JP2006339186A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性のある配線基板を、簡単な製造方法によって提供することを目的とする。
【解決手段】フレキシブル部１４と、フレキシブル部１４に連続して設けられたリジット部１５とからなる配線基板１０であって、フレキシブル部１４は、絶縁性樹脂層１２を介して配線パターン１３が積層されたフレキシブル基板からなり、リジット部１５は、フレキシブル部１４と一体に形成されたフレキシブル基板からなり、該フレキシブル基板に形成された配線パターンの配線密度が、フレキシブル部１４の配線パターンの配線密度よりも大きく設定されてフレキシブル部１４よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、リジット部とフレキシブル部とで構成される配線基板、およびその製造方法に関するものである。

可撓性を有するフレキシブル部と、これに連続し、電子部品の搭載部となるリジット部とから構成される配線基板がある。配線基板はフレキシブル部で折り曲げて変形できるので、装置内での配置位置選択の自由度が増し、装置全体の小型化に貢献できるという有利な点がある。
図５にフレキシブル部８２とリジット部８１とから構成される、一般的な配線基板を示す。リジット部８１はフレキシブル基板８３がリジット基板８６、８７に挟み込まれて形成され、フレキシブル部８２はフレキシブル基板８３のみからなる。フレックス基板８３は、可撓性を有するポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂層９１の表面に配線パターン８４が形成されてなる。

リジット基板８６、８７はそれぞれ、硬質絶縁樹脂層８８上に配線パターン８９が形成されて構成される。硬質絶縁樹脂層８８としては、例えばガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸したものが用いられる。そして、リジット基板８６、８７は、フレキシブル基板８３を両面側から挟み込むように、フレキシブル基板８３に接着層、或いは接着層とフィルム８５とを介して固定される。
このような構成からなる配線基板としては、例えば特許文献１記載のものがある。

特開平７−３０７５７２号公報

上記構成からなる配線基板８０は、可撓性を有する絶縁性樹脂層９１と硬質絶縁樹脂層８８を異種素材によって形成しているから、異種素材層間の接着強度が不充分になったり、異種素材を用いることで製造工程が複雑になるという問題があった。

そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、信頼性のある配線基板を、簡単な製造方法によって提供することにある。

本発明は上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、本発明は、フレキシブル部と、該フレキシブル部に連続して設けられたリジット部とからなる配線基板であって、前記フレキシブル部は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層されたフレキシブル基板からなり、前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、該フレキシブル基板に形成された配線パターンの配線密度が、前記フレキシブル部の配線パターンの配線密度よりも大きく設定されてフレキシブル部よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする。
これによれば、信頼性のある配線基板を簡単に提供できる。
また、前記リジット部において、前記配線パターンがベタパターン状に形成されていることを特徴とする。

また、フレキシブル部と、該フレキシブル部に連続して設けられたリジット部とからなる配線基板であって、前記フレキシブル部は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層されたフレキシブル基板からなり、前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、フレキシブル部よりも配線パターンの積層数が多く設定されて、フレキシブル部よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする。

また、前記リジット部は、前記フレキシブル基板の一方の面側或いは両方の面側に、前記絶縁性樹脂層と同一材質からなる絶縁性樹脂層を用いた多層配線構造が形成されていることを特徴する。
これによれば、信頼性があり、より高性能な配線基板を提供できる。
また、前記絶縁性樹脂層は、ヤング率２５ＭＰａ以下の低弾性であることを特徴とする。
また、前記絶縁性樹脂層は、無電解メッキ、或いは無電解メッキと電解メッキの組み合せにより表面に導体層を形成可能であることを特徴とする。
また、前記絶縁性樹脂層は、熱硬化型のエポキシ系樹脂フィルム、或いは熱硬化型のフェノールノボラック系樹脂フィルムからなることを特徴とする。

また、前記配線基板の製造方法は、金属からなる支持板上に、絶縁性樹脂層と配線パターンを順次に積層する工程と、最上層の配線パターンを形成した後、該配線パターンと最上層の絶縁性樹脂層を保護膜によって被覆する工程と、エッチングにより支持板を除去した後、前記保護膜を剥離する工程とを有することを特徴とする。
これによれば、効率良く配線基板を製造できる。

本発明によれば、信頼性のある配線基板を簡単な製造方法によって得ることができる。

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の形態の配線基板は、絶縁性樹脂層として、以下に説明する機能を有する樹脂フィルムを用いて形成される。
樹脂フィルムは、温度８０〜１８０℃で加熱することで熱硬化する。加熱温度が８０〜１８０℃のとき、加熱時間は３０分〜１８０分がよい。熱硬化させた樹脂フィルム（樹脂硬化物）は可撓性を有し、湾曲自在である。さらに樹脂硬化物は、低弾性であることを特徴としている。具体的には、樹脂硬化物のヤング率は２５ＭPａ以下である。
また、樹脂硬化物は、メッキによりその表面に導体層を形成することができる。メッキによる導体層の形成方法としては、無電解メッキによって無電解メッキ層からなる導体層を形成する方法と、無電解メッキと電解メッキを組み合せて、無電解メッキ層上に電解メッキ層が積層されたものを導体層とする方法とがある。

無電解メッキとしては、例えば無電解銅メッキがあり、一般的な方法が使用できる。すなわち、無電解メッキは、樹脂硬化物の表面に触媒金属を析出させるための前処理を行った後、所定の無電解メッキ液に浸漬して行う方法である。前処理には、粗面化工程、キャタリスト工程、アクセラレータ工程が含まれる。
粗面化工程とは、樹脂硬化物の表面を化学エッチング等によって粗面化する工程であり、キャタリスト工程とは、無電解めっきの核となる触媒金属を成分として含む化合物、例えばＰｄ錯体、Ｐｄ−Ｓｎ錯体或いは有機パラジウムコロイドを粗面化された樹脂フィルムの表面に吸着させる工程である。アクセラレータ工程とは、吸着した化合物の触媒金属成分を還元し、樹脂硬化物の表面に触媒金属、例えばＰｄを析出する工程である。粗面化工程の前に、樹脂硬化物の表面に付着している油脂等の汚れを除去する脱脂処理工程を必要に応じて行う。
無電解メッキによる無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成する方法も、一般的な電解メッキの方法を用いることができる。例えば、電解メッキとして電解銅メッキがあり、メッキ浴としては硫酸銅メッキ浴が使用できる。

樹脂硬化物上の前記導体層を用いて配線パターンを形成する方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法のいずれも用いることができる。
アディティブ法の場合は、樹脂硬化物の表面上にメッキマスクとしてのレジストを形成し、無電解メッキだけで導体層を形成した後、レジストを除去することで配線パターンが形成できる。
セミアディティブ法の場合は、樹脂硬化物の表面に設けた無電解メッキ層上に、メッキマスクとしてのレジストを設けて電解メッキ層を形成する。次いで、レジストを除去し、さらに外面に露出する無電解メッキ層をエッチングによって除去することで配線パターンが形成できる。
サブトラクティブ法の場合は、樹脂硬化物上に設けた無電解メッキ層上に、電解メッキ層を積層して形成し、さらにその上にレジストを形成する。そして、レジストをマスクとするエッチング処理を施した後、レジストを除去して配線パターンが形成される。

さらに、樹脂硬化物は、レーザーにより穴あけが可能である。
また、樹脂フィルムは、金属板上、樹脂フィルム上或いは樹脂硬化物上に樹脂フィルムを貼りつけ、前記温度で加熱し、熱硬化させることで簡単に接着できる。
つまり、樹脂フィルムは、絶縁性樹脂層と配線パターンを順次積層して多層配線構造を形成するビルドアップ法における絶縁性樹脂層として好適に使用できる。
このような機能を有する樹脂フィルムとして、エポキシ系の樹脂フィルム或いはフェノールノボラック系の樹脂フィルム、より詳細にはエポキシ系非感光性樹脂フィルム、フェノールノボラック系非感光性樹脂フィルムがある。

図４（ｃ）は、上記樹脂フィルムからなる配線基板の断面図である。
配線基板１０は、フレキシブル部１４と、これに連続し、半導体素子等の電子部品が搭載されるリジット部１５とから構成されている。フレキシブル部１４が可撓性を有し、湾曲自在であるのに対して、リジット部１５は、フレキシブル部１４より高い硬度を有し、容易には折り曲げることができない硬質に形成されている。これにより、電子部品を安定した状態でリジット部１５に搭載できる。
図４（ｃ）に示した配線基板１０は、フレキシブル基板１６の所定部位がリジット部１５となり、残りの部位がフレキシブル部１４となっている。

フレキシブル基板１６は、前記樹脂フィルムの熱硬化物からなる絶縁性樹脂層が積層された多層配線構造となっている。つまり、フレキシブル基板１６は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層され、各配線パターンは絶縁性樹脂層を貫通して形成されたビアによって電気的に接続されて構成されている。
図４（ｃ）のフレキシブル基板１６では、第１、第２及び第３の絶縁性樹脂層１２ａ、１２ｂ、１２ｃが積層され、第１、第２の絶縁性樹脂層１２ａ、１２ｂの上面には、各々第１、第２の配線パターン１３ａ、１３ｂが形成されている。そして、リジット部１５となる部位の、第３の絶縁性樹脂層１２ｃの上面にのみ、第３の配線パターン１３ｃが形成されている。
また、第１の配線パターン１３ａと第２の配線パターン１３ｂは、第２の絶縁性樹脂層１２ｂを貫通する第１のビア１７ａによって電気的に接続されている。同様に第２の配線パターン１３ｂと第３の配線パターン１３ｃは、第３の絶縁性樹脂層１２ｃを貫通する第２のビア１７ｂによって電気的に接続されている。

また、ソルダーレジスト層１８が、第３の絶縁性樹脂層１２ｃのリジット部１５となる部位の上面（第３の配線パターン１３ｃを含む）のみ被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層１８は、第３の配線パターン１３ｃのパッド部に対応する位置に開口部１９が形成されていて、開口部１９を介して露出するパッド部に、外部接続端子としてはんだバンプが形成されている。はんだバンプとパッド部との接着性向上のために、パッド部上にＮｉ／Ａｕ等の導体膜２１を設け、導体膜２１を介してはんだバンプが接合される構成であってもよい。半導体素子等の電子部品（図示せず）は、はんだバンプを介して配線基板１０とフリップチップ接続される。さらに、電子部品と配線基板１０との間には、アンダーフィルレジンが充填されてもよい。

フレキシブル基板１６は、積層する絶縁性樹脂層１２の層数が多すぎると、湾曲自在な性質が失われるので、絶縁性樹脂層は、湾曲自在な性質が失われない程度の厚さに積層される。例えば、積層される絶縁性樹脂層の厚さの合計は、２００μｍ未満であるとよく、図４（ｃ）では厚さ５０μｍの絶縁性樹脂層が３層積層されて、合計１５０μｍの厚さとなっている。
また、フレキシブル基板１６のフレキシブル部１４となる部位は、各配線パターン１３ａ、１３ｂが、絶縁性樹脂層の湾曲自在な性質を妨げない程度の配線密度で形成されている。

そして、フレキシブル基板１６のリジット部１５となる部位には、電子部品を安定した状態に搭載できる充分な硬度を有するように次のような構成が付加されている。
１つは、フレキシブル部１４の部位よりもリジット部１５の部位に１層以上配線パターンを多く設ける構成である。金属からなる硬質の配線パターンにより、その部位の硬度を高めてリジット部１５とすることができる。
図４（ｃ）の配線基板１０では、最外層となる第３の絶縁性樹脂層１２ｃ上で、リジット部１５となる部位にのみ第３の配線パターン１３ｃを形成している。こうして、屈曲自在なフレキシブル部１４に対して、リジット部１５を硬質に形成できる。ちなみに、各配線パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃは略同一厚さに形成される。

また、リジット部１５となる部位の１層或いは２層以上の配線パターンの配線密度が、フレキシブル部１４となる部位の各配線パターンの配線密度よりも大きくなるように設定する構成によってもリジット部１５を硬質に形成できる。
例えば、フレキシブル基板１６の１層の配線パターンが、リジット部１５となる部位で、部分的にベタパターン状に形成される構成である。
図７に示した配線基板１０ａは、図４（ｃ）の配線基板１０と基本的には同様の構成からなるが、第２の配線パターン１３ｂがリジット部１５となる部分１３０ｂでベタパターン状に形成されている。ベタパターン状の配線パターンは、電源用の配線パターンとして使用することができる。ちなみに、ベタパターン状の配線パターンはリジット部１５のみに形成され、フレキシブル部１４には形成されない。

次に図４（ｃ）に示して説明した配線基板１０の製造方法について説明する。
まず、金属からなる支持板１１として銅板を準備し（図１（ａ）参照）、支持板１１上に樹脂フィルムを貼り付け、キュアを施して支持板１１上に第１の絶縁性樹脂層１２ａを形成する（図１（ｂ）参照）。支持板１１は配線基板１０の製造の際に、低弾性の樹脂フィルムを支持して、その姿勢を保持するために用いる。
キュアは、温度８０〜１８０℃で、時間３０分〜１８０分の加熱により行う。キュアにより熱硬化した後でも、ヤング率２５ＭＰａ以下であり、可撓性を有して湾曲自在となる材料を用いる。
その後、第１の絶縁性樹脂層１２ａ上に第１の配線パターン１３ａを形成する（図１（ｃ）参照）。

第１の配線パターン１３ａの形成方法は、前述のサブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法のいずれの方法でもよいが、セミアディティブ法によれば、高精細の配線パターンを効率良く形成でき有利である。
セミアディティブ法による配線パターンの形成方法について説明すると、まず、第１の絶縁性樹脂層１２ａに前述の無電解銅めっきの前処理を施し、触媒金属であるＰｄを析出させる。そして、第１の絶縁性樹脂層１２ａを、無電解銅メッキ液に支持板１１ごと浸漬して第１の絶縁性樹脂層１２ａ上に無電解銅メッキ層を形成する。それから、メッキマスクとしてのレジスト層を無電解銅メッキ層上に形成し、電解銅メッキを行う。レジスト層は、フィルム状、或いは液状の感光性レジストを無電解銅メッキ層上に設け、これに露光、現像を施すことにより所定パターンに形成できる。また、電解銅メッキは、レジスト層が形成された支持板１１を、電解銅メッキのメッキ浴である硫酸銅メッキ浴に浸漬することで行うことができ、これにより無電解銅メッキ層上に電解銅メッキ層が形成される。その後、レジスト層を除去し、銅のエッチングを施すことにより、配線パターン１３ａを形成する部位以外の、露出する無電解銅メッキ層を除去して銅層からなる配線パターン１３ａを形成する（図１（ｃ））。

引き続き、第１の配線パターン１３ａが形成された第１の絶縁性樹脂層１２ａ上に、前記樹脂フィルムを貼り付け、全体に加圧して平坦化させ、さらにキュアを施す。キュアは、前記キュアと同様の方法によって行う。これにより、樹脂フィルムからなる第２の絶縁性樹脂層１２ｂが形成される（図１（ｄ））。
次に、第２の絶縁性樹脂層１２ｂの所定位置で第１の配線パターン１３ａが露出するように、第２の絶縁性樹脂層１２ｂを貫通するビア孔２０ａを設ける（図２（ａ）、図２（ｂ））。ビア孔２０ａは、レーザーにより第２の絶縁性樹脂層１２ｂの所定部位を除去することにより形成できる。
その後、第１の配線パターン１３ａの形成方法と同様の方法により、第２の配線パターン１３ｂと第１のビア１７ａを形成する。即ち、ビア孔２０ａ内を含めた第２の絶縁性樹脂層１２ｂの上面全面に、無電解銅メッキを施して無電解銅メッキ層を形成する。そして、無電解銅メッキ層上に所定パターンのレジスト層を形成し、これをメッキマスクとして電解銅メッキを行う。レジスト層は前述と同様の方法により形成できる。これにより、ビア孔２０ａ内に銅が充填され、第２の配線パターン形状の電解銅メッキ層が形成される。この後、レジスト層を除去し、銅のエッチングを施すことにより、第２の配線パターン１３ｂを形成する部位以外の、露出する無電解銅メッキ層を除去して、第２の配線パターン１３ｂ及び第１のビア１７ａを形成する（図２（ｃ））。

その後、前述と同様の方法により、第２の絶縁性樹脂層１２ｂ上に第３の絶縁性樹脂層１２ｃを形成する（図２（ｄ））。
次に、リジット部１５となる部位の第３の絶縁性樹脂層１２ｃの所定位置で、第２の配線パターン１３ｂが露出するように、レーザーによって第３の絶縁性樹脂層１２ｃを貫通する第２のビア孔２０ｂを設ける（図３（ａ））。
その後、第２の配線パターン１３ｂ、第１のビア１７ａの形成方法と同様の方法により、第３の配線パターン１３ｃと第２のビア１７ｂを形成する。第３の配線パターン１３ｃは、第３の絶縁性樹脂層１２ｃ上面のリジット部１５となる部位のみに形成する（図３（ｂ））。
それから、第３の配線パターン１３ｃのパッド部に対応する位置に開口部１９が形成されたソルダーレジスト層１８を、第３の配線パターン１３ｃと、第３の絶縁性樹脂層１２ｃのリジット部１５となる部位を被覆するように形成する（図３（ｃ））。
次に、ソルダーレジスト層１８、第３の配線パターン１３ｃ及び第３の絶縁性樹脂層１２ｃを被覆するように保護膜としてのドライフィルム２２を貼りつけ（図３（ｄ））、エッチングにより支持板１１を除去する（図４（ａ））。ドライフィルム２２は、ソルダーレジスト層１８、第３の配線パターン１３ｃ及び第３の絶縁性樹脂層１２ｃをエッチング液から保護するもので、エッチングの後除去される（図４（ｂ））。

そして、開口部１９を介して露出する第３の配線パターン１３ｃのパッド部上に、Ｎｉ／Ａｕ等の導体膜２１をメッキによって形成し（図４（ｃ））、さらに導体膜２１上にはんだバンプをリフローして接合し、外部接続端子とする。
本実施形態の配線基板のうちフレキシブル部１４は、絶縁性樹脂層１２と配線パターン１３を順次に積層して多層配線構造とするビルドアップ法により、フレキシブル性を備えた状態で形成される。

この実施形態では次のような効果を得ることができる。
上記配線基板は従来のようなリジット基板を必要としないので、フレキシブル基板に対するリジット基板の接着不良による強度不足や電気的接続の不良等がなく、信頼性のある配線基板となる。
また、従来の配線基板は、フレキシブル部はポリイミド樹脂フィルムからなり、ポリイミド樹脂フィルム上に銅箔を接着剤で貼り合わせることで導体層を形成していた。この場合、配線パターン同士を電気的に接続するためにスルーホールを形成しなければならず、スルーホール形成は最初に銅箔にエッチングによって孔を開けた後、レーザーによって絶縁層に孔を開けるという複雑な工程となっていた。さらに、銅箔による導体層から配線パターンを形成するには、サブトラクティブ法を用いなければならず、高精細な配線パターンが形成できないという不具合があった。
これに対して、上記実施形態では絶縁性樹脂層上にメッキによる導体層の形成が可能なので、銅箔を接着する必要がなく、アディティブ法やセミアディティブ法による配線パターンの形成が可能となり、高精細な配線パターンを形成することができる。これにより、配線基板は、高機能化、小型化にさらに有利なものとなる。また、絶縁性樹脂層にレーザーによりビア孔を形成できるので、配線パターン同士を電気的に接続するビアの形成も簡単である。
また、製造の際に支持板を用いることで、低弾性の樹脂フィルムの姿勢を保持して良好に配線パターンを形成できる。

以上、本発明につき好適な実施形態を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは勿論である。
前記実施形態では、硬質のリジット部１５を形成するためにリジット部１５となる部位に、ベタパターンを形成したり、最外層に配線パターンを設けたりしたが、この方法に限定されるものではない。例えば、フレキシブル基板のリジット部１５となる部位の一方の面側或いは両方の面側に、前記絶縁性樹脂層と同一材質からなる絶縁性樹脂層を用いた多層配線構造を形成することにより、その部位の硬度を高めてリジット部１５としてもよい。フレキシブル基板１６の外側に、部分的に絶縁性樹脂層と配線パターンが積層された多層配線構造を形成することで、その部位の硬度を高めることができる。これによれば、同一材質からなる絶縁性樹脂層同士は接着が簡単で、かつ接着強度が高いので信頼性のある配線基板を提供できる。

具体的には、図６に示されるような構造が挙げられる。
フレキシブル基板２３は、前記フレキシブル基板１６と同様、第１〜第３の絶縁性樹脂層１２ａ、１２ｂ、１２ｃが積層されており、第１の配線パターン１３ａと第２の配線パターン１３ｂが第１のビア１７ａを介して電気的に接続されている。第３の配線パターン１３ｃは、リジット部１５となる部位にのみ形成され、この状態でフレキシブル基板２３は湾曲自在となっている。
そして、フレキシブル基板２３のリジット部１５となる部位の外側にのみ第４の絶縁性樹脂層１２ｄが形成され、その上に第４の配線パターン１３ｄが形成されている。第４の絶縁性樹脂層１２ｄは、前記樹脂フィルムの熱硬化物からなる。第３の配線パターン１３ｃと第４の配線パターン１３ｄは、第３のビア１７ｃによって電気的に接続されている。また、第４の絶縁性樹脂層１２ｄと第４の配線パターン１３ｄを被覆するようにソルダーレジスト層１８が形成されている。ソルダーレジスト層１８には第４の配線パターン１３ｄのパッド部に対応する位置に開口部１９が形成されていて、パッド部上にＮｉ／Ａｕの導体膜２１が形成され、さらに導体膜２１上にはんだバンプが設けられて半導体素子がフリップチップ接続される構成は前述と同様である。

図６の形成方法は前述の方法と同様の方法によってフレキシブル基板２３を形成した後、さらに同様の方法によって、樹脂フィルムを熱硬化させて第４の絶縁性樹脂層１２ｄとし、セミアディティブ法によって第３のビア１７ｃ及び第４の配線パターン１３ｄを形成する。その後、ソルダーレジスト層１８、導体膜２１、はんだバンプ等を形成する。つまり、フレキシブル基板２３の形成に引き続き、ビルドアップ法によってリジット部１５となる部位に多層配線構造を設けることで、リジット部１５を硬質に形成できる。
尚、フレキシブル部１４とリジット部１５に設けられる絶縁性樹脂層と配線パターンの数はこれに限定されるものではない。

また、図８に示される配線基板１０ｃのように、フレキシブル基板２３を挟み込むように上下両方の面側に多層配線構造２４、２５を設けてリジット部１５としてもよい。このときも上下に設けられる多層配線構造２４、２５は、フレキシブル基板２３の形成に引き続き、ビルドアップ法を用いて形成できる。この場合、リジット部１５の両側にそれぞれソルダーレジスト層１８、導体膜２１、はんだバンプ等を設けて、半導体素子等の電子部品をリジット部１５の両側に搭載してもよい。

配線基板の製造方法を示す工程図である。 配線基板の製造方法を示す工程図である。 配線基板の製造方法を示す工程図である。 配線基板の製造方法を示す工程図である。 従来の配線基板の構造を示す断面図である。 配線基板の他の実施形態を示す断面図である。 配線基板の他の実施形態を示す断面図である。 配線基板の他の実施形態を示す断面図である。

符号の説明

１０ 配線基板
１１ 支持板
１２ 絶縁性樹脂層
１３ 配線パターン
１４ フレキシブル部
１５ リジット部
１６ フレキシブル基板
１７ ビア
１８ ソルダーレジスト層
２２ ドライフィルム

Claims (8)

1. フレキシブル部と、該フレキシブル部に連続して設けられたリジット部とからなる配線基板であって、
   前記フレキシブル部は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層されたフレキシブル基板からなり、
   前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、該フレキシブル基板に形成された配線パターンの配線密度が、前記フレキシブル部の配線パターンの配線密度よりも大きく設定されてフレキシブル部よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記リジット部において、前記配線パターンがベタパターン状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. フレキシブル部と、該フレキシブル部に連続して設けられたリジット部とからなる配線基板であって、
   前記フレキシブル部は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層されたフレキシブル基板からなり、
   前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、フレキシブル部よりも配線パターンの積層数が多く設定されて、フレキシブル部よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする配線基板。
4. 前記リジット部は、前記フレキシブル基板の一方の面側或いは両方の面側に、前記絶縁性樹脂層と同一材質からなる絶縁性樹脂層を用いた多層配線構造が形成されていることを特徴する請求項３記載の配線基板。
5. 前記絶縁性樹脂層は、ヤング率２５ＭＰａ以下の低弾性であることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項記載の配線基板。
6. 前記絶縁性樹脂層は、無電解メッキ、或いは無電解メッキと電解メッキの組み合せにより表面に導体層を形成可能であることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項記載の配線基板。
7. 前記絶縁性樹脂層は、熱硬化型のエポキシ系樹脂フィルム、或いは熱硬化型のフェノールノボラック系樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか一項記載の配線基板。
8. 請求項１〜７のうちのいずれか一項記載の配線基板の製造方法であって、
   金属からなる支持板上に、絶縁性樹脂層と配線パターンを順次に積層する工程と、
   最上層の配線パターンを形成した後、該配線パターンと最上層の絶縁性樹脂層を保護膜によって被覆する工程と、
   エッチングにより支持板を除去した後、前記保護膜を剥離する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。

Images