JP2013183013A - Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device - Google Patents

Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2013183013A
JP2013183013A JP2012045679A JP2012045679A JP2013183013A JP 2013183013 A JP2013183013 A JP 2013183013A JP 2012045679 A JP2012045679 A JP 2012045679A JP 2012045679 A JP2012045679 A JP 2012045679A JP 2013183013 A JP2013183013 A JP 2013183013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
emitting device
package
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012045679A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hanako Kato
波奈子 加藤
Hiroshi Mori
寛 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2012045679A priority Critical patent/JP2013183013A/en
Publication of JP2013183013A publication Critical patent/JP2013183013A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package sheet for a semiconductor light emitting device which enables a suspending part to be easily cut, and to provide a manufacturing method of the package sheet for the semiconductor light emitting device, a package obtained from the package sheet for the semiconductor light emitting device, a manufacturing method of the package, and a semiconductor light emitting device using the package.SOLUTION: A package sheet 1 for a semiconductor light emitting device includes: a lead frame 10 having multiple openings; and multiple light emitting element housing parts 21 formed by a resin molding 20 integrally molded with the lead frame 10. The light emitting element housing parts 21 are supported by the lead frame 10 through suspending parts 22 forming parts of the resin molding 20. A precut line 23 is provided in each suspending part 22.

Description

本発明は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話や液晶テレビなどのバックライト、デジタルサイネージ及びその他の光源などに用いられる半導体発光装置用パッケージ及びその製造方法と、該パッケージを得るためのパッケージシート及びその製造方法と、このパッケージを用いた半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a package for a semiconductor light emitting device used for a lighting fixture, a display, a backlight of a mobile phone or a liquid crystal television, a digital signage and other light sources, a method for manufacturing the same, a package sheet for obtaining the package, and a package sheet therefor The present invention relates to a manufacturing method and a semiconductor light emitting device using the package.

発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)などの半導体発光素子を用いた表面実装型半導体発光装置は、小型で電力効率がよくまた発光色も鮮やかである。また、この発光素子は半導体素子であるため球切れなどの心配がない。さらに初期駆動特性が優れ、振動や点灯のオン・オフの繰り返しに強いという特徴を有する。   A surface-mount semiconductor light-emitting device using a semiconductor light-emitting element such as a light-emitting diode (LED) or a laser diode (LD) is small in size, has high power efficiency, and has a bright emission color. In addition, since this light emitting element is a semiconductor element, there is no fear of a broken ball. Furthermore, it has excellent initial drive characteristics and is strong against repeated on / off of vibration and lighting.

このような半導体発光装置は、リードと樹脂組成物とを一体的に成形した樹脂成形体を有してなる半導体発光装置用パッケージに発光素子を搭載し、該発光素子を封止材で被覆封止した構成を有する。   In such a semiconductor light emitting device, a light emitting element is mounted on a package for a semiconductor light emitting device having a resin molded body in which a lead and a resin composition are integrally molded, and the light emitting element is covered with a sealing material. It has a stopped configuration.

この半導体発光装置用パッケージは、リードフレームに複数の樹脂成形体を設けてなるパッケージシートを各樹脂成形体毎に個片化することにより製作される。かかる半導体発光装置用パッケージを用いた半導体発光装置と、パッケージシートの従来例(特開2010−3877(特許文献1))について図8,9を参照して説明する。図8はパッケージを有した半導体発光装置の縦断面図、図9はパッケージシートの製造方法を示す平面図である。   This package for a semiconductor light emitting device is manufactured by dividing a package sheet formed by providing a plurality of resin moldings on a lead frame for each resin molding. A semiconductor light emitting device using such a package for a semiconductor light emitting device and a conventional example of a package sheet (Japanese Patent Laid-Open No. 2010-3877 (Patent Document 1)) will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a longitudinal sectional view of a semiconductor light emitting device having a package, and FIG. 9 is a plan view showing a method for manufacturing a package sheet.

図8の半導体装置は、パッケージ31と、パッケージ31に設けられた半導体発光素子33(LED等)とを有している。パッケージ31は、相対向する第1および第2のリード34,35と、リード34,35間に位置する金属製のカップ36と、樹脂部38とを有している。   The semiconductor device in FIG. 8 includes a package 31 and a semiconductor light emitting element 33 (such as an LED) provided in the package 31. The package 31 includes first and second leads 34 and 35 facing each other, a metal cup 36 positioned between the leads 34 and 35, and a resin portion 38.

カップ36の内周面は、めっきされており、半導体発光素子33からの光を反射する反射面となっている。リード34,35はそれぞれ、樹脂部38に沿って折り曲げられている。   The inner peripheral surface of the cup 36 is plated and serves as a reflective surface that reflects light from the semiconductor light emitting element 33. Each of the leads 34 and 35 is bent along the resin portion 38.

カップ36の底面36aに半導体発光素子33が設けられ、半導体発光素子33とリード34とがワイヤ43で接続され、カップ36の内部底面とリード35とがワイヤ44で接続されている。図示は省略するが、カップ36内及び封止樹脂充填孔40に透光性封止樹脂が充填されている。   The semiconductor light emitting device 33 is provided on the bottom surface 36 a of the cup 36, the semiconductor light emitting device 33 and the lead 34 are connected by a wire 43, and the inner bottom surface of the cup 36 and the lead 35 are connected by a wire 44. Although illustration is omitted, translucent sealing resin is filled in the cup 36 and the sealing resin filling hole 40.

パッケージ31は、図9のように薄い金属板よりなるリードフレーム50に複数個の樹脂部38を設け、その後、各樹脂部38毎に個片化して製作される。なお、図9では樹脂部38が1個だけ示されているが、特許文献1に図示のように、1枚のリードフレーム50に多数の樹脂部38が設けられる。リードフレーム50には、1個の樹脂部38につき1対の開口部51が設けられている。開口部51同士は、金属吊りリード部37,37とカップ36によって隔てられている。なお、各開口部51内に半島状に延出するようにリード34,35が舌片形に設けられている。各リード34,35の先端部に小開口部52が設けられている。リード34,35、金属吊りリード部37及びカップ36はリードフレーム50と一連となっている。即ち、カップ36は、吊り部37を介して開口部51周囲のリードフレーム50の本体側に連なって一体となっている。   The package 31 is manufactured by providing a plurality of resin portions 38 on a lead frame 50 made of a thin metal plate as shown in FIG. Although only one resin portion 38 is shown in FIG. 9, as shown in Patent Document 1, a large number of resin portions 38 are provided on one lead frame 50. The lead frame 50 is provided with a pair of openings 51 for each resin portion 38. The openings 51 are separated from each other by the metal suspension lead portions 37 and 37 and the cup 36. In addition, the leads 34 and 35 are provided in the tongue piece shape so that it may extend in the shape of a peninsula in each opening part 51. FIG. A small opening 52 is provided at the tip of each lead 34, 35. The leads 34 and 35, the metal suspension lead portion 37, and the cup 36 are in series with the lead frame 50. That is, the cup 36 is integrated with the main body side of the lead frame 50 around the opening 51 via the suspension portion 37.

図9の右半側の図の通り、このカップ36部分に樹脂部38が射出形成され、次いで吊り部37が切断される。その後、リード34,35を各々の付け根側で切断し、図8の通りリード34,35を樹脂部38に沿って折曲する。   As shown in the right half of FIG. 9, the resin portion 38 is injection-formed at the cup 36 portion, and then the suspension portion 37 is cut. Thereafter, the leads 34 and 35 are cut at the respective base sides, and the leads 34 and 35 are bent along the resin portion 38 as shown in FIG.

上記特許文献1の半導体発光装置用パッケージシートにあっては、カップ36が金属吊りリード部37を介してリードフレーム50の本体部(開口部51の外周側)に連なっており、該吊り部37はリードフレーム50の一部を構成している。   In the semiconductor light emitting device package sheet of Patent Document 1, the cup 36 is connected to the main body portion (the outer peripheral side of the opening 51) of the lead frame 50 through the metal suspension lead portion 37. Constitutes a part of the lead frame 50.

この構成においては、個々のパッケージを電気的に分離するために正負のリード34,35及びカップ36を保持する金属吊りリード37,37を切断する必要がある。これらの切断後のパッケージは1個ずつばらばらになってしまうため、半導体発光装置の製造や検査などのために今一度パッケージのピックアップ及び整列が必要であり、工数が増え工程が煩雑になる欠点があった。正負のリードを切断しないままリードフレーム上で実装を行うことも行われているが、リード切断前の状態では個々の半導体発光装置に通電検査を行うことが出来ず、結局リードを切断し、個片化したものをピックアップ、整列させねばならなかった。   In this configuration, it is necessary to cut the positive and negative leads 34 and 35 and the metal suspension leads 37 and 37 holding the cup 36 in order to electrically separate the individual packages. Since the packages after cutting are separated one by one, it is necessary to once again pick up and align the packages for manufacturing and inspection of the semiconductor light emitting device, which increases the number of steps and makes the process complicated. there were. Mounting on the lead frame without cutting the positive and negative leads is also performed, but in the state before cutting the leads, it is not possible to inspect each semiconductor light emitting device, and eventually the leads are cut and I had to pick up and arrange the pieces.

また、上記リードフレーム50からパッケージを得るには、図9のように、金属製のリードフレーム50の金属吊りリード部37を切断する必要があり、切断設備がコスト高である。   Further, in order to obtain a package from the lead frame 50, it is necessary to cut the metal suspension lead portion 37 of the metal lead frame 50 as shown in FIG. 9, and the cutting equipment is expensive.

特許文献2(特開2003−174040)には、正負のリードが切断されリードフレームと電気的に分離された樹脂パッケージ有する半導体発光装置を、リードフレームの一部である爪状の金属吊りリードによってリードフレーム上に整列したまま吊り、その状態で通電検査・輸送が可能であるパッケージシートが記載されている。この半導体発光装置は爪状の吊りリードでリードフレームに支持されているだけなので、外力を加えることにより容易にリードフレームから外し、個片化することができる長所がある。   In Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-174040), a semiconductor light emitting device having a resin package in which positive and negative leads are cut and electrically separated from a lead frame is formed by a claw-shaped metal suspension lead that is a part of the lead frame. A package sheet is described that is suspended while being aligned on a lead frame and can be inspected and transported in that state. Since this semiconductor light emitting device is only supported by the lead frame with a claw-shaped suspension lead, there is an advantage that it can be easily detached from the lead frame by applying an external force and separated into individual pieces.

しかし、ここに記載されるパッケージシートは使用する成形体用樹脂について何ら改良を試みたものではなく、従来使用されるポリフタルアミドや液晶ポリマーなどの成形体用樹脂組成物は耐熱性、耐光性に乏しく、半導体発光装置の長期の使用により容易に着色し、高輝度照明や大型バックライトなどの用途には適しないものであった。また芳香族基を有するため反射率が十分ではないという課題があった。   However, the package sheet described here is not an attempt to improve the molding resin to be used. Conventionally used molding resin compositions such as polyphthalamide and liquid crystal polymer have heat resistance and light resistance. Therefore, the semiconductor light emitting device is easily colored by long-term use of the semiconductor light-emitting device, and is not suitable for uses such as high-intensity illumination and a large backlight. Moreover, since it has an aromatic group, there is a problem that the reflectance is not sufficient.

特許文献3(特開2009−155415)には、トランスファー成形法による高耐熱・高耐光硬質シリコーン樹脂パッケージが記載されている。しかしながら、特許文献3では、個片化するためにダイシングが必要でパッケージシートとしては通電評価することができなかった。また、パッケージが硬くもろいため、使用時に欠けて粉やくずが出やすい欠点があった。   Patent Document 3 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-155415) describes a high heat resistance and light resistance hard silicone resin package by a transfer molding method. However, in Patent Document 3, dicing is required to divide into individual pieces, and the energization evaluation cannot be performed as a package sheet. In addition, since the package is hard and brittle, there is a defect that powder and waste are likely to occur during use.

特許文献4(WO2011/078239号公報)には、弾性を有する付加型シリコーン樹脂パッケージが記載されている。この特許文献4では、上記爪状の金属吊りリードによりリードフレームに支持される構造として成形すると、パッケージシートの状態で通電評価できる。また、パッケージのもろさも改善される。しかしながら、付加型シリコーン樹脂の硬化速度が速いため、組成や取り扱い時間、環境温度などのわずかな変化によっても成形時の樹脂流れが影響を受け、連続成形時にパッケージ部分にバリやショートが出やすく歩留まりが低いという課題があった。   Patent Document 4 (WO2011 / 078239) describes an addition type silicone resin package having elasticity. In Patent Document 4, when the structure is supported by the lead frame by the claw-shaped metal suspension leads, the energization can be evaluated in the state of a package sheet. In addition, the fragility of the package is improved. However, since the addition type silicone resin cures quickly, the resin flow during molding is affected by slight changes in composition, handling time, environmental temperature, etc., and burrs and shorts are likely to occur in the package during continuous molding. There was a problem of low.

特開2010−3877号公報JP 2010-3877 A 特開2003−174040号公報JP 2003-174040 A 特開2009−155415公報JP 2009-155415 A WO2011/078239号公報WO2011 / 078239

本発明は、上記従来の問題点を解決し、パッケージをリードフレームから分離することなく通電検査することができると共に、吊り部の切断が容易で、成形時の歩留まりが高く、発光装置として使用した時に高反射・高耐久である半導体発光装置用パッケージシートと、その製造方法と、この半導体発光装置用パッケージシートから得られたパッケージと、このパッケージの製造方法と、このパッケージを用いた半導体発光装置とを提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems, and can inspect the energization without separating the package from the lead frame, and the cutting of the hanging portion is easy, the yield during molding is high, and it is used as a light emitting device. Package sheet for semiconductor light emitting device that is sometimes highly reflective and highly durable, its manufacturing method, package obtained from this package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of this package, and semiconductor light emitting device using this package The purpose is to provide.

第1態様の半導体発光装置用パッケージシートは、複数の開口部を有するリードフレームと、該リードフレームと一体に成形された樹脂成形体よりなる複数の発光素子収容部とを有する半導体発光装置用パッケージシートであって、該発光素子収容部は、前記樹脂成形体の一部である吊り部を介して前記リードフレームに支持されていることを特徴とするものである。   A package sheet for a semiconductor light-emitting device according to a first aspect includes a lead frame having a plurality of openings and a plurality of light-emitting element accommodating portions made of a resin molded body formed integrally with the lead frame. It is a sheet | seat, Comprising: This light emitting element accommodating part is supported by the said lead frame via the suspension part which is a part of the said resin molding, It is characterized by the above-mentioned.

第2態様の半導体発光装置用パッケージシートは、第1態様において、前記吊り部の切断予定箇所にプレカットラインが設けられていることを特徴とするものである。   The package sheet for a semiconductor light-emitting device according to the second aspect is characterized in that, in the first aspect, a precut line is provided at a scheduled cutting position of the suspension part.

第3態様の半導体発光装置用パッケージシートは、第1又は2態様において、前記樹脂成形体は射出成形されたものであり、前記吊り部又はそれに連なるランナー部に射出成形用金型のゲート部が位置することを特徴とするものである。   A package sheet for a semiconductor light emitting device according to a third aspect is the first or second aspect, wherein the resin molded body is injection-molded, and a gate part of an injection mold is provided on the hanging part or a runner part connected thereto. It is characterized by being located.

第4態様の半導体発光装置用パッケージシートは、第1ないし3のいずれか1態様において、前記樹脂成形体はシリコーン樹脂成形体であることを特徴とするものである。   A package sheet for a semiconductor light emitting device according to a fourth aspect is characterized in that, in any one of the first to third aspects, the resin molded body is a silicone resin molded body.

第5態様の半導体発光装置用パッケージシートは、第1ないし4のいずれか1態様において、前記樹脂成形体のショアD硬度が、30以上80以下であることを特徴とするものである。   The package sheet for a semiconductor light emitting device according to the fifth aspect is characterized in that, in any one of the first to fourth aspects, the resin molded body has a Shore D hardness of 30 or more and 80 or less.

第6態様の半導体発光装置用パッケージシートの製造方法は、第1ないし5のいずれか1態様の半導体発光装置用パッケージシートを製造する方法であって、前記リードフレームをセットした金型に樹脂組成物を射出して樹脂成形体を成形することを特徴とするものである。   A method for manufacturing a package sheet for a semiconductor light emitting device according to a sixth aspect is a method for manufacturing the package sheet for a semiconductor light emitting device according to any one of the first to fifth aspects, wherein the resin composition is formed in a mold on which the lead frame is set. It is characterized by molding a resin molding by injecting a product.

第7態様の半導体発光装置用パッケージは、第1ないし6のいずれか1態様の半導体発光装置用パッケージシートを個片化してなるものである。   The package for a semiconductor light emitting device according to the seventh aspect is obtained by dividing the package sheet for a semiconductor light emitting device according to any one of the first to sixth aspects.

第8態様の半導体発光装置用パッケージの製造方法は、第1ないし6のいずれか1態様の半導体発光装置用パッケージシートを個片化する工程を有するものである。   The method for manufacturing a semiconductor light emitting device package according to the eighth aspect includes a step of separating the semiconductor light emitting device package sheet according to any one of the first to sixth aspects.

第9態様の半導体発光装置は、第7態様の半導体発光装置用パッケージと、該半導体発光装置用パッケージに設けられた半導体発光素子とを有するものである。   A semiconductor light emitting device according to a ninth aspect includes the semiconductor light emitting device package according to the seventh aspect and a semiconductor light emitting element provided in the semiconductor light emitting device package.

本発明の半導体発光装置用パッケージシートにあっては、正負のリードを切断しても発光素子収容部が樹脂製吊り部を介してリードフレームに連結保持されている。即ち、正負のリードを切断しても切断後のパッケージは1個ずつばらばらにならず、リードフレームに保持させたまま半導体発光装置の製造や検査などを容易に行うことが可能である。ただし、本発明では、リード及び樹脂製吊り部を切断し、個片化したものをピックアップ、整列させることを排除するものではない。   In the package sheet for a semiconductor light emitting device of the present invention, the light emitting element housing portion is connected and held to the lead frame via the resin hanging portion even if the positive and negative leads are cut. That is, even if the positive and negative leads are cut, the cut packages are not separated one by one, and the semiconductor light emitting device can be easily manufactured and inspected while being held on the lead frame. However, in the present invention, it is not excluded that the leads and the resin suspension portions are cut and the separated pieces are picked up and aligned.

また、本発明の半導体発光装置用パッケージシートにあっては、吊り部が樹脂製であり、切断が容易である。   Moreover, in the package sheet for a semiconductor light emitting device of the present invention, the hanging portion is made of a resin and can be easily cut.

この吊り部にプレカットラインを設けることにより、吊り部を容易に切断することができ、例えば人手や簡単な剪断機構によってちぎって分断することも可能としうる。特に、樹脂成形体をシリコーン樹脂成形体、とりわけショアD硬度が30〜80のシリコーン樹脂成形体とすることにより、吊り部がちぎり易いものとなる。   By providing a pre-cut line on the hanging portion, the hanging portion can be easily cut, and for example, it may be possible to tear it off by hand or a simple shearing mechanism. In particular, when the resin molded body is a silicone resin molded body, particularly a silicone resin molded body having a Shore D hardness of 30 to 80, the suspended portion is easily broken.

樹脂成形体を射出成形により形成する場合、吊り部又はそれに連なるランナー部に金型ゲート部を配置することにより、樹脂成形体のゲート痕は吊り部又はランナー部に位置する。このため、半導体発光装置用パッケージシートから個片化して得られる半導体発光装置用パッケージにはゲート痕が残存しないようになる。   When the resin molded body is formed by injection molding, the gate mark of the resin molded body is located in the suspended portion or the runner portion by disposing the mold gate portion in the suspended portion or the runner portion connected thereto. For this reason, the gate trace does not remain in the package for the semiconductor light emitting device obtained by dividing the package sheet for the semiconductor light emitting device.

(a)は実施の形態に係る半導体発光装置用パッケージシートの拡大平面図、(b)はそのリードフレームの平面図である。(A) is an enlarged plan view of the package sheet for a semiconductor light emitting device according to the embodiment, and (b) is a plan view of the lead frame. 図1のII−II線断面図である。It is the II-II sectional view taken on the line of FIG. 図1のIII−III線断面図である。It is the III-III sectional view taken on the line of FIG. 実施の形態に係る半導体発光装置用パッケージシートの平面図である。It is a top view of the package sheet | seat for semiconductor light-emitting devices which concerns on embodiment. (a)は図1〜4の半導体発光装置用パッケージシートからパッケージを得る途中の平面図、(b)は該パッケージシートから得たパッケージの平面図である。(A) is a top view in the middle of obtaining a package from the package sheet for semiconductor light-emitting devices of FIGS. 1-4, (b) is a top view of the package obtained from this package sheet. 図5のパッケージに発光素子を実装した状態における図5のVI−VI線断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. 5 in a state where a light emitting element is mounted on the package in FIG. 5. 別の実施の形態に係る半導体発光装置用パッケージシートの平面図である。It is a top view of the package sheet | seat for semiconductor light-emitting devices which concerns on another embodiment. 従来例に係るパッケージを用いた半導体発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor light-emitting device using the package which concerns on a prior art example. 従来の半導体発光装置用パッケージシートを説明する平面図である。It is a top view explaining the conventional package sheet | seat for semiconductor light-emitting devices.

以下、図面を参照して本発明についてさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

図1(a)、図2〜4は実施の形態に係る半導体発光装置用パッケージシートを示し、図1(b)はリードフレームを示している。この半導体発光装置用パッケージシート1は、リードフレーム10と、発光素子収容部21を有した樹脂成形体20とを備えている。この樹脂成形体20の一部を構成する吊り部22を介して発光素子収容部21がリードフレーム10に支持されている。   1A and 2 to 4 show a package sheet for a semiconductor light emitting device according to the embodiment, and FIG. 1B shows a lead frame. The semiconductor light emitting device package sheet 1 includes a lead frame 10 and a resin molded body 20 having a light emitting element housing portion 21. The light emitting element accommodating portion 21 is supported by the lead frame 10 via a suspension portion 22 constituting a part of the resin molded body 20.

リードフレーム10は、図1(b)の通り、金属薄板に打ち抜き加工やエッチング加工等を施すことにより開口部11,13及びスリット12を形成したものである。1個の発光素子収容部形成部にそれぞれ1対の開口部11,11,13,13が設けられている。この実施の形態では、開口部11,11は開口部13,13間に位置している。開口部11,11は互いに平行に延在する略長方形状である。   As shown in FIG. 1B, the lead frame 10 has openings 11, 13 and slits 12 formed by punching or etching a thin metal plate. A pair of openings 11, 11, 13, and 13 are provided in one light emitting element housing portion forming portion. In this embodiment, the openings 11 and 11 are located between the openings 13 and 13. The openings 11 and 11 have a substantially rectangular shape extending in parallel with each other.

スリット12は開口部11,11同士を連絡するように開口部11,11の長手方向と直交方向に延在している。スリット12は、開口部11,11の長手方向の途中に位置しており、該スリット12を設けることにより、開口部11,11間に、リードフレーム50の一部を構成するリード部15,16が形成されている。リード部15,16は舌片状であり、スリット12を介して対峙している。開口部11と開口部13との間は、リードフレーム10の一部を構成する挟帯部14となっている。   The slit 12 extends in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the openings 11 and 11 so as to connect the openings 11 and 11 to each other. The slit 12 is located in the middle of the opening portions 11 and 11 in the longitudinal direction. By providing the slit 12, the lead portions 15 and 16 constituting a part of the lead frame 50 between the openings 11 and 11 are provided. Is formed. The lead portions 15 and 16 are in the form of tongues and face each other through the slit 12. Between the opening 11 and the opening 13, a banding portion 14 constituting a part of the lead frame 10 is formed.

図4に示す通り、リードフレーム10には開口部11,11,13,13、スリット12、リード部15,16よりなるパッケージ形成予定部が多数設けられ、各パッケージ形成予定部にそれぞれ発光素子収容部21及び吊り部22を有した樹脂成形体20が射出成形により形成される。   As shown in FIG. 4, the lead frame 10 is provided with a number of package formation scheduled portions including openings 11, 11, 13, 13, slits 12, lead portions 15, 16. The resin molded body 20 having the portion 21 and the hanging portion 22 is formed by injection molding.

図4のリードフレーム10においては開口部11、13、及び送り孔のみが描かれているが、本発明においては樹脂成形体とリードフレームが接する位置に、必要に応じてさらに他の開口部を設けることができる。例えば樹脂成形体とリードフレームの接着強度を高めるモールドロック用開口部、あるいは樹脂流れを調整するための開口部を別途設けても良い。さらに各々の開口部の形状は任意であり、成形時の樹脂流れを調整するため打ち抜き方向が工夫され開口部端の打ち抜き時ばりの向きが個々に調節されていたり、開口部の端面にリード脱落防止のためのテーパや段差が設けられていても良い。またリードフレームは所定の開口を有する限り平板状でも良く、あらかじめ折り曲げ構造や凹凸が設けられていても良い。   In the lead frame 10 of FIG. 4, only the openings 11 and 13 and the feed hole are depicted. However, in the present invention, another opening is further provided at a position where the resin molded body and the lead frame are in contact with each other as necessary. Can be provided. For example, a mold lock opening for increasing the adhesive strength between the resin molded body and the lead frame, or an opening for adjusting the resin flow may be provided separately. Furthermore, the shape of each opening is arbitrary, and the punching direction is devised to adjust the resin flow during molding, and the direction of the light at the time of punching the opening is individually adjusted, or the lead is dropped on the end face of the opening A taper or a step for prevention may be provided. Further, the lead frame may be flat as long as it has a predetermined opening, and may be provided with a bent structure or unevenness in advance.

図2に明示の通り、樹脂成形体20は、発光素子収容部21と、該発光素子収容部21から互いに反対方向に延出した吊り部22とを有している。発光素子収容部21は、略正方形の外周形状を有した盤状であり、盤面中央部には発光素子収容用凹部21aが設けられている。この実施の形態では、発光素子収容部21はリフレクタを構成するためのものであり、凹部21aは底部側ほど小径となるテーパ形状である。   As clearly shown in FIG. 2, the resin molded body 20 includes a light emitting element accommodating portion 21 and a hanging portion 22 extending from the light emitting element accommodating portion 21 in directions opposite to each other. The light emitting element accommodating portion 21 is a disk shape having a substantially square outer peripheral shape, and a light emitting element accommodating recess 21a is provided at the center of the disk surface. In this embodiment, the light emitting element accommodating portion 21 is for constituting a reflector, and the concave portion 21a has a tapered shape with a smaller diameter toward the bottom side.

凹部21aの底面には、図3の通り、露出部21b,21c,21dが設けられている。露出部21bは底面中央に位置し、露出部21c,21dは該露出部21bを挟んで互いに反対側に位置している。露出部21cにリード部15が露呈し、露出部21b,21dにリード部16が露呈している。後述の図6の通り、中央の露出部21bに発光素子25が配置され、ワイヤ26,27によって発光素子25がリード部15,16の露出部21c、21dに接続される。図6においてはリード部15の裏面側、すなわち発光素子を配置した側と反対側の面にて裏面露出部21eも樹脂成形体から露呈している。この裏面露出部21eは表面実装時に外部のヒートシンク部材と熱的に接続することにより放熱部として機能する。   As shown in FIG. 3, exposed portions 21b, 21c, and 21d are provided on the bottom surface of the recess 21a. The exposed portion 21b is located in the center of the bottom surface, and the exposed portions 21c and 21d are located on opposite sides of the exposed portion 21b. The lead part 15 is exposed to the exposed part 21c, and the lead part 16 is exposed to the exposed parts 21b and 21d. As will be described later with reference to FIG. 6, the light emitting element 25 is disposed in the central exposed portion 21 b, and the light emitting element 25 is connected to the exposed portions 21 c and 21 d of the lead portions 15 and 16 by wires 26 and 27. In FIG. 6, the back surface exposed portion 21e is also exposed from the resin molded body on the back surface side of the lead portion 15, that is, the surface opposite to the side where the light emitting element is disposed. The back surface exposed portion 21e functions as a heat radiating portion by thermally connecting to an external heat sink member during surface mounting.

なお、図4ではリード部15、16の裏面側に樹脂成形体が存在するが必須ではなく、リード部15、16の裏面に樹脂成形体が接していない態様や、逆に裏面が樹脂成形体に覆われ露出部21eが設けられていない態様も、本発明に含まれる。   In FIG. 4, a resin molded body is present on the back side of the lead parts 15 and 16, but it is not essential. A mode in which the resin molded body is not in contact with the back side of the lead parts 15 and 16, or conversely, the back side is a resin molded body. A mode in which the exposed portion 21e is not provided is also included in the present invention.

発光素子収容部21は、一方の開口部11の幅方向中央部から他方の開口部11の幅方向中央部にまで跨がる横幅を有すると共に、リード15,16に跨がる縦幅を有している。発光素子収容部21を構成する樹脂は、図3の通りスリット12内に入り込み、リード部15,16を絶縁している。   The light emitting element accommodating portion 21 has a horizontal width that extends from the central portion in the width direction of one opening 11 to the central portion in the width direction of the other opening 11, and a vertical width that extends across the leads 15 and 16. doing. The resin constituting the light emitting element accommodating portion 21 enters the slit 12 as shown in FIG. 3 and insulates the lead portions 15 and 16.

吊り部22,22は、発光素子収容部21から開口部13の幅方向中央部にまで延出している。吊り部22の該延出方向と直交方向の幅員は、図1(a)の通り、開口部13の該方向の幅員よりも小さい。各吊り部22の付け根側すなわち発光素子収容部21に沿う部分にプレカットライン23が設けられている。このプレカットライン23は、吊り部22の肉厚を小さくすることにより形成される。プレカットライン23は吊り部22の前記延出方向と直交方向に延在する溝状であり、この実施の形態では吊り部22の表裏両側に形成されている。   The suspension parts 22, 22 extend from the light emitting element housing part 21 to the center part in the width direction of the opening part 13. The width of the hanging part 22 in the direction orthogonal to the extending direction is smaller than the width of the opening 13 in the direction as shown in FIG. A precut line 23 is provided on the base side of each suspension portion 22, that is, on a portion along the light emitting element housing portion 21. The precut line 23 is formed by reducing the thickness of the hanging portion 22. The precut line 23 has a groove shape extending in a direction orthogonal to the extending direction of the hanging portion 22, and is formed on both front and back sides of the hanging portion 22 in this embodiment.

この実施の形態では、プレカットライン23は、図2の通り、吊り部22の前記延出方向に沿う縦断面形状が台形であるが、V字形断面形状、半円形断面形状、入口側が方形断面形状で深奥部がV字形となっている複合形状などであってもよく、特に限定されない。また、溝よりなるプレカットラインの代わりに切り込みよりなるプレカットラインを設けてもよい。   In this embodiment, the precut line 23 has a trapezoidal vertical cross-sectional shape along the extending direction of the suspension portion 22 as shown in FIG. 2, but a V-shaped cross-sectional shape, a semicircular cross-sectional shape, and a rectangular cross-sectional shape on the inlet side. In addition, it may be a composite shape in which the deep part is V-shaped, and is not particularly limited. Moreover, you may provide the precut line which consists of cuts instead of the precut line which consists of a groove | channel.

この半導体発光装置用パッケージシート1からパッケージ24(図5(b))を個片化して得るには、図5(a)のように、リード部15,16を切断し、次いでプレカットライン23部分において吊り部22を切断する。リード部15,16の切断には切断刃を有した切断装置を用いる。吊り部22は、樹脂製であるので、簡易な剪断又は切断装置などの分断手段を用いるか、人手によって引きちぎったり折ったりするようにして分断してもよい。吊り部22を剪断又は切断装置を用いて切断する場合であっても、簡易なもので容易に切断することができる。   In order to obtain the package 24 (FIG. 5B) from the semiconductor light emitting device package sheet 1, the lead portions 15 and 16 are cut as shown in FIG. In FIG. A cutting device having a cutting blade is used for cutting the lead portions 15 and 16. Since the suspending portion 22 is made of resin, it may be divided by using a cutting means such as a simple shearing or cutting device, or by tearing or folding manually. Even if it is a case where the hanging part 22 is cut | disconnected using a shearing or a cutting device, it can cut | disconnect easily with a simple thing.

この半導体発光装置用パッケージシート1のパッケージ24に発光素子25を実装し、ワイヤ26,27によって発光素子25とリード部15,16の露出部21c、21dとを接続した後、発光素子収容部21内に透明樹脂(図示略)を充填して硬化させ、その後、パッケージ24の外側においてリード部15,16を切断し、さらに吊り部22を切断することにより、図6に示した半導体発光装置28が得られる。この半導体発光装置28が回路基板(図示略)に実装され、リード末端15a,16aがプリント配線等に接続される。   The light emitting element 25 is mounted on the package 24 of the semiconductor light emitting device package sheet 1 and the light emitting element 25 and the exposed portions 21 c and 21 d of the lead portions 15 and 16 are connected by the wires 26 and 27, and then the light emitting element accommodating portion 21. The inside is filled with a transparent resin (not shown) and cured, and then the lead portions 15 and 16 are cut outside the package 24, and the suspension portion 22 is further cut, whereby the semiconductor light emitting device 28 shown in FIG. Is obtained. The semiconductor light emitting device 28 is mounted on a circuit board (not shown), and the lead ends 15a and 16a are connected to a printed wiring or the like.

発光素子25の実装と、リード部15、16の切断、吊り部22の切断の順序は上記に限らず任意であり、リード部15、16を切断した後に発光素子を実装し、次いで吊り部を切断して個片化しても良く、またリード部15、16を切断した後に吊り部22を切断して個片化し、次いで発光素子を実装しても良い。吊り部の切断を最後とする場合にはリードフレーム上に半導体発光装置を整列させたまま輸送や通電検査を実施できるメリットがある。通電検査は発光素子の封止の前でも後でも良く、個片化前の半導体発光装置用パッケージシート1に対し発光素子25を実装し通電検査を行った後、各発光素子収容部21に透明樹脂を充填・硬化し、その後、吊り部22を切断して個片化してもよい。また、半導体発光装置用パッケージシート1に対し発光素子25を実装し、さらに各発光素子収容部21に透明樹脂を充填し、硬化させた後通電検査を実施し、その後個片化して半導体発光装置を製作してもよい。   The order of mounting the light emitting element 25, cutting the lead parts 15 and 16, and cutting the hanging part 22 is not limited to the above, and the light emitting element is mounted after cutting the lead parts 15 and 16, and then the hanging part is mounted. It may be cut into individual pieces, or after the lead portions 15 and 16 are cut, the hanging portions 22 may be cut into individual pieces, and then the light emitting elements may be mounted. In the case where the hanging part is cut last, there is an advantage that the semiconductor light emitting device is aligned on the lead frame, and transportation and current inspection can be performed. The current-carrying inspection may be performed before or after the light-emitting element is sealed. After the light-emitting element 25 is mounted on the package sheet 1 for a semiconductor light-emitting device before singulation and the current-carrying inspection is performed, each light-emitting element accommodating portion 21 is transparent. The resin may be filled and cured, and then the hanging portion 22 may be cut into individual pieces. In addition, the light emitting element 25 is mounted on the package sheet 1 for semiconductor light emitting device, and each light emitting element accommodating portion 21 is filled with a transparent resin and cured, and then an electric current inspection is performed. May be produced.

リードフレーム10に対し射出成形により樹脂成形体20を一体化させる場合、リードフレーム10を金型にセットし、樹脂をゲートから射出注入する。上記実施の形態では、図4に破線の円形マークで示すように、一方の吊り部22にゲート痕が生じるようにゲート位置を設定するのが好ましい。吊り部22にゲート痕が生じても、個片化した場合吊り部22はリードフレーム10側に残留するので、製作されたパッケージ24にはゲート痕は存在しない。図4では吊り部22の上面側にゲート痕があるが、ゲート位置はこれに限定されず吊り部22のどこかにあれば良く、例えば吊り部22の裏面側から樹脂を注入し、裏面にゲート痕が生じても良い。   When the resin molded body 20 is integrated with the lead frame 10 by injection molding, the lead frame 10 is set in a mold and the resin is injected and injected from the gate. In the above embodiment, it is preferable to set the gate position so that a gate mark is generated on one of the hanging portions 22 as indicated by a broken-line circular mark in FIG. Even if the gate mark is generated in the hanging part 22, when the individual parts are separated, the hanging part 22 remains on the lead frame 10 side. Therefore, the manufactured package 24 has no gate mark. In FIG. 4, there is a gate mark on the upper surface side of the suspension portion 22, but the gate position is not limited to this, and it may be anywhere on the suspension portion 22, for example, resin is injected from the rear surface side of the suspension portion 22, Gate marks may occur.

射出成形法は成形サイクル早く大量生産に向いた成形法であるが、従来射出成形法によりパッケージを成形する場合、スプルー、ランナーを通った樹脂はピンゲートから発光素子収容部に対応するキャビティに直接注入され、発光素子収容部が樹脂流れの終点となっていた。このような製法ではゲートが狭いため樹脂流れが不安定となり、発光素子収容部21においてバリやリードの樹脂カブリ、ショート、応力の偏在によるそりや変形が発生しやすいことが課題であった。特に付加型シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂による液状射出成形を採用した場合には、樹脂が金型内を流れつつ高速で硬化するため粘度や硬化速度の制御がさらに複雑となり、欠陥無く安定に多数個を成形することがより困難で歩留まりが低い課題があった。また発光素子収容部に直接ゲート痕が残るため、ゲート残りなど仕上げに気を使う必要があった。   The injection molding method is a molding method that is suitable for mass production with a fast molding cycle. However, when a package is molded by the conventional injection molding method, the resin passed through the sprue and runner is directly injected from the pin gate into the cavity corresponding to the light emitting element housing. Thus, the light emitting element accommodating portion was the end point of the resin flow. In such a manufacturing method, since the gate is narrow, the resin flow becomes unstable, and the problem is that the light emitting element accommodating portion 21 is likely to be warped or deformed due to burrs or lead resin fogging, short-circuiting, or uneven distribution of stress. Especially when liquid injection molding with thermosetting resin such as addition type silicone resin is adopted, the resin cures at high speed while flowing in the mold, making the control of viscosity and curing speed more complicated and stable without defects. There was a problem that it was more difficult to mold a large number of pieces and the yield was low. In addition, since the gate trace remains directly in the light emitting element housing, it is necessary to pay attention to finishing such as the gate remaining.

これに対し本発明においては、図4の円形マークのゲートより注入された樹脂は、吊り部22から、吊り部の薄肉部を経由し発光素子収容部21へ流れ、発光素子収容部を介して反対側の吊り部22を樹脂流れの終点としている。ここで吊り部はランナー的な働きがあり、また吊り部の薄肉部はフィルムゲート的な働きがあり、発光素子収容部への樹脂流れを安定化し、ピンゲートを用いて発光素子収容部21に直接樹脂を注入する従来法と比較して発光素子収容部におけるそりや変形、バリ、ショートを低減する効果がある。また、本発明の場合円形のゲート痕は吊り部22上に出来るので、製品である発光素子収容部の仕上げに気を使う必要が無い。さらに樹脂流れの終点が発光素子収容部21ではなく吊り部22であるため、吊り部22に多少のバリやショートなどの欠陥が生じても製品である発光素子収容部への影響は無く、これらの結果成形時の製品歩留まりが高くなるのである。   On the other hand, in the present invention, the resin injected from the gate of the circular mark in FIG. 4 flows from the hanging portion 22 to the light emitting element accommodating portion 21 via the thin portion of the hanging portion, and passes through the light emitting element accommodating portion. The opposite suspension part 22 is the end point of the resin flow. Here, the hanging portion has a runner-like function, and the thin portion of the hanging portion has a film gate-like function, stabilizes the resin flow to the light emitting element accommodating portion, and directly connects to the light emitting element accommodating portion 21 using a pin gate. Compared with the conventional method of injecting resin, there is an effect of reducing warpage, deformation, burrs, and shorts in the light emitting element housing portion. In the case of the present invention, since the circular gate mark can be formed on the hanging portion 22, there is no need to pay attention to the finishing of the light emitting element housing portion which is a product. Further, since the end point of the resin flow is not the light emitting element accommodating portion 21 but the hanging portion 22, even if some defects such as burrs or shorts occur in the hanging portion 22, there is no influence on the light emitting element accommodating portion which is a product. As a result, the product yield at the time of molding increases.

上記実施の形態では、1個の樹脂成形体20につき1個のゲートを設ける個取り方式としているが、2個以上の樹脂成形体成形用キャビティに対し共通のゲートから樹脂を射出供給する複数個取り方式としてもよい。図7はその一例を示す半導体発光装置用パッケージシート1Aの平面図であり、この実施の形態では1個のゲートからの射出樹脂によって4個の樹脂成形体20を成形するようにしている。図7は一例であり、本発明においては8個、16個など、さらに多数個の樹脂成形体20を1個のゲートから射出成形してもよい。図7では、左右に隣り合う樹脂成形体20の吊り部22,22同士を延長部22’を介して一直線状に連続させ、上下に隣接する延長部22’,22’同士をランナー部29で連続させている。そして、このランナー部29にゲート部を位置させている。図7の破線の円形マークはゲート位置を示している。   In the above-described embodiment, a single-chamber method is provided in which one gate is provided for each resin molded body 20. However, a plurality of resins are injected and supplied from a common gate to two or more resin molded body molding cavities. It is good also as a removal method. FIG. 7 is a plan view of a package sheet 1A for a semiconductor light emitting device showing an example thereof. In this embodiment, four resin molded bodies 20 are molded by injection resin from one gate. FIG. 7 is an example, and in the present invention, a larger number of resin molded bodies 20 such as 8 or 16 may be injection molded from one gate. In FIG. 7, the suspension portions 22 and 22 of the resin moldings 20 adjacent to each other on the right and left are continuously arranged in a straight line via the extension portion 22 ′, and the extension portions 22 ′ and 22 ′ adjacent to each other in the vertical direction are connected by the runner portion 29. It is continuous. And the gate part is located in this runner part 29. FIG. A broken-line circle mark in FIG. 7 indicates a gate position.

この場合も、ランナー部29は個片化後に吊り部22と共にリードフレーム10Aに残るので、製作されたパッケージにはゲート痕は全く生じない。   Also in this case, the runner portion 29 remains on the lead frame 10 </ b> A together with the suspension portion 22 after being singulated, so that no gate mark is generated in the manufactured package.

なお、図7の半導体発光装置用パッケージシート1Aのリードフレーム10Aには、4個の樹脂成形体20の中間部に開口部17が設けられており、前記延長部22’は該開口部17を横断するように延在している。ランナー部29は開口部17内に位置している。   The lead frame 10A of the semiconductor light emitting device package sheet 1A shown in FIG. 7 is provided with an opening 17 in the middle of the four resin molded bodies 20, and the extension 22 ′ has the opening 17 formed therein. It extends to cross. The runner part 29 is located in the opening 17.

このように、一つのゲートに対して複数個の樹脂成形体を成形することにより、前述の個取り方式と比較し成形体個々に樹脂流れを管理する手間が省け、ゲートごとの管理で良くなるので金型設計や成形条件管理が容易となるメリットがある。   In this way, by molding a plurality of resin moldings on one gate, it is possible to save the trouble of managing the resin flow for each molding compared to the above-described individual molding method, and the management for each gate is improved. Therefore, there is an advantage that mold design and management of molding conditions are easy.

以下に上記樹脂成形体20に好適な樹脂材料について説明する。   The resin material suitable for the resin molded body 20 will be described below.

本発明では、樹脂成形体20は、硬化後に可視光について高反射率を有する液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物を射出し、加熱硬化させるLIM法により成形されたものであることが好ましい。   In the present invention, the resin molded body 20 is preferably molded by the LIM method in which a liquid thermosetting silicone resin composition having a high reflectivity with respect to visible light is injected and cured by heating.

樹脂成形体の反射率は、具体的には、厚さ0.4mmの成形体試料について波長460nmの光の反射率が80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましい。   Specifically, the reflectance of the resin molded body is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more, of the light having a wavelength of 460 nm for a molded body sample having a thickness of 0.4 mm.

また、厚さ0.4mmの成形体試料について波長400nmの光の反射率が60%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。上記厚さ0.4mmの成形体試料の反射率は、原料である液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物を例えば、10kg/cm2の圧力下、180℃で4分間、硬化させることにより成形されたものについて測定されたものとする。 Further, the reflectance of light having a wavelength of 400 nm is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and still more preferably 90% or more for a molded sample having a thickness of 0.4 mm. The reflectance of the molded sample having a thickness of 0.4 mm was formed by curing the liquid thermosetting silicone resin composition as a raw material at 180 ° C. for 4 minutes under a pressure of 10 kg / cm 2 , for example. Measured for things.

この反射率は、厚さ0.4mmの成形体試料を作製し、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETER CM−2600dのような測色計を用いて測定することができる。パッケージのように小型の形状の成形体しか入手できない場合は、パッケージを研磨するなどして厚さ0.4mmの試料を作製し、反射率測定装置として日本電色VSR400のような微小面反射率計を用いて、0.05mmφ以上の面積における反射率を測定することにより得ることができる。   This reflectance can be measured using a colorimeter such as SPECTROPHOTOMETER CM-2600d manufactured by Konica Minolta Co., Ltd., by producing a molded sample having a thickness of 0.4 mm. When only a compact shaped body such as a package is available, a sample having a thickness of 0.4 mm is prepared by polishing the package and the like, and a minute surface reflectance such as Nippon Denshoku VSR400 is used as a reflectance measuring device. Using a meter, it can be obtained by measuring the reflectance in an area of 0.05 mmφ or more.

なお、樹脂成形体の反射率は、樹脂の種類やフィラーの種類、フィラーの粒径や含有量などにより制御することができる。   In addition, the reflectance of a resin molding can be controlled by the kind of resin, the kind of filler, the particle size of filler, content, etc.

以下、樹脂成形体20の成形材料として好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物について詳述する。   Hereinafter, a thermosetting silicone resin composition suitable as a molding material for the resin molded body 20 will be described in detail.

<熱硬化性シリコーン樹脂組成物の組成>
本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、好ましくは、(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、(C)硬化触媒を主成分とし、必要に応じてその他の成分を含む。その他の成分としては、(D)硬化速度制御剤、(E)流動性調整剤などが挙げられる。
<Composition of thermosetting silicone resin composition>
The thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention preferably comprises (A) a polyorganosiloxane, (B) a white pigment, and (C) a curing catalyst as a main component and, if necessary, other components. Examples of other components include (D) a curing rate control agent and (E) a fluidity modifier.

特に(A)ポリオルガノシロキサン、(B)一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、および(C)硬化触媒を含有してなる熱硬化性シリコーン樹脂組成物が好適である。   In particular, it contains (A) a polyorganosiloxane, (B) a white pigment having an aspect ratio of primary particles of 1.2 to 4.0, a primary particle diameter of 0.1 to 2.0 μm, and (C) a curing catalyst. The thermosetting silicone resin composition formed is suitable.

上記(A)乃至(C)成分の、本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物の好ましい組成は以下のとおりである。   The preferable composition of the thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention of the above components (A) to (C) is as follows.

本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物中における(A)ポリオルガノシロキサンの含有量は、上記樹脂成形体用材料として通常用いることができる範囲であれば限定されないが、通常、組成物全体の15重量%以上、50重量%以下であり、好ましくは20重量%以上、40重量%以下であり、より好ましくは25重量%以上、35重量%以下である。   The content of the (A) polyorganosiloxane in the thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention is not limited as long as it can be normally used as the material for the resin molding, but usually the whole composition 15 wt% or more and 50 wt% or less, preferably 20 wt% or more and 40 wt% or less, more preferably 25 wt% or more and 35 wt% or less.

また、(B)白色顔料の含有量は、上記樹脂成形体用材料として通常用いることができる範囲であれば限定されないが、例えば組成物全体の30重量%以上、85重量%以下であり、好ましくは40重量%以上80重量%以下であり、より好ましくは45重量%以上、70重量%以下である。   Further, the content of the (B) white pigment is not limited as long as it can be normally used as the material for a resin molded body, but is, for example, 30% by weight or more and 85% by weight or less of the entire composition, preferably Is 40% by weight or more and 80% by weight or less, more preferably 45% by weight or more and 70% by weight or less.

<熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度>
本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、25℃における剪断速度100s-1での粘度が10Pa・s以上10,000Pa・s以下であることが好ましい。上記粘度は、半導体装置用樹脂成形体を成形する際の成形効率の観点から、150Pa・s以上1,000Pa・s以下であることがより好ましい。
<Viscosity of thermosetting silicone resin composition>
The thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention preferably has a viscosity of 10 Pa · s or more and 10,000 Pa · s or less at a shear rate of 100 s −1 at 25 ° C. The viscosity is more preferably 150 Pa · s or more and 1,000 Pa · s or less from the viewpoint of molding efficiency when molding a resin molded body for a semiconductor device.

特に液状樹脂材料を用いたLIM成形では、金型の微小な隙間から材料が染み出すことに起因するバリが発生しやすく、通常、バリを除去する後処理工程が必要であり、一方、バリの発生を抑えるために金型の隙間を小さくするとショートモールド(未充填)が発生しやすくなる等の問題があるが、前記液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が上記範囲にある場合、このような問題を解決することができ、樹脂成形体のLIM成形を容易に、効率よく行うことができる。   In particular, in LIM molding using a liquid resin material, burrs due to the material seeping out from minute gaps in the mold are likely to occur, and usually a post-treatment process for removing the burrs is necessary. If the gap between the molds is reduced to suppress the occurrence, short mold (unfilled) is likely to occur. However, when the viscosity of the liquid thermosetting silicone resin composition is in the above range, Therefore, the LIM molding of the resin molded body can be easily and efficiently performed.

剪断速度100s-1での粘度が10,000Pa・sより大きいと、樹脂組成物の流れが悪いため金型への充填が不十分となったり、射出成形を行う際に前記液状樹脂組成物供給に時間がかかるため成形サイクルが長くなったりするなどして、成形効率が低下する傾向にある。 If the viscosity at a shear rate of 100 s −1 is greater than 10,000 Pa · s, the resin composition will flow poorly, and the mold will not be sufficiently filled, or the liquid resin composition will be supplied when injection molding is performed. Therefore, the molding efficiency tends to decrease because the molding cycle becomes long.

また、上記粘度が10Pa・sより小さいと、金型の隙間から前記液状樹脂組成物が漏れてバリが発生したり、金型の隙間に射出圧力が逃げやすくなるため成形が安定しにくくなったりして、やはり成形効率が低下する傾向にある。特に成形体が小さい場合にはバリを除去するための後処理も困難になるため、バリの発生を抑えることは成形性には重要である。   Further, if the viscosity is less than 10 Pa · s, the liquid resin composition leaks from the gap between the molds to generate burrs, or the injection pressure easily escapes into the gap between the molds, so that molding becomes difficult to stabilize. As a result, the molding efficiency tends to decrease. In particular, when the molded body is small, post-processing for removing burrs becomes difficult, so it is important for moldability to suppress the generation of burrs.

加えて、チキソトロピー性の観点から、本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物は25℃での剪断速度100s-1での粘度に対する25℃での剪断速度1s-1での粘度の比(1s-1/100s-1)が15以上であることが好ましく、30以上であることが特に好ましい。一方、上限は、300以下であることがより好ましい。 In addition, from the viewpoint of thixotropy, the thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention is a ratio of the viscosity at a shear rate of 1 s −1 at 25 ° C. to the viscosity at a shear rate of 100 s −1 at 25 ° C. ( 1s −1 / 100s −1 ) is preferably 15 or more, and particularly preferably 30 or more. On the other hand, the upper limit is more preferably 300 or less.

成形性のよい材料とするためには、材料に一定以上のチキソトロピー性を持たせることが必要であるが、上記のような条件を満たすことにより、バリやショートモールド(未充填)の発生が少なく、成形時の材料の計量時間や成形サイクルを短縮でき、成形も安定しやすく、成形効率の高い材料となる。   In order to make a material with good moldability, it is necessary to provide the material with a certain level of thixotropy. However, by satisfying the above conditions, there are few burrs and short molds (unfilled). The material measurement time and molding cycle during molding can be shortened, the molding is easy to stabilize, and the material has high molding efficiency.

また、25℃における剪断速度100s-1での粘度に対する25℃における剪断速度1s-1での粘度の比が15未満の場合、つまり剪断速度1s-1での粘度が比較的小さい場合は、成形機や金型の隙間にも材料が入り込みやすくなり、バリが発生しやすくなったり、ノズル部で液ダレしやすくなったり、射出圧力が材料に伝わりにくく成形が安定しにくくなったりするなど、成形のコントロールが難しくなることがある。LIM成形ではスプルー部のパーティングラインの樹脂漏れが問題になりやすいが、上記の粘度範囲に調整することは樹脂漏れ抑制にも効果がある。 When the ratio of the viscosity at a shear rate of 1 s −1 at 25 ° C. to the viscosity at a shear rate of 100 s −1 at 25 ° C. is less than 15, that is, when the viscosity at the shear rate of 1 s −1 is relatively small, molding is performed. Molding is easy because the material can easily enter the gaps between the machine and the mold, causing burrs, dripping easily at the nozzle part, and the injection pressure is not easily transmitted to the material, making molding difficult to stabilize. Can be difficult to control. In LIM molding, resin leakage in the parting line of the sprue part tends to be a problem, but adjusting to the above viscosity range is also effective in suppressing resin leakage.

これらの25℃における剪断速度100s-1での粘度と剪断速度1s-1での粘度は、例えばARES−G2−歪制御型レオメータ(ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製)を用いて測定することができる。 The viscosity at a shear rate of 100 s −1 and the viscosity at a shear rate of 1 s −1 at 25 ° C. are measured using, for example, an ARES-G2-strain-controlled rheometer (manufactured by TA Instruments Japan Co., Ltd.). Can be measured.

<熱硬化性シリコーン樹脂組成物の構成成分>
<(A)ポリオルガノシロキサン>
本発明における(A)ポリオルガノシロキサンとは、ケイ素原子が酸素原子を介して他のケイ素原子と結合した部分を持つ構造に有機基が付加している高分子物質を指す。ここでポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体であることが好ましい。これは、半導体発光装置用樹脂成形体を成形する際に、材料の扱いが容易となるからである。また、常温常圧下において固体のポリオルガノシロキサンは、一般的に硬化物としての硬度は比較的高いが、破壊に要するエネルギーが小さく靭性が低いものや、耐光性、耐熱性が不十分で光や熱により変色しやすいものが多い傾向にあるからである。
<Constituent Components of Thermosetting Silicone Resin Composition>
<(A) Polyorganosiloxane>
The (A) polyorganosiloxane in the present invention refers to a polymer substance in which an organic group is added to a structure having a portion in which a silicon atom is bonded to another silicon atom through an oxygen atom. Here, the polyorganosiloxane is preferably a liquid at normal temperature and pressure. This is because the material becomes easy to handle when molding the resin molded body for a semiconductor light emitting device. Polyorganosiloxane that is solid under normal temperature and normal pressure generally has a relatively high hardness as a cured product, but has low energy required for destruction and low toughness, light resistance and heat resistance are insufficient, This is because many products tend to discolor due to heat.

上記ポリオルガノシロキサンは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば以下に示す一般組成式(1)で表される化合物や、その混合物が挙げられる。
(R123SiO1/2M(R45SiO2/2D(R6SiO3/2T(SiO4/2Q ・・・(1)
ここで、上記式(1)において、R1からR6は独立して、有機官能基、水酸基、水素原子から選択される。またM、D、TおよびQは0以上1未満であり、M+D+T+Q=1を満足する数である。
The polyorganosiloxane usually refers to an organic polymer having a siloxane bond as the main chain, and examples thereof include compounds represented by the following general composition formula (1) and mixtures thereof.
(R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) M (R 4 R 5 SiO 2/2 ) D (R 6 SiO 3/2 ) T (SiO 4/2 ) Q (1)
Here, in the above formula (1), R 1 to R 6 are independently selected from an organic functional group, a hydroxyl group, and a hydrogen atom. M, D, T, and Q are 0 or more and less than 1, and M + D + T + Q = 1.

有機官能基としては、得られる樹脂成形体の光・熱に対する耐久性や硬化特性、反射特性を損じない範囲で公知の1価有機基より任意に選択して良いが、中でも炭素数1〜10のアルキル基・芳香族基・アルケニル基、炭素数1〜3のアルコキシ基が樹脂成形体が熱により着色しにくいため好ましく、中でもメチル基、フェニル基、ビニル基が工業的に入手しやすく光に対して安定であるため好ましく、ポリオルガノシロキサン及び樹脂成形体の2官能ケイ素含有量を高くすることが出来、柔軟な樹脂成形体を与えることができる観点からメチル基主体とすることが特に好ましい。   The organic functional group may be arbitrarily selected from known monovalent organic groups as long as it does not impair the light and heat durability, curing characteristics, and reflection characteristics of the obtained resin molded body. Alkyl groups, aromatic groups, alkenyl groups, and alkoxy groups having 1 to 3 carbon atoms are preferable because the resin molding is difficult to be colored by heat, and among them, methyl groups, phenyl groups, and vinyl groups are industrially readily available for light. It is preferable because it is stable, and it is particularly preferable that the polyorganosiloxane and the resin molding have a methyl group mainly from the viewpoint that the bifunctional silicon content can be increased and a flexible resin molding can be obtained.

主なポリオルガノシロキサンを構成する単位は、1官能型[R3SiO0.5](トリオルガノシルヘミオキサン)、2官能型[R2SiO](ジオルガノシロキサン)、3官能型[RSiO1.5](オルガノシルセスキオキサン)、4官能型[SiO2](シリケート)であり、これら4種の単位の構成比率を変えることにより、ポリオルガノシロキサンの性状の違いが出てくるので、所望の特性が得られるように適宜選択すればよい。 The units constituting the main polyorganosiloxane are monofunctional [R 3 SiO 0.5 ] (triorganosyl hemioxane), bifunctional [R 2 SiO] (diorganosiloxane), trifunctional [RSiO 1.5 ]. (Organosilsesquioxane) is a tetrafunctional type [SiO 2 ] (silicate). By changing the composition ratio of these four units, the difference in the properties of the polyorganosiloxane can be obtained. May be selected as appropriate so that is obtained.

ポリオルガノシロキサンは、硬化触媒の存在下で、熱エネルギーや光エネルギー等を与えることにより硬化させる事ができる。ここで硬化とは、流動性を示す状態から、流動性を示さない状態に変化することをいい、例えば、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置しても流動性がある状態を未硬化状態といい、全く流動性がない状態を硬化状態として判断することができる。また、フィラー充填量が多い等の理由で、対象物が流動性を示さない場合には、該対象物が塑性変形せず、硬度をデュロメータタイプAにて測定でき、硬度測定値が少なくとも5以上であるか否かで未硬化状態、硬化状態を判断することもできる。   Polyorganosiloxane can be cured by applying heat energy, light energy, or the like in the presence of a curing catalyst. Here, curing refers to changing from a state showing fluidity to a state showing no fluidity. For example, even if the object is left at an angle of 45 degrees from the horizontal for 30 minutes, it is fluid. The state is referred to as an uncured state, and a state having no fluidity can be determined as a cured state. Further, when the object does not exhibit fluidity due to a large filler filling amount, the object is not plastically deformed, and the hardness can be measured with a durometer type A, and the measured hardness value is at least 5 or more. Whether it is uncured or cured can also be determined.

ポリオルガノシロキサンは、硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのポリオルガノシロキサンを挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ(付加型ポリオルガノシロキサン)、および縮合硬化タイプ(縮合型ポリオルガノシロキサン)が好適である。中でも、副生物が無く、また、反応が非可逆性のヒドロシリル化(付加重合)によって硬化するポリオルガノシロキサンのタイプがより好適である。これは、成形加工時に副生成物が発生すると、成形容器内の圧を上昇させたり、硬化材料中に泡として残存したりする傾向にあるからである。   When the polyorganosiloxane is classified according to the curing mechanism, polyorganosiloxanes such as an addition polymerization curing type, a condensation polymerization curing type, an ultraviolet curing type, and a peroxide crosslinking type can be generally exemplified. Among these, addition polymerization curing type (addition type polyorganosiloxane) and condensation curing type (condensation type polyorganosiloxane) are preferable. Among these, a polyorganosiloxane type that has no by-products and cures by irreversible hydrosilylation (addition polymerization) is more preferable. This is because when a by-product is generated during the molding process, the pressure in the molded container tends to increase or it remains as foam in the cured material.

付加型ポリオルガノシロキサンは、ポリオルガノシロキサン鎖が、有機付加結合により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシラン等のアルケニル基を有するケイ素含有化合物と、例えばヒドロシラン等のヒドロシリル基を含有するケイ素化合物とを総アルケニル基量に対する総ヒドロシリル基量のモル比が0.5倍以上、2.0倍以下となる量比で混合し、Pt触媒などの付加縮合触媒の存在下反応させて得られるSi−C−C−Si結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。   Addition type polyorganosiloxane refers to a polyorganosiloxane chain crosslinked by an organic addition bond. As a typical example, the molar ratio of the total hydrosilyl group amount to the total alkenyl group amount of a silicon-containing compound having an alkenyl group such as vinylsilane and a silicon compound containing a hydrosilyl group such as hydrosilane is 0.5 times. Examples thereof include compounds having Si—C—C—Si bonds at the cross-linking points obtained by mixing in an amount ratio of 2.0 times or less and reacting in the presence of an addition condensation catalyst such as a Pt catalyst. .

縮合型ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合で得られるSi−O−Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。   Examples of the condensed polyorganosiloxane include a compound having a Si—O—Si bond obtained by hydrolysis and polycondensation of an alkylalkoxysilane at a crosslinking point.

<(B)白色顔料>
本発明において用いる(B)白色顔料としては、一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下のものが好ましく、樹脂の硬化を阻害しない公知の白色顔料を適宜選択する事ができる。白色顔料としては無機および/または有機の材料を用いる事ができる。ここで白色とは、無色であり透明ではない事をいう。すなわち可視光領域に特異な吸収波長を持たない物質により入射光を乱反射させる事ができる色をいう。
<(B) White pigment>
The white pigment (B) used in the present invention preferably has a primary particle aspect ratio of 1.2 or more and 4.0 or less, and a primary particle diameter of 0.1 μm or more and 2.0 μm or less, and does not hinder the curing of the resin. A known white pigment can be appropriately selected. As the white pigment, inorganic and / or organic materials can be used. Here, white means colorless and not transparent. That is, it means a color that can diffusely reflect incident light by a substance that does not have a specific absorption wavelength in the visible light region.

白色顔料として用いることができる無機粒子としては、アルミナ(以下、「酸化アルミニウム」と称する場合がある。)、酸化ケイ素、チタニア(以下、「酸化チタン」と称する場合がある。)、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物;炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム等の金属塩;窒化ホウ素、アルミナホワイト、コロイダルシリカ、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ホウ酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、合成雲母などが挙げられる。   Examples of the inorganic particles that can be used as the white pigment include alumina (hereinafter sometimes referred to as “aluminum oxide”), silicon oxide, titania (hereinafter sometimes referred to as “titanium oxide”), zinc oxide, Metal oxides such as magnesium oxide and zirconium oxide; metal salts such as calcium carbonate, barium carbonate, magnesium carbonate and barium sulfate; boron nitride, alumina white, colloidal silica, aluminum silicate, zirconium silicate, aluminum borate, clay, Examples include talc, kaolin, mica, and synthetic mica.

中でも白色度が高く少量でも光反射効果が高く変質しにくい点からは、アルミナ、チタニア、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化イットリウムなどが好ましく、特にアルミナ、チタニアが好ましい。また、材料硬化時の熱伝導率向上の点からは、アルミナ、窒化ホウ素などが特に好ましい。また、近紫外線の光反射効果が高く、近紫外線による変質が小さい観点からも、アルミナが特に好ましい。チタニアは、光触媒性、分散性、白色性等の問題が出ない程度に含有する事ができる。
これらの白色顔料は、単独もしくは2種以上混合して用いる事ができる。
Of these, alumina, titania, zinc oxide, zirconium oxide, yttrium oxide and the like are preferable from the viewpoint of high whiteness and high light reflection effect and hardly change in quality, and alumina and titania are particularly preferable. Also, alumina, boron nitride, and the like are particularly preferable from the viewpoint of improving the thermal conductivity when the material is cured. Alumina is particularly preferable from the viewpoint of high near-ultraviolet light reflection effect and small alteration due to near-ultraviolet light. Titania can be contained to such an extent that problems such as photocatalytic properties, dispersibility, and whiteness do not occur.
These white pigments can be used alone or in admixture of two or more.

(A)ポリオルガノシロキサンの屈折率と(B)白色顔料の屈折率差が大きいほど、少量の白色顔料を添加しただけでも白色度がより高く、反射・散乱効率のよい半導体発光装置用樹脂成形体を得ることができる。(A)ポリオルガノシロキサンは屈折率が1.41程度のものが好ましく、屈折率が1.76のアルミナ粒子を(B)白色顔料として好適に用いることができる。   As the refractive index difference between (A) the polyorganosiloxane and (B) the white pigment is larger, the whiteness is higher just by adding a small amount of white pigment, and the resin molding for semiconductor light-emitting devices has better reflection and scattering efficiency. You can get a body. The polyorganosiloxane (A) preferably has a refractive index of about 1.41, and alumina particles having a refractive index of 1.76 can be suitably used as the (B) white pigment.

また、アルミナは、紫外線の吸収能が低いことから、特に、紫外〜近紫外発光の発光素子と共に用いる場合に好適に用いることができる。本発明において用いるアルミナとしてはその結晶形態は問わないが、化学的に安定、融点が高い、機械的強度が大きい、硬度が高い、電気絶縁抵抗が大きい等の特性を持つα−アルミナが好適に使用できる。   Alumina has a low ability to absorb ultraviolet rays, and therefore can be suitably used particularly when used with a light emitting element emitting ultraviolet to near ultraviolet light. The alumina used in the present invention is not limited in crystal form, but α-alumina having characteristics such as chemically stable, high melting point, high mechanical strength, high hardness, and high electric insulation resistance is preferable. Can be used.

また、本発明において(B)白色顔料としてアルミナを用いる場合、アルミナ結晶の結晶子サイズが500Å以上2,000Å以下であることが好ましく、700Å以上1,500Å以下であることがより好ましく、900Å以上1,300Å以下であることが特に好ましい。結晶子とは、単結晶とみなせる最大の集まりをいう。   In the present invention, when alumina is used as the white pigment (B), the crystallite size of the alumina crystal is preferably 500 to 2,000, more preferably 700 to 1,500, and more preferably 900 to It is particularly preferable that it is 1,300 mm or less. A crystallite is the largest group that can be regarded as a single crystal.

アルミナ結晶の結晶子サイズが上記範囲であると、成形時の配管、スクリュー、金型などの磨耗が少なく、磨耗による不純物が混入しにくい点で好ましい。なお、上記結晶子サイズは、X線回折測定により確認することができる。   When the crystallite size of the alumina crystal is within the above range, it is preferable in that the pipe, screw, mold, and the like during the molding are less worn and impurities due to the wear are less likely to be mixed. The crystallite size can be confirmed by X-ray diffraction measurement.

一般にアルミナはチタニアより耐久性が高く、アルミナとチタニアを併用した場合、チタニアの比率が増すと材料の耐久性が低下する傾向にある。一方で、チタニアは、アルミナと比較して屈折率が高く、樹脂との屈折率差が大きいため、チタニアの比率が増すと樹脂成形体の反射率が高くなる傾向にある。   In general, alumina has higher durability than titania, and when alumina and titania are used in combination, the durability of the material tends to decrease as the ratio of titania increases. On the other hand, titania has a higher refractive index than alumina and a large difference in refractive index from the resin. Therefore, when the titania ratio increases, the reflectance of the resin molded product tends to increase.

そこで、アルミナに同程度以下のチタニアを添加すると、チタニアの比率から予測される程度より大きく反射率が向上し、材料の反射率を高くしつつ、耐久性の低下を極力抑制することができる。   Therefore, when titania having the same or lower degree is added to alumina, the reflectance is improved more than expected from the titania ratio, and the decrease in durability can be suppressed as much as possible while increasing the reflectance of the material.

熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化時の熱伝導率は、成形効率及び半導体発光装置の放熱の点からも高い方が好ましいが、熱伝導率を高くするためには、純度が98%以上のアルミナを用いることが好ましく、純度99%以上のアルミナを用いることがより好ましく、特に低ソーダアルミナを用いることが好ましい。また、熱伝導率を高くするためには、窒化ホウ素を用いることも好ましく、純度が99%以上の窒化ホウ素を用いることが特に好ましい。   The heat conductivity during curing of the thermosetting silicone resin composition is preferably higher from the viewpoint of molding efficiency and heat dissipation of the semiconductor light emitting device, but in order to increase the heat conductivity, the purity is 98% or more. It is preferable to use alumina, more preferably alumina having a purity of 99% or more, and particularly preferably low soda alumina. In order to increase the thermal conductivity, it is also preferable to use boron nitride, and it is particularly preferable to use boron nitride having a purity of 99% or more.

また、特に、発光ピーク波長が420nm以上の発光素子を使用する半導体発光装置では、白色顔料としてチタニアも好適に使用することができる。チタニアは紫外線吸収能を持つが、屈折率が大きく光散乱性が強いため、420nm以上の波長の光の反射率が高く、少ない添加量でも高反射を発現しやすい。白色顔料としてチタニアを用いる場合は、紫外線吸収能や光触媒能が大きく高温で不安定なアナターゼ型よりも、高温で安定であり、屈折率が高く、比較的耐光性が高いルチル型が好ましく、光触媒活性を抑える目的で表面にシリカやアルミナの薄膜コートが施されたルチル型が特に好ましい。   In particular, in a semiconductor light emitting device using a light emitting element having an emission peak wavelength of 420 nm or more, titania can also be suitably used as a white pigment. Although titania has an ultraviolet absorbing ability, it has a high refractive index and a strong light scattering property. Therefore, it has a high reflectance of light having a wavelength of 420 nm or more, and it is easy to exhibit high reflection even with a small addition amount. When titania is used as a white pigment, a rutile type that is stable at high temperatures, has a high refractive index, and has a relatively high light resistance is preferred to a photocatalyst, rather than the anatase type, which has a large ultraviolet absorption ability and photocatalytic ability and is unstable at high temperatures. For the purpose of suppressing the activity, a rutile type having a surface coated with a thin film of silica or alumina is particularly preferred.

チタニアは屈折率が高く、ポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きいため少ない添加量でも高反射となりやすいことから、アルミナとチタニアを50:50〜95:5(重量比)のような割合で併用してもよい。   Since titania has a high refractive index and a large difference in refractive index with polyorganosiloxane, it is easy to be highly reflective even with a small addition amount. Therefore, alumina and titania are used in a ratio of 50:50 to 95: 5 (weight ratio). May be.

本発明に用いる(B)白色顔料は、その一次粒子のアスペクト比が、1.2以上4.0以下であるものが好適である。   The white pigment (B) used in the present invention preferably has an aspect ratio of primary particles of 1.2 or more and 4.0 or less.

アスペクト比は、粒子等の形状を定量的に表現する簡便な方法として一般に用いられており、本発明ではSEMなどの電子顕微鏡観察により計測した粒子の長軸長さ(最大長径)を短軸長さ(長径に垂直方向で最も長い部分の長さ)で除して求めるものとする。軸長さにばらつきがある場合は、複数点(例えば10点)をSEMで計測し、その平均値から算出することができる。あるいは、30点、100点を計測しても同様の算出結果を得ることができる。   The aspect ratio is generally used as a simple method for quantitatively expressing the shape of a particle. In the present invention, the major axis length (maximum major axis) of a particle measured by observation with an electron microscope such as SEM is the minor axis length. It is obtained by dividing by the length (the length of the longest part perpendicular to the major axis). When the axial length varies, a plurality of points (for example, 10 points) can be measured with an SEM and calculated from the average value. Alternatively, the same calculation result can be obtained by measuring 30 points and 100 points.

(B)白色顔料の一次粒子の好ましいアスペクト比は、1.25以上であり、より好ましくは1.3以上、特に好ましくは1.4以上である。一方、上限は、3.0以下が好ましく、2.5以下がより好ましく、2.2以下が更に好ましく、2.0以下が特に好ましく、1.8以下であることが最も好ましい。   (B) The preferred aspect ratio of the primary particles of the white pigment is 1.25 or more, more preferably 1.3 or more, and particularly preferably 1.4 or more. On the other hand, the upper limit is preferably 3.0 or less, more preferably 2.5 or less, still more preferably 2.2 or less, particularly preferably 2.0 or less, and most preferably 1.8 or less.

アスペクト比が上記範囲であると、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、この樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。   When the aspect ratio is in the above range, high reflectance is likely to be exhibited by scattering, and the reflection of light having a short wavelength in the near ultraviolet region is particularly large. Thereby, in the semiconductor light-emitting device using this resin molding, LED output can be improved.

また、アスペクト比が上記範囲の白色顔料を使用することは、金型の磨耗が少ないなど、成形上も好ましい。アスペクト比が上記範囲を超えて大きい場合、顔料粒子との接触により金型の磨耗が激しくなることがあり、逆に、アスペクト比が小さい白色顔料を使用する場合も材料中の顔料の充填密度を高くできるため金型と顔料との接触頻度が上がり、金型が磨耗しやすくなる。さらに、アスペクト比が上記範囲の白色顔料を使用すると、材料粘度の調整が容易で、成形に適した粘度に調整できるので、成形サイクルの短縮や、バリの防止が可能となる等、成形性に優れた材料となる。   In addition, the use of a white pigment having an aspect ratio in the above range is preferable in terms of molding because, for example, the mold is less worn. When the aspect ratio is larger than the above range, the mold may be worn by contact with the pigment particles. Conversely, when using a white pigment with a small aspect ratio, the packing density of the pigment in the material may be reduced. Since the height can be increased, the frequency of contact between the mold and the pigment increases, and the mold tends to wear. Furthermore, when white pigments with an aspect ratio in the above range are used, the material viscosity can be easily adjusted and adjusted to a viscosity suitable for molding, so that the molding cycle can be shortened and burrs can be prevented. An excellent material.

アスペクト比が上記範囲であることで、白色顔料が金型の隙間に充填され、バリが発生しにくいが、アスペクト比が1.2未満のように球状に近くなると金型の隙間を通り抜けてバリが発生しやすくなる。   When the aspect ratio is in the above range, the white pigment is filled in the gaps of the mold and burrs are less likely to occur, but when the aspect ratio is nearly spherical, such as less than 1.2, the burrs pass through the gaps of the mold. Is likely to occur.

本発明では、アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子が(B)白色顔料全体の60体積%以上、より好ましくは70体積%以上、特に好ましくは80体積%以上を占めることが好ましく、必ずしも全ての(B)白色顔料が上記アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。   In the present invention, the particles whose aspect ratio falls within the above range preferably occupies 60% by volume or more, more preferably 70% by volume or more, and particularly preferably 80% by volume or more of the entire white pigment (B). (B) It is a matter of course for those skilled in the art that the white pigment does not have to satisfy the above aspect ratio range.

アスペクト比を上記範囲とするためには、白色顔料の表面処理をしたり、研磨したりする等の一般的な方法を採ればよい。また、白色顔料を破砕(粉砕)して微細化することや、篩粉等により分級することによっても調整できる。   In order to set the aspect ratio within the above range, a general method such as surface treatment or polishing of the white pigment may be employed. It can also be adjusted by crushing (pulverizing) the white pigment to make it fine, or by classifying it with sieve powder or the like.

本発明に用いる(B)白色顔料は、形状が破砕形状であることが好ましく、破砕後の処理により結晶の角が少ない丸みを帯びた形状となったもの、焼成などによって生成した球状でない顔料の形状も含まれる。   The white pigment (B) used in the present invention is preferably a crushed shape, a rounded shape with few crystal corners by treatment after crushing, or a non-spherical pigment produced by firing or the like. Shape is also included.

また、(B)白色顔料の一次粒子径が、0.1μm以上2μm以下であるものが好適である。下限値については好ましくは0.15μm以上、より好ましくは0.2μm以上、特に好ましくは0.25μm以上であり、上限値については好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下、特に好ましくは0.5μm以下である。   Moreover, (B) the primary particle diameter of the white pigment is preferably 0.1 μm or more and 2 μm or less. The lower limit is preferably 0.15 μm or more, more preferably 0.2 μm or more, particularly preferably 0.25 μm or more, and the upper limit is preferably 1 μm or less, more preferably 0.8 μm or less, particularly preferably 0. .5 μm or less.

一次粒子径が上記範囲である場合には、後方散乱傾向と散乱光強度を兼ね備えることで材料が高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域等の短波長の光に対する反射が大きくなり、好ましい。   When the primary particle size is in the above range, the material is easy to express high reflectivity by combining the backscattering tendency and the scattered light intensity, and the reflection with respect to light having a short wavelength particularly in the near ultraviolet region is increased, which is preferable. .

白色顔料は、一次粒子径が小さすぎると散乱光強度が小さいため反射率は低くなる傾向にあり、一次粒子径が大きすぎると散乱光強度は大きくなるが、前方散乱傾向になるため反射率は小さくなる傾向にある。   If the primary particle diameter is too small, the white pigment tends to have low reflectance because the scattered light intensity is low.If the primary particle diameter is too large, the scattered light intensity tends to increase, but the reflectance tends to be forward scattering. It tends to be smaller.

また、一次粒子径が上記範囲である場合には、成形に適した粘度への調整が容易である上、金型の磨耗が少ないなど、成形性の観点からも好ましい。一次粒子径が上記範囲よりも大きい場合、顔料粒子との接触による金型への衝撃が大きく金型の磨耗が激しくなる傾向があり、一次粒子径が上記範囲よりも小さい白色顔料を使用する場合には、材料が高粘度になりやすく、白色顔料の充填量を上げられないため、高反射等の材料特性と成形性との両立が難しくなる傾向にある。   Further, when the primary particle diameter is in the above range, it is preferable from the viewpoint of moldability, such as easy adjustment to a viscosity suitable for molding and less wear of the mold. When the primary particle diameter is larger than the above range, the impact on the mold due to contact with the pigment particles tends to be large and the wear of the mold tends to be severe, and when using a white pigment whose primary particle diameter is smaller than the above range However, since the material tends to be highly viscous and the filling amount of the white pigment cannot be increased, it tends to be difficult to achieve compatibility between material properties such as high reflection and moldability.

特に、液状射出成形に好適に使用できる材料とするためには材料にある程度以上のチキソトロピー性を持たせることが必要である。一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料を組成物中に添加するとチキソトロピー性付与効果が大きく、バリやショートが少なく成形しやすい組成物とするために、粘度とチキソトロピー性を容易に調整することができる。   In particular, in order to obtain a material that can be suitably used for liquid injection molding, it is necessary that the material has a thixotropic property of a certain level or more. Adding a white pigment with a primary particle size of 0.1 μm or more and 2.0 μm or less to the composition has a large thixotropy-imparting effect and makes it easy to mold with few burrs and shorts, so viscosity and thixotropy are easy. Can be adjusted.

なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、一次粒子径が2μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。   A white pigment having a primary particle diameter larger than 2 μm can be used in combination for the purpose of increasing the filling rate of the white pigment in the resin composition.

本発明にいう一次粒子とは粉体を構成している粒子のうち、他と明確に区別できる最小単位をいい、一次粒子径はSEMなどの電子顕微鏡観察により計測することができる。一方、一次粒子が凝集してできる凝集粒子を二次粒子といい、二次粒子の中心粒径は粉体を適当な分散媒(例えばアルミナの場合は水)に分散させて粒度分析計等で測定することができる。一次粒子径にばらつきがある場合は、数点(例えば10点)をSEM観察し、その平均値を粒子径とすればよい。また、測定の際、個々の粒子が球状でない場合はもっとも長い、すなわち長軸の長さを粒子径とする。   The primary particle in the present invention refers to the smallest unit that can be clearly distinguished from other particles constituting the powder, and the primary particle diameter can be measured by observation with an electron microscope such as SEM. On the other hand, agglomerated particles formed by agglomeration of primary particles are called secondary particles. The center particle size of secondary particles is determined by dispersing the powder in a suitable dispersion medium (for example, water in the case of alumina) and using a particle size analyzer. Can be measured. When the primary particle size varies, several points (for example, 10 points) are observed with an SEM, and the average value may be set as the particle size. In the measurement, when the individual particles are not spherical, the longest length, that is, the length of the long axis is taken as the particle diameter.

一方、上記白色顔料は、二次粒子の中心粒径(以下、「二次粒径」と称する場合がある。)が、0.2μm以上であるものが好ましく、0.3μm以上であるものがより好ましい。上限は5μm以下であるものが好ましく、3μm以下であるものがより好ましく、2μm以下であるものが更に好ましい。   On the other hand, the white pigment preferably has a secondary particle central particle size (hereinafter sometimes referred to as “secondary particle size”) of 0.2 μm or more, and 0.3 μm or more. More preferred. The upper limit is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, and even more preferably 2 μm or less.

二次粒径が上記範囲であると、液状射出成形の成形性が良好となり、好ましい。また、成形に適した粘度への調整が容易で、金型の磨耗が少ない。加えて、白色顔料が金型の隙間を通過しにくいためバリが発生しにくく、かつ、金型のゲートに詰まりにくいため成形時のトラブルが起こりにくい。二次粒径が上記範囲よりも大きい場合には、白色顔料の沈降により材料が不均一となる傾向にあり、金型の磨耗やゲートの詰まりにより成形性が損なわれたり、成形品の反射の均一性が損なわれたりすることがある。   When the secondary particle size is in the above range, the moldability of liquid injection molding becomes good, which is preferable. In addition, it is easy to adjust to a viscosity suitable for molding, and there is little wear on the mold. In addition, since the white pigment does not easily pass through the gap between the molds, burrs are not easily generated, and the mold gate is not easily clogged, so that troubles during molding hardly occur. When the secondary particle size is larger than the above range, the material tends to become non-uniform due to the precipitation of the white pigment, the moldability is impaired due to mold wear and gate clogging, and the reflection of the molded product is Uniformity may be impaired.

なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、二次粒径が10μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。なお、中心粒径とは体積基準粒度分布曲線の体積積算値が50%になる粒子径をいい、一般的に50%粒子径(D50)、メディアン径と呼ばれるものを指す。 In addition, for the purpose of increasing the filling rate of the white pigment in the resin composition, a white pigment having a secondary particle size larger than 10 μm can be used in combination. The central particle diameter means a particle diameter at which the volume integrated value of the volume-based particle size distribution curve becomes 50%, and generally refers to what is called a 50% particle diameter (D 50 ) and a median diameter.

前述の如く、本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物中の(B)白色顔料の含有量は、使用する顔料の粒径や種類、ポリオルガノシロキサンと顔料の屈折率差により適宜選択され特に限定されない。例えば、組成物中の含有割合として通常30重量%以上、好ましくは45重量%以上であり、通常85重量%以下、好ましくは70重量%以下である。   As described above, the content of the (B) white pigment in the thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention is appropriately selected depending on the particle diameter and type of the pigment used and the refractive index difference between the polyorganosiloxane and the pigment. There is no particular limitation. For example, the content in the composition is usually 30% by weight or more, preferably 45% by weight or more, and usually 85% by weight or less, preferably 70% by weight or less.

上記範囲内であると反射率、成形性等が良好である。上記下限未満である場合には光線が透過してしまい半導体発光装置の反射効率が低下する傾向にあり、上限よりも大きい場合には材料の流動性が悪化することにより成形性が低下する傾向にある。   When it is within the above range, reflectivity, moldability and the like are good. If it is less than the above lower limit, light tends to be transmitted and the reflection efficiency of the semiconductor light emitting device tends to decrease, and if it is larger than the upper limit, the fluidity of the material tends to deteriorate and the moldability tends to decrease. is there.

また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の熱伝導率を例えば、0.4以上3.0以下の範囲のように高くするためには、(B)白色顔料としてアルミナ及び/又はチタニアを熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体量に対して40重量%以上90重量%以下添加することが好ましい。   Further, in order to increase the thermal conductivity of the thermosetting silicone resin composition, for example, in the range of 0.4 to 3.0, (B) alumina and / or titania is thermosetting as a white pigment. It is preferable to add 40 wt% or more and 90 wt% or less with respect to the total amount of the silicone resin composition.

または(B)白色顔料として窒化ホウ素を熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体量に対して30重量%以上90重量%以下添加することが好ましい。なお、アルミナ、チタニア、窒化ホウ素を併用してもよい。   Or (B) It is preferable to add 30 to 90 weight% of boron nitride with respect to the thermosetting silicone resin composition whole quantity as a white pigment. Alumina, titania, and boron nitride may be used in combination.

<(C)硬化触媒>
硬化触媒とは、(A)のポリオルガノシロキサンを硬化させる触媒である。この触媒はポリオルガノシロキサンの硬化機構により付加重合用触媒、縮合重合用触媒がある。
<(C) Curing catalyst>
The curing catalyst is a catalyst for curing the polyorganosiloxane (A). This catalyst includes an addition polymerization catalyst and a condensation polymerization catalyst depending on the curing mechanism of the polyorganosiloxane.

付加重合用触媒は、前記(A)ポリオルガノシロキサン中のアルケニル基とヒドロシリル基との付加反応を促進するための触媒であり、この付加重合触媒の例としては、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。なお、この付加重合触媒の配合量は通常、白金族金属として(A)ポリオルガノシロキサンの重量に対して通常1ppm以上、好ましくは2ppm以上であり、通常100ppm以下、好ましくは50ppm以下、さらに好ましくは20ppm以下である。   The addition polymerization catalyst is a catalyst for accelerating the addition reaction between the alkenyl group and the hydrosilyl group in the polyorganosiloxane (A). Examples of the addition polymerization catalyst include platinum black, secondary platinum chloride, Platinum group metal catalysts such as chloroplatinic acid, reactants of chloroplatinic acid and monohydric alcohol, complexes of chloroplatinic acid and olefins, platinum-based catalysts such as platinum bisacetoacetate, palladium-based catalysts, rhodium-based catalysts Can be mentioned. The addition polymerization catalyst is usually added in an amount of usually 1 ppm or more, preferably 2 ppm or more, usually 100 ppm or less, preferably 50 ppm or less, more preferably platinum group metal based on the weight of (A) polyorganosiloxane. 20 ppm or less.

縮合重合用触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、有機酸などの酸、アンモニア、アミン類などのアルカリ、ホウ素のアルコキシド等の有機ホウ素化合物、金属キレート化合物などを用いることができ、好適なものとしてTi、Ta、Zr、Al、Hf、Zn、Sn、Ga、Ptのいずれか1以上を含む金属キレート化合物を用いることができる。なかでも、金属キレート化合物は、Ti、Al、Zn、Zr、Gaのいずれか1以上を含むものが好ましく、Zrを含むものがさらに好ましく用いられる。   As the catalyst for condensation polymerization, acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, organic acids, alkalis such as ammonia and amines, organic boron compounds such as boron alkoxides, metal chelate compounds, and the like can be used. A metal chelate compound containing any one or more of Ti, Ta, Zr, Al, Hf, Zn, Sn, Ga, and Pt can be used. Among them, the metal chelate compound preferably contains one or more of Ti, Al, Zn, Zr, and Ga, and more preferably contains Zr.

縮合重合用触媒の配合量は、上記(A)ポリオルガノシロキサンの重量に対して通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、一方上限は通常10重量%以下、好ましくは6重量%以下である。   The blending amount of the catalyst for condensation polymerization is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more with respect to the weight of the polyorganosiloxane (A), while the upper limit is usually 10% by weight or less, preferably 6%. % By weight or less.

硬化触媒の添加量が上記範囲であると熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化性、保存安定性が良好であり、加えて成形した樹脂成形体の品質が良好である。添加量が上限値を超えると熱硬化性シリコーン樹脂組成物の保存安定性に問題が生じる場合があり、下限値未満では硬化時間が長くなり樹脂成形体の生産性が低下し、未硬化成分により樹脂成形体の品質が低下する傾向にある。   When the addition amount of the curing catalyst is within the above range, the curability and storage stability of the thermosetting silicone resin composition are good, and the quality of the resin molded product molded in addition is good. If the addition amount exceeds the upper limit value, there may be a problem in the storage stability of the thermosetting silicone resin composition. If the addition amount is less than the lower limit value, the curing time becomes longer and the productivity of the resin molded product is lowered. There exists a tendency for the quality of a resin molding to fall.

これらの硬化触媒は熱硬化性シリコーン樹脂組成物の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。   These curing catalysts are selected in consideration of the stability of the thermosetting silicone resin composition, the hardness of the coating, non-yellowing, curability and the like.

<その他の配合材料>
本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、さらに硬化速度制御剤を含有することが好ましい。ここで硬化速度制御剤とは、熱硬化性シリコーン樹脂組成物を成形する際に、その成形効率を向上させるために硬化速度を制御するためのものであり、硬化遅延剤または硬化促進剤が挙げられる。
<Other ingredients>
The thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention preferably further contains a curing rate control agent. Here, the curing rate control agent is for controlling the curing rate in order to improve the molding efficiency when molding the thermosetting silicone resin composition, and includes a curing retarder or a curing accelerator. It is done.

硬化遅延剤は、特に、硬化速度が速い付加重合型ポリオルガノシロキサン組成物の液状射出成形において重要な成分である。
付加重合反応における硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げられ、これらを併用してもかまわない。
The curing retarder is an important component particularly in liquid injection molding of an addition polymerization type polyorganosiloxane composition having a high curing rate.
Examples of the curing retarder in the addition polymerization reaction include compounds containing an aliphatic unsaturated bond, organic phosphorus compounds, organic sulfur compounds, nitrogen-containing compounds, tin compounds, organic peroxides, and the like. It doesn't matter.

脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチン、3−ヒドロキシ−3−フェニル−1−ブチン、3−(トリメチルシリルオキシ)−3−メチル−1−ブチン、1−エチニル−1−シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン−イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が例示される。   Examples of the compound containing an aliphatic unsaturated bond include 3-hydroxy-3-methyl-1-butyne, 3-hydroxy-3-phenyl-1-butyne, and 3- (trimethylsilyloxy) -3-methyl-1-butyne. And propargyl alcohols such as 1-ethynyl-1-cyclohexanol, ene-yne compounds, and maleic acid esters such as dimethyl malate.

縮合重合反応における硬化遅延剤としては、炭素数1〜5の低級アルコール、分子量500以下のアミン類、窒素や硫黄含有する有機化合物、エポキシ基含有化合物などシラノールと反応あるいは水素結合する化合物が挙げられる。   Examples of the curing retarder in the condensation polymerization reaction include compounds having a reaction with hydrogen or a hydrogen bond, such as lower alcohols having 1 to 5 carbon atoms, amines having a molecular weight of 500 or less, organic compounds containing nitrogen or sulfur, and epoxy group-containing compounds. .

硬化速度制御剤の種類や配合量を目的に応じて選択することにより、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の成形が容易となる。例えば、金型への充填率が高くなったり、射出成形による成形時に金型からの漏れがなく、バリが発生しにくくなったりするメリットが得られる。   By selecting the type and blending amount of the curing rate control agent according to the purpose, the thermosetting silicone resin composition can be easily molded. For example, there is an advantage that the filling rate into the mold becomes high or there is no leakage from the mold when molding by injection molding, and burrs are hardly generated.

本発明に好適な熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、必要に応じて他の成分を1種、または2種以上を任意の比率および組み合わせで含有させることができる。   The thermosetting silicone resin composition suitable for the present invention may contain one or two or more other components in any ratio and combination as necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired. it can.

例えば、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の流動性コントロールや白色顔料の沈降抑制の目的で、流動性調整剤を含有させることができる。   For example, a fluidity adjusting agent can be contained for the purpose of controlling fluidity of the thermosetting silicone resin composition and suppressing sedimentation of white pigment.

流動性調整剤としては、添加により熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が高くなる常温から成形温度付近で固体の粒子であれば特に限定されないが、例えば、シリカ微粒子、石英ビーズ、ガラスビーズなどの無機粒子、ガラス繊維などの無機物繊維、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。   The fluidity modifier is not particularly limited as long as it is a solid particle from the normal temperature to the molding temperature where the viscosity of the thermosetting silicone resin composition is increased by addition, for example, silica fine particles, quartz beads, glass beads, etc. Examples thereof include inorganic particles, inorganic fibers such as glass fibers, boron nitride, and aluminum nitride.

また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度を調整するため、液状増粘剤として非硬化性のポリオルガノシロキサンを(A)ポリオルガノシロキサンに一部配合することができる。   Further, in order to adjust the viscosity of the thermosetting silicone resin composition, a non-curable polyorganosiloxane can be partially blended with the (A) polyorganosiloxane as a liquid thickener.

液状増粘剤としてのポリオルガノシロキサンの配合量は(A)ポリオルガノシロキサン全体を100重量部とした時、通常、0〜10重量部、好ましくは0.1〜5重量部、より好ましくは0.5〜3重量部程度を(A)と置き換えて使用することができる。   The blending amount of the polyorganosiloxane as the liquid thickener is usually 0 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0, when the total amount of the polyorganosiloxane (A) is 100 parts by weight. About 5 to 3 parts by weight can be used in place of (A).

また、上記成分以外にも、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、熱硬化後の強度、靭性を高める目的で、ガラス繊維などの無機物繊維を含有させてもよく、また、熱伝導性を高めるため、熱伝導率の高い窒化ホウ素、窒化アルミニウム、繊維状アルミナ等を前述の白色顔料とは別に含有させることができる。その他、硬化物の線膨張係数を下げる目的で、石英ビーズ、ガラスビーズ等を含有させることができる。   In addition to the above components, the thermosetting silicone resin composition may contain inorganic fibers such as glass fibers for the purpose of increasing the strength and toughness after thermosetting, and has a thermal conductivity. In order to increase it, boron nitride, aluminum nitride, fibrous alumina or the like having high thermal conductivity can be contained separately from the aforementioned white pigment. In addition, for the purpose of lowering the linear expansion coefficient of the cured product, quartz beads, glass beads and the like can be contained.

これらを添加する場合の含有量は、少なすぎると目的の効果か得られず、多すぎると熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が上がり、加工性に影響するので、十分な効果が発現し、材料の加工性を損なわない範囲で適宜選択できる。通常、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し500重量部以下、好ましくは200重量部以下である。   If the content when adding these is too small, the desired effect can not be obtained, and if it is too large, the viscosity of the thermosetting silicone resin composition increases and affects the workability, so a sufficient effect is expressed. It can select suitably in the range which does not impair the workability of material. Usually, it is 500 parts by weight or less, preferably 200 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of (A) polyorganosiloxane.

また、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物中には、その他、イオンマイグレーション(エレクトロケミカルマイグレーション)防止剤、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない範囲において含有させることができる。   In addition, in the thermosetting silicone resin composition, in addition, ion migration (electrochemical migration) inhibitor, anti-aging agent, radical inhibitor, ultraviolet absorber, adhesion improver, flame retardant, surfactant, Storage Stabilizer, Ozone Degradation Prevention Agent, Light Stabilizer, Thickener, Plasticizer, Coupling Agent, Antioxidant, Thermal Stabilizer, Conductivity Adder, Antistatic Agent, Radiation Blocker, Nucleating Agent, Phosphorus A system peroxide decomposer, a lubricant, a pigment, a metal deactivator, a physical property modifier, and the like can be contained within a range that does not impair the object and effect of the present invention.

<組成物の配合割合>
上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物における(A)ポリオルガノシロキサンの含有量は、通常、樹脂組成物全体の15重量%以上、50重量%以下であり、好ましくは20重量%以上、40重量%以下であり、より好ましくは25重量%以上、35重量%以下である。なお、該樹脂組成物中に含まれる硬化速度制御剤やその他成分である液状増粘剤がポリオルガノシロキサンである場合は上記(A)の含有量に含まれるものとする。
<Composition ratio of composition>
The content of (A) polyorganosiloxane in the thermosetting silicone resin composition is usually 15% by weight or more and 50% by weight or less, preferably 20% by weight or more and 40% by weight or less of the entire resin composition. More preferably, it is 25% by weight or more and 35% by weight or less. In addition, when the hardening rate control agent contained in this resin composition and the liquid thickener which are other components are polyorganosiloxane, it shall be contained in content of said (A).

上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物における(B)白色顔料の含有量は、上述の通り該樹脂組成物が、樹脂成形体用材料として用いることができる範囲であれば限定されないが、通常樹脂組成物全体の30重量%以上85重量%以下であり、好ましくは40重量%以上80重量%以下であり、より好ましくは45重量%以上70重量%以下である。   The content of the (B) white pigment in the thermosetting silicone resin composition is not limited as long as the resin composition can be used as a resin molding material as described above. It is 30 to 85 weight% of the whole, Preferably it is 40 to 80 weight%, More preferably, it is 45 to 70 weight%.

上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物における流動性調整剤の含有量は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば限定されないが、通常樹脂組成物全体の55重量%以下であり、好ましくは2重量%以上50重量%以下であり、より好ましくは5重量%以上45重量%以下である。   The content of the fluidity modifier in the thermosetting silicone resin composition is not limited as long as the effect of the present invention is not impaired, but is usually 55% by weight or less, preferably 2% by weight based on the entire resin composition. % To 50% by weight, more preferably 5% to 45% by weight.

<パッケージ以外の構成要素>
以下、本発明の半導体発光装置における、パッケージ以外の構成要素について説明する。
<Constituent elements other than packages>
Hereinafter, components other than the package in the semiconductor light emitting device of the present invention will be described.

<半導体発光素子>
発光素子は、近紫外領域の波長を有する光を発する近紫外半導体発光素子、紫領域の波長の光を発する紫半導体発光素子、青領域の波長の光を発する青色半導体発光素子などを用いることが可能であり、通常、これらの発光素子は350nm以上520nm以下の波長を有する光を発する。
<Semiconductor light emitting device>
As the light emitting element, a near ultraviolet semiconductor light emitting element that emits light having a wavelength in the near ultraviolet region, a purple semiconductor light emitting element that emits light in a purple region, a blue semiconductor light emitting element that emits light in a blue region, or the like is used. In general, these light-emitting elements emit light having a wavelength of 350 nm or more and 520 nm or less.

発光素子として具体的には、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。   Specifically, a light emitting element in which a semiconductor such as GaAlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, and AlInGaN is formed as a light emitting layer on a substrate is used.

半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としてもよい。   Examples of the semiconductor structure include a homo structure having a MIS junction, a PIN junction, and a PN junction, a hetero structure, and a double hetero structure. Various emission wavelengths can be selected from ultraviolet light to infrared light depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal. The light emitting layer may have a single quantum well structure or a multiple quantum well structure which is a thin film in which a quantum effect is generated.

屋外などでの使用を考える場合、高輝度な発光素子を形成可能な半導体材料として窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・インジウム・ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ましいが、用途によって種々利用することもできる。   When considering use outdoors, it is preferable to use a gallium nitride compound semiconductor as a semiconductor material capable of forming a high-luminance light-emitting element. In red, gallium / aluminum / arsenic semiconductors and aluminum / indium / gallium are used. -Although it is preferable to use a phosphorus-type semiconductor, it can also utilize variously according to a use.

窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN単結晶等の材料が用いられる。結晶性のよい窒化ガリウムを量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。   When a gallium nitride compound semiconductor is used, a material such as sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO or GaN single crystal is used for the semiconductor substrate. In order to form gallium nitride with good crystallinity with high productivity, it is preferable to use a sapphire substrate.

窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。なお、発光効率を向上させる等所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。   Gallium nitride-based compound semiconductors exhibit N-type conductivity without being doped with impurities. When forming a desired N-type gallium nitride semiconductor such as improving luminous efficiency, Si, Ge, Se, Te, C, etc. are preferably introduced as appropriate as N-type dopants.

一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。窒化ガリウム系半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでP型化させる必要がある。こうして形成された半導体ウエハーを部分的にエッチングなどさせ正負の各電極を形成させる。その後半導体ウエハーを所望の大きさに切断することによって発光素子を形成させることができる。   On the other hand, when a P-type gallium nitride semiconductor is formed, a P-type dopant such as Zn, Mg, Be, Ca, Sr, or Ba is doped. Since a gallium nitride based semiconductor is difficult to be converted to P-type only by doping with a P-type dopant, it is necessary to make it P-type by annealing it by heating in a furnace, low electron beam irradiation, plasma irradiation or the like after introducing the P-type dopant. The semiconductor wafer thus formed is partially etched to form positive and negative electrodes. Thereafter, the light emitting element can be formed by cutting the semiconductor wafer into a desired size.

こうした発光素子は、必要に応じて複数個用いることができ、その組み合わせによって白色表示における演色性を向上させることもできる。   A plurality of such light-emitting elements can be used as necessary, and the color rendering in white display can be improved by combining them.

なお、発光効率を向上させるために、発光層直下に蒸着等により金属反射膜を設けサファイア等の基板を剥離除去し、新たな支持基板となるGeやSiなどのウエハーに貼り替えた裏面メタル反射層付き発光素子を用いることもできる。   In order to improve the luminous efficiency, a metal reflective film is provided directly under the light emitting layer by vapor deposition, etc., and the substrate such as sapphire is peeled and removed, and the rear surface metal reflection is replaced with a new support substrate such as Ge or Si. A light-emitting element with a layer can also be used.

<封止材>
封止材は、外部環境からの外力や埃、水分などから発光素子を保護すると共に発光素子から出射される光を効率よく外部に放出することを可能とする。
<Encapsulant>
The sealing material protects the light emitting element from external force, dust, moisture, and the like from the external environment, and enables the light emitted from the light emitting element to be efficiently emitted to the outside.

また、発光素子の屈折率と空気の屈折率とは大きく異なるため、発光素子から出射された光は効率よく外部に出力されてこないのに対し、封止材で発光素子を被覆することにより、発光素子から出射された光を効率よく外部に出力することができる。また、発光素子から出射された光の一部は、前記発光素子収容用凹部の底面及び側面に照射され、反射して、発光素子が載置されている主面側に出射される。これにより主面側の発光出力の向上を図ることができる。   In addition, since the refractive index of the light emitting element and the refractive index of air are significantly different, the light emitted from the light emitting element is not efficiently output to the outside, but by covering the light emitting element with a sealing material, Light emitted from the light emitting element can be efficiently output to the outside. In addition, a part of the light emitted from the light emitting element is irradiated on the bottom and side surfaces of the light emitting element housing recess, reflected, and emitted to the main surface on which the light emitting element is placed. Thereby, the light emission output on the main surface side can be improved.

封止材を構成する封止材用樹脂組成物として熱硬化性樹脂組成物を使用することが好ましい。これによって、半導体発光装置用樹脂パッケージにおける樹脂成形体を構成する熱硬化性シリコーン樹脂組成物と封止材を構成する封止材用熱硬化性樹脂組成物とはそれぞれ熱硬化性樹脂である点で共通するため、化学的性質や膨張係数などの物理的性質が近似していることから密着性がよく、樹脂成形体と封止材との界面での剥離を防止することができる。   It is preferable to use a thermosetting resin composition as the resin composition for a sealing material constituting the sealing material. Accordingly, the thermosetting silicone resin composition constituting the resin molding in the resin package for semiconductor light emitting device and the thermosetting resin composition for sealing material constituting the sealing material are respectively thermosetting resins. Therefore, since the physical properties such as the chemical properties and the expansion coefficient are similar, the adhesiveness is good, and peeling at the interface between the resin molded body and the sealing material can be prevented.

封止材の主成分の熱硬化性樹脂としては、透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光装置を封止することができる樹脂が用いられる。   The thermosetting resin as the main component of the sealing material is a resin that is excellent in transparency, light resistance, and heat resistance, and can seal a semiconductor light emitting device without cracking or peeling even after long-term use. Used.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等が例示され、その一種又は二種以上が使用できる。この中でもエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が透明性、電気絶縁性に優れ、化学的に安定な点で好ましく、特にシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂は耐光性、耐熱性に優れ前記樹脂成形体と同種類の樹脂であることから密着性等に優れ好適に使用される。   Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylate resin, and a urethane resin, and one or more of them can be used. Among these, epoxy resins, modified epoxy resins, silicone resins, and modified silicone resins are preferable in terms of transparency and electrical insulation and chemically stable. Particularly, silicone resins and modified silicone resins are excellent in light resistance and heat resistance. Since it is the same kind of resin as the resin molding, it is excellent in adhesion and is preferably used.

封止材は、発光素子を保護するため硬質のものが好ましい。封止材は、所望の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光体、反射性物質からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。ここで用いることができる拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等が好ましい。また、所望外の波長の光をカットする目的で有機や無機の染料や顔料を含有させることができる。さらに、封止材に、発光素子からの光の波長を変換する蛍光体の一種又は二種以上を含有させることも好ましい。
また、封止材は上記の助剤以外に紫外線吸収剤、及び酸化防止剤を含んでいてもよい。
The sealing material is preferably hard so as to protect the light emitting element. The sealing material can be mixed with at least one selected from the group consisting of a filler, a diffusing agent, a pigment, a phosphor, and a reflective substance in order to have a desired function. As the diffusing agent that can be used here, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide and the like are preferable. In addition, organic or inorganic dyes or pigments can be included for the purpose of cutting light with an undesired wavelength. Furthermore, it is also preferable for the sealing material to contain one or more phosphors that convert the wavelength of light from the light emitting element.
Moreover, the sealing material may contain the ultraviolet absorber and antioxidant other than said adjuvant.

<蛍光体>
以下に説明する蛍光体と、封止材との組成物を、上記パッケージの凹部に注入して成型したり、適当な透明支持体に薄膜上に塗布したりすることにより、波長変換部材として用いることができる。
<Phosphor>
A composition of a phosphor and a sealing material, which will be described below, is injected into a concave portion of the package and molded, or applied to a suitable transparent support on a thin film to be used as a wavelength conversion member. be able to.

蛍光体としては、上述の半導体発光素子の発する光に直接的または間接的に励起され、異なる波長の光を発する物質であれば特に制限はなく、無機系蛍光体であっても有機系蛍光体であっても用いることができる。例えば、以下に例示するような青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、橙色ないし赤色蛍光体の1種または2種以上を用いることができる。所望の発光色を得られるよう、用いる蛍光体の種類や含有量を適宜調整することが好ましい。   The phosphor is not particularly limited as long as it is a substance that is directly or indirectly excited by the light emitted from the semiconductor light-emitting element and emits light of a different wavelength. Even if it is an inorganic phosphor, an organic phosphor Can be used. For example, one or more of blue phosphor, green phosphor, yellow phosphor, orange to red phosphor as exemplified below can be used. It is preferable to appropriately adjust the type and content of the phosphor used so that a desired emission color can be obtained.

<青色蛍光体>
青色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常420nm以上、中でも430nm以上、更には440nm以上、また、通常490nm以下、中でも480nm以下、更には470nm以下の範囲にあるものが好ましい。
<Blue phosphor>
As the blue phosphor, those having an emission peak wavelength of usually 420 nm or more, particularly 430 nm or more, more preferably 440 nm or more, and usually 490 nm or less, especially 480 nm or less, and further 470 nm or less are preferable.

具体的には、(Ca,Sr,Ba)MgAl1017:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO46(Cl,F)2:Eu、(Ba,Ca,Mg,Sr)2SiO4:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO46(Cl,F)2:Eu、(Ba,Ca,Sr)3MgSi28:Euが好ましく、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu、(Ca,Sr,Ba)10(PO46(Cl,F)2:Eu、Ba3MgSi28:Euがより好ましい。 Specifically, (Ca, Sr, Ba) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu, (Ba, Ca, Mg, Sr) 2 SiO 4 : Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu, (Ba, Ca, Sr) 3 MgSi 2 O 8 : Eu are preferred, Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 10 (PO 4 ) 6 (Cl, F) 2 : Eu, Ba 3 MgSi 2 O 8 : Eu are more preferable.

<緑色蛍光体>
緑色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常500nm以上、中でも510nm以上、更には515nm以上、また、通常550nm以下、中でも542nm以下、更には535nm以下の範囲にあるものが好ましい。
<Green phosphor>
The green phosphor preferably has an emission peak wavelength in the range of usually 500 nm or more, particularly 510 nm or more, more preferably 515 nm or more, and usually 550 nm or less, especially 542 nm or less, and even 535 nm or less.

具体的には、Y3(Al,Ga)512:Ce、CaSc24:Ce、Ca3(Sc,Mg)2Si312:Ce、(Sr,Ba)2SiO4:Eu、β型サイアロン、(Ba,Sr)3Si612:N2:Eu、SrGa24:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mnが好ましい。 Specifically, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, CaSc 2 O 4 : Ce, Ca 3 (Sc, Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu Β-type sialon, (Ba, Sr) 3 Si 6 O 12 : N 2 : Eu, SrGa 2 S 4 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn are preferable.

<黄色蛍光体>
黄色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常530nm以上、中でも540nm以上、更には550nm以上、また、通常620nm以下、中でも600nm以下、更には580nm以下の範囲にあるものが好適である。
<Yellow phosphor>
As the yellow phosphor, those having an emission peak wavelength of usually 530 nm or more, particularly 540 nm or more, more preferably 550 nm or more, and usually 620 nm or less, especially 600 nm or less, further 580 nm or less are suitable.

黄色蛍光体としては、Y3Al512:Ce、(Y,Gd)3Al512:Ce、(Sr,Ca,Ba,Mg)2SiO4:Eu、(Ca,Sr)Si222:Eu、(La,Y,Gd,Lu)3(Si,Ge)611:Ceが好ましい。 The yellow phosphor, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, (Sr, Ca, Ba, Mg) 2 SiO 4: Eu, (Ca, Sr) Si 2 N 2 O 2 : Eu, (La, Y, Gd, Lu) 3 (Si, Ge) 6 N 11 : Ce are preferable.

<橙色ないし赤色蛍光体>
橙色ないし赤色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常570nm以上、中でも580nm以上、更には585nm以上、また、通常780nm以下、中でも700nm以下、更には680nm以下の範囲にあるものが好ましい。
<Orange to red phosphor>
As the orange to red phosphor, those having an emission peak wavelength in the range of usually 570 nm or more, particularly 580 nm or more, more preferably 585 nm or more, and usually 780 nm or less, particularly 700 nm or less, further 680 nm or less are preferable.

具体的には、(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O)2:Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O)3:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、(La,Y)22S:Eu、Eu(ジベンゾイルメタン)3・1,10−フェナントロリン錯体等のβ−ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、K2SiF6:Mnが好ましく、(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Sr,Ca)AlSi(N,O):Eu、(La,Y)22S:Eu、K2SiF6:Mnがより好ましい。 Specifically, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, (Ca, Sr, Ba) Si (N, O) 2 : Eu, (Ca, Sr, Ba) AlSi ( N, O) 3 : Eu, (Sr, Ba) 3 SiO 5 : Eu, (Ca, Sr) S: Eu, (La, Y) 2 O 2 S: Eu, Eu (dibenzoylmethane) 3 . Β-diketone Eu complex such as 10-phenanthroline complex, carboxylic acid Eu complex, K 2 SiF 6 : Mn is preferred, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, (Sr, Ca) AlSi (N, O): Eu, (La, Y) 2 O 2 S: Eu, and K 2 SiF 6 : Mn are more preferable.

また、橙色蛍光体としては、(Sr,Ba)3SiO5:Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu、(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O)3:Ceが好ましい。 As the orange phosphor, (Sr, Ba) 3 SiO 5 : Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 (N, O) 8 : Eu, ( Ca, Sr, Ba) AlSi (N, O) 3 : Ce is preferred.

<保護素子>
半導体発光装置には、さらに保護素子としてツェナーダイオードを設けることもできる。ツェナーダイオードは、発光素子と同様、回路基板に載置することができる。
<Protective element>
In the semiconductor light emitting device, a Zener diode can be further provided as a protective element. A Zener diode can be mounted on a circuit board like a light emitting element.

<ヒートシンク(外部放熱部材)>
半導体発光装置の裏面側に放熱接着剤を介してヒートシンクを設けることができる。この放熱接着剤は、熱伝導性が高いものが好ましい。放熱接着剤の材質は、電気絶縁性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。ヒートシンクの材質は熱伝導性の良好なアルミニウム、銅、タングステン、金などが好ましい。
<Heat sink (external heat dissipation member)>
A heat sink can be provided on the back side of the semiconductor light emitting device via a heat dissipating adhesive. This heat radiation adhesive preferably has high thermal conductivity. As the material of the heat radiation adhesive, an electrically insulating epoxy resin, silicone resin, or the like can be used. The material of the heat sink is preferably aluminum, copper, tungsten, gold or the like having good thermal conductivity.

以上の構成を採ることにより、本発明に係る半導体発光装置を提供することができる。   By adopting the above configuration, a semiconductor light emitting device according to the present invention can be provided.

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を変更しない限り以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to a following example, unless the summary is changed.

半導体発光装置用樹脂パッケージに対応する評価を実施するため、樹脂成形体用材料の異なる製造例1(25℃で液状のポリオルガノシロキサン)、及び製造例2(ポリフタルアミド樹脂)、製造例3(25℃で固体の高架橋度シリコーン樹脂)において後述の方法にて試験片を成形し、それぞれの材料及び得られた組成物、成形体の物性、個片化しやすさを比較した。   In order to carry out the evaluation corresponding to the resin package for semiconductor light-emitting devices, Production Example 1 (polyorganosiloxane which is liquid at 25 ° C.), Production Example 2 (polyphthalamide resin) and Production Example 3 of the resin molding material are different. Test pieces were molded by the method described later in (highly cross-linked silicone resin at 25 ° C.), and the respective materials, the obtained composition, the physical properties of the molded body, and the ease of singulation were compared.

[1.液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)の製造]
ビニル基含有ポリジメチルシロキサン組成物(ビニル基:0.3mmol/g含有、粘度3500mPa・s、白金錯体触媒8ppm含有)と、ヒドロシリル基含有ポリジメチルシロキサン組成物(ビニル基:0.1mmol/g含有、ヒドロシリル基:4.6mmol/g含有、粘度600mPa・s)と、硬化遅延成分(硬化速度制御剤)含有ポリジメチルシロキサン(ビニル基:0.2mmol/g含有、ヒドロシリル基:0.1mmol/g含有、アルキニル基:0.2mmol/g含有、500mPa・s)とを、100:10:5で混合し、硬化触媒として白金濃度7ppmを含有する液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)を得た。
[1. Production of liquid thermosetting polyorganosiloxane (1)]
Vinyl group-containing polydimethylsiloxane composition (vinyl group: 0.3 mmol / g contained, viscosity 3500 mPa · s, platinum complex catalyst 8 ppm contained) and hydrosilyl group-containing polydimethylsiloxane composition (vinyl group: 0.1 mmol / g contained) , Hydrosilyl group: 4.6 mmol / g contained, viscosity: 600 mPa · s) and curing delay component (curing rate control agent) -containing polydimethylsiloxane (vinyl group: 0.2 mmol / g contained, hydrosilyl group: 0.1 mmol / g) And alkynyl group: 0.2 mmol / g, 500 mPa · s) was mixed at 100: 10: 5 to obtain a liquid thermosetting polyorganosiloxane (1) containing a platinum concentration of 7 ppm as a curing catalyst. .

なお、この液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)の屈折率は、1.41であった。   The liquid thermosetting polyorganosiloxane (1) had a refractive index of 1.41.

[2.樹脂成形体用材料の調製、反射率測定用試験片の作製]
<製造例1>
上記で得られた室温(25℃)で液状の熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)を60重量部、白色顔料として一次粒子径0.3μm、二次粒子の中心粒径D501.2μm、アスペクト比1.48のα結晶形破砕状アルミナを35重量部、流動性調整剤として一次粒子径12nmのシリカ微粒子(比表面積140m2/g、トリメチルシリル基表面処理)を5重量部の割合で配合し、自転公転式ミキサーを用いた攪拌により白色顔料とシリカ微粒子を前記液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)に分散させ、白色の樹脂成形体用材料を得た。これらの材料を、熱プレス機にて180℃、10kg/cm2、硬化時間240秒の条件で硬化させ、直径13mm、厚さ0.4mmの実施例1の円形の試験片(テストピース)を得た。
[2. Preparation of resin molding material, production of reflectance measurement specimen]
<Production Example 1>
60 parts by weight of the liquid thermosetting polyorganosiloxane (1) obtained at room temperature (25 ° C.) obtained above, as a white pigment, the primary particle diameter is 0.3 μm, the secondary particle has a center particle diameter D 50 of 1.2 μm, 35 parts by weight of α-crystal crushed alumina with an aspect ratio of 1.48, 5 parts by weight of silica fine particles with a primary particle size of 12 nm (specific surface area 140 m 2 / g, trimethylsilyl group surface treatment) as a flow control agent Then, white pigment and silica fine particles were dispersed in the liquid thermosetting polyorganosiloxane (1) by stirring using a rotation and revolution mixer to obtain a white resin molding material. These materials were cured by a hot press machine at 180 ° C., 10 kg / cm 2 , and a curing time of 240 seconds, and a circular test piece (test piece) of Example 1 having a diameter of 13 mm and a thickness of 0.4 mm was obtained. Obtained.

<製造例2>
ポリフタルアミド樹脂として、ソルベイアドバンストポリマーズ株式会社製アモデルA4122の2mm厚のテストパネルを約10mm角の大きさに切り出したものを、試験片(テストピース)とした。なお、この材料は熱可塑性のポリフタルアミド樹脂組成物(チタニア系顔料、ガラス繊維を含有)であり、射出成形により成形に供されるものである。
<Production Example 2>
A test piece (test piece) was obtained by cutting out a 2 mm thick test panel of Amodel A4122 manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd. into a size of about 10 mm square as a polyphthalamide resin. This material is a thermoplastic polyphthalamide resin composition (containing a titania pigment and glass fiber), and is used for molding by injection molding.

<製造例3>
室温(25℃)で固体の高架橋度シリコーン樹脂として、2官能ケイ素単位:3官能ケイ素単位の比が1:3である固体状の縮合硬化型のシラノール含有メチルシリコーン樹脂44重量部を使用し、数μm〜100μm径の球状シリカ42重量部、白色顔料として平均粒子径0.4μmのチタニア13重量部、触媒量のアルミニウムトリアセチルアセトネートを自転公転式ミキサーにて融点付近で溶融分散させた後室温に冷却し、25℃で固体の白色の樹脂成形体用材料を得た。この材料を、トランスファー成形機にて175℃,70kg/cm2、成形時間180秒の条件で硬化させ、厚さ550μm、10mm角の試験片を得た。
<Production Example 3>
Using 44 parts by weight of a solid condensation-curable silanol-containing methylsilicone resin having a ratio of bifunctional silicon units: trifunctional silicon units of 1: 3 as a highly crosslinked silicone resin that is solid at room temperature (25 ° C.), After 42 parts by weight of spherical silica having a diameter of several μm to 100 μm, 13 parts by weight of titania having an average particle diameter of 0.4 μm as a white pigment, and a catalytic amount of aluminum triacetylacetonate are melt-dispersed in the vicinity of the melting point by a rotating and rotating mixer. After cooling to room temperature, a solid white resin molding material was obtained at 25 ° C. This material was cured by a transfer molding machine under the conditions of 175 ° C., 70 kg / cm 2 and a molding time of 180 seconds to obtain a test piece having a thickness of 550 μm and a 10 mm square.

[3.白色顔料の一次粒子径、および一次粒子のアスペクト比の測定方法]
製造例1で用いた白色顔料(アルミナ粉体)のSEM観察により一次粒子径を計測した。粒子径にばらつきがある場合は、数点(例えば10点)をSEM観察し、その平均値を粒子径としてもとめた。特にばらつきが大きく、例えば、極微量含まれる微小粒子や粗大粒子を除き、小粒径と大粒径の差が5倍程度以上あるような場合には、その最大値および最小値を記録した。また、長軸長さ(最大長径)と短軸長さ(長径に垂直方向で最も長い部分の長さ)も計測し、一次粒子径については長軸の長さを採用し、長軸長さ(最大長径)を短軸長さ(長径に垂直方向で最も長い部分の長さ)で除した値をアスペクト比とした。
[3. Measuring method of primary particle diameter of white pigment and aspect ratio of primary particles]
The primary particle diameter was measured by SEM observation of the white pigment (alumina powder) used in Production Example 1. When there was variation in the particle diameter, several points (for example, 10 points) were observed with an SEM, and the average value was obtained as the particle diameter. In particular, when the difference between the small particle size and the large particle size is about 5 times or more except for fine particles and coarse particles contained in a very small amount, the maximum and minimum values are recorded. The major axis length (maximum major axis) and minor axis length (the length of the longest part perpendicular to the major axis) are also measured, and the major axis length is adopted as the primary particle diameter. The value obtained by dividing (maximum major axis) by the minor axis length (the length of the longest portion perpendicular to the major axis) was taken as the aspect ratio.

製造例1の試験片を液体窒素で凍結した状態でミクロトームにより切削し、パッケージ断面のSEM観察を行った。断面に露出したアルミナの一次粒子径は0.3μm、一次粒子のアスペクト比は1.48であった。   The test piece of Production Example 1 was cut with a microtome in a state frozen with liquid nitrogen, and SEM observation of the package cross section was performed. The primary particle diameter of the alumina exposed in the cross section was 0.3 μm, and the aspect ratio of the primary particles was 1.48.

[4.白色顔料の二次粒子の中心粒径D50の測定方法]
10〜20mgの白色顔料(アルミナ粉体)に0.2%のポリリン酸ナトリウム水溶液10gを加え、超音波振動でアルミナを分散させた。この分散液を用いて白色顔料の二次粒子の体積基準の中心粒径D50を日機装株式会社製マイクロトラックMT3000IIにて測定した。なお、中心粒径D50は、積算%の体積基準粒度分布曲線が50%の横軸と交差するポイントの粒子径をいう。
[4. Method of measuring the mean particle diameter D 50 of the white pigment secondary particles]
10 g of 0.2% sodium polyphosphate aqueous solution was added to 10 to 20 mg of white pigment (alumina powder), and alumina was dispersed by ultrasonic vibration. Using this dispersion, the volume-based center particle diameter D 50 of the secondary particles of the white pigment was measured with Microtrac MT3000II manufactured by Nikkiso Co., Ltd. The center particle size D 50 is the particle size at the point where the volume-based particle size distribution curve of cumulative% intersects the horizontal axis of 50%.

[5.試験片の反射率測定]
上記製造例1〜3の各試験片について、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETER CM−2600dを用いて測定径6mmにて360nmから740nmの波長における反射率を測定した。プリント配線部用金属材料(銀メッキ)の反射率の値と合わせて、測定結果を表1に示す。製造例1の樹脂成形体用材料は、従来のパッケージ材であるポリフタルアミド樹脂やチタニアのみを反射材としたシリコーン樹脂、LED用に多用される銀メッキよりもバインダとして用いている樹脂及び反射材フィラーの種類・粒子径に由来し反射率が高いため、長期使用時に着色劣化しやすい銀メッキ表面の電極露出面積を少なくすることが可能である。
[5. Specimen reflectance measurement]
About each test piece of the said manufacture examples 1-3, the reflectance in the wavelength of 360 nm to 740 nm was measured by 6 mm of measurement diameters using SPECTROTOPOMETER CM-2600d by Konica Minolta. The measurement results are shown in Table 1 together with the reflectance value of the metal material for printed wiring (silver plating). The resin molded body material of Production Example 1 is a conventional package material such as polyphthalamide resin or silicone resin that uses only titania as a reflective material, resin that is used as a binder rather than silver plating that is frequently used for LEDs, and reflective Since the reflectance is high due to the type and particle diameter of the material filler, it is possible to reduce the exposed area of the electrode on the silver plating surface, which is likely to be colored and deteriorated during long-term use.

また、製造例1の樹脂成形体用材料はアルミナを反射材としているため、製造例2、3のチタニアを反射材とする成形体より波長400nm以下の光の反射率が高く、紫外光成分を発光する半導体発光装置においてはより高輝度、高効率とするパッケージを提供することができると考えられる。   Further, since the resin molded body material of Production Example 1 uses alumina as a reflective material, the reflectance of light having a wavelength of 400 nm or less is higher than that of the molded body of Production Examples 2 and 3 using the titania as a reflective material. In a semiconductor light emitting device that emits light, it is considered that a package with higher luminance and higher efficiency can be provided.

Figure 2013183013
Figure 2013183013

[6.樹脂成形体用材料の粘度測定]
製造例1の樹脂成形体用材料について、レオメトリクス社製RMS−800にてパラレルプレートを用い、測定温度25℃で粘度測定を行った。
[6. Viscosity measurement of resin molding materials]
About the material for resin moldings of Production Example 1, viscosity was measured at a measurement temperature of 25 ° C. using a parallel plate in RMS-800 manufactured by Rheometrics.

その結果を表2に示す。製造例1の材料は、25℃における剪断速度1s-1および100s-1での粘度、並びにその傾きが樹脂成形体の液状射出成形に適していることがわかる。 The results are shown in Table 2. It can be seen that the material of Production Example 1 is suitable for the liquid injection molding of a resin molded product in terms of the viscosity at a shear rate of 1 s −1 and 100 s −1 at 25 ° C. and the inclination thereof.

なお、製造例2、3の樹脂成形体用材料は25℃において固体であるので、粘度を測定することはできなかった。   In addition, since the materials for resin molded bodies of Production Examples 2 and 3 were solid at 25 ° C., the viscosity could not be measured.

Figure 2013183013
Figure 2013183013

[7.ショアD硬さ測定]
上記樹脂成形体用材料よりなる試験片(厚さ3mm)を、200℃の恒温器で10分間以上ポストキュアした後、試験片2枚を重ね、ゴム・プラスチック硬度計KORI Durometer KR−25Dを用いて、JIS K6253に従い、試験片の中心付近のショアD硬度を測定した。製造例2、3の試験片についても同様に測定を行った。
[7. Shore D hardness measurement]
After a test piece (thickness 3 mm) made of the above-mentioned resin molded body material is post-cured for 10 minutes or more with a 200 ° C. incubator, two test pieces are stacked, and a rubber / plastic hardness meter KORI Durometer KR-25D is used. In accordance with JIS K6253, the Shore D hardness near the center of the test piece was measured. The same measurement was performed for the test pieces of Production Examples 2 and 3.

Figure 2013183013
Figure 2013183013

表3に示す通り、製造例1の試料は従来のパッケージ用樹脂成形体と比較して、柔らかい性質を有する。測定後に傷や瘢痕がのこることも無く、応力を受けた部分の形状は復元した。一方、製造例2,3の試料は、硬いがもろく、特に製造例3の試料は硬度測定により試料が割れた。   As shown in Table 3, the sample of Production Example 1 has a soft property as compared with the conventional resin molding for packaging. The shape of the stressed part was restored without any scratches or scars remaining after the measurement. On the other hand, the samples of Production Examples 2 and 3 were hard but fragile. In particular, the sample of Production Example 3 was cracked by hardness measurement.

[8.樹脂成形体の個片化試験]
製造例1〜3の反射率測定用サンプルと同様の試料を準備し、樹脂成形体試料の端から端までカッターナイフで直線状の切り込みを入れ、つながり部分の厚さが0.5mmの試料を得た。この試料について、90度折り曲げ、及び180度方向への引っ張り試験を実施し、個片化できるかどうかを調べた。結果を表4に示す。
[8. Individualization test of resin moldings]
Prepare a sample similar to the reflectance measurement sample of Production Examples 1 to 3, and make a straight cut with a cutter knife from end to end of the resin molded body sample. Obtained. This sample was subjected to a 90-degree bending and a 180-degree tensile test to determine whether it could be separated into pieces. The results are shown in Table 4.

Figure 2013183013
Figure 2013183013

表4に示す通り、製造例2、3の従来パッケージ用成形体と比較して、製造例1の試料はダイサー等の機器を用いなくても引っ張りのみでプレカットラインに応じて容易に個片化することが出来た。製造例1については、液状射出成形にて成形した試料においても同様に容易に個片化することが出来た。   As shown in Table 4, the sample of Production Example 1 can be easily separated into pieces according to the pre-cut line only by pulling without using a device such as a dicer, as compared with the molded products for conventional packages of Production Examples 2 and 3. I was able to do it. As for Production Example 1, a sample molded by liquid injection molding could be easily separated into pieces.

[9.液状射出成形性の比較]
吊り部の有無による成形性の比較をするため、後述の方法にて発光素子収容用凹部を有するパッケージを液状射出成形し、成形性を比較した。
[9. Comparison of liquid injection moldability]
In order to compare the moldability depending on the presence or absence of the hanging portion, a package having a light emitting element accommodating recess was liquid injection molded by the method described later, and the moldability was compared.

<実施例1>
製造例1の樹脂成形体用材料を用いて、図1〜6に示した吊り部を有する複数個の樹脂成形体が同一リードフレーム上に個別成形されたパッケージシートを成形した。なお、成形は金型温度165℃、硬化時間25秒の条件で行った。次いで正負のリード部を切断することにより、樹脂製吊り部のみにて樹脂成形体がリードフレームに支持された状態とした。
<Example 1>
Using the resin molded body material of Production Example 1, a package sheet in which a plurality of resin molded bodies having the hanging portions shown in FIGS. 1 to 6 were individually molded on the same lead frame was molded. Molding was performed under conditions of a mold temperature of 165 ° C. and a curing time of 25 seconds. Next, the positive and negative lead portions were cut, so that the resin molded body was supported on the lead frame only by the resin hanging portions.

<比較例1>
実施例1と同様の樹脂成形体用材料を使用し、複数の開口部及び金属吊りリード部を有するリードフレームと液状射出成形にて一体成形することにより、吊り樹脂部を有さず金属吊りリード部のみにより支持された複数個の樹脂成形体が同一リードフレーム上に個別成形されたパッケージシートを成形した。なお、成形温度、硬化時間は実施例1と同様とした。次いで、正負のリード部を切断することにより、金属吊りリード部のみにて樹脂成形体がリードフレームに支持された状態とした。
<Comparative Example 1>
Using the same resin molding material as in Example 1 and forming integrally with a lead frame having a plurality of openings and metal suspension lead portions by liquid injection molding, there is no metal suspension lead without suspension resin portions. A package sheet was molded in which a plurality of resin moldings supported only by the portions were individually molded on the same lead frame. The molding temperature and curing time were the same as in Example 1. Next, the positive and negative lead portions were cut, so that the resin molded body was supported on the lead frame only by the metal suspension lead portions.

実施例1のパッケージシートにあっては、樹脂成形体の端部となる吊り部22にバリが発生したものがあったが、パッケージ本体部分の未充填は認められなかった。一方、比較例1のパッケージは同時に成形された総パッケージ数の3%程度に未充填が発生した。   In the package sheet of Example 1, there was one in which burrs occurred in the hanging portion 22 that was an end portion of the resin molded body, but no unfilling of the package body portion was observed. On the other hand, the package of Comparative Example 1 was unfilled in about 3% of the total number of packages formed at the same time.

[10.パッケージシートの個片化]
リード部を切断した実施例1のパッケージシートの個々のパッケージをピンセットで挟み、吊り部22のプレカットラインにねじり応力及び引っ張り応力を加えることにより、個々のパッケージをプレカットラインから切断し、個片化した。
[10. Individualization of package sheet]
The individual packages of the package sheet of Example 1 in which the lead portions are cut are sandwiched with tweezers, and by applying torsional stress and tensile stress to the precut line of the hanging portion 22, the individual packages are cut from the precut line and separated into individual pieces. did.

前記[8.樹脂成形体の個片化試験]の製造例1に示すように、プレカットライン通りの個片化が容易であり、くずや粉の発生無く滑らかに切断可能であった。   [8. As shown in Production Example 1 of Individual Molding Test of Resin Molded Body], individualization according to the precut line was easy, and it was possible to cut smoothly without generation of waste or powder.

[11.封止材の製造]
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製両末端シラノールジメチルシリコーンオイルXC96−723を385g、メチルトリメトキシシランを10.28g、及び、触媒としてジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.791gを、攪拌翼と、分留管、ジムロートコンデンサ及びリービッヒコンデンサとを取り付けた500ml三つ口フラスコ中に計量し、室温にて15分間触媒の粗大粒子が溶解するまで攪拌した。この後、反応液を100℃まで昇温して触媒を完全溶解し、ジムロートコンデンサを用いて100℃全還流下で30分間500rpmで攪拌しつつ初期加水分解を行った。
[11. Manufacturing of sealing material]
Momentive Performance Materials Japan G.K. both ends silanol dimethyl silicone oil XC96-723 385g, methyltrimethoxysilane 10.28g, and zirconium tetraacetylacetonate powder 0.791g as a catalyst, , Weighed into a 500 ml three-necked flask equipped with a fractionating tube, Dimroth condenser and Liebig condenser, and stirred at room temperature for 15 minutes until the coarse particles of the catalyst were dissolved. Thereafter, the temperature of the reaction solution was raised to 100 ° C. to completely dissolve the catalyst, and initial hydrolysis was performed while stirring at 500 rpm for 30 minutes under 100 ° C. total reflux using a Dimroth condenser.

続いて留出ラインをリービッヒコンデンサ側に切り替えて、窒素をSV20で液中に吹き込み生成メタノール及び水分、副生する低沸点ケイ素化合物を窒素に随伴させて留去しつつ100℃、500rpmにて1時間攪拌した。窒素をSV20で液中に吹き込みながらさらに130℃に昇温、保持しつつ5時間重合反応を継続し、粘度120mPa・sの反応液を得た。なお、「SV」は「Space Velocity」の略称であり、単位時間当たりの窒素吹き込み体積比(対反応液体積)を指す。   Subsequently, the distillation line was switched to the Liebig condenser side, nitrogen was blown into the liquid with SV20, and methanol, water, and by-product low-boiling silicon compounds were distilled off accompanied by nitrogen at 100 ° C. and 500 rpm. Stir for hours. The polymerization reaction was continued for 5 hours while raising and maintaining the temperature at 130 ° C. while blowing nitrogen into the liquid with SV20 to obtain a reaction liquid having a viscosity of 120 mPa · s. “SV” is an abbreviation for “Space Velocity” and refers to a nitrogen blowing volume ratio per unit time (vs. reaction solution volume).

窒素の吹き込みを停止し反応液をいったん室温まで冷却した後、ナス型フラスコに反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上120℃、圧力1kPaで50分間、微量に残留しているメタノール及び水分、低沸点ケイ素化合物を留去し、粘度230mPa・s、屈折率1.41の無溶剤の封止材液を得た。   Nitrogen blowing was stopped and the reaction solution was once cooled to room temperature. Then, the reaction solution was transferred to an eggplant-shaped flask, and a methanol remaining in a minute amount at 120 ° C. and a pressure of 1 kPa on an oil bath using a rotary evaporator. Water and a low-boiling silicon compound were distilled off to obtain a solvent-free sealing material liquid having a viscosity of 230 mPa · s and a refractive index of 1.41.

[12.発光装置の製造]
上記実施例1の個片化済みパッケージを準備し、次のようにして各々3種の発光装置を組み立てた。360nm、406nm、460nmの発光波長を有する半導体発光素子1個(定格電流20mA)をパッケージの凹部に露出している第1のリードの所定位置にシリコーンダイボンド材(信越化学工業(株)製 KER−3000−M2)を介して設置した後、該シリコーンダイボンド材を100℃で1時間、さらに150℃で2時間硬化させた。こうして半導体発光素子をパッケージ上に搭載した後、金線で該パッケージの第2のリードと半導体発光素子を接続した。
[12. Manufacturing of light-emitting device]
The individualized package of Example 1 was prepared, and three types of light emitting devices were assembled as follows. One silicon light emitting element (rated current: 20 mA) having an emission wavelength of 360 nm, 406 nm, and 460 nm is placed at a predetermined position of the first lead exposed in the recess of the package. After installation through 3000-M2), the silicone die bond material was cured at 100 ° C. for 1 hour and further at 150 ° C. for 2 hours. After mounting the semiconductor light emitting device on the package in this way, the second lead of the package and the semiconductor light emitting device were connected by a gold wire.

このパッケージ凹部へ、開口部上縁と同じ高さになるように前述の封止材を滴下した後、恒温器にて90℃×2時間、次いで110℃×1時間、150℃×3時間の加熱硬化を行い半導体発光素子を透明(クリア)封止し、実施例1のパッケージについて波長360nm、406nm、460nmの発光素子を有する3種の半導体発光装置を得た。   After dropping the above-described sealing material into the package recess so as to be the same height as the upper edge of the opening, the temperature is 90 ° C. × 2 hours, then 110 ° C. × 1 hour, 150 ° C. × 3 hours. The semiconductor light emitting element was transparently (clear) sealed by heat curing, and three types of semiconductor light emitting devices having light emitting elements with wavelengths of 360 nm, 406 nm, and 460 nm were obtained for the package of Example 1.

1,1A 半導体発光装置用パッケージシート
10,10A リードフレーム
11,13,17 開口部
12 スリット
14 挟帯部
15,16 リード部
20 樹脂成形体
21 発光素子収容部
21a 凹部
21b,21c,21d 露出部
21e 裏面露出部
22 吊り部
22’ 延長部
23 プレカットライン
25 発光素子
28 半導体発光装置
31 パッケージ
33 発光素子
34、35 リード
36 カップ
36a 凹部
37 金属吊りリード部
38 樹脂成形体(樹脂部)
40 封止樹脂充填孔
43,44 ワイヤ
50 リードフレーム
51 開口部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A Package sheet | seat for semiconductor light-emitting devices 10,10A Lead frame 11,13,17 Opening part 12 Slit 14 Nipping part 15,16 Lead part 20 Resin molding 21 Light emitting element accommodating part 21a Recessed part 21b, 21c, 21d Exposed part 21e Back surface exposed portion 22 Hanging portion 22 'Extension portion 23 Precut line 25 Light emitting element 28 Semiconductor light emitting device 31 Package 33 Light emitting element 34, 35 Lead 36 Cup 36a Recessed portion 37 Metal hanging lead portion 38 Resin molded body (resin portion)
40 Sealing resin filling hole 43, 44 Wire 50 Lead frame 51 Opening

Claims (9)

複数の開口部を有するリードフレームと、該リードフレームと一体に成形された樹脂成形体よりなる複数の発光素子収容部とを有する半導体発光装置用パッケージシートであって、
該発光素子収容部は、前記樹脂成形体の一部である吊り部を介して前記リードフレームに支持されていることを特徴とする半導体発光装置用パッケージシート。
A package sheet for a semiconductor light-emitting device having a lead frame having a plurality of openings and a plurality of light-emitting element accommodating portions made of a resin molded body formed integrally with the lead frame,
The package sheet for a semiconductor light-emitting device, wherein the light-emitting element housing portion is supported by the lead frame via a suspension portion that is a part of the resin molded body.
請求項1において、前記吊り部の切断予定箇所にプレカットラインが設けられていることを特徴とする半導体発光装置用パッケージシート。   2. The package sheet for a semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein a pre-cut line is provided at a planned cutting position of the suspension part. 請求項1又は2において、前記樹脂成形体は射出成形されたものであり、前記吊り部又はそれに連なるランナー部に射出成形用金型のゲート部が位置することを特徴とする半導体発光装置用パッケージシート。   3. The package for a semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resin molded body is injection-molded, and a gate portion of an injection molding die is located on the hanging portion or a runner portion connected thereto. Sheet. 請求項1ないし3のいずれか1項において、前記樹脂成形体はシリコーン樹脂成形体であることを特徴とする半導体発光装置用パッケージシート。   4. The package sheet for a semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the resin molded body is a silicone resin molded body. 請求項1ないし4のいずれか1項において、前記樹脂成形体のショアD硬度が、30以上80以下であることを特徴とする半導体発光装置用パッケージシート。   5. The package sheet for a semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the resin molded body has a Shore D hardness of 30 or more and 80 or less. 請求項1ないし5のいずれか1項の半導体発光装置用パッケージシートを製造する方法であって、前記リードフレームをセットした金型に樹脂組成物を射出して樹脂成形体を成形することを特徴とする半導体発光装置用パッケージシートの製造方法。   6. A method for producing a package sheet for a semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein a resin composition is injected into a mold on which the lead frame is set to form a resin molded body. A method for manufacturing a package sheet for a semiconductor light emitting device. 請求項1ないし6のいずれか1項の半導体発光装置用パッケージシートを個片化してなる半導体発光装置用パッケージ。   A package for a semiconductor light-emitting device, which is obtained by dividing the package sheet for a semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 6. 請求項1ないし6のいずれか1項の半導体発光装置用パッケージシートを個片化する工程を有する半導体発光装置用パッケージの製造方法。   A method for manufacturing a package for a semiconductor light-emitting device, comprising the step of separating the package sheet for a semiconductor light-emitting device according to claim 1. 請求項7の半導体発光装置用パッケージと、該半導体発光装置用パッケージに設けられた半導体発光素子とを有する半導体発光装置。   8. A semiconductor light emitting device comprising: the semiconductor light emitting device package of claim 7; and a semiconductor light emitting element provided in the semiconductor light emitting device package.
JP2012045679A 2012-03-01 2012-03-01 Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device Pending JP2013183013A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012045679A JP2013183013A (en) 2012-03-01 2012-03-01 Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012045679A JP2013183013A (en) 2012-03-01 2012-03-01 Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013183013A true JP2013183013A (en) 2013-09-12

Family

ID=49273469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012045679A Pending JP2013183013A (en) 2012-03-01 2012-03-01 Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013183013A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015201608A (en) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 Lead frame with resin and manufacturing method of lead frame with resin and led package and manufacturing method of led package
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
US9954151B2 (en) 2015-11-30 2018-04-24 Nichia Corporation Package, package intermediate body, light emitting device, method for manufacturing same
US10032972B2 (en) 2015-08-07 2018-07-24 Nichia Corporation Lead frame, package, light emitting device, and method for producing the same
US10079332B2 (en) 2015-12-09 2018-09-18 Nichia Corporation Package manufacturing method, light emitting device manufacturing method, package, and light emitting device
US10177282B2 (en) 2015-12-09 2019-01-08 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package, and light emitting device
US10367127B2 (en) 2016-03-31 2019-07-30 Nichia Corporation Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device
WO2022004574A1 (en) * 2020-06-29 2022-01-06 京セラ株式会社 Package for housing electronic element, electronic device, and electronic module

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015201608A (en) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 Lead frame with resin and manufacturing method of lead frame with resin and led package and manufacturing method of led package
US10505090B2 (en) 2014-09-29 2019-12-10 Nichia Corporation Package including lead component having recess
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
US11043623B2 (en) 2014-09-29 2021-06-22 Nichia Corporation Package including lead component having recess
US10886448B2 (en) 2015-08-07 2021-01-05 Nichia Corporation Method for producing lead frame, method for producing package and method for producing light emitting device
US10600944B2 (en) 2015-08-07 2020-03-24 Nichia Corporation Lead frame, package and light emitting device
US10032972B2 (en) 2015-08-07 2018-07-24 Nichia Corporation Lead frame, package, light emitting device, and method for producing the same
US10580947B2 (en) 2015-11-30 2020-03-03 Nichia Corporation Package and package intermediate body
US9954151B2 (en) 2015-11-30 2018-04-24 Nichia Corporation Package, package intermediate body, light emitting device, method for manufacturing same
US10177282B2 (en) 2015-12-09 2019-01-08 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package, and light emitting device
US10490705B2 (en) 2015-12-09 2019-11-26 Nichia Corporation Package and light emitting device
US10079332B2 (en) 2015-12-09 2018-09-18 Nichia Corporation Package manufacturing method, light emitting device manufacturing method, package, and light emitting device
US10847683B2 (en) 2015-12-09 2020-11-24 Nichia Corporation Package and light emitting device
US10367127B2 (en) 2016-03-31 2019-07-30 Nichia Corporation Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device
US10937666B2 (en) 2016-03-31 2021-03-02 Nichia Corporation Method for manufacturing lead frame including electrode and hanger lead, method for manufacturing package having lead frame, and method for manufacturing light-emitting device having package
WO2022004574A1 (en) * 2020-06-29 2022-01-06 京セラ株式会社 Package for housing electronic element, electronic device, and electronic module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6217831B2 (en) Material for resin molded body and method for producing resin molded body
JP5552748B2 (en) Curable polysiloxane composition, and cured polysiloxane using the same, optical member, member for aerospace industry, semiconductor light emitting device, lighting device, and image display device
JP2013183013A (en) Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device
JP2012256651A (en) Resin package for semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor and semiconductor light-emitting device having resin package
TWI550912B (en) Package and light-emitting device for semiconductor light-emitting device
JP2013004923A (en) Post attached reflector for semiconductor light-emitting device, resin package for semiconductor light-emitting device, and semiconductor light-emitting device
JP5760655B2 (en) RESIN PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE RESIN PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP5821316B2 (en) Manufacturing method of resin package for semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device having the resin package for semiconductor light emitting device
JP5840388B2 (en) Light emitting diode device
TWI631185B (en) Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
JP5919903B2 (en) Package for semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device having the package, and method for manufacturing the same
JP5374857B2 (en) Method for producing phosphor-containing composition and method for producing semiconductor light-emitting device
JP2012049505A (en) Package for semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device
JP5374855B2 (en) Method for producing phosphor-containing composition
JP2013004905A (en) Semiconductor light-emitting device package and semiconductor light-emitting device
JP2009224754A (en) Semiconductor light emitting device, lighting apparatus, and image display device
JP6204839B2 (en) Light emitting device and wavelength conversion member
JP7003075B2 (en) Wafer-level optical semiconductor device resin composition and wafer-level optical semiconductor device using the composition
JP2012134362A (en) Semiconductor light-emitting device package and light-emitting device
JP2012238767A (en) Resin composition for semiconductor light-emitting device package, semiconductor light-emitting device package and manufacturing method of the same
JP5834519B2 (en) Material for resin molded body for semiconductor light emitting device and molded body thereof
JP2015134886A (en) Phosphor solid, wavelength conversion member produced from phosphor solid, and light-emitting device comprising wavelength conversion member