JP2014056920A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014056920A JP2014056920A JP2012200305A JP2012200305A JP2014056920A JP 2014056920 A JP2014056920 A JP 2014056920A JP 2012200305 A JP2012200305 A JP 2012200305A JP 2012200305 A JP2012200305 A JP 2012200305A JP 2014056920 A JP2014056920 A JP 2014056920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arm
- semiconductor device
- power
- elements
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4822—Beam leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/46—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/40139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous strap daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/40227—Connecting the strap to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4502—Disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】
半導体装置は、上アーム10および下アーム11を、それぞれ複数のパワー素子1a〜1dと複数の整流素子2a〜2dとを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、この片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリード3a〜3dで流す。片方のアームのパワー素子1a、1b(1c、1d)の一部と整流素子2a、2b(2c、2d)の一部とをペアとして、このペアを共通のビームリード3a〜3dで接続した。
【選択図】図1
Description
この従来の半導体装置は、正極側回路と負極側回路からなる対アーム構成を有する。複数の第1半導体(パワー半導体)の裏面に第1金属ブロック、複数の第2半導体(整流素子)の裏面に第2金属ブロックがそれぞれ接続され、第1、第2半導体素子表面と第1、第2金属ブロックとがリードフレームで接続される。第1、第2金属ブロックは、主電流が流れる主電極の一部を構成する。第1、第2半導体素子と第1、第2金属ブロックとリードフレームとは、一体に筐体にて覆われる。筐体内部においてリードフレームから構成される主電極および制御用電極が、第1、第2半導体素子および第1、第2金属ブロックへの接続部分を除き、ほぼ同一平面上に配置される。
上記従来の半導体装置にあっては、たとえば図2に示すように、正極側入力端子P、負極側入力端子N、出力端子Oを備え、かつ、上下アームの各々に、絶縁ゲート・バイポーラ方トランジスタ(IGBT: Insulated gate bipolar transistor)および回流ダイオード(FWD:Free Wheeling Diode)を2個ずつ用いている。
このように2チップ並列接続のパワー・モジュールをビームリードで配線する場合、基本的に下記の二つの方法がある。
以下、それらの方法で構成した半導体装置のレイアウトをそれぞれ図3、図4に示す。なお、これらの図中、実線での矢印は、IGBT動作時の電流の向きを、また点線での矢印は、FWD動作時の電流の向きを、それぞれ示している。
同図に示すように、上側アームでは、絶縁基板100上の正極側パターン上に固着されたIGBT101a、101bおよびダイオード102a、102bの各素子は、絶縁基板100上の出力極側パターン104cに、それぞれ独立したビームリード103a〜103dにより、個別に接続される。
一方、下アームでは、出力極側パターン104c上に固着されたIGBT101c、101dおよびダイオード102c、102dの各素子は、絶縁基板100上に設けた負極側パターン104bに、それぞれ独立したビームリード103e〜103hにより、個別により接続される。
なお、正極側入力端子Pは、絶縁基板100の一端側で正極側パターン104aに接続され、負極側入力端子Nは絶縁基板100の同じく一端側で負極側パターン104bに接続され、出力端子Oは絶縁基板100の他端側で出力極側パターン104cに接続される。
このように、各素子を個別のビームリードでそれぞれ個別に配線すると、配線数、および制作工程が多くなってしまい、製造コストが増えてしまうといった問題がある。
すなわち、上アームでは、正極側パターン104a上に2チップ1組としてIGBT101a、101bがまとめられ、出力極側パターン104cにビームリード103iにより接続される。また同じく正極側パターン104c上にチップ1組としてまとめられたダイオード102a、102bが、出力極側パターン104cにビームリード103jにより接続される。
一方、下アームでは、出力極側パターン104c上に2チップ1組としてIGBT101c、101dがまとめられ、負極側パターン104bにビームリード100kにより接続される。また、同じく出力極側パターン104c上に2チップ1組としてダイオード102c、102dがまとめられ、負極側パターン104bにビームリード103lにより接続される。
しかしながら、このような構成にあっては、同じビームリードで接続されている複数のIGBTやダイオードに同時に電流が流れるので、この高電流量によりビームリードが高温になってしまうといった問題がある。
これを避けるには、ビームリードを太くせざるを得ず、制作コストが増えてしまうといった問題がある。
上アームおよび下アームを、それぞれ複数のパワー素子と複数の整流素子とを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、このパワー・モジュールの片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリードで流すようにした半導体装置であって、
片方のアームのパワー素子の一部と整流素子の一部とをペアとして、このペアを共通のビームリードで接続した、
ことを特徴とする。
上アームおよび下アームを、それぞれ複数のパワー素子とこのパワー素子と同数の整流素子とを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、このパワー・モジュールの片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリードで流すようにし半半導体装置であって、
片方のアームのパワー素子の一部とこれと同数の整流素子とをペアとして、このペアを共通のビームリードで接続した、
ことを特徴とする。
上アームおよび下アームを、それぞれ2チップのパワー素子と2チップの整流素子とを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、このパワー・モジュールの片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリードで流すようにした半導体装置であって、
片方のアームの1つのパワー素子と1つの整流素子とをペアとして、このペアを共通のビームリードで接続した、
ことを特徴とする。
この結果、ビームリードを流れる最大電流量を小さくすることができる。
したがって、配線数を少なくしながらビームリードの温度上昇を抑制することができ、この結果、製造コストの増大を抑えることができる。
この結果、ビームリードを流れる最大電流量を小さくでき、同数のパワー素子と整流素子ではほぼ同じ電流量が流れることとなり、ビームリード間で電流が偏らないようにすることができる。
したがって、配線数を少なくしながらビームリードの温度上昇を抑制することができ、この結果、製造コストの増大を抑えることができる。
この結果、ビームリードを流れる最大電流量を小さくできる上、ビームリード間で電流が偏らないようにすることができ、
したがって、上記2チップのような構成のパワー・モジュールにおいても、配線数を少なくしながらビームリードの温度上昇を抑制することができ、この結果、製造コストの増大を抑えることができる。
この実施例1の半導体装置は、たとえば電気自動車に搭載される走行用の電気モータへ供給する電力を制御するインバータに用いられる。
実施例1の半導体装置も、図1に示すように、上アーム10が2個のIGBT1a、1bと2個のダイオード2a、2bとの並列接続で構成され、下アーム11が2個のIGBT1c、1dと2個のダイオード2c、2dとの並列接続で構成されており、上記インバータの一部である。
なお、絶縁基板5の一端側(同図中、上端側)には正極入力端子Pが設けられて正極側パターン4aに接続され、また絶縁基板5の同じく一端側には負極入力端子Nが設けられて負極側パターン4bに接続されるとともに、絶縁基板5の他端側(同図中、下端側)には出力端子Oが設けられて出力極側パターン4cに接続される。
そして、上記上アーム10と下アーム11の組は、同様のものが3組設けられて、これらの出力端子が三相交流電気モータのそれぞれのコイルに接続される。
上記半導体装置にあっては、上アーム10のIGBT1a、1bと下アーム11のダイオード2c、2dとが、降圧チョッパを構成し、また下アーム11のIGBT1c、1dと上アーム10のダイオード2a、2bとが、昇圧チョッパを構成する。
上下アーム10、11のIGBT1a、1bと1c、1dを相補的にスイッチングすると、電流の極性によらず電力変換を行うことが可能となる。
また、正のリアクトル電流が流れる上記前者の場合には、上アーム10のダイオード2a、2bはこれらを電流が流れるのを阻止し、負のリアクトル電流が流れる上記後者の場合には、下アーム11のダイオード2c、2dはこれらを電流が流れるのを阻止する。
したがって、上アーム10のIGBT1a、1bとダイオード2a、2bとの両方に同時に電流が流れることはなく、同様に、下アーム11のIGBT1c、1dとダイオード2c、2dとの両方に同時に電流が流れることもない。
すなわち、ビームリード3a〜3dには同時に1チップ分(ペアのIGBTとダイオードのうちの一方)の電流しか流れない。
また、ビームリード3a〜3dも、これらを個別配線する場合に比べて、少なくて済み、製造コストの上昇を抑えることができる。
1c、1d 下アーム側のIGBT(パワー素子)
2a、2b 上アーム側のダイオード(整流素子)
2c、2d 下アーム側のダイオード(整流素子)
3a〜3d ビームリード
4a 正極側パターン
4b 負極側パターン
4c 出力極側パターン
5 絶縁基板
10 上アーム
11 下アーム
N 負極側入力端子
P 正極側入力端子
O 出力端子
Claims (3)
- 上アームおよび下アームを、それぞれ複数のパワー素子と複数の整流素子とを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、該パワー・モジュールの片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリードで流すようにした半導体装置であって、
前記片方のアームの前記パワー素子の一部と前記整流素子の一部とをペアとして、該ペアを共通のビームリードで接続した、
ことを特徴とする半導体装置。 - 複上アームおよび下アームを、それぞれ数のパワー素子と該パワー素子と同数の整流素子とを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、該パワー・モジュールの片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリードで流すようにした半導体装置であって、
前記片方のアームの前記パワー素子の一部とこれと同数の前記整流素子とをペアとして、該ペアを共通のビームリードで接続した、
ことを特徴とする半導体装置。 - 上アームおよび下アームを、それぞれ2チップのパワー素子と2チップの整流素子とを並列接続して構成したパワー・モジュールを備え、該パワー・モジュールの片方のアームの電流を、複数に分けて配線したビームリードで流すようにした半導体装置であって、
前記片方のアームの1つの前記パワー素子と1つの前記整流素子とをペアとして、該ペアを共通のビームリードで接続した、
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012200305A JP2014056920A (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 半導体装置 |
PCT/JP2013/003117 WO2014041722A1 (ja) | 2012-09-12 | 2013-05-16 | 半導体装置 |
CN201380046664.5A CN104603938B (zh) | 2012-09-12 | 2013-05-16 | 半导体器件 |
EP13837869.0A EP2897165A4 (en) | 2012-09-12 | 2013-05-16 | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
US14/421,636 US9607931B2 (en) | 2012-09-12 | 2013-05-16 | Semiconductor device for suppressing a temperature increase in beam leads |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012200305A JP2014056920A (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014056920A true JP2014056920A (ja) | 2014-03-27 |
Family
ID=50277869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012200305A Pending JP2014056920A (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9607931B2 (ja) |
EP (1) | EP2897165A4 (ja) |
JP (1) | JP2014056920A (ja) |
CN (1) | CN104603938B (ja) |
WO (1) | WO2014041722A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016084622A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2016174899A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017098356A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
JP2021168319A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-10-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US11631641B2 (en) | 2018-10-05 | 2023-04-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor module, and vehicle |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5887007B1 (ja) * | 2015-07-07 | 2016-03-16 | カルソニックカンセイ株式会社 | パワー半導体装置 |
JP6760156B2 (ja) * | 2017-03-20 | 2020-09-23 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
DE102019206820A1 (de) * | 2019-05-10 | 2020-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterleistungsmodul |
DE102019206822A1 (de) * | 2019-05-10 | 2020-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterleistungsmodul |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273749A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 半導体パワーモジュール |
JP2006109576A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Ltd | インバータ装置およびそれを用いた車両駆動装置 |
JP2008086099A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Honda Motor Co Ltd | インバータ装置 |
WO2008108159A1 (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Honda Motor Co., Ltd. | 電動機の制御装置および車両 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0480065U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | ||
JP4220731B2 (ja) | 2002-06-19 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP4603956B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-12-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP4858238B2 (ja) | 2007-03-05 | 2012-01-18 | 富士電機株式会社 | レーザ溶接部材およびそれを用いた半導体装置 |
US7570008B2 (en) * | 2007-07-30 | 2009-08-04 | Hitachi, Ltd. | Power module, power converter, and electric machine system for mounting in vehicle |
JP2009159184A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | フリーホイールダイオードとを有する回路装置、及び、ダイオードを用いた回路装置とそれを用いた電力変換器 |
CN103918079B (zh) * | 2011-09-11 | 2017-10-31 | 科锐 | 包括具有改进布局的晶体管的高电流密度功率模块 |
-
2012
- 2012-09-12 JP JP2012200305A patent/JP2014056920A/ja active Pending
-
2013
- 2013-05-16 EP EP13837869.0A patent/EP2897165A4/en not_active Withdrawn
- 2013-05-16 CN CN201380046664.5A patent/CN104603938B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-05-16 US US14/421,636 patent/US9607931B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-05-16 WO PCT/JP2013/003117 patent/WO2014041722A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273749A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 半導体パワーモジュール |
JP2006109576A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Ltd | インバータ装置およびそれを用いた車両駆動装置 |
JP2008086099A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Honda Motor Co Ltd | インバータ装置 |
WO2008108159A1 (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Honda Motor Co., Ltd. | 電動機の制御装置および車両 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016084622A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2016084622A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9966344B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-05-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with separated main terminals |
WO2016174899A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2016174899A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2017-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9905494B2 (en) | 2015-04-27 | 2018-02-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2017098356A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
US11631641B2 (en) | 2018-10-05 | 2023-04-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor module, and vehicle |
JP2021168319A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-10-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2897165A1 (en) | 2015-07-22 |
US9607931B2 (en) | 2017-03-28 |
US20150235923A1 (en) | 2015-08-20 |
CN104603938B (zh) | 2017-09-19 |
WO2014041722A1 (ja) | 2014-03-20 |
CN104603938A (zh) | 2015-05-06 |
EP2897165A4 (en) | 2016-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2014041722A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5724314B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP6179490B2 (ja) | パワーモジュール | |
US10121732B2 (en) | Semiconductor device and electric power conversion device having relay terminal directly fixed to an insulating film of base plate | |
JP3173512U (ja) | 半導体装置 | |
US20090290398A1 (en) | Power converter | |
CN110495087B (zh) | 半导体模块以及电力变换装置 | |
JP2014239636A (ja) | 電力変換装置 | |
JP6196853B2 (ja) | 3レベルコンバータハーフブリッジ | |
JP5440634B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2018093024A (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JPWO2008001413A1 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2009148077A (ja) | 電圧駆動型半導体モジュール及びこれを用いた電力変換器 | |
JP4842018B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP6123722B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2018207406A1 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
JP6362959B2 (ja) | 電力変換回路、その製造方法、および、パワーコンディショナ | |
JP5836993B2 (ja) | インバータ装置 | |
US10930616B2 (en) | Semiconductor module, method for manufacturing semiconductor module, and power conversion apparatus | |
JP2020088257A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の使用方法及び電力変換装置 | |
JP2008099460A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2009095128A (ja) | 半導体素子モジュール及び電力変換装置 | |
JP6383614B2 (ja) | コンデンサモジュール及びパワーユニット | |
JP2011014744A (ja) | 半導体装置 | |
JP6541896B1 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160511 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160520 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160610 |