JP2014067941A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】セミアディティブ法により平滑な絶縁層の上に微細な配線層を密着性よく形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層５０の上に絶縁層４２を形成する工程と、絶縁層４２の上に、カップリング剤層１８ｂ、銅・錫合金層６６及び銅層１２が順に配置された積層体を得る工程と、第１配線層５０に到達するビアホールＶＨ２を形成する工程と、ビアホールＶＨ２の内面及び銅層１２の上に触媒金属６２を付着させる工程と、ビアホールＶＨ２の側壁のみに金属触媒６２を残す工程と、無電解めっきによりビアホールＶＨ２の側壁に、銅・錫合金層６６に接続されるシード層６４を形成する工程と、電解めっきにより金属めっき層６８を形成する工程と、金属めっき層６８をマスクにして銅・錫合金層６６をエッチングして第２配線層６０を形成する工程とを含む。
【選択図】図１６
【解決手段】第１配線層５０の上に絶縁層４２を形成する工程と、絶縁層４２の上に、カップリング剤層１８ｂ、銅・錫合金層６６及び銅層１２が順に配置された積層体を得る工程と、第１配線層５０に到達するビアホールＶＨ２を形成する工程と、ビアホールＶＨ２の内面及び銅層１２の上に触媒金属６２を付着させる工程と、ビアホールＶＨ２の側壁のみに金属触媒６２を残す工程と、無電解めっきによりビアホールＶＨ２の側壁に、銅・錫合金層６６に接続されるシード層６４を形成する工程と、電解めっきにより金属めっき層６８を形成する工程と、金属めっき層６８をマスクにして銅・錫合金層６６をエッチングして第２配線層６０を形成する工程とを含む。
【選択図】図１６
Description
半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板及びその製造方法に関する。
従来、半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板がある。そのような配線基板の一例では、コア基板の片面又は両面にセミアディティブ法によってビルドアップ配線が形成される。
近年では、半導体チップなどの電子部品の高性能化に伴って、配線基板の配線層のさらなる狭ピッチ化が進められている。
後述する予備的事項の欄で説明するように、セミアディティブ法を使用して多層配線を形成する場合、ビアホール内をデスミア処理する際に、絶縁樹脂層の表面が同時にエッチングされて粗化される。これにより、アンカー効果によって絶縁樹脂層の上に配線層を密着性よく形成することができる。
近年では、半導体チップの小型化、高性能化に伴って、配線基板の配線層のさらなる微細化が要求されている。
絶縁樹脂層の表面に凹凸が生じていると、特に配線層が狭ピッチ化されてくると、シード層をエッチングする際に残渣が発生しやすくなり、配線層の間で電気ショートが発生しやすくなる。さらに、絶縁樹脂層の凹凸上に形成される配線層は、高周波信号の伝送損失が生じやすい問題がある。
このように、絶縁樹脂層の表面を粗化して配線層の密着性を確保する方法では、特に線幅が１０μｍ以下の配線層の信頼性よく形成することは困難であり、平滑な樹脂層の上に密着性よく微細な配線層を形成する技術が要求される。
セミアディティブ法により絶縁樹脂層の上に微細な配線層を信頼性よく形成できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、第１配線層の上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上に、第１カップリング剤層、第１銅・錫合金層及び銅層が順に配置された積層体を得る工程と、前記銅層から前記第１絶縁層までの厚み方向に、前記第１配線層に到達する第１ビアホールを形成する工程と、前記第１ビアホールの内面及び前記銅層の上に触媒金属を付着させる工程と、前記銅層及び前記第１ビアホール内の第１配線層をエッチングすることにより、前記銅層及び前記第１配線層の上に付着した前記金属触媒を除去し、前記第１ビアホールの側壁のみに前記金属触媒を残す工程と、前記金属触媒を触媒とする無電解めっきにより、前記第１ビアホールの側壁に、前記第１銅・錫合金層に接続されるシード層を形成する工程と、前記第１ビアホールを含む部分に開口部が設けられためっきレジストを前記第１銅・錫合金層の上に形成する工程と、前記第１銅・錫合金層及び前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記第１ビアホール及び前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、前記めっきレジストを除去する工程と、前記金属めっき層をマスクにして前記第１銅・錫合金層をエッチングすることにより、前記シード層、前記第１銅・錫合金層及び前記金属めっき層を備えた第２配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
また、その開示の他の観点によれば、第１配線層と、前記第１配線層の上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成された第１カップリング剤層と、前記第１カップリング剤層の上に形成された第１銅・錫合金層と、前記第１銅・錫合金層、前記第１カップリング剤層及び前記第１絶縁層に形成され、前記第１配線層に到達する第１ビアホールと、前記第１ビアホールの側壁のみに付着した触媒金属と、前記第１銅・錫合金層に接続され、前記触媒金属を触媒にした無電解めっきにより前記第１ビアホールの側壁のみに形成されたシード層と、前記第１ビアホール内から前記第１銅・錫合金層の上に形成された金属めっき層とを有し、前記シード層、前記第１銅・錫合金層及び前記金属めっき層から第２配線層が形成されることを特徴とする配線基板が提供される。
以下の開示によれば、配線基板の製造方法では、まず、第１配線層上の第１絶縁層の上に、第１カップリング剤層、第１銅・錫合金層及び銅層が順に配置された積層体を得る。次いで、銅層から第１絶縁層に、第１配線層に到達する第１ビアホールを形成する。
続いて、全面に触媒金属を付着させた後に、銅層と第１ビアホール内の第１配線層をエッチングしてそれらに付着した触媒金属を除去する。これにより、第１ビアホールの側壁のみに触媒金属が部分的に残され、それを触媒にする無電解めっきにより第１ビアホールの側壁のみにシード層を部分的に形成する。
これにより、平滑な第１絶縁層の上に密着性よく形成された薄膜の第１銅・錫合金層及び第１ビアホール内のシード層がめっき給電層として使用される。
めっき給電層としての第１銅・錫合金層を所要の薄膜に設定できるため、セミアディティブ法で第２配線層を形成する際に、めっき給電層のエッチング残渣が発生しにくくなる。また、過度なオーバーエッチングも不要になるため、微細な配線層を信頼性よく形成することができる。
また、第１ビアホールの底部においても、触媒金属及びシード層が存在しないため、第１ビアホールの周りの電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
本実施形態の説明の前に、基礎となる予備的事項について説明する。図１及び図２は予備的事項を説明するための断面図である。
図１（ａ）に示すように、まず、コア基板１００の上に銅からなる第１配線層２００を形成した後に、コア基板１００の上に第１配線層２００を被覆する絶縁樹脂層３００を形成する。
続いて、図１（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３００をレーザで加工することにより、第１配線層２００の接続部に到達するビアホールＶＨを形成する。
さらに、図１（ｃ）に示すように、ビアホールＶＨ内を過マンガン酸法などによってデスミア処理を行う。これにより、ビアホールＶＨ内に残留する樹脂スミアなどが除去されてビアホールＶＨ内がクリーニングされる。デスミア処理によって絶縁樹脂層３００の表面が同時にエッチングされて粗化面Ａとなる。絶縁樹脂層３００の粗化面Ａの表面粗さ（Ｒａ）は３００ｎｍ以上になる。
続いて、図２（ａ）に示すように、無電解めっきにより、絶縁樹脂層３００の上及びビアホールＶＨの内面に銅からなるシード層４２０を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、第２配線層が配置される部分に開口部３２０ａが設けられためっきレジスト３２０をシード層４２０の上に形成する。
さらに、シード層４２０をめっき給電層に利用する電解めっきにより、めっきレジスト３２０の開口部３２０ａに銅からなる金属めっき層４４０を形成する。
次いで、図２（ｃ）に示すように、めっきレジスト３２０を除去した後に、金属めっき層４４０をマスクにしてシード層４２０をエッチングする。これにより、シード層４２０及び金属めっき層４４０から形成される第２配線層４００が絶縁樹脂層３００の上に得られる。第２配線層４００はビアホールＶＨ（ビア導体）を介して第１配線層２００の接続部に電気的に接続される。
このとき、図２（ｃ）の部分拡大図に示すように、絶縁樹脂層３００の表面が粗化面Ａとなって比較的大きな凹凸が生じていることから、シード層４２０をエッチングする際に粗化面Ａにエッチング残渣Ｒが発生しやすく、配線間の電気ショートを招きやすい。
また、シード層４２０のエッチング残渣Ｒを完全に除去するためにオーバーエッチング量を増やすと、特に線幅が１０μｍ以下の微細パターンの場合はサイドエッチングによってパターン飛びが生じてパターンが消失することもある。
さらには、第２配線層４００は絶縁樹脂層３００の粗化面Ａ（凹凸）上に形成されるので、凹凸の影響によって高周波信号の伝送損失が生じやすくなり、高性能な半導体チップを実装するために配線基板として対応することが困難になる。
以下に説明する実施形態では前述した不具合を解消することができる。
（実施形態）
図３は実施形態の金属層転写基材の製造方法を示す断面図、図４〜図１５は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図１６は実施形態の配線基板を示す断面図である。
図３は実施形態の金属層転写基材の製造方法を示す断面図、図４〜図１５は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図１６は実施形態の配線基板を示す断面図である。
最初に、実施形態の配線基板の製造方法で使用される金属層転写基材の製造方法について説明する。
図３（ａ）に示すように、まず、支持体１０を用意する。支持体１０としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＬＣＰ樹脂（液晶ポリマー）フィルム、ガラス基板、ＳＵＳ（ステンレス）基板などが使用される。ＰＥＴフィルムを使用する場合は、その厚みが１０〜２００μｍである。
支持体１０の材料として、有機、無機、及び金属のいずれの材料を使用してもよい。
支持体１０は薄膜の金属層を支持する仮基板として使用され、後に、金属層から剥離されて除去される。このため、支持体１０の表面にはシリコーンなどからなる離型剤が塗布されている。支持体１０をフッ素樹脂フィルムから形成する場合は、離型剤を省略することも可能である。
次いで、図３（ｂ）に示すように、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、又はＣＶＤ法などにより、支持体１０の上に銅（Ｃｕ）層１２を形成する。銅層１２の厚みは、１０〜５０００ｎｍ、好適には１００〜１０００ｎｍｍに設定される。
続いて、図３（ｃ）に示すように、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、化学めっき法、又は電解めっき法などにより、銅層１２の上に錫（Ｓｎ）層１４を形成する。錫層１４の厚みは、１〜１０００ｎｍ、好適には１０〜１００ｎｍに設定される。
さらに、図３（ｄ）に示すように、図３（ｃ）の構造体を１００〜１５０℃程度の温度で加熱処理することにより、銅層１２から錫層１４に銅を拡散させて、錫層１４を合金化して第１銅・錫合金層１６とする。
なお、スパッタ法などで支持体１０が載置されるステージが１００℃程度に加熱される場合は、錫層１４を成膜することで第１銅・錫合金層１６を得ることができる。
なお、形成された錫層１４の全量が合金化されるように錫層１４の厚みを調整することが望ましい。
あるいは、銅・錫合金からなるコンポジットターゲットを使用するスパッタ法などによって銅層１２の上に第１銅・錫合金層１６を直接形成してもよい。
錫層１４を形成した後に第１銅・錫合金層１６を得る場合は、錫層１４の全体が第１銅・錫合金層１６になっていてもよいし、錫層１４の主要部が第１銅・錫合金層１６になって、表面側の一部に合金化されていない錫層１４が残った状態になっていてもよい。
また、表面側の合金化されていない錫層１４を第１銅・錫合金層１６に対してウェットエッチングによって選択的に除去してもよい。これにより、支持体１０の上に極薄の第１銅・錫合金層１６を均一に形成することができる。
または、後述する第１カップリング剤層を形成する際の加熱処理で錫層１４を第１銅・錫合金層１６にすることも可能である。
なお、錫層１４又は第１銅・錫合金層１６を成膜する際に、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）などの金属が含まれていてもよい。例えば、化学めっきで錫層１４を形成する場合は、ウィスカー（針状の金属結晶）の発生を防止するために、銀（Ａｇ）を添加することがある。
このようにして、支持体１０の上に、剥離できる状態で銅層１２及び第１銅・錫合金層１６が順に形成された構造体を用意する。
次いで、図３（ｅ）に示すように、第１銅・錫合金層１６の上に第１カップリング剤層１８を形成する。第１カップリング剤層１８は、一つの分子中に反応性の異なる２種類の官能基を有しており、代表的なものとしてシランカップリング剤がある。
シランカップリング剤において、樹脂などの有機材料と化学結合する官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、イソシネアート基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、又はスルフィド基を含むものが好ましい。シランカップリング剤と化学結合する樹脂の種類に応じて最適な官能基が選択される。
また、シランカップリング剤において、金属などの無機材料と化学結合する官能基として、シラノール基、メトキシ基、又はエトキシ基を含むものが好ましい。シランカップリング剤と化学結合する金属の種類に応じて最適な官能基が選択される。
なお、第１カップリング剤層１８として、シランカップリング剤の他に、チタンカップリング剤を使用してもよい。
上記した銅層１２及び第１銅・錫合金層１６が形成された支持体１０をシランカップリング剤の希釈溶液に浸漬させて接触させた後に、乾燥させることで脱水縮合により第１銅・錫合金層１６の表面に第１カップリング剤層１８を形成することができる。
シランカップリング剤の希釈溶液の濃度は、０．１〜１０％、好適には０．５〜５％に設定される。また、シランカップリング剤の乾燥は、温度：８０〜１５０℃の雰囲気で処理時間：１〜６０分の条件で行われる。
支持体１０をシランカップリング剤の希釈溶液に浸漬させる方法以外に、支持体１０上の第１銅・錫合金層１６の上にシランカップリング剤をスプレー塗布によって形成してもよいし、蒸着させてもよい。
第１カップリング剤層１８の無機材料結合用の一方の官能基（シラノール基など）が第１銅・錫合金層１６と化学結合することにより、第１カップリング剤層１８が第１銅・錫合金層１６と強固に接着する。
以上により、実施形態の金属層転写基材１が得られる。金属層転写基材１では、支持体１０の上に剥離できる状態で銅層１２、第１銅・錫合金層１６及び第１カップリング剤層１８が順に積層された転写層Ｔが形成されている。
実施形態の金属層転写基材１では、支持体１０の上に、厚みが均一な第１銅・錫合金層１６の上に第１カップリング剤層１８が接着された構造を含む転写層Ｔを信頼性よく形成することができる。
次に、実施形態の金属層転写基材１の転写層Ｔ（銅層１２、第１銅・錫合金層１６及び第１カップリング剤層１８）を配線基板の絶縁樹脂層の上に転写する方法について説明する。
図４（ａ）に示すように、まず、両面側に下側配線層３０がそれぞれ形成されたコア基板２０を用意する。コア基板２０には厚み方向に貫通するスルーホールＴＨが設けられており、スルーホールＴＨ内に貫通電極２２が充填されている。両面側の下側配線層３０は貫通電極２２を介して相互接続されている。上面側の下側配線層３０にはその接続パッドＰが示されている。
あるいは、コア基板２０の両面側の下側配線層３０がスルーホールＴＨの内壁に形成されたスルーホールめっき層によって相互接続され、スルーホールＴＨ内の孔に樹脂が充填されていてもよい。
コア基板２０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料やシリコンなどから形成される、コア基板２０としてシリコン基板を使用する場合は、コア基板２０の両面側及びスルーホールＴＨの内面にシリコン酸化層などの絶縁層が形成される。
コア基板２０の両面側に下側配線層３０に接続されるビルドアップ配線がそれぞれ形成されるが、本実施形態ではコア基板２０の上面側のみにビルドアップ配線を形成する。
次いで、図４（ｂ）に示すように、コア基板２０の上に半硬化状態（Ｂ−ステージ）の樹脂フィルムを真空ラミネータによって積層することにより、下側配線層３０の上にそれを被覆する第１絶縁樹脂層４０を形成する。
第１絶縁樹脂層４０としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が使用される。この時点では、第１絶縁樹脂層４０は硬化しておらず半硬化状態（Ｂ−ステージ）となっている。
その後に、図４（ｃ）に示すように、前述した金属層転写基材１（図３（ｅ））を上下反転させ、真空ラミネータによって金属層転写基材１の第１カップリング剤層１８の面を第１絶縁樹脂層４０の上に積層する。
次いで、図５（ａ）に示すように、加熱処理することにより、半硬化状態の第１絶縁樹脂層４０を完全に硬化させる。第１絶縁樹脂層４０がエポキシ樹脂からなる場合は、１５０〜１９０℃の温度で加熱処理が行われる。
これにより、金属層転写基材１の第１カップリング剤層１８が第１絶縁樹脂層４０に接着する。第１カップリング剤層１８の有機材料結合用の他方の官能基（アミノ基など）が第１絶縁樹脂層４０と化学結合することにより、第１カップリング剤層１８が第１絶縁樹脂層４０と強固に接着する。
これにより、第１絶縁樹脂層４０に第１カップリング剤層１８を介して第１銅・錫合金層１６が強固に接着する。
次いで、図５（ｂ）に示すように、支持体１０を銅層１２との界面から剥離することにより、銅層１２の上面を露出させる。このとき、支持体１０と銅層１２との間に離型剤が形成されているので、支持体１０を容易に引き剥がして除去することができる。これにより、金属層転写基材１の転写層Ｔが第１絶縁樹脂層４０の上に転写・形成される。
このようにして、下側配線層３０を被覆する第１絶縁樹脂層４０の上に、第１カップリング剤層１８、第１銅・錫合金層１６及び銅層１２が順に配置された積層体を得る。
第１絶縁樹脂層４０はデスミア処理の前に銅層１２などで被覆されて保護されるので、第１絶縁樹脂層４０の上面は平滑な状態で保たれる。平滑な第１絶縁樹脂層４０の表面粗さ（Ｒａ）は１０乃至２００ｎｍである。
第１銅・錫合金層１６は第１カップリング剤層１８（シランカップリング剤）によって第１絶縁樹脂層４０（エポキシ樹脂など）に信頼性よく接着される特性を有する。本実施形態の金属層転写部材１の転写層Ｔを転写する方法を使用することにより、第１絶縁樹脂層４０と第１銅・錫合金層１６とを第１カップリング剤層１８を介して信頼性よく接着させることができる。
特に問題がなければ、第１絶縁樹脂層４０の上に第１カップリング剤層１８を直接形成し、その上に第１銅・錫合金層１６及び銅層１２をスパッタ法などで形成してもよい。
続いて、図６（ａ）に示すように、銅層１２、第１銅・錫合金層１６、第１カップリング剤層１８及び第１絶縁樹脂層４０を厚み方向にレーザで加工することにより、下層配線層３０の接続パッドＰに到達する第１ビアホールＶＨ１を形成する。レーザ加工は、炭酸ガスレーザ又はＵＶ−ＹＡＧレーザによって行われる。
さらに、図６（ｂ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１内を過マンガン酸法などのウェットプロセスによってデスミア処理を行う。これにより、第１ビアホールＶＨ１内に残留する樹脂スミアなどが除去されて第１ビアホールＶＨ１内がクリーニングされる。
またこのとき、銅層１２に付着した離型剤も同時に除去される。
このとき、過マンガン酸法などによるデスミア処理では銅層１２はほとんどエッチングされず、第１絶縁樹脂層４０が銅層１２で保護されるので、デスミア処理によって第１絶縁樹脂層４０の表面が粗化されることはない。従って、第１絶縁樹脂層４０の表面は平滑な状態で維持される（表面粗さ（Ｒａ）：１０乃至２００ｎｍ）。
なお、第１ビアホールＶＨ１の側壁はデスミア処理で粗化されるので、後述するシード層が第１ビアホールＶＨ１内で密着性よく形成される。
デスミア処理として過マンガン酸法などのウェットプロセスを例示したが、ＣＦ4／Ｏ2系などのフッ素原子を含むガスのプラズマ（ドライプロセス）によってデスミア処理を行なってもよい。ドライプロセスによるデスミア処理においても、銅層１２はほとんどエッチングされず、第１絶縁樹脂層４０は銅層１２で保護されるので、第１絶縁樹脂層４０の表面が粗化されることはない。
次いで、図７（ａ）に示すように、銅層１２の上及び第１ビアホールＶＨ１の内面に銅などからなるシード層５２を無電解めっきにより形成する。シード層５２の厚みは例えば０．５μｍ程度であり、第１ビアホールＶＨ１の内面を確実に被覆する厚みに設定される。無電解めっきの代わりに、スパッタ法によってシード層５２を形成してもよい。
このとき、前述したように第１銅・錫合金層１６及び銅層１２は既に第１カップリング剤層１８を介して密着性のよい状態で第１絶縁樹脂層４０の上に形成されていることから、シード層５２は銅層１２など介して第１絶縁樹脂層４０に密着性よく形成される。
シード層５２（Ｃｕ）は平滑な第１絶縁樹脂層４０の上に直接形成すると十分な密着性が得られないが、銅層１２のような金属層の上には密着性よく形成されるからである。
次いで、図７（ｂ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１を含む部分（第１配線層が配置される部分）に開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２をフォトリソグラフィによってシード層５２の上に形成する。めっきレジスト３２の形成方法としては、ドライフィルムレジストを貼付してもよいし、あるいは液状レジストを塗布して形成してもよい。
さらに、図７（ｃ）に示すように、シード層５２をめっき給電層に利用する電解めっきにより、第１ビアホールＶＨ１内及びめっきレジスト３２の開口部３２ａに銅などからなる金属めっき層５４を形成する。このとき、シード層５２の下の銅層１２及び第１銅・錫合金層１６もめっき給電層の一部として利用される。
金属めっき層５４の厚みは所望の配線抵抗が得られるように任意に設定できるが、例えば第１配線層の線幅が１０μｍの場合は１０μ〜２０ｍ程度の厚みに設定される。第１ビアホールＶＨ１内では、その内面に形成されたシード層５２から内側に向かって金属めっきが施されて第１ビアホールＶＨ１にビア導体が充填される。
続いて、図８に示すように、めっきレジスト３２を除去した後に、金属めっき層５４をマスクにしてシード層５２（Ｃｕ）及びその下の銅層１２と第１銅・錫合金層１６とをウェットエッチングして除去する。このとき、ウェットエッチングのエッチャントとして、濃度が１０〜２０％の硝酸水溶液が使用され、硝酸水溶液によってシード層５２（Ｃｕ）から第１銅・錫合金層１６まで連続してエッチングされる。
これにより、第１銅・錫合金層１６、銅層１２、シード層５２及び金属めっき層５４から形成される第１配線層５０が第１絶縁樹脂層４０の上に第１カップリング剤層１８を介して得られる。第１配線層５０は第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介して下側配線層３０の接続パッドＰに電気的に接続されて形成される。
本実施形態では、第１絶縁樹脂層４０の表面は平滑であるため、セミアディティブ法でシード層５２、銅層１２及び第１銅・錫合金層１６をエッチングする際に残渣が発生しにくくなる。
これにより、ライン：スペースが１０：１０μｍ〜２：２μｍの狭ピッチの第１配線層５０を歩留りよく形成することができる。またこのとき、オーバーエッチングを過度に行う必要もなくなるので、微細パターンであっても第１配線層５０がパターン飛びすることもない。
また、第１絶縁樹脂層４０の表面が平滑であっても、第１カップリング剤層１８を使用することにより第１配線層５０の最下の第１銅・錫合金層１６を第１絶縁樹脂層４０に強固に接着することができる。
このようにして、第１絶縁樹脂層４０の平滑な上面に密着性よく微細な第１配線層５０を形成することができる。従って、第１配線層５０の凹凸も低減されるので、高周波信号の伝送損失の発生を回避することができる。
図８の部分拡大平面図（１）に示すように、第１配線層５０が第１ビアホールＶＨ１に配置されたパッド部５０ａとそれに繋がって外側に延びる延在配線部５０ｂとを有する場合は、第１銅・錫合金層１６及び銅層１２は第１ビアホールＶＨ１を除くパッド部５０ａ（第１ビアホールＶＨ１の外側周辺部）及び延在配線部５０ｂの領域にそれらの最下層として配置される（斜線部）。
あるいは、図８の部分拡大平面図（２）に示すように、第１配線層５０が第１ビアホールＶＨ１に島状のパッド部５０ａとして配置される場合は、第１銅・錫合金層１６及び銅層１２は第１ビアホールＶＨ１を除くパッド部５０ａの領域にその最下層としてリング状に配置される（斜線部）。
図８の部分拡大平面図（１）及び（２）では、第１ビアホールＶＨ１及び第１配線層５０のみが模式的に描かれている。
なお、本実施形態では、第１配線層５０が第１ビアホールＶＨ１を介して下側配線層３０に接続されているが、第１ビアホールＶＨ１が形成されていない絶縁樹脂層４０の上に第１配線層５０を前述した方法で形成してもよい。つまり、第１配線層５０はビアホールに接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。
次いで、図９（ａ）に示すように、無電解めっきにより、第１配線層５０の露出面（上面及び側面）に錫層を選択的に形成した後に、加熱処理することにより第１配線層５０から錫層に銅を拡散させて第２銅・錫合金層５６を得る。第１配線層５０は上面及び側面に第２銅・錫合金層５６をさらに含んで形成される。
第１ビアホールＶＨ１に接続されていない第１配線層５０はその外面全体（上下面及び両側面）が第１、第２銅・錫合金層１６，５６で被覆された状態となる。
さらに、図９（ｂ）に示すように、前述した第１カップリング剤層１８の形成方法と同様な方法により、第１配線層５０及び第１カップリング剤層１８の上に第２カップリング剤層１８ａを形成する。
その後に、図１０（ａ）に示すように、第１配線層５０を被覆する第２カップリング剤層１８ａの上に、第１絶縁樹脂層４０の形成方法と同様な方法により、第２絶縁樹脂層４２を形成する。
第２絶縁樹脂層４２は、第２カップリング剤層１８ａによって第１配線層５０の第２銅・錫合金層５６に密着性よく形成される。
これにより、第１配線層５０の下側では、第１銅・錫合金層１６が第１カップリング剤層１８によって第１絶縁樹脂層４０に強固に接着される。また、第１配線層５０の上側及び側方では、第２銅・錫合金層５６が第２カップリング剤層１８ａによって第２絶縁樹脂層４２に強固に接着される。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、実施形態の図４（ｃ）〜図５（ｂ）の工程と同様な方法により、第２絶縁樹脂層４２の上に第３カップリング剤層１８ｂ、第３銅・錫合金層６６及び銅層１２が順に配置された積層体を形成する。
さらに、図１１（ａ）に示すように、銅層１２、第３銅・錫合金層６６、第３カップリング剤層１８ｂ、第２絶縁樹脂層４２、第２カップリング剤層１８ａ、及び第２銅・錫合金層５６をレーザで加工する。これにより、第１配線層５０の金属めっき層５４に到達する第２ビアホールＶＨ２を形成する。
その後に、前述した図６（ｂ）の工程と同様に、第２ビアホールＶＨ２内を過マンガン酸法などのウェットプロセスによってデスミア処理を行う。このとき同様に、第２絶縁樹脂層４２が銅層１２でデスミア処理から保護されるので、デスミア処理によって第２絶縁樹脂層４２の表面が粗化されることはない。
続いて、無電解めっきの前処理として、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）と界面活性剤を使用するアルカリ脱脂液によって、図１１（ａ）の構造体の表面を脱脂処理した後に、アミン系の界面活性剤によって表面調整を行う。これにより、図１１（ａ）の構造体の表面は、無電解めっきの触媒となるパラジウムが付着しやすい状態となる。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、第２ビアホールＶＨ２の側壁及び底部と銅層１２の表面とに、無電解めっきの金属触媒としてパラジウム（Ｐｄ）６２を付着させる。図１１（ａ）の構造体をパラジウムイオンを含むアルカリ溶液に浸漬させた後に、還元処理することにより、パラジウム６２を付着させることができる。
次いで、図１２（ａ）に示すように、過硫酸ナトリウム水溶液により銅層１２をウェットエッチングする。これにより、銅層１２の表面に付着したパラジウム６２が銅層１２と共に除去される。このとき同時に、第２ビアホールＶＨ２の底部に露出する金属めっき層５４（Ｃｕ）がエッチングされ、その表面に付着したパラジウム６２が同時に除去される。
このようにして、銅層１２の上及び第２ビアホールＶＨ２の底部に付着したパラジウム６２が部分的に除去され、第２ビアホールＶＨ２の側壁のみにパラジウム６２が残された状態となる。
また、第２ビアホールＶＨ２の底面の金属めっき層５４がエッチングされて、第２ビアホールＶＨ２の底面に凹部Ｃが形成される。
なお、図１２（ａ）の例では、銅層１２が全てエッチングされて第３銅・錫合金層６６の表面が露出しているが、銅層１２上のパラジウム６２が除去されていればよく、銅層１２が薄皮状態で残っていてもよい。
次いで、図１２（ｂ）に示すように、次亜リン酸を還元剤に使用する無電解めっきにより、第２ビアホールＶＨ２の側壁に付着したパラジウム６２を触媒にして銅めっきを施すことによってシード層６４を得る。
次亜リン酸を還元剤に使用する無電解めっきは、パラジウム６２にはめっきが施されるが、銅や錫にはめっきが施されない特性を有する。このため、第３銅・錫合金層６６の表面及び第２ビアホールＶＨ２の底面にはパラジウム６２が存在しなので、シード層６４は第２ビアホールＶＨ２の側壁のみに部分的に形成される。
本実施形態では、セミアディティブ法のめっき給電層となる第３銅・錫合金層６６の上にシード層６４が積層されないため、第３銅・錫合金層６６は薄膜の状態で維持される。例えば、第３銅・錫合金層６６は厚みが１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の薄膜であり、セミアディティブ法において微細な配線層を形成する際に有利になる。
次いで、図１３（ａ）に示すように、第３配線層が配置される部分に開口部３４ａが設けられためっきレジスト３４を銅・錫合金層６６の上に形成する。さらに、図１３（ｂ）に示すように、第３銅・錫合金層６６及びそれに接続されたシード層６４をめっき給電層に利用して電解めっきを行う。これにより、第２ビアホールＶＨ２内及びめっきレジスト３４の開口部３４ａに銅などからなる金属めっき層６８を形成する。
図１３（ｃ）の部分拡大図に示すように、金属めっき層６８を形成する直前の時点では、第２ビアホールＶＨ２の底部の凹部Ｃは周縁側にリング状の食込部Ｃｘを有している。
しかし、第２ビアホールＶＨ２の底部の凹部Ｃにおいて、シード層６４は第１配線層５０の第２銅・錫合金層５６及び金属めっき層５４に電気的に接続されている。このため、第２銅・錫合金層５６及び金属めっき層５４も電解めっきのめっき給電層として機能する。
これにより、電解めっきを行う際に、凹部Ｃの食込部Ｃｘの内部からめっきが施されるため、食込部Ｃｘにボイドが発生するおそれはなく、食込部Ｃｘが信頼性よく金属めっき層６８によって埋め込まれる。
次いで、図１４（ａ）に示すように、めっきレジスト３４を除去した後に、金属めっき層６８をマスクにして第３銅・錫合金層６６をウェットエッチングによって除去する。
これにより、第２ビアホールＶＨ２の側壁に形成されたシード層６４、第２絶縁樹脂層４０の上に第３カップリング剤層１８ｂを介して形成された銅・錫合金層６６及び金属めっき層６８から第２配線層６０が形成される。
このとき、第２絶縁樹脂層４２の表面は平坦であるため、金属めっき層６８をマスクにして第３銅・錫合金層６６をウェットエッチングする際に残渣が発生しにくくなる。
これに加えて、第３銅・錫合金層６６はその上にシード層６４が積層されていないため、オーバーエッチングを過度に行う必要もない。従って、パターン飛びが発生することなく、微細な第３配線層６０を歩留りよく形成することができる。
また、第２絶縁樹脂層４２の表面が平滑であっても、第３カップリング剤層１８ｂを使用することにより、第２配線層６０の最下の第３銅・錫合金層６６を第２絶縁樹脂層４２に強固に接着することができる。
このようにして、第１配線層５０と同様に、第２絶縁樹脂層４２の平滑な上面に密着性よく微細な第２配線層６０を形成することができる。従って、第２配線層６０の凹凸も低減されるので、高周波信号の伝送損失の発生を回避することができる。
また、本実施形態と違って、無電解めっきの触媒となるパラジウムを全面に付着させる場合は、配線層を形成した後に、それらの間の領域にパラジウムが残存する。このため、配線層の間の電気ショートを回避するためにパラジウムの除去工程が必要になる。
これに対して、本実施形態では、パラジウム６２は第２ビアホールＶＨ２の側壁のみに付着しており、第２配線層６０の間の領域には存在しないため、パラジウムを除去する工程を省略することができる。
また、第１配線層５０と第２配線層６０との接続界面には、パラジウム６２及びシード層６４が存在せず、第１配線層５０の金属めっき層５４と第２配線層６０の金属めっき層６８とが直接接続されている。このため、第２ビアホールＶＨ２を介する第１配線層５０と第２配線層６０とのコンタクト抵抗を低減することができ、電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
次いで、図１４（ｂ）に示すように、前述した図９（ａ）の工程と同様に、無電解めっきにより第２配線層６０の露出面（上面及び側面）に錫層を選択的に形成する。その後に、加熱処理することにより第２配線層６０から錫層に銅を拡散させて第４銅・錫合金層７６を得る。第２配線層６０は上面及び側面に第４銅・錫合金層７６をさらに含んで形成される。
さらに、同じく図１４（ｂ）に示すように、前述した第１カップリング剤層１８の形成方法と同様な方法により、第２配線層６０及び第３カップリング剤層１８ｂの上に第４カップリング剤層１８ｃを形成する。
その後に、図１５（ａ）に示すように、第２配線層６０を被覆する第４カップリング剤層１８ｃの上に、第２配線層６０の接続部上に開口部４４ａが設けられたソルダレジスト４４を形成する。最外層として形成される保護絶縁層の一例がソルダレジスト４４である。
ソルダレジスト４４は、第４カップリング剤層１８ｃによって第２配線層６０の第４銅・錫合金層７６に密着性よく形成される。
また、同様に、コア基板２０の下面側の下側配線層３０の接続部上に開口部４６ａが設けられたソルダレジスト４６を形成する。
次いで、図１５（ｂ）に示すように、アルカリ系のエッチング液により、ソルダレジスト４４の開口部４４ａ内に露出した第４カップリング剤層１８ｃをエッチングして除去する。あるいは、ソルダレジスト４４の開口部４４ａ内の第４カップリング剤層１８ｃをプラズマエッチングによってエッチングして除去してもよい。
さらに、ソルダレジスト４６の開口部４６ａに露出した第４銅・錫合金層７６を酸性のエッチング液によりエッチングして除去する。第４銅・錫合金層７６のエッチング液としては、一般的な錫の剥離液を使用することができる。
これにより、ソルダレジスト４４の開口部４４ａに第２配線層６０の金属めっき層６８が接続部として露出する。
このようにして、ソルダレジスト４６、第４カップリング剤層１８ｃ及び第４銅・錫合金層７６に、第２配線層６０の金属めっき層６８に到達する開口部が形成された構造を得る。
その後に、図１６に示すように、ソルダレジスト４４の開口部４４ａの第２配線層６０の金属めっき層６８に下から順にＮｉ／Ａｕめっき層を形成するなどしてコンタクト層６０Ｃを得る。
また、同様な方法により、コア基板２０の下側側において、ソルダレジスト４６の開口部４６ａの下側配線層３０にコンタクト層３０Ｃを形成する。
このようにして、第２配線層６０の接続部において電気抵抗が比較的高い第４銅・錫合金層７６が除去され、第２配線層６０の銅からなる金属めっき層６８にコンタクト層Ｃが直接接続される。
以上により、実施形態の配線基板２が得られる。
前述した形態では、第１配線層５０と第２配線層６０とを異なる方法で形成したが、第１配線層５０を第２配線層６０の形成方法と同じ方法で形成してもよい。
また、コア基板２０に形成された下側配線層３０の上に２層の配線層を形成したが、配線層の積層数は任意に設定することができる。
第２配線層６０の上にさらに配線層を積層する場合は、図１６において、ソルダレジスト４４の代わりに第３絶縁樹脂層を形成し、第３絶縁樹脂層から第４銅・錫合金層７６までレーザで加工する。これにより、第２配線層６０の金属めっき層６８に到達する第３ビアホールを形成する。
さらに、第３ビアホールを介して第２配線層６０に接続される第３配線層を形成する。第３絶縁樹脂層の上にも、同様に、カップリング剤層、銅・錫合金層及び銅層を形成してもよい。
また、コア基板２０の下面側にも同様な配線層を積層してもよい。
図１６に示すように、実施形態の配線基板２では、コア基板２０に貫通電極２２が設けられており、貫通電極２２を介して相互接続された下側配線層３０が両面側にそれぞれ形成されている。
コア基板２０の上面側に下側配線層３０を被覆する第１絶縁樹脂層４０が形成されている。第１絶縁樹脂層４０の上に第１カップリング剤層１８が形成されている。第１カップリング剤層１８及び第１絶縁樹脂層４０には、下層配線層３０の接続パッドＰに到達する第１ビアホールＶＨ１が形成されている。
第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介して下側配線層３０の接続パッドＰに接続される第１配線層５０が、第１絶縁層４０の上に第１カップリング剤層１８を介して形成されている。
第１配線層５０は、第１ビアホールＶＨ１の外周から外側の第１カップリング剤層１８の上に形成された第１銅・錫合金層１６と、第１銅・錫合金層１６の上に形成された銅層１２とを備えている。
さらに、第１配線層５０は、第１ビアホールＶＨ１の内面から銅層１２の上に延在するシード層５２と、シード層５２の上に第１ビアホールＶＨ１に充填された状態で形成された金属めっき層５４とを備えている。
さらに、第１配線層５０は、第１銅・錫合金層１６、銅層１２、シード層５２及び金属めっき層５４の側面と金属めっき層５４の上面とを被覆する第２銅・錫合金層５６を備えている。
このように、第１配線層５０は、第１銅・錫合金層１６、銅層１２、シード層５２、及び金属めっき層５４と、それらの露出面を被覆する第２銅・錫合金層５６とから形成される。
第１配線層５０は、その最下の第１銅・錫合金層１６が第１カップリング剤層１８によって平滑な第１絶縁樹脂層４０の上に密着性よく形成されている。
さらに、第１配線層５０の上面及び側面が第２カップリング剤層１８ａで被覆されており、第１配線層５０の上に第２カップリング剤層１８ａを介して第２絶縁樹脂層４２が形成されている。これにより、第２絶縁樹脂層４２は第２カップリング剤層１８ａによって第１配線層５０の第２銅・錫合金層５６に強固に接着している。
このようにして、第１配線層５０は上下側及び側方において第１、第１絶縁樹脂層４０，４２との十分な密着性が得られる。
また、第２絶縁樹脂層４２の上には第３カップリング剤層１８ｂが形成されている。第３カップリング剤層１８ｂの上には第３銅・錫合金層６６が形成されている。そして、第３銅・錫合金層６６、第３カップリング剤層１８ｂ、第２絶縁樹脂層４２、第２カップリング剤層１８ａ及び第２銅・錫合金層５６に、第１配線層５０の金属めっき層５４に到達する第２ビアホールＶＨ２が形成されている。
第２ビアホールＶＨ２の底部の金属めっき層５４には凹部Ｃが設けられており、凹部Ｃは第２ビアホールＶＨ２から外側に食い込むリング状の食込部Ｃｘを有している。そして、第２ビアホールＶＨ２（ビア導体）を介して第１配線層５０に接続される第２配線層６０が第２絶縁樹脂層４２の上に第３カップリング剤層１８ｂを介して形成されている。
第２配線層６０は、第２ビアホールＶＨ２の側壁のみに形成されたシード層６４と、シード層６４の上端部に接触して第２ビアホールＶＨ２の外周から外側の第１カップリング剤層１８の上に形成された第３銅・錫合金層６６とを備えている。
さらに、第２配線層６０は、第２ビアホールＶＨ２内から第３銅・錫合金層６６の上まで形成された金属めっき層６８を備えている。金属めっき層６８は、第１配線層５０の金属めっき層５４の凹部Ｃを含む第２ビアホールＶＨ２を埋め込んで形成されている。
さらに、第２配線層６０は、金属めっき層６８の上面から金属めっき層６８及び第３銅・錫合金層６６の側面に形成された第４銅・錫合金層７６を備えている。
第２ビアホールＶＨ２の側壁のみにパラジウム６２が付着しており、シード層６４はパラジウム６２を触媒として使用した無電解めっきにより形成されたものである。
このように、第２ビアホールＶＨ２の側壁とシード層６４との界面には無電解めっきの触媒として使用されたパラジウム６２が付着している。
一方、第１配線層５０の金属めっき層５４と第２配線層６０の金属めっき層６８との界面にはパラジウム６２及びシード層６４は存在せず、両者が直接接続されている。また、第２配線層６０の第３銅・錫合金層６６と第３カップリング剤層１８ｂとの界面にもパラジウム６２及びシード層６４は存在せず、両者が直接接触している。
第２配線層６０及び第３カップリング剤層１８ｂの上には第４カップリング剤層１８ｃを介してソルダレジスト４４が形成されている。ソルダレジスト４４は、第２配線層６０の接続部上に開口部４４ａが設けられており、その開口部４４ａの下の第４カップリング剤層１８ｃ及び第４銅・錫合金層７６が開口されている。
そして、ソルダレジスト４４の開口部４４ａ内の第２配線層６０の金属めっき層６８にＮｉ／Ａｕめっき層などのコンタクト層６０Ｃが形成されている。
また同様に、コア基板２０の下面側に、下側配線層３０の接続部上に開口部４６ａが設けられたソルダレジスト４６が形成されている。さらに、ソルダレジスト４６の開口部４６ａ内の下側配線層３０に同様なコンタクト３０層Ｃが形成されている。
実施形態の配線基板２では、第１配線層５０がその最下層として第１銅・錫合金層１６を備え、第１銅・錫合金層１６が第１カップリング剤層１８によって平滑な第１絶縁樹脂層４０に強固に接着している。
また同様に、第２配線層６０がその最下層として第３銅・錫合金層６６を備え、第３銅・錫合金層６６が第３カップリング剤層１８ｂによって平滑な第２絶縁樹脂層４２に強固に接着している。
カップリング剤層及び銅・錫合金層を使用することにより、平滑な絶縁樹脂層の上に配線層を密着性よく形成することができる。さらに、平滑な絶縁樹脂層の上に配線層を形成できるので、セミアディティブ法でのめっき給電層のエッチング時に残渣が発生しにくくなり、微細な配線層を歩留りよく形成することができる。
しかも、平滑な絶縁樹脂層の上に配線層が形成されて配線層の凹凸が低減されるので、高周波信号の伝送損失が発生することが回避される。
また、第２配線層６０では、第２ビアホールＶＨ２の側壁のみにパラジウム６２を部分的に残し、シード層６４を第２ビアホールＶＨ２の側壁のみに形成している。これにより、第２絶縁層４２の上に密着用よく形成された第３銅・錫合金層６６を薄膜のめっき給電層としてシード層６４に接続させることができる。
このため、セミアディティブ法において、めっき給電層（第３銅・錫合金層６６）をエッチングする際に、残渣が発生しにくくなり、過度なオーバーエッチングも不要になるため、微細な配線層を信頼性よく形成することができる。
また、第２ビアホールＶＨ２の底部においても、パラジウム６２及びシード層６４が存在せず、第１配線層５０の金属めっき層５４と第２配線層６０の金属めっき層６８とが直接接触して接続されている。このため、第２ビアホールＶＨ２の周りの電気的な接続の信頼性を向上させることができる。
図１７には、図１６の配線基板２に半導体チップが実装された半導体装置が示されている。図１７に例示された半導体装置３では、配線基板２の上面側の第２配線層６０のコンタクト層６０Ｃにはんだなどのバンプ電極７２によって半導体チップ７０（ＬＳＩチップ）がフリップチップ接続される。
さらに、半導体チップ７０の下側の隙間にアンダーフィル樹脂７４が充填される。また、下面側の下側配線層３０のコンタクト層３０Ｃにはんだボールを搭載するなどして外部接続端子８０が設けられる。
本実施形態の配線基板２は、微細な多層配線層を信頼性よく形成できるので、高性能な半導体チップの実装基板として使用することができる。
１…金属層転写基材、２…配線基板、３…半導体装置、１０…支持体、１２…銅層、１４…錫層、１６…第１銅・錫合金層、１８…第１カップリング剤層、１８ａ…第２カップリング剤層、１８ｂ…第３カップリング剤層、１８ｃ…第４カップリング剤層、２０…コア基板、２２…貫通電極、３０…下側配線層、３０Ｃ，６０Ｃ…コンタクト層、３２，３４…めっきレジスト、３２ａ，３４ａ，４４ａ，４６ａ…開口部、４０…第１絶縁樹脂層、４２…第２絶縁樹脂層、４４，４６…ソルダレジスト、５０…第１配線層、５０ａ…パッド部、５０ｂ…延在配線部、５２，６４…シード層、５４，６８…金属めっき層、５６…第２銅・錫合金層、６０…第３配線層、６２…パラジウム、６６…第３銅・錫合金層、７０…半導体チップ、７２…バンプ電極、７４…アンダーフィル樹脂、７６…第４銅・錫合金層、８０…外部接続端子、Ｐ…接続パッド、Ｔ…転写層、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール、ＴＨ…スルーホール。
Claims (10)
- 第１配線層の上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に、第１カップリング剤層、第１銅・錫合金層及び銅層が順に配置された積層体を得る工程と、
前記銅層から前記第１絶縁層までの厚み方向に、前記第１配線層に到達する第１ビアホールを形成する工程と、
前記第１ビアホールの内面及び前記銅層の上に触媒金属を付着させる工程と、
前記銅層及び前記第１ビアホール内の第１配線層をエッチングすることにより、前記銅層及び前記第１配線層の上に付着した前記金属触媒を除去し、前記第１ビアホールの側壁のみに前記金属触媒を残す工程と、
前記金属触媒を触媒とする無電解めっきにより、前記第１ビアホールの側壁に、前記第１銅・錫合金層に接続されるシード層を形成する工程と、
前記第１ビアホールを含む部分に開口部が設けられためっきレジストを前記第１銅・錫合金層の上に形成する工程と、
前記第１銅・錫合金層及び前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記第１ビアホール及び前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記第１銅・錫合金層をエッチングすることにより、前記シード層、前記第１銅・錫合金層及び前記金属めっき層を備えた第２配線層を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記第２配線層を形成する工程の後に、
前記第２配線層の露出面に第２銅・錫合金層を形成する工程と、
前記第２配線層の前記第２銅・錫合金層を被覆する第２カップリング剤層を形成する工程と、
前記第２カップリング剤層の上に第２絶縁層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第２絶縁層、前記第２カップリング剤層及び前記第２銅・錫合金層の厚み方向に、前記第２配線層の金属めっき層に到達する第２ビアホール又は開口部が形成された構造を得る工程をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第１配線層の上に前記第１絶縁層を形成する工程において、
前記第１配線層は上面及び側面に第３銅・錫合金層を備え、
前記第３カップリング剤層を介して前記第１絶縁層を形成し、
前記第１ビアホールを形成する工程において、
前記銅層から第３銅・錫合金層まで厚み方向に加工することを特徴とする請求項1乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記積層体を得る工程は、
支持体の上に、剥離できる状態で前記銅層及び前記第１銅・錫合金層が順に形成された構造体を用意し、前記第１銅・錫合金層の上に前記第１カップリング剤層を形成することにより金属層転写基材を得る工程と、
前記金属層転写基材の前記第１カップリング剤層の面を前記第１絶縁樹脂層の上に積層する工程と、
前記金属層転写基材から前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記金属層転写基材を得る工程は、
前記支持体の上に前記銅層を形成する工程と、
前記銅層の上に錫層を形成し、加熱処理することにより前記銅層から前記錫層に銅を拡散させて前記第１銅・錫合金層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。 - 第１配線層と、
前記第１配線層の上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成された第１カップリング剤層と、
前記第１カップリング剤層の上に形成された第１銅・錫合金層と、
前記第１銅・錫合金層、前記第１カップリング剤層及び前記第１絶縁層に形成され、前記第１配線層に到達する第１ビアホールと、
前記第１ビアホールの側壁のみに付着した触媒金属と、
前記第１銅・錫合金層に接続され、前記触媒金属を触媒にした無電解めっきにより前記第１ビアホールの側壁のみに形成されたシード層と、
前記第１ビアホール内から前記第１銅・錫合金層の上に形成された金属めっき層とを有し、
前記シード層、前記第１銅・錫合金層及び前記金属めっき層から第２配線層が形成されることを特徴とする配線基板。 - 前記第１ビアホールの底部の前記第１配線層に凹部が形成されており、
前記金属めっき層は前記凹部を埋め込んで形成されていること特徴とする請求項７に記載の配線基板。 - 前記第２配線層は、上面及び側面に第２銅・錫合金層を備え、
前記第２配線層の前記第２銅・錫合金層を被覆する第２カップリング剤層と、
前記第２カップリング剤層の上に形成された第２絶縁層とをさらに有することを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板。 - 前記第２絶縁層から第２銅・錫合金層まで厚み方向に形成されて、前記第２配線層の金属めっき層に到達する第２ビアホール又は開口部を有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
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