JP6838995B2 - 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施形態1について、図1〜図5に基づいて詳細に説明する。図1は、実施形態1の固体撮像素子(CMOS型イメージセンサ)100の概略的な構成を示す平面図である。図1を参照して、固体撮像素子100の概要について述べる。
図1に示すように、固体撮像素子100は、画素アレイ部101と周辺回路部201とを同一の半導体チップ上に集積化している。また、周辺回路部201が形成される第2領域は、画素アレイ部101が形成される第1領域に隣接している。
図2を参照して、画素10について述べる。図2は、画素10の等価回路図である。図2に示すように、画素10は、フォトダイオード11、転送トランジスタ12、リセットトランジスタ13、浮遊拡散層14、選択トランジスタ15及び増幅トランジスタ16を含む。
図3を参照して、画素アレイ部101及び周辺回路部201について詳細に述べる。図3は、固体撮像素子100の画素アレイ部101及び周辺回路部201の断面図である。なお、図3には、画素アレイ部101及び周辺回路部201の様々な部材が示されているが、実施形態1とは関係しない部材については説明を省略する。これらの説明を省略する部材は、公知のものと同様であると理解されてよい。また、周辺回路部201に関しては、周辺トランジスタを構成するn型トランジスタ及びp型トランジスタのうち、実施形態1と関係するp型トランジスタ17のみが図3に示されている。
ここで、注目すべきは、画素アレイ部101の第1シリコン窒化膜27と、周辺回路部201の第2シリコン窒化膜37とでは、各々の水素含有量(ppm)が異なる点であり、好ましくは、第1シリコン窒化膜27の水素含有量が、第2シリコン窒化膜37の水素含有量よりも高くなっている点である。
例えば、まず、シリコン基板21に画素アレイ部101及び周辺回路部201をそれぞれ形成し、シリコン基板21の上方に、画素アレイ部101及び周辺回路部201を覆うように第1シリコン窒化膜27を成膜する。第1シリコン窒化膜27の成膜はプラズマCVD法によって行われ、反応ガスであるSiH4ガス流量を増加させる。
上述のように、固体撮像素子100では、第1シリコン窒化膜27の成膜時においては、SiH4ガス流量を多くすることにより、第1シリコン窒化膜27の水素含有量を高くする。一方、第2シリコン窒化膜37の成膜時においては、SiH4ガス流量を少なくすることにより、第2シリコン窒化膜37の水素含有量を低くする。
本発明の実施形態2について、図6に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態1にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
上述の実施形態1及び2の固体撮像素子100は、例えば、デジタルカメラ、スチルカメラ、IPカメラ、監視カメラ、車載カメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、又は、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
本発明の態様1に係る固体撮像素子100は、半導体基板(シリコン基板21)の第1領域に形成される画素アレイ部101と、前記半導体基板(シリコン基板21)の第2領域に形成される周辺回路部201と、前記画素アレイ部101の上方に形成される第1シリコン窒化膜27と、前記周辺回路部201の上方に形成される第2シリコン窒化膜37とを備え、前記第1シリコン窒化膜27の水素含有量と前記第2シリコン窒化膜37の水素含有量とが異なる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
11 フォトダイオード
12 転送トランジスタ
13 リセットトランジスタ
14 浮遊拡散層
15 選択トランジスタ
16 増幅トランジスタ
17 p型トランジスタ
21 シリコン基板(半導体基板)
22 pウェル
23 素子分離層
24、34 ゲート絶縁膜
25、35 ゲート電極
26、36 サイドウォールスペーサ
27 第1シリコン窒化膜
28 コンタクトプラグ
29 メタル配線
30 層間膜(第1層間膜、第2層間膜)
31 nウェル
32 ソース
33 ドレイン
37 第2シリコン窒化膜
100 固体撮像素子
101 画素アレイ部
102 垂直選択回路
103 CDS回路
104 A/D変換回路
105 水平選択回路
106 デジタル信号処理部
107 TG
201 周辺回路部
Claims (8)
- シリコン基板とシリコン酸化膜との界面構造を含む領域である、当該シリコン基板の第1領域に形成される画素アレイ部と、
前記シリコン基板の第2領域に形成され、p型MOSトランジスタを含む周辺回路部と、
前記画素アレイ部の上方に形成され、前記シリコン基板の反射防止膜として機能する第1シリコン窒化膜と、
前記周辺回路部の上方に形成される第2シリコン窒化膜と
を備え、
前記第1シリコン窒化膜の水素含有量と前記第2シリコン窒化膜の水素含有量とが異なり、
前記第1シリコン窒化膜の水素含有量は、
前記第2シリコン窒化膜の水素含有量よりも高く、且つ、
前記シリコン基板と前記シリコン酸化膜との界面のダングリングボンドを終端処理可能な量であることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記周辺回路部は、前記シリコン基板に埋め込まれた素子分離層を含み、
前記第2シリコン窒化膜は、前記素子分離層の上方の少なくとも一部を露出する開口部を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素アレイ部と、前記画素アレイ部の上方に形成される配線とを絶縁する第1層間膜を備え、
前記第1シリコン窒化膜は、前記画素アレイ部と前記第1層間膜との間に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像素子。 - 前記周辺回路部と、前記周辺回路部の上方に形成される配線とを絶縁する第2層間膜を備え、
前記第2シリコン窒化膜は、前記周辺回路部と前記第2層間膜との間に形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像素子を備えることを特徴とする電子機器。
- シリコン基板とシリコン酸化膜との界面構造を含む領域である、当該シリコン基板の第1領域に形成される画素アレイ部、前記シリコン基板の第2領域に形成され、p型MOSトランジスタを含む周辺回路部、前記画素アレイ部の上方に形成され、前記シリコン基板の反射防止膜として機能する第1シリコン窒化膜及び前記周辺回路部の上方に形成される第2シリコン窒化膜を備える固体撮像素子の製造方法であって、
(a)前記第1領域に前記画素アレイ部を、前記第2領域に前記周辺回路部を、それぞれ形成する工程、
(b)前記シリコン基板の上方に、前記画素アレイ部及び前記周辺回路部を覆うように第1シリコン窒化膜を成膜する工程、
(c)前記周辺回路部を覆う第1シリコン窒化膜を除去し、前記画素アレイ部を覆う第1シリコン窒化膜を残存させる工程、
(d)前記シリコン基板の上方に、前記画素アレイ部及び前記周辺回路部を覆うように第2シリコン窒化膜を成膜する工程、
(e)前記画素アレイ部を覆う第2シリコン窒化膜を除去し、前記周辺回路部を覆う第2シリコン窒化膜を残存させる工程
を含み、
前記第1シリコン窒化膜の水素含有量と前記第2シリコン窒化膜の水素含有量とが異なり、
前記第1シリコン窒化膜の水素含有量は、
前記第2シリコン窒化膜の水素含有量よりも高く、且つ、
前記シリコン基板と前記シリコン酸化膜との界面のダングリングボンドを終端処理可能な量であることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記第1シリコン窒化膜及び前記第2シリコン窒化膜は、SiH 4 ガスを用いたプラズマCVD法により成膜された膜であり、
前記第1シリコン窒化膜の成膜時のSiH 4 ガス流量と、前記第2シリコン窒化膜の成膜時のSiH 4 ガス流量とが異なることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記(d)工程の成膜時のSiH 4 ガス流量は、前記(b)工程の成膜時のSiH 4 ガス流量よりも少ないことを特徴とする請求項6又は7に記載の固体撮像素子の製造方法。
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