JP2014056878A - 撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素領域PEでは、第4層間絶縁膜IF4等を貫通してサイドウォール絶縁膜SWIに達する導波路WGが形成されている。サイドウォール絶縁膜SWIは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層構造とされる。導波路WGは、サイドウォール絶縁膜のシリコン窒化膜をも貫通して、サイドウォール絶縁膜のシリコン酸化膜SWOに達するように形成されているか、サイドウォールのシリコン窒化膜に達するように形成されている。
【選択図】図1
Description
上述した撮像装置では、導波路WGを塗布系の材料を用いて形成する場合について説明した。導波路としては、塗布系の材料の他に、たとえば、CVD(Chemical Vapor Deposition)系の膜を適用してもよい。その製造方法について説明する。前述した図4〜図18に示す工程と同様の工程を経て、図29に示すように、画素領域PEでは、第3層間絶縁膜IF3の表面にパッドPDEが形成される。
Claims (14)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板における所定の領域に形成され、入射した光を電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板の表面上に形成され、前記光電変換部において発生した電荷を転送する転送用トランジスタのゲート電極と、
前記ゲート電極の側壁面を覆うとともに、前記側壁面を覆う部分から延在して前記光電変換部の表面を覆う部分を含むサイドウォール絶縁膜と、
前記サイドウォール絶縁膜を覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を貫通して前記サイドウォール絶縁膜に達するように形成され、光を前記光電変換部へ導く導波路と、
を備えた、撮像装置。 - 前記サイドウォール絶縁膜は、
シリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜の表面に接するように形成されたシリコン窒化膜と
を備え、
前記導波路は、前記層間絶縁膜および前記シリコン窒化膜を貫通して前記シリコン酸化膜に達するように形成された、請求項1記載の撮像装置。 - 前記サイドウォール絶縁膜は、
シリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜の上面に接するように形成されたシリコン窒化膜と
を備え、
前記導波路は、前記層間絶縁膜を貫通して前記シリコン窒化膜に達するように形成された、請求項1記載の撮像装置。 - 前記導波路は、
前記層間絶縁膜を貫通する開口部の表面を覆う保護膜と、
前記保護膜によって覆われた前記開口部に充填される埋め込み部材と
を含む、請求項1記載の撮像装置。 - 前記保護膜はシリコン窒化膜であり、
前記埋め込み部材は塗布系の材料である、請求項4記載の撮像装置。 - 前記導波路は、前記層間絶縁膜を貫通する開口部に充填される所定の膜を含む、請求項1記載の撮像装置。
- 前記所定の膜はシリコン窒化膜である、請求項6記載の撮像装置。
- 主表面を有する半導体基板の表面に、電荷を転送する転送用トランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んで位置する前記半導体基板の一方の領域に、所定導電型の不純物を注入することによって、入射した光を電荷に変換する光電変換部を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記光電変換部を覆うように所定の絶縁膜を形成し、前記所定の絶縁膜に加工を施すことによって、前記ゲート電極の側壁面を覆うとともに、前記側壁面を覆う部分から延在して前記光電変換部の表面を覆う部分を含むサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を覆うように、層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に前記サイドウォール絶縁膜に達する開口部を形成する工程と
前記開口部を充填するように、光を前記光電変換部へ導く導波路を形成する工程と
を備えた、撮像装置の製造方法。 - 前記サイドウォール絶縁膜を形成する工程は、
前記所定の絶縁膜として、
シリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜の表面に接するようにシリコン窒化膜を形成する工程と
を含み、
前記開口部を形成する工程では、前記開口部は前記層間絶縁膜を貫通して前記シリコン窒化膜を露出するように形成され、
前記導波路を形成する工程では、前記導波路は前記シリコン窒化膜に達するように形成された、請求項8記載の撮像装置の製造方法。 - 前記サイドウォール絶縁膜を形成する工程は、
前記所定の絶縁膜として、
シリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜の表面に接するようにシリコン窒化膜を形成する工程と
を含み、
前記開口部を形成する工程では、前記開口部は前記層間絶縁膜および前記シリコン窒化膜を貫通して前記シリコン酸化膜を露出するように形成され、
前記導波路を形成する工程では、前記導波路は前記シリコン酸化膜に達するように形成された、請求項8記載の撮像装置の製造方法。 - 前記導波路を形成する工程は、
前記開口部の表面を覆うように保護膜を形成する工程と、
前記保護膜によって覆われた前記開口部に塗布系の材料を充填する工程と
を含む、請求項8記載の撮像装置の製造方法。 - 前記導波路を形成する工程では、前記塗布系の材料としてシロキサンが適用される、請求項11記載の撮像装置の製造方法。
- 前記導波路を形成する工程は、前記開口部を埋め込むように所定の膜を形成する工程を含む、請求項8記載の撮像装置の製造方法。
- 前記導波路を形成する工程では、前記所定の膜としてシリコン窒化膜が適用される、請求項13記載の撮像装置の製造方法。
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