ましくない。なお、難燃レベルは、例えばUL94に代表される燃焼試験などにより判定することができる。   The blending ratio of these flame retardants and flame retardant aids may be blended in the amount necessary to achieve the desired flame retardant level, but is usually in the case of phosphorus flame retardants relative to 100 parts by weight of polycarbonate. It is preferably blended in the range of 1 to 20 parts by weight, in the case of organic acid metal salts in the range of 0.01 to 1 parts by weight, and in the case of fluororesin-based flame retardant aids in the range of 0.01 to 1 part by weight. . Within the above range, one or more flame retardants and flame retardant aids can be used. If the amount is less than this range, it is difficult to improve the flame retardancy. If the amount is more than this range, the thermal stability and mechanical properties tend to decrease, which is not preferable. The flame retardant level can be determined by, for example, a combustion test typified by UL94.

紫外線吸収剤としては、例えば、酸化セリウム、酸化亜鉛などの無機紫外線吸収剤;ベンゾトリアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、サリシレート化合物、シアノアクリレート化合物、トリアジン化合物、オギザニリド化合物、マロン酸エステル化合物、ヒンダードアミン化合物などの有機紫外線吸収剤などが挙げられる。これらのうち、有機紫外線吸収剤が好ましく、中でもベンゾトリアゾール化合物がより好ましい。有機紫外線吸収剤を選択することで、本発明のポリカーボネート樹脂組成物の透明性や機械物性が良好なものになる傾向にある。   Examples of the ultraviolet absorber include inorganic ultraviolet absorbers such as cerium oxide and zinc oxide; organics such as benzotriazole compounds, benzophenone compounds, salicylate compounds, cyanoacrylate compounds, triazine compounds, oxanilide compounds, malonic ester compounds, hindered amine compounds, etc. Examples include ultraviolet absorbers. Of these, organic ultraviolet absorbers are preferred, and benzotriazole compounds are more preferred. By selecting an organic ultraviolet absorber, the polycarbonate resin composition of the present invention tends to have good transparency and mechanical properties.

ベンゾトリアゾール化合物の具体例としては、例えば、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−3’,5’−ビス(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−ブチル−フェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−tert−ブチル−5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−ブチル−フェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール)、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−アミル)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−tert−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2’−メチレンビス[4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)−6−(2N−ベンゾトリアゾール−2−イル)フェノール]等が挙げられ、なかでも2−(2’−ヒドロキシ−5’−tert−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2'−メチレンビス[4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)−6−(2N−ベンゾトリアゾール−2−イル)フェノール]が好ましく、特に2−(2’−ヒドロキシ−5’−tert−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾールが好ましい。   Specific examples of the benzotriazole compound include, for example, 2- (2′-hydroxy-5′-methylphenyl) benzotriazole, 2- [2′-hydroxy-3 ′, 5′-bis (α, α-dimethylbenzyl). ) Phenyl] -benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-3 ′, 5′-di-tert-butyl-phenyl) -benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-3′-tert-butyl-5 ′) -Methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-tert-butyl-phenyl) -5-chlorobenzotriazole), 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-tert-amyl) -benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-tert-octylphenyl) benzotriazole, 2,2′-methylenebis [4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) -6- (2N-benzotriazol-2-yl) phenol] and the like, among others, 2- (2′- Hydroxy-5'-tert-octylphenyl) benzotriazole, 2,2'-methylenebis [4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) -6- (2N-benzotriazol-2-yl) phenol] And 2- (2′-hydroxy-5′-tert-octylphenyl) benzotriazole is particularly preferable.

このようなベンゾトリアゾール化合物としては、具体的には例えば、シプロ化成社製(商品名、以下同じ)「シーソーブ701」、「シーソーブ702」、「シーソーブ703」、「シーソーブ704」、「シーソーブ705」、「シーソーブ709」、共同薬品社製「バイオソーブ520」、「バイオソーブ580」、「バイオソーブ582」、「バイオソーブ583」、ケミプロ化成社製「ケミソーブ71」、「ケミソーブ72」、サイテックインダストリーズ社製「サイアソーブUV5411」、アデカ社製「LA−32」、「LA−38」、「LA−36」、「LA−34」、「LA−31」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「チヌビンP」、「チヌビン234」、「チヌビン326」、「チヌビン327」、「チヌビン328」等が挙げられる。   Specific examples of such benzotriazole compounds include “Seesorb 701”, “Seesorb 702”, “Seesorb 703”, “Seesorb 704”, and “Seesorb 705” manufactured by Sipro Kasei Co., Ltd. (trade names, the same applies hereinafter). , “Seasorb 709”, “Biosorb 520”, “Biosorb 580”, “Biosorb 582”, “Biosorb 583” manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd. “UV5411”, “LA-32”, “LA-38”, “LA-36”, “LA-34”, “LA-31”, manufactured by Adeka Corporation, “Tinuvin P”, “Cinuvin” manufactured by Ciba Specialty Chemicals 234 "," Tinubin 326 "," Tinubin 327 "," Tinubin 3 8 ", and the like.

紫外線吸収剤の好ましい含有量は、ポリカーボネート樹脂100重量部に対して、0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上であり、また、5重量部以下、好ましくは3重量部以下、より好ましくは1重量部以下、さらに好ましくは0.5重量部以下である。紫外線吸収剤の含有量が前記範囲の下限値以下の場合は、耐候性の改良効果が不十分となる可能性があり、紫外線吸収剤の含有量が前記範囲の上限値を超える場合は、モールドデボジット等が生じ、金型汚染を引き起こす可能性がある。なお、紫外線吸収剤は、1種が含有されていてもよく、2種以上が任意の組み合わせ及び比率で含有されていてもよい。   The preferable content of the ultraviolet absorber is 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, and 5 parts by weight or less, preferably 3 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polycarbonate resin. More preferably, it is 1 part by weight or less, and still more preferably 0.5 part by weight or less. If the content of the UV absorber is below the lower limit of the above range, the effect of improving the weather resistance may be insufficient, and if the content of the UV absorber exceeds the upper limit of the above range, the mold Debogit etc. may occur and cause mold contamination. In addition, 1 type may contain the ultraviolet absorber and 2 or more types may contain it by arbitrary combinations and a ratio.

本実施例において、波長変換部材5は、接着剤等の固着部材を用いて筐体2に固着される。また、波長変換部材5を筐体2cの側面を覆うように配置し、波長変換部材5と筐体2の側面とを紐等によって縛りつけてもよい。そして、波長変換部材5を構成する複数の発光糸状成形体11がほつれたり、或いはばらばらにならないように、発光糸状成形体11同士を接着剤で固定してもよく、波長変換部材5の縁部分を樹脂等で固めてもよく、又は他の糸等を用いて複数の発光糸状成形体11の端部を束にして固定してもよい。   In this embodiment, the wavelength conversion member 5 is fixed to the housing 2 using a fixing member such as an adhesive. Further, the wavelength conversion member 5 may be disposed so as to cover the side surface of the housing 2c, and the wavelength conversion member 5 and the side surface of the housing 2 may be bound by a string or the like. Then, the light emitting thread-shaped molded bodies 11 may be fixed with an adhesive so that the plurality of light emitting thread-shaped molded bodies 11 constituting the wavelength converting member 5 are not frayed or separated. May be hardened with a resin or the like, or the ends of the plurality of light-emitting filamentous molded bodies 11 may be fixed in a bundle using other yarns or the like.

次に、波長変換部材5の具体的な製造方法を説明する。先ず、YAG蛍光体、CASN蛍光体、及びSCASN蛍光体を8:1:1の重量比で混合して混色蛍光体を生成する。続いて、ポリカーボネート樹脂原料と混合し、溶融紡糸装置に投入する。その後、溶融紡糸装置内の温度を摂氏260度(260℃)以上に調整し、混色蛍光体とポリカーボネート樹脂原料とを混合した蛍光体混合ポリカーボネート樹脂を溶かす。そして、溶かした蛍光体混合ポリカーボネート樹脂の一部を引っ張ることで、断面の直径0.5mmの発光糸状成形体11が生成される。   Next, a specific method for manufacturing the wavelength conversion member 5 will be described. First, a YAG phosphor, CASN phosphor, and SCASN phosphor are mixed at a weight ratio of 8: 1: 1 to generate a color mixture phosphor. Subsequently, it is mixed with a polycarbonate resin raw material and put into a melt spinning apparatus. Thereafter, the temperature in the melt spinning apparatus is adjusted to 260 degrees Celsius (260 ° C.) or more, and the phosphor mixed polycarbonate resin obtained by mixing the mixed color phosphor and the polycarbonate resin raw material is melted. Then, by pulling a part of the melted phosphor mixed polycarbonate resin, a luminescent thread-like molded body 11 having a cross-sectional diameter of 0.5 mm is generated.

発光糸状成形体11を生成した後、公知の織機を用いて上述した工程を経て生成された発光糸状成形体11を織り(編み)込むことにより、波長変換部材5を形成する。より具体的には、形成する波長変換部材5の寸法に応じて、経糸11aの本数及び長さ及び緯糸11bの本数及び長さを決定し、経糸11aの間に緯糸11bを縫うようにして経糸11aと緯糸11bとを交互に上下に織り込み、波長変換部材5を形成する。すなわち、一般的な平織りによって波長変換部材5が形成されることになる。なお、織り方は、平織りに限定されることなく、綾織、又は朱子織であってもよい。   After generating the luminous filamentous molded body 11, the wavelength conversion member 5 is formed by weaving (knitting) the luminous filamentous molded body 11 generated through the above-described steps using a known loom. More specifically, the number and length of the warps 11a and the number and length of the wefts 11b are determined according to the dimensions of the wavelength conversion member 5 to be formed, and the warps 11b are sewn between the warps 11a. The wavelength conversion member 5 is formed by weaving 11a and wefts 11b alternately up and down. That is, the wavelength conversion member 5 is formed by a general plain weave. The weaving method is not limited to plain weaving, and may be twill weaving or satin weaving.

<実施例1の効果>
本実施例に係る半導体発光装置1においては、半導体発光装置1の構成部材である波長変換部材5が、LEDチップ4から入射される青色光の少なくとも一部を吸収して当該青色光とは異なる波長の赤色光及び黄色光を出射する蛍光体13、及び蛍光体13を保持する母材14からなる少なくとも1本の発光糸状成形体11を用いて面状に形成されている。このような構造を有する波長変換部材5は、比較的に容易に製造することができるため、半導体発光装置1及び波長変換部材5の製造工程の簡素化及び削減、並びに製造コストの低減を図ることができる。また、上述した構造を有する波長変換部材5は、その大きさを自在に変更することができるため、当該波長変換部材5を用いた半導体発光装置1においては、発光効率の低下を起こすことなく小型化及び高輝度化を図ることができる。
<Effect of Example 1>
In the semiconductor light emitting device 1 according to this example, the wavelength conversion member 5 that is a constituent member of the semiconductor light emitting device 1 absorbs at least part of the blue light incident from the LED chip 4 and is different from the blue light. It is formed in a planar shape using at least one luminescent thread-like molded body 11 composed of a phosphor 13 that emits red light and yellow light of a wavelength and a base material 14 that holds the phosphor 13. Since the wavelength conversion member 5 having such a structure can be manufactured relatively easily, the manufacturing process of the semiconductor light emitting device 1 and the wavelength conversion member 5 is simplified and reduced, and the manufacturing cost is reduced. Can do. In addition, since the wavelength conversion member 5 having the above-described structure can be freely changed in size, the semiconductor light emitting device 1 using the wavelength conversion member 5 is small without causing a decrease in light emission efficiency. And high brightness can be achieved.

また、本実施例に係る波長変換部材5を構成する母材14は、光透過率が80%以上であって曲げ弾性率が100MPa以上20000MPa以下であるため、波長変換部材5に良好な可撓性をもたらしつつ、波長変換部材5における光のロスを低減することできる。これにより、半導体発光装置1の形状に合わせて容易に波長変換部材5の形状を変化させることができ、良好な発光効率を有する半導体発光装置1を実現することができる。   Moreover, since the base material 14 constituting the wavelength conversion member 5 according to the present embodiment has a light transmittance of 80% or more and a flexural modulus of 100 MPa or more and 20000 MPa or less, the wavelength conversion member 5 has good flexibility. It is possible to reduce the loss of light in the wavelength conversion member 5 while providing the properties. Thereby, the shape of the wavelength conversion member 5 can be easily changed according to the shape of the semiconductor light-emitting device 1, and the semiconductor light-emitting device 1 having good light emission efficiency can be realized.

更に、本実施例に係る波長変換部材5においては、複数の発光糸状成形体11が編み込まれているため、波長変換部材5に複数の空隙が形成されている。このような空隙の存在により、波長変換部材5を通過する空気の対流を生成することができ、波長変換に伴う波長変換部材5の発熱による温度上昇を抑制することができる。   Furthermore, in the wavelength conversion member 5 according to the present embodiment, a plurality of light-emitting thread-like molded bodies 11 are knitted, so that a plurality of voids are formed in the wavelength conversion member 5. Due to the presence of such voids, convection of air passing through the wavelength conversion member 5 can be generated, and temperature rise due to heat generation of the wavelength conversion member 5 accompanying wavelength conversion can be suppressed.

そして、本実施例に係る波長変換部材5においては、複数の発光糸状成形体11の断面の直径が0.1mm以上3mm以下であるため、波長変換部材5が屈曲自在となり、波長変換部材5の形状を様々な形状(面状又は立体状)に変更することができる。これにより、波長変換部材5の金型の種類を増やすことなく、半導体発光装置1自体の外形パターンを増やすことができ、製造コストの増加を生じさせることなく、様々な形状の要望に応じて半導体発光装置1を製造することができる。   And in the wavelength conversion member 5 which concerns on a present Example, since the diameter of the cross section of the some light emitting filamentous molded object 11 is 0.1 mm or more and 3 mm or less, the wavelength conversion member 5 becomes bendable, and the wavelength conversion member 5 of FIG. The shape can be changed to various shapes (planar or three-dimensional). Thereby, the external pattern of the semiconductor light emitting device 1 itself can be increased without increasing the types of molds of the wavelength conversion member 5, and the semiconductor according to the request for various shapes without causing an increase in manufacturing cost. The light emitting device 1 can be manufactured.

<変形例>
上述した半導体発光装置1の構造は一例に過ぎず、各種の構成部材の構造及び形状は、本発明の要旨を変更しない範囲において任意に変更することが可能である。以下において、半導体発光装置1の構成部材の変形例を説明する。
<Modification>
The structure of the semiconductor light emitting device 1 described above is merely an example, and the structures and shapes of various components can be arbitrarily changed without departing from the scope of the present invention. Below, the modification of the structural member of the semiconductor light-emitting device 1 is demonstrated.

(波長変換部材の変形例)
上述した実施例において、LEDチップ4から放射される青色光と、蛍光体13から出射される黄色光及び赤色光とを合成し、波長変換部材5から擬似的に白色光を放射していたが、黄色蛍光体のみを母材14に含有させるようにしてもよい。このような場合であっても、青色光及び黄色光とから白色光を合成し、波長変換部材5から当該白色光を放射することができる。また、黄色光は赤色光と緑色光との合成光であるため、波長変換部材5が含有する蛍光体13を赤色蛍光体及び緑色蛍光体に代えてもよい。このような場合には、LEDチップ4から放射される青色光と、赤色蛍光体から放射される赤色光と、緑色蛍光体から放射される緑色光とを合成し、波長変換部材5から擬似的に白色光を放射することになる。
(Modification of wavelength conversion member)
In the embodiment described above, the blue light emitted from the LED chip 4 is combined with the yellow light and the red light emitted from the phosphor 13, and pseudo white light is emitted from the wavelength conversion member 5. Only the yellow phosphor may be included in the base material 14. Even in such a case, white light can be synthesized from blue light and yellow light, and the white light can be emitted from the wavelength conversion member 5. Further, since yellow light is a combined light of red light and green light, the phosphor 13 contained in the wavelength conversion member 5 may be replaced with a red phosphor and a green phosphor. In such a case, the blue light emitted from the LED chip 4, the red light emitted from the red phosphor, and the green light emitted from the green phosphor are synthesized, and are simulated from the wavelength conversion member 5. Will emit white light.

具体的な緑色蛍光体の発光ピーク波長は、通常は500nm以上、好ましくは510nm以上、より好ましくは515nm以上で、通常は550nm未満、好ましくは542nm以下、より好ましくは535nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、緑色蛍光体として例えば、(Y,Lu)3(Al,Ga)512:Ce、CaSc24:Ce、Ca3(Sc,Mg)2Si312:Ce、(Sr,Ba)2SiO4:Eu、(Si,Al)6(O,N)8:Eu(β−サイアロン)、(Ba,Sr)3Si612:N2:Eu、SrGa24:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Ba,Sr,Ca,Mg)Si222:Euが好ましい。 The emission peak wavelength of a specific green phosphor is usually 500 nm or more, preferably 510 nm or more, more preferably 515 nm or more, and usually less than 550 nm, preferably 542 nm or less, more preferably 535 nm or less. Is preferred. Among them, as the green phosphor, for example, (Y, Lu) 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, CaSc 2 O 4 : Ce, Ca 3 (Sc, Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu (β-sialon), (Ba, Sr) 3 Si 6 O 12 : N 2 : Eu, SrGa 2 S 4 : Eu BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn, (Ba, Sr, Ca, Mg) Si 2 O 2 N 2 : Eu are preferable.

また、上述した実施例に係る波長変換部材5において、ポリカーボネート樹脂である母材14内には蛍光体13のみが分散して保持されていたが、光拡散部材を母材14内に混入させてもよい。光拡散部材としは、例えば、無機系光拡散材、又は有機系光拡散材を用いることができる。   Further, in the wavelength conversion member 5 according to the above-described embodiment, only the phosphor 13 is dispersed and held in the base material 14 made of polycarbonate resin. However, the light diffusion member is mixed in the base material 14. Also good. As the light diffusing member, for example, an inorganic light diffusing material or an organic light diffusing material can be used.

更に、上述した実施例においては、発光糸状成形体11を織り込むことによって波長変換部材5を形成していたが、図6又は図7に示すような構造を備える波長変換部材25、35を形成してもよい。ここで、図6は変形例に係る波長変換部材25の部分拡大平面図であり、図7は変形例に係る波長変換部材35の部分拡大正面図である。なお、図6及び図7におけるX方向、Y方向、及びZ方向は、図1及び図2におけるX方向、Y方向、及びZ方向に対応している。   Further, in the above-described embodiment, the wavelength conversion member 5 is formed by weaving the luminescent filamentous molded body 11, but the wavelength conversion members 25 and 35 having the structure shown in FIG. 6 or 7 are formed. May be. Here, FIG. 6 is a partially enlarged plan view of the wavelength conversion member 25 according to the modification, and FIG. 7 is a partially enlarged front view of the wavelength conversion member 35 according to the modification. The X direction, Y direction, and Z direction in FIGS. 6 and 7 correspond to the X direction, Y direction, and Z direction in FIGS. 1 and 2.

図6に示すように、波長変換部材25は、発光糸状成形体11を網状に重ねた構造を備えている。すなわち、上述した実施例のように、経糸及び緯糸を織り込むようなことを行わず、X方向に延在する発光糸状成形体11及びY方向に延在する発光糸状成形体11を単に重ね合わせることのみより、波長変換部材25が形成されている。このような場合には、発光糸状成形体11がばらばらになる可能性が高いため、発光糸状成形体11同士を接着剤で固定してもよく、波長変換部材25の縁部分を樹脂等で固めてもよく、複数の発光糸状成形体11の端部を束にして固定してもよい。このような場合であっても、波長変換部材25は、発光糸状成形体11同士の間に形成された複数の空隙22を備えることとなり、優れた放熱性を備えることになる。   As shown in FIG. 6, the wavelength conversion member 25 has a structure in which the luminescent thread-like molded bodies 11 are overlapped in a net shape. That is, as in the above-described embodiment, the light-emitting thread-shaped molded body 11 extending in the X direction and the light-emitting thread-shaped molded body 11 extending in the Y direction are simply overlapped without weaving warps and wefts. As a result, the wavelength conversion member 25 is formed. In such a case, since there is a high possibility that the luminescent thread-like molded bodies 11 are separated, the luminescent thread-like molded bodies 11 may be fixed together with an adhesive, and the edge portion of the wavelength conversion member 25 is hardened with a resin or the like. Alternatively, the ends of the plurality of light emitting filamentous molded bodies 11 may be bundled and fixed. Even in such a case, the wavelength conversion member 25 includes a plurality of gaps 22 formed between the luminescent filamentous molded bodies 11 and has excellent heat dissipation.

そして、図6に示す波長変換部材25においては、織機等による織り込み工程を行う必要がなくなり、製造工程の簡素化及び製造コストの低減を図ることができる。また、織機等により織り込むような場合と比較して、空隙22の大きさを容易に調整することができ、波長変換部材25の放熱性の向上を図り易くなる。   And in the wavelength conversion member 25 shown in FIG. 6, it becomes unnecessary to perform the weaving process by a loom etc., and simplification of a manufacturing process and reduction of manufacturing cost can be aimed at. In addition, the size of the gap 22 can be easily adjusted as compared with the case of weaving with a loom or the like, and the heat dissipation of the wavelength conversion member 25 can be easily improved.

図7に示すように、波長変換部材35は、少なくとも1本の発光糸状成形体11が絡まった構造を備えている。すなわち、上述した実施例又は図6に係る変形例のように、複数の発光糸状成形体11を規則的に交差するように並べることを行わず、少なくとも1本の発光糸状成形体11を不規則に絡めて重ねることにより、所望の厚さを有する波長変換部材35が形成されている。   As shown in FIG. 7, the wavelength conversion member 35 has a structure in which at least one luminescent filamentous molded body 11 is entangled. That is, as in the above-described embodiment or the modification according to FIG. 6, at least one luminescent filamentous molded body 11 is irregularly arranged without regularly arranging a plurality of luminescent filamentous molded bodies 11 so as to intersect each other. As a result, the wavelength conversion member 35 having a desired thickness is formed.

このように発光糸状成形体11を絡めて重ねることにより、波長変換部材35としては可撓性を備えることになり、その形状を自在に変形することができる。また、このような場合であっても、波長変換部材25は、発光糸状成形体11同士の間に形成された複数の空隙32を備えることとなり、優れた放熱性を備えることになる。   In this way, by entwining and superposing the luminous filamentous molded body 11, the wavelength conversion member 35 has flexibility, and its shape can be freely deformed. Even in such a case, the wavelength conversion member 25 includes a plurality of gaps 32 formed between the luminescent filamentous molded bodies 11 and has excellent heat dissipation.

波長変換部材35の製造方法の一例としては、上述した実施例と同様に溶融紡糸装置を用いて硬化する状態前(すなわち、一部を引っ張ることで延びる状態)の発光糸状成形体11を生成する。そして、当該発光糸状成形体11の温度が低下して硬化する前に、発光糸状成形体11を冷却水内に投入する。この際、発光糸状成形体11の投入位置を移動させることにより、発光糸状成形体11を冷却水内で絡めつつ硬化することで、波長変換部材35が形成される。   As an example of the manufacturing method of the wavelength conversion member 35, the light emitting yarn-like formed body 11 is generated before being cured using a melt spinning apparatus (that is, a state in which the part is extended by pulling a part thereof) as in the above-described embodiment. . And before the temperature of the said luminescent thread-shaped molded object 11 falls and it hardens | cures, the luminescent thread-shaped molded object 11 is thrown in into cooling water. At this time, the wavelength conversion member 35 is formed by moving the charging position of the luminous filamentous molded body 11 and curing the luminous filamentous molded body 11 while entangled in the cooling water.

このように、本変形例の波長変換部材35は、1本の発光糸状成形体11から成形することができるため、発光糸状成形体11の長さの調整や規則的に並べる必要もなく、製造工程の簡素化を図ることができる。また、発光糸状成形体11を絡めるため、発光糸状成形体11がほつれたり、又はばらばらになることがなく、波長変換部材35の信頼性を高めることも可能である。   Thus, since the wavelength conversion member 35 of this modification can be molded from a single luminescent thread-shaped molded body 11, there is no need to adjust the length of the luminescent thread-shaped molded bodies 11 and arrange them regularly. Simplification of the process can be achieved. Further, since the luminescent thread-like molded body 11 is entangled, the luminescent thread-shaped molded body 11 is not frayed or separated, and the reliability of the wavelength conversion member 35 can be improved.

また、上述した実施例においては、波長変換部材5を形成する複数の発光糸状成形体11の構造は全て同一であったが、図8又は図9に示すように、構造が異なる複数の発光糸状成形体を備える波長変換部材45、55を形成してもよい。ここで、図8及び図9は、図5と同様にして示す、変形例に係る波長変換部材45、55の模式的な部分拡大平面図である。なお、図8及び図9におけるX方向及びY方向は、図2及び図5におけるX方向及びY方向に対応している。   Further, in the above-described embodiment, the structures of the plurality of luminescent filamentous molded bodies 11 forming the wavelength conversion member 5 are all the same, but as shown in FIG. 8 or FIG. You may form the wavelength conversion members 45 and 55 provided with a molded object. 8 and 9 are schematic partial enlarged plan views of the wavelength conversion members 45 and 55 according to the modification shown in the same manner as FIG. The X direction and Y direction in FIGS. 8 and 9 correspond to the X direction and Y direction in FIGS. 2 and 5.

図8に示すように、波長変換部材45は、2種類の発光糸状成形体41a、41bから形成されている。より具体的には、Y方向に延在する発光糸状成形体41aと、X方向に延在する発光糸状成形体41bとが網状に重ね合わせられることにより、波長変換部材45が形成されている。すなわち、波長変換部材45においては、上述した図6に係る変形例と同様に、発光糸状成形体同士が所定の間隔にて単に重ね合わせられ、複数の空隙42が形成されている。   As shown in FIG. 8, the wavelength conversion member 45 is formed of two types of light-emitting thread-like molded bodies 41a and 41b. More specifically, the wavelength conversion member 45 is formed by superimposing a luminescent thread-like molded body 41a extending in the Y direction and a luminescent thread-shaped molded body 41b extending in the X direction in a net shape. That is, in the wavelength conversion member 45, as in the above-described modification example shown in FIG. 6, the light-emitting thread-like molded bodies are simply overlapped at a predetermined interval to form a plurality of gaps 42.

Y方向に延在する発光糸状成形体41aは、YAG等の黄色蛍光体である蛍光体43aと、蛍光体43aを分散保持する母材44aとから構成されている。一方、X方向に延在する発光糸状成形体41bは、CASN及びSCASN等の赤色蛍光体である蛍光体43bと、蛍光体43bを分散保持する母材44bとから構成されている。このように、波長変換部材45は、異なる種類の蛍光体を含有する2種類の発光糸状成形体41a、41bから構成されている。すなわち、波長変換部材45は、互いに異なる発光特性を備える発光糸状成形体41a、41bから構成されている。なお、母材44aと母材44bとは、同一材料であってもよく、異なる材料であってよい。   The light emitting filamentary molded body 41a extending in the Y direction is composed of a phosphor 43a, which is a yellow phosphor such as YAG, and a base material 44a for dispersing and holding the phosphor 43a. On the other hand, the luminescent filamentary molded body 41b extending in the X direction is composed of a phosphor 43b that is a red phosphor such as CASN and SCASN, and a base material 44b that holds the phosphor 43b in a dispersed manner. Thus, the wavelength conversion member 45 is composed of two types of light-emitting thread-like molded bodies 41a and 41b containing different types of phosphors. That is, the wavelength conversion member 45 is composed of the light emitting filamentary molded bodies 41a and 41b having different light emission characteristics. The base material 44a and the base material 44b may be the same material or different materials.

このような波長変換部材45においては、発光糸状成形体41a、41bの本数及び長さ等を調整することにより、波長変換部材45から出射する合成白色光の色、色度、色温度等の特性を自在に調整することができる。例えば、波長変換部材45から出射する合成白色光を黄味がかった色にする場合には、発光糸状成形体41aの本数を多くする方法がとられることになり、波長変換部材45から出射する合成白色光を赤味がかった色にする場合には、発光糸状成形体41bの本数を多くする方法がとられることになる。   In such a wavelength conversion member 45, characteristics such as the color, chromaticity, and color temperature of the synthetic white light emitted from the wavelength conversion member 45 are adjusted by adjusting the number and length of the light emitting thread-like molded bodies 41a and 41b. Can be adjusted freely. For example, when the synthetic white light emitted from the wavelength conversion member 45 is changed to a yellowish color, a method of increasing the number of the light-emitting thread-like molded bodies 41a is taken, and the synthesis emitted from the wavelength conversion member 45 is performed. When white light is changed to a reddish color, a method of increasing the number of the light-emitting thread-like molded bodies 41b is used.

一方、図9に示すように、波長変換部材55は、4種類の発光糸状成形体51a、51b、51c、51dから形成されている。より具体的には、Y方向に延在する発光糸状成形体51a、51bと、X方向に延在する発光糸状成形体51c、51dとが網状に重ね合わせられることにより、波長変換部材55が形成されている。すなわち、波長変換部材55においては、上述した図6及び図8に係る変形例と同様に、発光糸状成形体同士が所定の間隔にて単に重ね合わせられ、複数の空隙52が形成されている。   On the other hand, as shown in FIG. 9, the wavelength conversion member 55 is formed of four types of luminescent filamentous molded bodies 51 a, 51 b, 51 c, and 51 d. More specifically, the wavelength conversion member 55 is formed by superimposing the luminescent thread-like molded bodies 51a and 51b extending in the Y direction and the luminescent thread-like molded bodies 51c and 51d extending in the X direction in a net shape. Has been. That is, in the wavelength conversion member 55, as in the above-described modifications according to FIGS. 6 and 8, the luminescent thread-like molded bodies are simply overlapped at a predetermined interval, and a plurality of gaps 52 are formed.

Y方向に延在する発光糸状成形体51a、51bは、YAG等の黄色蛍光体である蛍光体53aと、蛍光体53aを分散保持する母材54aとから構成されている。ここで、発光糸状成形体51aと発光糸状成形体51bとの相違は蛍光体53aの含有量であり、発光糸状成形体51aにおける蛍光体53aの含有量が発光糸状成形体51bにおける蛍光体53aの含有量よりも少なくなっている。一方、X方向に延在する発光糸状成形体51c、51dは、CASN及びSCASN等の赤色蛍光体である蛍光体53bと、蛍光体53bを分散保持する母材54bとから構成されている。ここで、発光糸状成形体51cと発光糸状成形体51dとの相違は蛍光体53bの含有量であり、発光糸状成形体51cにおける蛍光体53bの含有量が発光糸状成形体51dにおける蛍光体53bの含有量よりも少なくなっている。このように、波長変換部材55は、蛍光体の種類及び蛍光体の含有量が異なる、すなわち発光特性が互いに異なる4種類の発光糸状成形体51a、51b、51c、51dから構成されている。なお、図8の変形例と同様に、母材54aと母材54bとは、同一材料であってもよく、異なる材料であってよい。   The light emitting thread-like molded bodies 51a and 51b extending in the Y direction are composed of a phosphor 53a that is a yellow phosphor such as YAG and a base material 54a that holds the phosphor 53a in a dispersed manner. Here, the difference between the luminescent thread-shaped molded body 51a and the luminescent thread-shaped molded body 51b is the content of the phosphor 53a, and the content of the phosphor 53a in the luminescent thread-shaped molded body 51a is the same as that of the phosphor 53a in the luminescent thread-shaped molded body 51b. It is less than the content. On the other hand, the luminous filamentous molded bodies 51c and 51d extending in the X direction are composed of a phosphor 53b that is a red phosphor such as CASN and SCASN, and a base material 54b that holds the phosphor 53b in a dispersed manner. Here, the difference between the luminescent thread-like molded body 51c and the luminescent thread-like molded body 51d is the content of the phosphor 53b, and the content of the phosphor 53b in the luminescent thread-like molded body 51c is the same as that of the phosphor 53b in the luminescent thread-like molded body 51d. It is less than the content. As described above, the wavelength conversion member 55 is composed of four types of luminescent filamentous molded bodies 51a, 51b, 51c, and 51d having different phosphor types and phosphor contents, that is, having different emission characteristics. As in the modification of FIG. 8, the base material 54a and the base material 54b may be the same material or different materials.

このような波長変換部材55においても、図8に係る波長変換部材45と同様に、発光糸状成形体51a、51b、51c、51dの本数及び長さ等を調整することにより、波長変換部材45から出射する合成白色光の色、色度、色温度等の特性を自在に調整することができる。   In such a wavelength conversion member 55 as well as the wavelength conversion member 45 according to FIG. 8, by adjusting the number and length of the light-emitting thread-like molded bodies 51 a, 51 b, 51 c and 51 d, Characteristics such as color, chromaticity, and color temperature of the emitted synthetic white light can be freely adjusted.

また、発光糸状成形体51a、51bを交互に配置することなく、所定の領域に発光糸状成形体51a又は51bのいずれかを多く配置することにより、半導体発光装置1から出射する合成白色光に色むらを備えさせてもよい。同様に、発光糸状成形体51c、51dについても、所定の領域にいずれかを多く配置してもよい。例えば、波長変換部材55を半分に分けた場合に、一方の領域に発光糸状成形体51aを多く配置し、他方の領域に発光糸状成形体51bを多く配置することにより、半導体発光装置1から出射する合成白色光の黄色みを上述した領域ごとに異ならしめてもよい。   In addition, by arranging a large number of the light-emitting thread-like molded bodies 51a or 51b in a predetermined region without alternately arranging the light-emitting thread-shaped molded bodies 51a and 51b, the synthetic white light emitted from the semiconductor light-emitting device 1 is colored. Unevenness may be provided. Similarly, any of the light-emitting thread-like molded bodies 51c and 51d may be arranged in a predetermined region. For example, when the wavelength conversion member 55 is divided in half, a large number of light-emitting thread-shaped molded bodies 51a are arranged in one region, and a large number of light-emitting thread-shaped molded bodies 51b are arranged in the other region, so The yellow color of the synthesized white light may be made different for each region described above.

なお、図8及び図9に係る変形例においては、複数の発光糸成形体を単に重ね合わせることにより、波長変換部材45、55を形成していたが、上述した実施例と同様にして複数の発光糸状成形体を織り込む、又は図7に係る変形例と同様にして複数の発光糸状成形体を絡ませることにより波長変換部材45、55を形成してもよい。また、各発光糸状成形体が含有する蛍光体は、黄色蛍光体及び赤色蛍光体に限定されることなく、各色光を出射する蛍光体を用いることができ、各色の蛍光体を含有する発光糸状成形体をランダムに配置してもよい。   8 and 9, the wavelength conversion members 45 and 55 are formed by simply superimposing a plurality of light-emitting yarn molded bodies. The wavelength conversion members 45 and 55 may be formed by weaving a light-emitting thread-shaped molded body or tangling a plurality of light-emitting thread-shaped molded bodies in the same manner as the modified example shown in FIG. Further, the phosphors contained in the respective light emitting filaments are not limited to yellow phosphors and red phosphors, and phosphors that emit light of each color can be used, and light emitting filaments containing phosphors of respective colors. You may arrange | position a molded object at random.

更に、上述した実施例においては、波長変換部材5を形成する全ての発光糸状成形体11が蛍光体13を含有し、青色光を波長変換して黄色光又は赤色光を出射することができたが、図10又は図11に示すように、非発光糸状成形体を備える波長変換部材65、75を形成してもよい。ここで、図10及び図11は、図5と同様にして示す、変形例に係る波長変換部材65、75の部分拡大平面図である。なお、図10及び図11におけるX方向及びY方向は、図5におけるX方向及びY方向に対応している。   Further, in the above-described embodiment, all the light emitting filamentous molded bodies 11 forming the wavelength conversion member 5 contain the phosphor 13, and were able to convert the wavelength of blue light to emit yellow light or red light. However, as shown in FIG. 10 or FIG. 11, the wavelength conversion members 65 and 75 including the non-light emitting thread-shaped molded body may be formed. Here, FIGS. 10 and 11 are partially enlarged plan views of the wavelength conversion members 65 and 75 according to the modification shown in the same manner as FIG. Note that the X direction and the Y direction in FIGS. 10 and 11 correspond to the X direction and the Y direction in FIG. 5.

図10に示すように、波長変換部材65は、経糸11a、緯糸11b、及び擬似糸61から形成されている。より具体的には、Y方向に延在する経糸11a及び擬似糸61が、X方向に延在する緯糸11bによって織り込まれている。すなわち、波長変換部材65は、上述した実施例に係る波長変換部材5における経糸11aの一部が擬似糸61に代わった構造を備えている。ここで、経糸11a及び緯糸11bについては、上述した実施例と同一材料からなるため、その説明は省略する。   As shown in FIG. 10, the wavelength conversion member 65 is formed of warp yarns 11 a, weft yarns 11 b, and pseudo yarns 61. More specifically, the warp yarn 11a and the pseudo yarn 61 extending in the Y direction are woven by the weft yarn 11b extending in the X direction. That is, the wavelength conversion member 65 has a structure in which a part of the warp yarn 11a in the wavelength conversion member 5 according to the above-described embodiment is replaced with the pseudo yarn 61. Here, the warp yarn 11a and the weft yarn 11b are made of the same material as that of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.

擬似糸61は、例えば、母材14のみからなり、蛍光体を含有しない非発光糸状成形体である。従って、擬似糸61にLEDチップからの青色光が入射しても、当該青色光は波長変換されることなく、擬似糸61を透過することになる。このように、波長変換部材65が擬似糸61を含むことにより、合成白色光を構成する青色光の量を多くすることができ、合成白色光を青味がかった白色にすることができる。また、蛍光体を含有しない非発光糸状成形体を多くすることにより、蛍光体のコストを削減することができ、波長変換部材65及び半導体発光装置1自体のコストの低減にも繋がることになる。   The pseudo-yarn 61 is, for example, a non-light-emitting thread-like molded body made of only the base material 14 and containing no phosphor. Therefore, even if blue light from the LED chip is incident on the pseudo yarn 61, the blue light is transmitted through the pseudo yarn 61 without being wavelength-converted. Thus, when the wavelength conversion member 65 includes the pseudo yarn 61, the amount of blue light constituting the synthetic white light can be increased, and the synthetic white light can be made bluish white. Further, by increasing the number of non-light emitting thread-like molded bodies that do not contain a phosphor, the cost of the phosphor can be reduced, and the cost of the wavelength conversion member 65 and the semiconductor light emitting device 1 itself can be reduced.

図11に示すように、波長変換部材75は、経糸11a、緯糸11b、及び放熱糸71から形成されている。より具体的には、Y方向に延在する経糸11a及び放熱糸71が、X方向に延在する緯糸11bによって織り込まれている。すなわち、波長変換部材75は、上述した実施例に係る波長変換部材5における経糸11aの一部が放熱糸71に代わった構造を備えている。ここで、経糸11a及び緯糸11bについては、上述した実施例と同一材料からなるため、その説明は省略する。   As shown in FIG. 11, the wavelength conversion member 75 is formed of warp yarns 11 a, weft yarns 11 b, and heat radiation yarns 71. More specifically, the warp yarn 11a and the heat radiating yarn 71 extending in the Y direction are woven by the weft yarn 11b extending in the X direction. That is, the wavelength conversion member 75 has a structure in which a part of the warp yarn 11a in the wavelength conversion member 5 according to the above-described embodiment is replaced with the heat dissipation yarn 71. Here, the warp yarn 11a and the weft yarn 11b are made of the same material as that of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.

放熱糸71は、比較的に熱伝導率が高く、LEDチップ4から放射される青色光、並びに蛍光体13から出射される黄色光及び赤色光を反射する材料から構成されていることが好ましい。特に、擬似糸61は、アルミニウム、銀、金、白金等の金属材料から構成されていることが好ましい。このように波長変換部材75内に放熱糸71が存在することにより、波長変換部材75が青色光を吸収して黄色光又は赤色光に変化する際に生じる熱を効率良く外部に放熱することが可能になる。また、放熱糸71が上述したような反射特性を備えことにより、放熱糸71によって各色の光が吸収されることがなくなり、半導体発光装置1としての発光効率の低下を抑制することができる。   The heat dissipation yarn 71 is preferably made of a material that has a relatively high thermal conductivity and reflects blue light emitted from the LED chip 4 and yellow light and red light emitted from the phosphor 13. In particular, the pseudo yarn 61 is preferably made of a metal material such as aluminum, silver, gold, or platinum. In this way, the existence of the radiating yarn 71 in the wavelength conversion member 75 can efficiently radiate the heat generated when the wavelength conversion member 75 absorbs blue light and changes to yellow light or red light to the outside. It becomes possible. In addition, since the heat radiating yarn 71 has the reflection characteristics as described above, light of each color is not absorbed by the heat radiating yarn 71, and a decrease in light emission efficiency as the semiconductor light emitting device 1 can be suppressed.

なお、放熱糸71は、ペルチェ素子から構成されていてもよい。このような場合には、上述した金属材料から構成される場合と比較して、一層の冷却効果を奏することが可能になる。   The heat dissipating yarn 71 may be composed of a Peltier element. In such a case, it is possible to achieve a further cooling effect as compared with the case where the above-described metal material is used.

(LEDチップの変形例)
上述した実施例においては、半導体発光装置1の光源として青色光を放射するLEDチップ4を用いたが、半導体発光装置1から白色光を放射することができれば、青色光を放射するLEDチップ4に限定されることなく、例えば、紫外線を放射する他のLEDチップや、近紫外チップ、紫色LEDチップを用いてもよい。このような場合、波長変換部材5を構成する各発光糸状成形体11が、当該波長の光を励起光として吸収して赤色光を放射する赤色蛍光体、紫外線を吸収して緑色光を放射する緑色蛍光体、及び紫外線を吸収して青色光を放射する青色蛍光体を分散して保持してもよい。また、赤色蛍光体のみを含有する赤色発光糸状成形体、緑色蛍光体のみを含有する緑色発光糸状成形体、及び青色蛍光体のみを含有する青色発光糸状成形体を形成し、これらの発光糸状成形体を織り込んで波長変換部材5を形成してもよい。このようなLEDチップが発する光のピーク波長は、400nm〜420nmの波長範囲内にあることが好ましく、405nm〜415nmの波長範囲内にあることがより好ましい。
(Modification of LED chip)
In the embodiment described above, the LED chip 4 that emits blue light is used as the light source of the semiconductor light emitting device 1. However, if white light can be emitted from the semiconductor light emitting device 1, the LED chip 4 that emits blue light is used. Without limitation, for example, other LED chips that emit ultraviolet rays, near-ultraviolet chips, or purple LED chips may be used. In such a case, each luminescent filamentous molded body 11 constituting the wavelength conversion member 5 absorbs light of the wavelength as excitation light and emits red light, and absorbs ultraviolet light and emits green light. The green phosphor and the blue phosphor that absorbs ultraviolet rays and emits blue light may be dispersed and held. Further, a red luminescent thread-like molded body containing only a red phosphor, a green luminescent thread-like molded body containing only a green phosphor, and a blue luminescent thread-like molded body containing only a blue phosphor are formed, and these luminescent thread-like molded bodies are formed. The wavelength conversion member 5 may be formed by weaving a body. The peak wavelength of light emitted from such an LED chip is preferably in the wavelength range of 400 nm to 420 nm, and more preferably in the wavelength range of 405 nm to 415 nm.

具合的な赤色蛍光体の発光ピーク波長、及び緑色蛍光体の発光ピーク波長は、上述したものと同一である。   The specific emission peak wavelength of the red phosphor and the emission peak wavelength of the green phosphor are the same as those described above.

具体的な青色蛍光体の発光ピーク波長は、通常は420nm以上、好ましくは430nm以上、より好ましくは440nm以上で、通常は500nm未満、好ましくは490nm以下、より好ましくは480nm以下、更に好ましくは470nm以下、特に好ましくは460nm以下の波長範囲にあるものが好適である。中でも、青色蛍光体として例えば、(Ca,Sr,Ba)MgAl1017:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO46(Cl,F)2:Eu、(Ba,Ca,Mg,Sr)2SiO4:Eu、(Ba,Ca,Sr)3MgSi28:Euが好ましく、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu、(Ca,Sr,Ba)10(PO46(Cl,F)2:Eu、Ba3MgSi28:Euがより好ましく、Sr10(PO46Cl2:Eu、BaMgAl1017:Euが特に好ましい。 The emission peak wavelength of a specific blue phosphor is usually 420 nm or more, preferably 430 nm or more, more preferably 440 nm or more, usually less than 500 nm, preferably 490 nm or less, more preferably 480 nm or less, and even more preferably 470 nm or less. Particularly preferred are those in the wavelength range of 460 nm or less. Among them, as the blue phosphor, for example, (Ca, Sr, Ba) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu, (Ba, Ca , Mg, Sr) 2 SiO 4 : Eu, (Ba, Ca, Sr) 3 MgSi 2 O 8 : Eu are preferred, and (Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 10 (PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu, Ba 3 MgSi 2 O 8 : Eu are more preferable, and Sr 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu and BaMgAl 10 O 17 : Eu are particularly preferable.

実施例1に係る半導体発光装置1の波長変換部材5は面状に形成されていたが、波長変換部材5を立体的に形成し、当該立体的な波長変換部材を用いて半導体発光装置を構成してもよい。図12及び図13を参照しつつ、このような半導体発光装置101を実施例2として説明する。ここで、図12は半導体発光装置101の概略を示す斜視図であり、図13は図12における線XIII−XIIIに沿った断面図である。なお、図12及び図13におけるX方向、Y方向、Z方向は、図1及び図4における各方向と同一方向を示している。   Although the wavelength conversion member 5 of the semiconductor light emitting device 1 according to the first embodiment is formed in a planar shape, the wavelength conversion member 5 is three-dimensionally formed and the semiconductor light emitting device is configured using the three-dimensional wavelength conversion member. May be. Such a semiconductor light emitting device 101 will be described as Example 2 with reference to FIGS. 12 and 13. Here, FIG. 12 is a perspective view schematically showing the semiconductor light emitting device 101, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. In addition, the X direction, Y direction, and Z direction in FIG.12 and FIG.13 have shown the same direction as each direction in FIG.1 and FIG.4.

図12及び図13から分かるように、半導体発光装置101は、複数の略直方体状の配線基板103、配線基板103上に実装されたLEDチップ104、LEDチップ104の上方に設けられた光学レンズ110、及びLEDチップ104から放射される光の少なくとも一部を波長変換する機能を有する波長変換部材105から構成されている。ここで、LEDチップ104の構造及び種類は実施例1のLEDチップ4の構造及び種類と同一であり、波長変換部材105の構造は実施例1の波長変換部材5の構造と同一であるため、共通する構成については、その説明を省略する。   As can be seen from FIGS. 12 and 13, the semiconductor light emitting device 101 includes a plurality of substantially rectangular parallelepiped wiring boards 103, LED chips 104 mounted on the wiring boards 103, and optical lenses 110 provided above the LED chips 104. , And a wavelength conversion member 105 having a function of converting the wavelength of at least part of light emitted from the LED chip 104. Here, the structure and type of the LED chip 104 are the same as the structure and type of the LED chip 4 of Example 1, and the structure of the wavelength conversion member 105 is the same as the structure of the wavelength conversion member 5 of Example 1. The description of the common configuration is omitted.

本実施例における半導体発光装置101においては、8枚の配線基板103が放射状に配置され、1つの配線基体を構成している。従って、本実施例における半導体発光装置101は、実施例1の半導体発光装置1と異なり、当該配線基体側にも複数の空隙117が形成されている。また、各配線基板103のチップ実装面103aは、LEDチップ104の1個が搭載される程の幅を有しており、実施例1の実装基板3よりもその幅が小さくなっている。各配線基板103には、2個のLEDチップ103が実装されており、半導体発光装置1としては、合計16個のLEDチップ103が実装されている。なお、本実施例において、8枚の配線基板103は接着剤等の固着部材により固着されているが、これに限定されることなく、例えば、上記配線基体と同一形状の配線基体を予め一体的に形成するようにしてもよい。   In the semiconductor light emitting device 101 according to the present embodiment, eight wiring boards 103 are arranged radially to constitute one wiring substrate. Therefore, unlike the semiconductor light emitting device 1 in the first embodiment, the semiconductor light emitting device 101 in the present embodiment has a plurality of gaps 117 formed on the wiring substrate side. Further, the chip mounting surface 103a of each wiring substrate 103 has such a width that one LED chip 104 is mounted, and the width is smaller than that of the mounting substrate 3 of the first embodiment. Two LED chips 103 are mounted on each wiring board 103, and a total of 16 LED chips 103 are mounted as the semiconductor light emitting device 1. In this embodiment, the eight wiring boards 103 are fixed by a fixing member such as an adhesive. However, the present invention is not limited to this. For example, a wiring base having the same shape as the wiring base is integrated in advance. You may make it form in.

本実施例における波長変換部材105は、全体として湾曲し、配線基板103のチップ実装面103a、LEDチップ104、及び光学レンズ110を離間して覆うように配置されている。すなわち、波長変換部材105はその外形がお椀状に形成されており、半導体発光装置101の外形がドーム状となっている。これにより、配線基板103と波長変換部材105との間に、LEDチップ104及び光学レンズ110を収納するための部材収納空間105aが形成されることになる。ここで、波長変換部材105は、実施例1の波長変換部材5と同様に、複数の発光糸状成形体から構成されているため、優れた可撓性を有しており、これにより、全体的に湾曲させることができる。また、波長変換部材105は、半導体発光装置101の縁部分を構成する各配線基板103の外側端部に、接着剤等を使用して固着されている。   The wavelength conversion member 105 in this embodiment is curved as a whole and is disposed so as to cover the chip mounting surface 103a of the wiring substrate 103, the LED chip 104, and the optical lens 110 in a spaced manner. That is, the outer shape of the wavelength conversion member 105 is formed in a bowl shape, and the outer shape of the semiconductor light emitting device 101 is a dome shape. As a result, a member storage space 105 a for storing the LED chip 104 and the optical lens 110 is formed between the wiring substrate 103 and the wavelength conversion member 105. Here, since the wavelength conversion member 105 is composed of a plurality of luminescent thread-like molded bodies, similarly to the wavelength conversion member 5 of Example 1, it has excellent flexibility. Can be curved. Further, the wavelength conversion member 105 is fixed to the outer end portion of each wiring substrate 103 constituting the edge portion of the semiconductor light emitting device 101 using an adhesive or the like.

光学レンズ110は、一般的な平凸レンズであり、LEDチップ104から放射する青色光を一定の方向に集光する。これにより、半導体発光装置101から出射する合成白色光をスポット的に照射することが可能になる。光学レンズ110は、平凸レンズに限定されることなく、光を集光することができる様々なレンズを用いることができる。なお、半導体発光装置101から出射する合成白色光をスポット的に照射するのでなく、全体的に広がるように合成白色光を照射する場合には、光学レンズ110を凹レンズにすることが好ましい。これは、LEDチップ104から出射する青色光を発散させ、波長変換部材105の大部分に対して青色光を出射させるためである。   The optical lens 110 is a general plano-convex lens and collects blue light emitted from the LED chip 104 in a certain direction. Thereby, it becomes possible to irradiate the synthetic white light emitted from the semiconductor light emitting device 101 in a spot manner. The optical lens 110 is not limited to a plano-convex lens, and various lenses that can collect light can be used. In addition, when irradiating synthetic white light so that it may spread as a whole instead of spotting synthetic white light emitted from the semiconductor light emitting device 101, it is preferable that the optical lens 110 be a concave lens. This is because the blue light emitted from the LED chip 104 is diverged and the blue light is emitted to most of the wavelength conversion member 105.

本実施例の半導体発光装置101においては、複数の配線基板103から空隙117を有する配線基体が構成されているため、配線基板103から波長変換部材105に亘る空気の流れを生じさせることが可能になる。すなわち、部材収納空間105a内に対流を生じさせることができる。これにより、LEDチップ103及び波長変換部材105に対する冷却効果を向上させることができる。   In the semiconductor light emitting device 101 of the present embodiment, the wiring substrate having the gap 117 is formed from the plurality of wiring boards 103, so that an air flow from the wiring board 103 to the wavelength conversion member 105 can be generated. Become. That is, convection can be generated in the member storage space 105a. Thereby, the cooling effect with respect to the LED chip 103 and the wavelength conversion member 105 can be improved.

実施例2に係る半導体発光装置101においては、波長変換部材105の外形がドーム状(半球状)に形成されていたが、波長変換部材の外形を球状に形成し、当該立体的な波長変換部材を用いて半導体発光装置を構成してもよい。図14及び図15を参照しつつ、このような半導体発光装置201を実施例3として説明する。ここで、図14は半導体発光装置201の概略を示す斜視図であり、図15は図14における線XV−XVに沿った断面図である。   In the semiconductor light emitting device 101 according to Example 2, the outer shape of the wavelength conversion member 105 is formed in a dome shape (hemisphere). However, the outer shape of the wavelength conversion member is formed in a spherical shape, and the three-dimensional wavelength conversion member is formed. A semiconductor light emitting device may be configured using the above. Such a semiconductor light emitting device 201 will be described as Example 3 with reference to FIGS. Here, FIG. 14 is a perspective view schematically showing the semiconductor light emitting device 201, and FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG.

図14及び図15から分かるように、半導体発光装置201は、1つの直方体状の配線基板203、1つのLEDチップ204、LEDチップ204の上方に設けられた光学レンズ210、及びLEDチップ204から放射される光の少なくとも一部を波長変換する機能を有する波長変換部材205から構成されている。ここで、配線基板203上に実装されるLEDチップ204の数量は、実施例1の半導体発光装置1とは異なり1個であるものの、配線基板203の基本的な構成は実施例1の配線基板3と同様であり、LEDチップ204の構造及び種類は実施例1のLEDチップ4の構造及び種類と同一であるため、共通する構成については、その説明を省略する。また、波長変換部材205の構造は実施例1の波長変換部材5の構造と同一であるため、共通する構成については、その説明を省略する。   As can be seen from FIGS. 14 and 15, the semiconductor light emitting device 201 emits radiation from one rectangular parallelepiped wiring board 203, one LED chip 204, an optical lens 210 provided above the LED chip 204, and the LED chip 204. It is comprised from the wavelength conversion member 205 which has the function to wavelength-convert at least one part of the light to be performed. Here, the number of LED chips 204 mounted on the wiring board 203 is one, unlike the semiconductor light emitting device 1 of the first embodiment, but the basic configuration of the wiring board 203 is the wiring board of the first embodiment. 3 and the structure and type of the LED chip 204 are the same as the structure and type of the LED chip 4 of the first embodiment, and therefore, the description of the common configuration is omitted. Moreover, since the structure of the wavelength conversion member 205 is the same as the structure of the wavelength conversion member 5 of Example 1, the description is abbreviate | omitted about a common structure.

本実施例における波長変換部材205は、全体として湾曲し、LEDチップ204、及び光学レンズ210を離間して覆うように配置されている。より具体的には、波長変換部材205の外形は球状に形成され、配線基板203の外形に合わせて開口が設けられており、当該開口にLEDチップ204及び光学レンズ210が実装された状態の配線基板203が嵌め込まれている。これにより、配線基板203と波長変換部材105との間に、LEDチップ204及び光学レンズ210を収納するための略球状の部材収納空間205aが形成されている。ここで、波長変換部材205は、実施例1の波長変換部材5と同様に、複数の発光糸状成形体から構成されているため、優れた可撓性を有しており、これにより、全体的に湾曲させることができる。   The wavelength conversion member 205 in this embodiment is curved as a whole and is disposed so as to cover the LED chip 204 and the optical lens 210 separately. More specifically, the wavelength conversion member 205 has a spherical outer shape, and an opening is provided in accordance with the outer shape of the wiring board 203. The wiring in a state where the LED chip 204 and the optical lens 210 are mounted in the opening. A substrate 203 is fitted. Thereby, a substantially spherical member storage space 205 a for storing the LED chip 204 and the optical lens 210 is formed between the wiring substrate 203 and the wavelength conversion member 105. Here, since the wavelength conversion member 205 is composed of a plurality of light-emitting thread-like molded bodies similarly to the wavelength conversion member 5 of Example 1, the wavelength conversion member 205 has excellent flexibility. Can be curved.

本実施例においては、光学レンズ210として、拡散レンズが使用されている。これにより、LEDチップ204から出射する青色光を波長変換部材205の全面に向けて出射することができ、半導体発光装置201から出射される合成白色光を比較的に広範囲に出射することができる。   In this embodiment, a diffusion lens is used as the optical lens 210. Thereby, the blue light emitted from the LED chip 204 can be emitted toward the entire surface of the wavelength conversion member 205, and the synthetic white light emitted from the semiconductor light emitting device 201 can be emitted in a relatively wide range.

本実施例においては、織り込む発光糸状成形体11の数量及び長さを変更することにより、波長変換部材205の寸法を自在調整することができるため、1個のLEDチップ204を光源とするような比較的小型の半導体発光装置201を実現することが可能になる。   In the present embodiment, by changing the quantity and length of the light-emitting thread-like molded body 11 to be woven, the dimensions of the wavelength conversion member 205 can be freely adjusted, so that one LED chip 204 is used as a light source. A relatively small semiconductor light emitting device 201 can be realized.

本実施例に係る半導体発光装置201は、例えば、電球等の光源として用いることが可能になる。   The semiconductor light emitting device 201 according to the present embodiment can be used as a light source such as a light bulb, for example.

実施例3に係る半導体発光装置203においては、波長変換部材205の外形を球状に構成し、波長変換部材205によって1つのLEDチップ及び1つの光学レンズ210が離間して囲まれることにより、従来のような電球と同様の形状の半導体発光装置203が構成されていたが、球状の波長変換部材内に複数のLEDチップ及び光学レンズを設けるようにしてもよい。図16及び図17を参照しつつ、このような半導体発光装置301を実施例4として説明する。ここで、図16は半導体発光装置301の概略を示す斜視図であり、図17は図16における線XVII−XVIIに沿った断面図である。   In the semiconductor light emitting device 203 according to Example 3, the outer shape of the wavelength conversion member 205 is formed in a spherical shape, and one LED chip and one optical lens 210 are surrounded by the wavelength conversion member 205 so as to be separated from the conventional one. Although the semiconductor light emitting device 203 having the same shape as the light bulb is configured, a plurality of LED chips and optical lenses may be provided in a spherical wavelength conversion member. Such a semiconductor light emitting device 301 will be described as Example 4 with reference to FIGS. 16 and 17. Here, FIG. 16 is a perspective view schematically showing the semiconductor light emitting device 301, and FIG. 17 is a sectional view taken along line XVII-XVII in FIG.

図16及び図17から分かるように、半導体発光装置301は、正六面体状の配線基体303、配線基体303の6つ面のそれぞれに実装されたLEDチップ304、LEDチップ304の上方に設けられた光学レンズ310、LEDチップ304から放射される光の少なくとも一部を波長変換する機能を有する波長変換部材305、配線基体303に電力を供給するための電力供給配線315、及び配線基体303を保持するための保持棒316から構成されている。ここで、LEDチップ304の構造及び種類は実施例1のLEDチップ4の構造及び種類と同一であり、波長変換部材305の構造は実施例1の波長変換部材5の構造と同一であるため、共通する構成については、その説明を省略する。   As can be seen from FIGS. 16 and 17, the semiconductor light emitting device 301 is provided on a regular hexahedron-shaped wiring base 303, an LED chip 304 mounted on each of the six surfaces of the wiring base 303, and the LED chip 304. The optical lens 310, the wavelength conversion member 305 having a function of converting the wavelength of at least part of the light emitted from the LED chip 304, the power supply wiring 315 for supplying power to the wiring base 303, and the wiring base 303 are held. It is comprised from the holding rod 316 for this. Here, the structure and type of the LED chip 304 are the same as the structure and type of the LED chip 4 of Example 1, and the structure of the wavelength conversion member 305 is the same as the structure of the wavelength conversion member 5 of Example 1. The description of the common configuration is omitted.

正六面体状の配線基体303は、各表面に配線パターンが形成されており、その基本的な構成は、実施例1における配線基板3と同様であり、当該配線パターンに電力供給配線315が電気的に接続されている。従って、配線基体303に実装されたLEDチップ304は、電力供給配線315及び当該配線パターンを介して外部電力が供給されることになる。なお、配線基体303の形状は正六面体に限定されることなく、他の正多面体、又は単なる多面体等の基体であってもよい。このような場合においても、各面にLEDチップ304及び光学レンズ310が実装されることになる。   The regular hexahedron-shaped wiring substrate 303 has a wiring pattern formed on each surface, and the basic configuration thereof is the same as that of the wiring substrate 3 in the first embodiment, and the power supply wiring 315 is electrically connected to the wiring pattern. It is connected to the. Therefore, the LED chip 304 mounted on the wiring substrate 303 is supplied with external power through the power supply wiring 315 and the wiring pattern. The shape of the wiring substrate 303 is not limited to a regular hexahedron, and may be another regular polyhedron or a simple polyhedron substrate. Even in such a case, the LED chip 304 and the optical lens 310 are mounted on each surface.

本実施例における波長変換部材305は、全体として湾曲し、配線基体303、LEDチップ304、及び光学レンズ310を離間して覆うように配置されている。より具体的には、波長変換部材305の外形は球状に形成され、配線基板303が波長変換部材305の中心に配置さている。これにより、波長変換部材305の内側領域に、LEDチップ304及び光学レンズ310を収納するための部材収納空間305aが形成されることになる。また、波長変換部材305の一部には開口317が設けられており、電力供給配線315が開口317を介して波長変換部材305内の配線基体303に電気的に接続されている。   The wavelength conversion member 305 in the present embodiment is curved as a whole and is disposed so as to cover the wiring substrate 303, the LED chip 304, and the optical lens 310 separately. More specifically, the outer shape of the wavelength conversion member 305 is formed in a spherical shape, and the wiring board 303 is disposed at the center of the wavelength conversion member 305. As a result, a member storage space 305 a for storing the LED chip 304 and the optical lens 310 is formed in the inner region of the wavelength conversion member 305. In addition, an opening 317 is provided in a part of the wavelength conversion member 305, and the power supply wiring 315 is electrically connected to the wiring substrate 303 in the wavelength conversion member 305 through the opening 317.

ここで、波長変換部材305は、実施例1の波長変換部材5と同様に、複数の発光糸状成形体11から構成されているため、優れた可撓性を有しており、これにより、全体的に湾曲させることができる。また、波長変換部材305を構成する発光糸状成形体11は、容易に切断することもできることから、布状に織り込まれた状態の波長変換部材305を湾曲させて球状にした後、波長変換部材305の一部を切り取ることによって開口317を形成してもよい。   Here, since the wavelength conversion member 305 is composed of a plurality of light-emitting thread-like molded bodies 11 similarly to the wavelength conversion member 5 of Example 1, the wavelength conversion member 305 has excellent flexibility. Can be curved. In addition, since the luminescent thread-like molded body 11 constituting the wavelength conversion member 305 can be easily cut, the wavelength conversion member 305 woven in a cloth shape is bent into a spherical shape, and then the wavelength conversion member 305 is formed. An opening 317 may be formed by cutting a part of the opening 317.

本実施例においては、光学レンズ310として、拡散レンズが使用されている。この理由は、実施例3と同一である。   In this embodiment, a diffusion lens is used as the optical lens 310. The reason is the same as in the third embodiment.

保持棒316は、配線基体303を波長変換部材305内の中心に保持するために設けられている。また、保持棒316は、LEDチップ304から放射される青色光を吸収することがないように、高い反射率を有する金属等で形成することが好ましい。例えば、保持棒316は、アルミニウム、銀、銅等の金属、又はアルミナ系セラミックから構成されていてもよい。また、高い反射率を有さない材料を使用する場合には、当該材料の表面に反射材料(例えば、アルミニウム、銀、若しくは銅等の金属、又はアルミナ系セラミック)を配置することが好ましい。   The holding bar 316 is provided to hold the wiring base 303 at the center in the wavelength conversion member 305. In addition, the holding rod 316 is preferably formed of a metal having a high reflectance so as not to absorb blue light emitted from the LED chip 304. For example, the holding rod 316 may be made of a metal such as aluminum, silver, or copper, or an alumina-based ceramic. In the case of using a material that does not have a high reflectance, it is preferable to dispose a reflective material (for example, a metal such as aluminum, silver, or copper, or an alumina-based ceramic) on the surface of the material.

本実施例においては、LEDチップ304が正四面体状の配線基体303の全ての面に実装されているため、LEDチップ304が6つの方向に向かって青色光を出射することになり、半導体発光装置1の中心から放射状に青色光を出射することができる。そして、波長変換部材305が配線基体303を中心として外形が球状になるように配置されているため、LEDチップ304から波長変換部材305に到達して波長変換された黄色光及び赤色光が、半導体発光装置1の中心から放射状に出射されることになる。これにより、合成白色光は、半導体発光装置1の中心から放射状に出射されることになり、半導体発光装置1から全方位に対して白色光を均一に出射することが可能になる。   In this embodiment, since the LED chip 304 is mounted on all surfaces of the tetrahedral wiring substrate 303, the LED chip 304 emits blue light in six directions, and the semiconductor light emission Blue light can be emitted radially from the center of the device 1. Since the wavelength conversion member 305 is arranged so that the outer shape is spherical with the wiring substrate 303 as the center, yellow light and red light that have been converted from the wavelength by reaching the wavelength conversion member 305 from the LED chip 304 are converted into semiconductors. The light is emitted radially from the center of the light emitting device 1. Thereby, the synthetic white light is emitted radially from the center of the semiconductor light emitting device 1, and the white light can be uniformly emitted from the semiconductor light emitting device 1 in all directions.

本実施例に係る半導体発光装置301は、例えば、提灯、灯籠、又は行灯等の照明装置の光源として用いることが可能になる。   The semiconductor light emitting device 301 according to the present embodiment can be used as a light source of a lighting device such as a lantern, a lantern, or a row lamp.

次に、実施例5として、実施例2に係る半導体発光装置101を備える照明装置400について、図18を参照しつつ詳細に説明する。ここで図18は、図13と同様にして示す照明装置400の断面図である。なお、半導体発光装置101の構成については、実施例2と同一であるため、その説明は省略する。   Next, as Example 5, a lighting device 400 including the semiconductor light emitting device 101 according to Example 2 will be described in detail with reference to FIG. Here, FIG. 18 is a cross-sectional view of the illumination device 400 shown in the same manner as FIG. Note that the configuration of the semiconductor light emitting device 101 is the same as that of the second embodiment, and thus the description thereof is omitted.

図18に示すように、照明装置400は、半導体発光装置101、送風機421、制御回路422、及び筐体423から構成されている。本実施例の照明装置400は、発光部分である半導体発光装置201が半球状に形成され、筐体423を外形とする非発光部分が略半球状に形成されており、全体として略球状の構造を有している。   As illustrated in FIG. 18, the lighting device 400 includes a semiconductor light emitting device 101, a blower 421, a control circuit 422, and a housing 423. In the illumination device 400 of this embodiment, the semiconductor light emitting device 201 that is a light emitting portion is formed in a hemispherical shape, and a non-light emitting portion having an outer shape of the housing 423 is formed in a substantially hemispherical shape, and has a substantially spherical structure as a whole. have.

送風機421は、羽状部421aと、羽部421aを支持する支持部421bとから構成され、チップ実装面103aとは反対側に位置する面に配置されている。より具体的には、送風機421は、駆動源(図示せず)によって回転駆動する支持部421aと、支持部421の外周に支持された複数の羽部421aとを有している。すなわち、本実施例に係る送風機421は、プロペラファン型に属する。なお、送風機421の羽として機能する羽部421a数量は例えば4枚であるが、送風機421の大きさ及び送り出す空気の量(風量)に応じて適宜変更することができる。   The blower 421 includes a wing portion 421a and a support portion 421b that supports the wing portion 421a, and is disposed on a surface opposite to the chip mounting surface 103a. More specifically, the blower 421 includes a support portion 421a that is rotationally driven by a drive source (not shown), and a plurality of wing portions 421a that are supported on the outer periphery of the support portion 421. That is, the blower 421 according to the present embodiment belongs to a propeller fan type. In addition, although the number of the wing | blade part 421a which functions as a wing | blade of the air blower 421 is four pieces, for example, it can change suitably according to the magnitude | size of the air blower 421, and the quantity (air volume) of the air to send out.

制御回路422は、送風機421を回転駆動させるために必要な電力供給を制御することができる、一般的な電子回路である。制御回路422は、送風機421に対して対向するように筐体423の内側表面に配置されており、電気配線(図示せず)を介して送風機の駆動源と電気的に接続している。   The control circuit 422 is a general electronic circuit that can control power supply necessary for rotationally driving the blower 421. The control circuit 422 is disposed on the inner surface of the housing 423 so as to face the blower 421, and is electrically connected to a drive source of the blower via an electrical wiring (not shown).

また、制御装置422は、LEDチップ104に供給するための電力量も制御する。従って、制御装置422からLEDチップ104に供給される電力量を調整することにより、照明装置400から照射される白色光の輝度及び光量等を調整することができる。   The control device 422 also controls the amount of power supplied to the LED chip 104. Therefore, by adjusting the amount of power supplied from the control device 422 to the LED chip 104, the brightness, light amount, and the like of the white light emitted from the lighting device 400 can be adjusted.

筐体423は、その外形が略球状であり、その内部に送風機421及び制御回路422を収納するための部材収納空間423aを有している。すなわち、筐体423は、略ドーム状に構成されており、送風機421を離間して覆うように配置されている。また、筐体423には、筐体423を貫くように空気孔423bが設けられている。これらの空気孔423bは、送風機421が駆動することによって部材収納空間423aから筐体423の外部に排出するために設けられている。ここで、空気孔423bは、送風機421と対向する位置に設けられていることが好ましい。これは、送風機421の回転によって部材収納空間423a内の空気を効率よく外部に排出するためである。   The casing 423 has a substantially spherical outer shape, and has a member storage space 423a for storing the blower 421 and the control circuit 422 therein. That is, the housing | casing 423 is comprised by the substantially dome shape, and is arrange | positioned so that the air blower 421 may be separated and covered. The housing 423 is provided with an air hole 423 b so as to penetrate the housing 423. These air holes 423b are provided to be discharged from the member storage space 423a to the outside of the housing 423 when the blower 421 is driven. Here, it is preferable that the air hole 423b is provided at a position facing the blower 421. This is because the air in the member storage space 423a is efficiently discharged to the outside by the rotation of the blower 421.

筐体423は、内部に収納される各種の構成部材を照明装置400の外部から加えられる力(すなわち、外力)から保護するために、金属、セラミックス又はプラスチック等の比較的に強固な部材から構成されている。本実施形態においては、筐体2の材料としてプラスチックを用いることにする。   The housing 423 is composed of a relatively strong member such as metal, ceramics, or plastic in order to protect various constituent members housed therein from a force applied from the outside of the lighting device 400 (ie, external force). Has been. In the present embodiment, plastic is used as the material of the housing 2.

本実施例に係る照明装置400においては、送風機421が回転駆動することにより、波長変換部材105の空隙を経由して空気が部材収納空間105aに流れ込む。換言すれば、波長変換部材105からLEDチップ104に向けた対流が生じる。また、部材収納空間105a内の空気は、配線基板103同士の間を通り抜けて部材収納空間423aに流れ込み、更には空気孔423bを介して外部に排出される。以上のことから、本実施例の照明装置400においては、図18に示すような、波長変換部材105から筐体423の空気孔423bに向かう対流が生じることになる。このような対流が生じることにより、LEDチップ104及び制御回路422を冷却することができ、照明装置400の発光効率の向上を図ることができる。   In the illumination device 400 according to the present embodiment, the air blower 421 is rotationally driven, so that air flows into the member housing space 105 a through the gap of the wavelength conversion member 105. In other words, convection from the wavelength conversion member 105 toward the LED chip 104 occurs. Further, the air in the member storage space 105a passes between the wiring boards 103 and flows into the member storage space 423a, and is further discharged to the outside through the air holes 423b. From the above, in the lighting apparatus 400 of the present embodiment, convection from the wavelength conversion member 105 toward the air hole 423b of the housing 423 occurs as shown in FIG. When such convection occurs, the LED chip 104 and the control circuit 422 can be cooled, and the light emission efficiency of the lighting device 400 can be improved.

なお、空気の流れは、波長変換部材105から筐体423の空気孔423bに向かうものに限れることなく、筐体423の空気孔423bから波長変換部材105に向かうように調整してもよい。   The air flow is not limited to the direction from the wavelength conversion member 105 toward the air hole 423b of the housing 423, and may be adjusted so as to go from the air hole 423b of the housing 423 to the wavelength conversion member 105.

1 半導体発光装置
1a 光出射面
2 筐体
2a 開口
2b 部材収納空間
2c 内部側面
3 配線基板
3a チップ実装面
4 LEDチップ
5 波長変換部材
6 配線パターン
7 配線パターン
8 p電極
9 n電極
11 発光糸状成形体
11a 経糸
11b 緯糸
12 空隙
13 蛍光体
14 母材
22、32、42、117 空隙
25、35、45、55、65、75、105、205 波長変換部材
41a、41b 発光糸状成形体
43a、43b 蛍光体
44a、44b 母材
61 擬似糸
71 放熱糸
101、201、301 半導体発光装置
103a チップ実装面
104、204、304 LEDチップ
105a、205a、305a 部材収納空間
110、210、310 光学レンズ
303 配線基体
315 電力供給配線
316 保持棒
317 開口
400 照明装置
421 送風機
421a 羽部
421b 支持部
422 制御回路
423 筐体
423a 部材収納空間
423b 空気孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light-emitting device 1a Light emission surface 2 Case 2a Opening 2b Member storage space 2c Internal side surface 3 Wiring board 3a Chip mounting surface 4 LED chip 5 Wavelength conversion member 6 Wiring pattern 7 Wiring pattern 8 P electrode 9 N electrode 11 Body 11a Warp 11b Weft 12 Gap 13 Phosphor 14 Base material 22, 32, 42, 117 Gap 25, 35, 45, 55, 65, 75, 105, 205 Wavelength conversion member 41a, 41b Luminous thread-like shaped body 43a, 43b Fluorescence Body 44a, 44b Base material 61 Pseudo yarn 71 Heat radiation yarn 101, 201, 301 Semiconductor light emitting device 103a Chip mounting surface 104, 204, 304 LED chip 105a, 205a, 305a Member storage space 110, 210, 310 Optical lens 303 Wiring base 315 Power supply wiring 316 Holding rod 317 Opening 400 Lighting device 421 Blower 421a Wing 421b Supporting part 422 Control circuit 423 Case 423a Member storage space 423b Air hole

Claims (27)

紫外光又は青色光を放射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から入射される入射光の少なくとも一部を吸収して前記入射光とは異なる波長の出射光を出射する蛍光体、及び前記蛍光体を保持する母材からなる少なくとも1本の発光糸状成形体を含む波長変換部材と、を有し、
前記波長変換部材は、前記少なくとも1本の発光糸状成形体を用いて面状又は立体形状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
A semiconductor light emitting device that emits ultraviolet light or blue light;
At least one light emission comprising a phosphor that absorbs at least a part of incident light incident from the semiconductor light emitting element and emits outgoing light having a wavelength different from that of the incident light, and a base material that holds the phosphor. A wavelength conversion member including a thread-shaped molded body,
The wavelength conversion member is formed in a planar shape or a three-dimensional shape using the at least one luminescent filamentary molded body.
前記波長変換部材は、前記少なくとも1本の発光糸状成形体を交差して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the wavelength conversion member is formed so as to intersect the at least one light emitting filamentary molded body. 前記母材は、光透過率が80%以上であって曲げ弾性率が100MPa以上20000MPa以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the base material has a light transmittance of 80% or more and a flexural modulus of 100 MPa or more and 20000 MPa or less. 前記波長変換部材は、複数の前記発光糸状形成物を編み込んで形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体発光装置。   4. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the wavelength conversion member is formed by weaving a plurality of the light emitting yarn-like formations. 5. 前記波長変換部材は、複数の前記発光糸状形成物を網状に重ねて形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体発光装置。   4. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the wavelength conversion member is formed by overlapping a plurality of the light emitting filamentous formations in a net shape. 5. 前記波長変換部材は、前記少なくとも1本の発光糸状成形体を絡めることによって形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体発光装置。   4. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the wavelength conversion member is formed by entwining the at least one light emitting filamentary molded body. 5. 前記波長変換部材は、交差する前記発光糸状成形体によって形成される複数の空隙を備えることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 2, wherein the wavelength conversion member includes a plurality of gaps formed by the light-emitting thread-shaped molded bodies that intersect with each other. 前記波長変換部材は、屈曲自在であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the wavelength conversion member is bendable. 前記発光糸状成形体の断面の直径は、0.1mm以上3mm以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 8, wherein a diameter of a cross section of the light emitting thread-shaped molded body is 0.1 mm or more and 3 mm or less. 複数の前記発光糸状成形体は、互いに異なる発光特性を備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the plurality of light-emitting thread-like molded bodies have different light emission characteristics. 前記母材は、熱可撓性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又はガラスからなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the base material is made of a heat flexible resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or glass. 前記波長変換部材は、前記蛍光体を含有しない非発光糸状成形体を含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the wavelength conversion member includes a non-light-emitting filamentous molded body that does not contain the phosphor. 前記非発光糸状成形体は、前記入射光を反射する金属からなることを特徴とする請求項12に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 12, wherein the non-light-emitting filamentous molded body is made of a metal that reflects the incident light. 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の半導体発光装置と、前記半導体発光素子に向かう対流を生成する送風機と、を有することを特徴とする照明装置。   An illumination device comprising: the semiconductor light-emitting device according to claim 1; and a blower that generates convection toward the semiconductor light-emitting element. 外部から入射される入射光の少なくとも一部を吸収して前記入射光とは異なる波長の出射光を出射する蛍光体、及び前記蛍光体を保持する母材からなる少なくとも1本の発光糸状成形体を有し、
前記少なくとも1本の発光糸状成形体によって面状又は立体形状に形成されていることを特徴とする波長変換部材。
A phosphor that absorbs at least a part of incident light incident from the outside and emits outgoing light having a wavelength different from that of the incident light, and at least one light-emitting filamentary molded body that includes a base material that holds the phosphor. Have
A wavelength conversion member formed into a planar shape or a three-dimensional shape by the at least one luminescent filamentary molded body.
前記発光糸状成形体が交差していることを特徴とする請求項15に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to claim 15, wherein the light-emitting thread-shaped molded bodies intersect each other. 前記母材は、光透過率が80%以上であって曲げ弾性率が100MPa以上20000MPa以下であることを特徴とする請求項15又は16に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to claim 15 or 16, wherein the base material has a light transmittance of 80% or more and a flexural modulus of 100 MPa or more and 20000 MPa or less. 複数の前記発光糸状形成物を編み込んで形成されていることを特徴とする請求項16又は17に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to claim 16 or 17, wherein the wavelength conversion member is formed by weaving a plurality of the light-emitting thread-like formations. 複数の前記発光糸状形成物を網状に重ねて形成されていることを特徴とする請求項16又は17に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to claim 16 or 17, wherein a plurality of the light-emitting thread-like formations are overlapped in a net shape. 前記少なくとも1本の発光糸状成形体を絡むことで形成されていることを特徴とする請求項16又は17に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to claim 16 or 17, wherein the wavelength conversion member is formed by entwining the at least one luminescent filamentary molded body. 交差する前記発光糸状成形体によって形成される複数の空隙を有することを特徴とする請求項16乃至20のいずれか1項に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to any one of claims 16 to 20, wherein the wavelength conversion member has a plurality of gaps formed by the intersecting light-emitting thread-like molded bodies. 前記波長変換部材は、屈曲自在であることを特徴とする請求項15乃至21のいずれか1項に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to any one of claims 15 to 21, wherein the wavelength conversion member is bendable. 前記発光糸状成形体の断面の直径は、0.1mm以上3mm以下であることを特徴とする請求項22に記載の波長変換部材。   23. The wavelength conversion member according to claim 22, wherein a diameter of a cross section of the light emitting filamentous molded body is 0.1 mm or more and 3 mm or less. 複数の前記発光糸状成形体は、互いに異なる発光特性を備えることを特徴とする請求項15乃至23のいずれか1項に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to any one of claims 15 to 23, wherein the plurality of light emitting filamentary molded bodies have different light emission characteristics. 前記母材は、熱可撓性樹脂、熱硬化性樹脂、又はガラスからなることを特徴とする請求項15乃至24のいずれか1項に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to any one of claims 15 to 24, wherein the base material is made of a heat flexible resin, a thermosetting resin, or glass. 前記波長変換部材は、前記蛍光体を含有しない非発光糸状成形体を含むことを特徴とする請求項15乃至25のいずれか1項に記載の波長変換部材。   The wavelength conversion member according to any one of claims 15 to 25, wherein the wavelength conversion member includes a non-light-emitting thread-like molded body that does not contain the phosphor. 前記非発光糸状成形体は、前記入射光を反射する金属からなることを特徴とする請求項26に記載の波長変換部材。   27. The wavelength conversion member according to claim 26, wherein the non-light emitting filamentary molded body is made of a metal that reflects the incident light.
JP2012242621A 2012-11-02 2012-11-02 Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member Pending JP2014093398A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012242621A JP2014093398A (en) 2012-11-02 2012-11-02 Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012242621A JP2014093398A (en) 2012-11-02 2012-11-02 Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014093398A true JP2014093398A (en) 2014-05-19

Family

ID=50937280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012242621A Pending JP2014093398A (en) 2012-11-02 2012-11-02 Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014093398A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016051798A (en) * 2014-08-29 2016-04-11 大日本印刷株式会社 Method of manufacturing mounting board and mounting board
WO2016084437A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 シャープ株式会社 Light emitting device and lighting device
JP2017054785A (en) * 2015-09-11 2017-03-16 日立マクセル株式会社 Light source device
US9680069B2 (en) 2015-06-08 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package, wavelength conversion film, and manufacturing method thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016051798A (en) * 2014-08-29 2016-04-11 大日本印刷株式会社 Method of manufacturing mounting board and mounting board
WO2016084437A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 シャープ株式会社 Light emitting device and lighting device
JPWO2016084437A1 (en) * 2014-11-28 2017-08-31 シャープ株式会社 Light emitting device and lighting apparatus
US9680069B2 (en) 2015-06-08 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package, wavelength conversion film, and manufacturing method thereof
JP2017054785A (en) * 2015-09-11 2017-03-16 日立マクセル株式会社 Light source device
WO2017043180A1 (en) * 2015-09-11 2017-03-16 日立マクセル株式会社 Light source device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013129477A1 (en) Wavelength conversion member and semiconductor light-emitting device using same
JP2013211250A (en) Wavelength conversion member, and semiconductor light-emitting device using the same
US20160208164A1 (en) Light-emitting device, wavelength conversion member, phosphor composition and phosphor mixture
JP2014143344A (en) Wavelength conversion member and semiconductor light-emitting device using the same
WO2013116697A1 (en) Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry
KR101961312B1 (en) Light emitting diode devices, method of manufacture, uses thereof
JP2014093398A (en) Semiconductor light-emitting device, lighting device and wavelength conversion member
US20180355143A1 (en) Polyester composition for led reflective plates, led reflective plate, and light emitting device equipped with said reflective plate
KR20110090945A (en) Power led device with a reflector made of aromatic polyester and/or wholly aromatic polyester
WO2014186548A1 (en) Branched polycarbonate compositions having conversion material chemistry and articles thereof
JP2020184641A (en) Manufacturing method of optoelectronic component and optoelectronic component
JP2013183013A (en) Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device
JP2014125597A (en) Thermoplastic resin composition, wavelength conversion member, light-emitting device, and led luminaire
JP6204839B2 (en) Light emitting device and wavelength conversion member
WO2014014079A1 (en) Light emitting device, wavelength conversion member, phosphor composition, and phosphor mixture
JP5598593B2 (en) Light emitting device, wavelength conversion member, phosphor composition, and phosphor mixture
TW201811885A (en) Polyester composition for led reflection plates, led reflection plate and light emitting device provided with said reflection plate
JP2014079905A (en) Method for manufacturing wavelength conversion member and method for manufacturing light-emitting device
JP2014192251A (en) Wavelength conversion member and semiconductor light-emitting device using the same
WO2013129509A1 (en) Wavelength conversion member and method for manufacturing same, light-emitting device and lighting fixture including wavelength conversion member, and resin composition
JP2018154741A (en) Polycarbonate resin composition and molded article formed from the same
KR20160083011A (en) Flame retardant led for indoor lighting
JP2014170895A (en) Wavelength conversion member and light-emitting device using the same
CN105473660A (en) Reflective polycarbonate composition
JP2014175322A (en) Light-emitting device, luminaire having the same, image display device, fluorescent material composition, and wavelength conversion member arranged by shaping fluorescent material composition