JP2014055356A - Nickel plating solution and method for forming nickel plating layer using the same - Google Patents

Nickel plating solution and method for forming nickel plating layer using the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a nickel plating solution capable of minimizing damage to a coating of a chip surface without an additional process.SOLUTION: Provided is an electric nickel plating solution, in which a nickel plating layer is formed on an external electrode 200 of a chip component having a body formed of a material 100 including ferrite or manganese oxide, the nickel plating solution including a nickel ion, a chloride ion, and a pH buffer, where the pH buffer is used by mixing an inorganic acid and an organic acid. The electric nickel plating solution is used to reduce damage to the body.

Description

本発明は、ニッケルめっき液、及びこれを用いたニッケルめっき層の形成方法に関する。   The present invention relates to a nickel plating solution and a method for forming a nickel plating layer using the same.

通常、電子部品のうちチップ部品の外部電極は下地金属の上に電気めっきでニッケル、スズめっき層を形成する。スズめっき層は基板実装時にソルダリング層として用いられ、ニッケルめっき層は外部電極とソルダとの間のバリア層（Ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）の機能を果たす。   Usually, an external electrode of a chip component of an electronic component is formed with a nickel or tin plating layer on an underlying metal by electroplating. The tin plating layer is used as a soldering layer at the time of substrate mounting, and the nickel plating layer functions as a barrier layer between the external electrode and the solder.

前記ニッケルめっき層には電気ニッケルめっき液が用いられ、これは通常スルファミン酸浴、ワット浴が主に用いられる。しかし、電子部品の素材によっては、通常のニッケルめっき液を用いた場合、素体にダメージを与える可能性がある。   An electro nickel plating solution is used for the nickel plating layer, and a sulfamic acid bath and a watt bath are mainly used. However, depending on the material of the electronic component, there is a possibility of damaging the element body when an ordinary nickel plating solution is used.

通常のチップ部品用ニッケルめっき液は次のような薬品で構成される。スルファミン酸浴の場合にはニッケル金属の供給源としてスルファミン酸ニッケルが、ワット浴の場合にはニッケル金属の供給源として硫酸ニッケルが用いられる。   A typical nickel plating solution for chip parts is composed of the following chemicals. In the case of a sulfamic acid bath, nickel sulfamate is used as a nickel metal source, and in the case of a watt bath, nickel sulfate is used as a nickel metal source.

通常、陽極の溶解を容易にするために塩素イオンの供給源としては塩化ニッケルが用いられ、緩衝剤及びｐＨ調節剤としてホウ酸が主に用いられる。また、ｐＨ４．５以下の領域でめっき液を建浴し、使用する。   Usually, nickel chloride is used as a source of chloride ions to facilitate dissolution of the anode, and boric acid is mainly used as a buffer and pH adjuster. Moreover, a plating solution is erected and used in the region of pH 4.5 or less.

しかし、素体部分がフェライトまたは酸化マンガンを含む素材からなる場合、通常の電気ニッケルめっき液でめっき層を形成すると、素体にダメージを与える可能性がある。例えば、素体が削られることにより、電気的特性が低下し、外部電極の隣接部のめっき液が浸透し、外部電極が持ち上げられたり剥離されたりする現象が生じ得る。また、外部電極と素体との間の密着力の低下は製品脱落などの原因となる。   However, when the element body portion is made of a material containing ferrite or manganese oxide, the element body may be damaged if the plating layer is formed with a normal electro nickel plating solution. For example, when the element body is cut, the electrical characteristics are deteriorated, the plating solution in the adjacent portion of the external electrode permeates, and the external electrode may be lifted or peeled off. In addition, a decrease in the adhesion between the external electrode and the element body may cause a product to fall off.

従来、素体がめっき液によってダメージを受ける場合、チップ表面にコーティングを施し、めっき液との接触を最小化する追加工程を行ってからめっきを施した。しかし、コーティングを施す場合、めっき前の追加工程による追加コスト及び時間が必要となり、コーティング膜の品質が劣る場合、製品にすぐダメージを与える恐れがある。   Conventionally, when the element body is damaged by the plating solution, coating is performed on the chip surface, and plating is performed after an additional process for minimizing contact with the plating solution. However, when coating is performed, additional cost and time are required due to an additional process before plating, and if the quality of the coating film is inferior, the product may be damaged immediately.

特開２００２−２１２７７５号公報JP 2002-212775 A 特開２００５−２９０４５９号公報JP 2005-290459 A

本発明は、チップ部品の素体（ｂｏｄｙ）がフェライトまたは酸化マンガンを含む素材からなる場合、追加工程なしにダメージを最小化することができるニッケルめっき液を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記電気ニッケルめっき液を用いてチップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成する方法を提供することを他の目的とする。 An object of the present invention is to provide a nickel plating solution capable of minimizing damage without an additional step when the body of a chip component is made of a material containing ferrite or manganese oxide.
Another object of the present invention is to provide a method for forming a nickel plating layer on an external electrode of a chip component using the electric nickel plating solution.

本発明による電気ニッケルめっき液は、ニッケルイオン、塩素イオン、及びｐＨ緩衝剤を含み、前記ｐＨ緩衝剤は無機酸と有機酸とその塩を混合して用いることを特徴とする。   The electro nickel plating solution according to the present invention includes nickel ions, chlorine ions, and a pH buffer, and the pH buffer is a mixture of an inorganic acid, an organic acid and a salt thereof.

前記ｐＨ緩衝剤を３０〜１００ｇ／Ｌの濃度で含有し、前記ｐＨ緩衝剤中に有機酸とその塩を２０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することが好ましい。   The pH buffer is preferably contained at a concentration of 30 to 100 g / L, and the organic acid and its salt are preferably contained at a concentration of 20 to 50 g / L in the pH buffer.

前記有機酸とその塩はコハク酸、グルコン酸、乳酸、及びこれらの塩からなる群から選択される１種以上であることができる。   The organic acid and its salt may be at least one selected from the group consisting of succinic acid, gluconic acid, lactic acid, and salts thereof.

前記電気ニッケルめっき液中にニッケルイオンを５０〜１００ｇ／Ｌ、塩素イオンを１０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することが好ましい。   The electric nickel plating solution preferably contains nickel ions at a concentration of 50 to 100 g / L and chlorine ions at a concentration of 10 to 50 g / L.

前記電気ニッケルめっき液のｐＨは４．５〜６．０であることが好ましい。   The pH of the electro nickel plating solution is preferably 4.5 to 6.0.

また、本発明は、チップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成する方法であって、前記ニッケルめっき層がニッケルイオン、塩素イオン、及び無機酸と有機酸とその塩を混合して用いたｐＨ緩衝剤を含む電気ニッケルめっき液を用いて形成されることを特徴とする。   Further, the present invention is a method for forming a nickel plating layer on an external electrode of a chip component, wherein the nickel plating layer is a mixture of nickel ions, chlorine ions, and an inorganic acid, an organic acid and a salt thereof. It is formed using an electro nickel plating solution containing a buffer.

前記チップ部品の素体（ｂｏｄｙ）はフェライト；またはＭｎ、Ｎｉ、ＡｌまたはＣｏを含む半導体セラミック材料で形成されることが好ましい。   The body of the chip component is preferably made of ferrite; or a semiconductor ceramic material containing Mn, Ni, Al or Co.

前記チップ部品はインダクタまたはサーミスタ（Ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）であることができる。   The chip component may be an inductor or a thermistor.

前記ニッケルめっき層はＤＣ電流印加条件下で形成されることが好ましい。   The nickel plating layer is preferably formed under a DC current application condition.

前記ニッケルめっき層の形成時に、前記めっき液のめっき温度は４５〜５５℃であることが好ましい。   When forming the nickel plating layer, the plating temperature of the plating solution is preferably 45 to 55 ° C.

本発明によると、フェライトまたは酸化マンガンを含む素材で形成された素体を有するチップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成するための電気ニッケルめっき液に有機酸を含むことで前記素体の損傷を減少させることができる効果を有する。   According to the present invention, the element body is damaged by including an organic acid in the electro nickel plating solution for forming the nickel plating layer on the external electrode of the chip part having the element body formed of a material containing ferrite or manganese oxide. It has the effect that can be reduced.

対照群（めっき前のチップ部品）の側面図である。It is a side view of a control group (chip parts before plating). 比較例１のめっき液で外部電極にニッケルめっき層を形成した後のチップ部品の側面図である。It is a side view of the chip component after forming the nickel plating layer on the external electrode with the plating solution of Comparative Example 1. 実施例１のめっき液で外部電極にニッケルめっき層を形成した後のチップ部品の側面図である。It is a side view of the chip component after forming the nickel plating layer on the external electrode with the plating solution of Example 1. 比較例１により製造されたニッケルめっき液を用いてチップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成するに伴い素体が侵食したか否かを走査電子顕微鏡により確認したイメージである。It is the image which confirmed whether the element body eroded by forming the nickel plating layer in the external electrode of a chip component using the nickel plating solution manufactured by comparative example 1 with the scanning electron microscope. 実施例１により製造されたニッケルめっき液を用いて酸化マンガンを含む材料を素体として含むチップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成するに伴い素体が侵食したか否かを走査電子顕微鏡により確認したイメージである。Whether or not the element body was eroded by forming a nickel plating layer on the external electrode of the chip component containing the material containing manganese oxide as the element body using the nickel plating solution produced in Example 1 was determined by a scanning electron microscope. It is a confirmed image.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本明細書で用いられる用語は、特定の実施例を説明するために用いられ、本発明を限定しようとするものではない。本明細書に用いられたように、単数型は文脈上異なる場合を明白に指摘するものでない限り、複数型を含むことができる。また、本明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせが存在することを特定するものであり、一つ以上の他の形状、数字、段階、動作、部材、要素、及び／またはこれらの組み合わせの存在または付加を排除するものではない。   The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular form may include the plural form unless the context clearly dictates otherwise. Also, as used herein, “comprise” and / or “comprising” includes the stated shapes, numbers, steps, actions, members, elements, and / or combinations thereof. It does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, steps, actions, members, elements, and / or combinations thereof.

本発明は、チップ部品の外部電極に形成されるニッケルめっき層を形成するための電気めっき用中性ニッケルめっき液、及びこれを用いためっき方法に関するものである。   The present invention relates to a neutral nickel plating solution for electroplating for forming a nickel plating layer formed on an external electrode of a chip component, and a plating method using the same.

本発明による電気ニッケルめっき液は、ニッケルイオン、塩素イオン、及びｐＨ緩衝剤を含み、前記ｐＨ緩衝剤は無機酸と有機酸とその塩を混合して用いることを特徴とする。   The electro nickel plating solution according to the present invention includes nickel ions, chlorine ions, and a pH buffer, and the pH buffer is a mixture of an inorganic acid, an organic acid and a salt thereof.

本発明では、特にｐＨ緩衝剤として無機酸と有機酸及びその塩を混合して用いるが、これは無機酸のみを用いることで従来の素体が損傷される問題を解決するためである。   In the present invention, an inorganic acid, an organic acid, and a salt thereof are mixed and used as a pH buffer, in particular, in order to solve the problem that the conventional element is damaged by using only the inorganic acid.

通常のスルファミン酸浴、ワット浴の電気ニッケルめっき液で素体が侵食される原因は、めっき液の低いｐＨにある。従って、電気ニッケルめっき液のｐＨを４．５以上に高める場合、素体の侵食が減少する。しかし、通常の電気ニッケルめっき液の場合、ｐＨ調節剤である苛性ソーダ、アンモニアなどを用いてｐＨを高める場合、水酸化物の沈殿によってめっき液を使用できなくなる。   The cause of the erosion of the element body by the electronickel plating solution of a normal sulfamic acid bath or watt bath is the low pH of the plating solution. Accordingly, when the pH of the electro nickel plating solution is increased to 4.5 or more, the erosion of the element body is reduced. However, in the case of a normal electric nickel plating solution, when the pH is increased using caustic soda, ammonia or the like as a pH regulator, the plating solution cannot be used due to precipitation of hydroxide.

このような現象を防止するためにはｐＨ緩衝剤の使用が必須であり、本発明ではｐＨ緩衝剤として従来の無機酸と共に、有機酸とその塩を使用してこのような問題を解決した。特に、有機酸とその塩を使用する場合、ｐＨ上昇時にもニッケルイオンがめっき液中に安定して存在するように錯塩状態を作り、水酸化物沈殿の形成を防止する効果がある。   In order to prevent such a phenomenon, the use of a pH buffer is indispensable. In the present invention, such a problem is solved by using an organic acid and a salt thereof together with a conventional inorganic acid as a pH buffer. In particular, when an organic acid and a salt thereof are used, a complex salt state is formed so that nickel ions are stably present in the plating solution even when the pH is increased, and there is an effect of preventing the formation of a hydroxide precipitate.

本発明のめっき液に含有されるｐＨ緩衝剤の濃度は３０〜１００ｇ／Ｌであり、ｐＨ緩衝剤中に有機酸とその塩を２０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することが好ましい。   The concentration of the pH buffer contained in the plating solution of the present invention is 30 to 100 g / L, and it is preferable to contain the organic acid and its salt in the pH buffer at a concentration of 20 to 50 g / L.

本発明のｐＨ緩衝剤の濃度が３０ｇ／Ｌ未満である場合にはめっき液のめっき前後のｐＨ変動が大きくなり、また１００ｇ／Ｌを超える場合には溶液中に薬品の溶解が容易でないため好ましくない。   When the concentration of the pH buffering agent of the present invention is less than 30 g / L, the pH fluctuation before and after plating of the plating solution increases, and when it exceeds 100 g / L, it is not preferable because the chemical is not easily dissolved in the solution. Absent.

また、前記ｐＨ緩衝剤中に有機酸とその塩の濃度が２０ｇ／Ｌ未満である場合にはめっき液のｐＨ上昇時に水酸化物が生じやすく、また５０ｇ／Ｌを超える場合には薬品溶解性の問題及びめっき効率減少の問題があるため好ましくない。   Further, when the concentration of the organic acid and its salt is less than 20 g / L in the pH buffer, hydroxide is likely to be generated when the pH of the plating solution is increased, and when it exceeds 50 g / L, the chemical solubility is increased. This is not preferable because of the above problems and the problem of reduced plating efficiency.

前記有機酸とその塩としては、コハク酸、グルコン酸、乳酸、コハク酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウムなどが挙げられ、これに限定されるものではない。   Examples of the organic acid and its salt include, but are not limited to, succinic acid, gluconic acid, lactic acid, sodium succinate, and sodium gluconate.

また、本発明のｐＨ緩衝剤はホウ酸のような従来の無機酸を含み、前記無機酸は１０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することができる。   In addition, the pH buffer of the present invention contains a conventional inorganic acid such as boric acid, and the inorganic acid can be contained at a concentration of 10 to 50 g / L.

本発明の電気ニッケルめっき液中にニッケルイオンを５０〜１００ｇ／Ｌの濃度で含有することが好ましく、前記ニッケルイオンの供給源としてはスルファミン酸ニッケル、硫酸ニッケルなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。   The nickel electroplating solution of the present invention preferably contains nickel ions at a concentration of 50 to 100 g / L. Examples of the nickel ion supply source include nickel sulfamate and nickel sulfate, but are not limited thereto. It is not something.

また、本発明の電気ニッケルめっき液中に塩素イオンを１０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することが好ましく、塩素イオンの供給源としては塩化ニッケルが挙げられるが、これに限定されるものではない。   Moreover, it is preferable to contain chlorine ion in the density | concentration of 10-50 g / L in the electronickel plating liquid of this invention, Although nickel chloride is mentioned as a supply source of chlorine ion, It is not limited to this. .

また、本発明による電気ニッケルめっき液のｐＨは４．５〜６．０の範囲に維持することが好ましく、めっき液のｐＨが４．５未満である場合には素体の侵食が生じ、また、６．０を超える場合にはめっき液の安定性の低下によりめっき液の長期使用が困難になるため好ましくない。   The pH of the electro nickel plating solution according to the present invention is preferably maintained in the range of 4.5 to 6.0. When the pH of the plating solution is less than 4.5, the body is eroded, If it exceeds 6.0, the stability of the plating solution is lowered, which makes it difficult to use the plating solution for a long time.

本発明の電気ニッケルめっき液のめっき温度は４５〜５５℃であることが好ましく、必要に応じてめっき液を撹拌することができる。   The plating temperature of the electric nickel plating solution of the present invention is preferably 45 to 55 ° C., and the plating solution can be stirred as necessary.

また、本発明は、チップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成する方法にも特徴があり、この際、前記ニッケルめっき層がニッケルイオン、塩素イオン、及び無機酸と有機酸とその塩を混合して用いたｐＨ緩衝剤を含む電気ニッケルめっき液を用いて形成されることができる。   The present invention is also characterized by a method of forming a nickel plating layer on an external electrode of a chip component. In this case, the nickel plating layer is a mixture of nickel ions, chlorine ions, inorganic acids, organic acids and salts thereof. It can be formed using an electro nickel plating solution containing the pH buffer used.

前記電気ニッケルめっき液は前記で詳細に説明したとおりである。   The electro nickel plating solution is as described in detail above.

前記チップ部品の素体（ｂｏｄｙ）は、フェライト；またはＭｎ、Ｎｉ、ＡｌまたはＣｏを含む半導体セラミック材料で形成されることが好ましい。前記フェライトはＮｉＺｎＣｕフェライトが代表的であるがこれに限定されない。   The body of the chip component is preferably formed of a semiconductor ceramic material containing ferrite; or Mn, Ni, Al, or Co. The ferrite is typically NiZnCu ferrite, but is not limited thereto.

本発明の電気ニッケルめっき液を用いて前記チップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成する際、前記チップ部品としてはインダクタ、サーミスタ（Ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）が好ましく用いられることができる。   When the nickel plating layer is formed on the external electrode of the chip component using the electric nickel plating solution of the present invention, an inductor or a thermistor can be preferably used as the chip component.

また、本発明において電気ニッケルめっき液を用いてチップ部品の外部電極に前記ニッケルめっき層を形成する際、ＤＣ電流印加条件下で行われることが好ましい。また、陰極の電流密度が２〜１０Ａ／ｄｍ２の範囲で行われることが好ましい。 Further, in the present invention, when the nickel plating layer is formed on the external electrode of the chip component using an electric nickel plating solution, it is preferably performed under a DC current application condition. The cathode current density is preferably in the range of 2 to 10 A / dm2.

以下、本発明の好ましい実施例について詳細に説明する。以下の実施例は本発明を例示するためのものに過ぎず、本発明の範囲がこれらの実施例によって制限されると解釈してはならない。また、以下の実施例では特定化合物を用いて例示しているが、これらの均等物を用いた場合にも同等類似した程度の効果を発揮することができることは当業者にとって自明である。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The following examples are merely illustrative of the invention and should not be construed as limiting the scope of the invention. Moreover, although the following examples illustrate using specific compounds, it is obvious to those skilled in the art that even when these equivalents are used, the same level of effects can be exhibited.

比較例１
ニッケルイオンを８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを１５ｇ／Ｌ、ホウ酸を１５ｇ／Ｌの濃度で含有してニッケルめっき液を組成し、前記めっき液のｐＨを硫酸、水酸化ニッケルを用いて調整した。前記めっき液を用いて５０℃にて酸化マンガンを含む素体を有するチップ部品の外部電極に電気ニッケルめっき及び電気スズめっきを施した。 Comparative Example 1
A nickel plating solution was prepared by containing nickel ions at a concentration of 80 g / L, nickel chloride at 15 g / L, and boric acid at a concentration of 15 g / L, and the pH of the plating solution was adjusted using sulfuric acid and nickel hydroxide. Electroplating nickel plating and tin electroplating were performed on the external electrodes of the chip component having an element body containing manganese oxide at 50 ° C. using the plating solution.

実施例１
ニッケルイオンを８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを１５ｇ／Ｌ、ホウ酸を１５ｇ／Ｌ、こはく酸を４０ｇ／Ｌの濃度で含有してニッケルめっき液を組成し、前記のめっき液のｐＨを硫酸、水酸化ニッケルを用いて調整し、ｐＨを５．５に調整した。 Example 1
The nickel plating solution is composed of nickel ions at a concentration of 80 g / L, nickel chloride at 15 g / L, boric acid at 15 g / L, and succinic acid at a concentration of 40 g / L. The pH of the plating solution is sulfuric acid, water The pH was adjusted to 5.5 by adjusting with nickel oxide.

前記電気ニッケルめっき液を用いて５０℃にて酸化マンガンを含む素体（Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｏを含む半導体セラミック）を有するチップ部品の外部電極に電気ニッケルめっき及び電気スズめっきを施した。   Electrolytic nickel plating and electrotin plating were performed on the external electrodes of the chip component having an elemental body containing manganese oxide (semiconductor ceramic containing Mn, Ni, Al, and Co) at 50 ° C. using the electric nickel plating solution.

実施例２
実施例１の電気ニッケルめっき液において有機酸としてこはく酸の代りにグルコン酸ナトリウムを使用すること以外は前記実施例１と同一の方法でチップ部品にめっきを施した。 Example 2
The chip component was plated by the same method as in Example 1 except that sodium gluconate was used as the organic acid instead of succinic acid in the electronickel plating solution of Example 1.

対照群
外部電極にめっき層を形成する前の酸化マンガンを含む素体を有するチップ部品を対照群として用いて比較例と実施例のめっき液を使用し、ニッケルめっき層の形成により素体が腐食したか否かを比較した。 Using a plating solution of a comparative example and an example using a chip part having an element containing manganese oxide before forming a plating layer on a control group external electrode as a control group, the element was corroded by forming a nickel plating layer We compared whether or not.

試験例１：素体の侵食有無の確認
前記実施例１と比較例１によって製造されたニッケルめっき液を用いて酸化マンガンを含む素体を有するチップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成する際に、前記素体が侵食したか否かをその断面図（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）を光学顕微鏡で観察することで確認し、その結果を図１〜図３に示す。 Test Example 1: Confirmation of presence / absence of erosion of element body When forming a nickel plating layer on an external electrode of a chip component having an element body containing manganese oxide using the nickel plating solution produced in Example 1 and Comparative Example 1 Further, whether or not the element body has eroded is confirmed by observing a cross section thereof with an optical microscope, and the results are shown in FIGS.

図１はチップ部品の外部電極２０にニッケルめっき層を形成する前のチップ部品の側面図であり、これを参照すると、従来のようなニッケルめっき液で外部電極２０にニッケルめっき層を形成した比較例１の場合、図２のように、素体１０の部分に侵食が発生し、素体の厚さＴ２がめっき前の厚さＴ１より著しく減少する現象が観察された。   FIG. 1 is a side view of a chip component before a nickel plating layer is formed on the external electrode 20 of the chip component. With reference to this, a comparison of forming a nickel plating layer on the external electrode 20 with a nickel plating solution as in the prior art. In the case of Example 1, as shown in FIG. 2, erosion occurred in the portion of the element body 10, and a phenomenon was observed in which the element thickness T2 was significantly reduced from the thickness T1 before plating.

しかし、本発明のように有機酸を含むニッケルめっき液を用いて外部電極２００にニッケルめっき層を形成した実施例１の場合、図３のように、素体１００の部分に侵食が発生せず、素体部分の厚さＴ３がめっき前の厚さＴ１とほぼ同様に維持することを確認することができる。   However, in the case of Example 1 in which a nickel plating layer is formed on the external electrode 200 using a nickel plating solution containing an organic acid as in the present invention, no erosion occurs in the portion of the element body 100 as shown in FIG. It can be confirmed that the thickness T3 of the element body portion is maintained substantially the same as the thickness T1 before plating.

異なる種類の有機酸を用いる実施例２のニッケルめっき液を使用して外部電極にニッケルめっき層を形成する場合にも、前記実施例１と同様に、素体部分に侵食が発生しなかった。   When the nickel plating solution of Example 2 using different types of organic acids was used to form a nickel plating layer on the external electrode, no erosion occurred on the element body as in Example 1.

試験例２：素体侵食有無構造の確認
前記比較例１と実施例１によって製造されたニッケルめっき液を用いて酸化マンガンを含む素体を有するチップ部品の外部電極にニッケルめっき層の形成する際に、前記素体が侵食したか否かを走査電子顕微鏡で確認し、その結果を図４及び図５に示す。 Test example 2: Confirmation of structure of presence / absence of element body erosion When forming a nickel plating layer on an external electrode of a chip part having an element body containing manganese oxide by using the nickel plating solutions manufactured in Comparative Example 1 and Example 1 In addition, it was confirmed with a scanning electron microscope whether or not the element body was eroded, and the results are shown in FIGS.

比較例１による素体の構造を示した図４の場合、侵食が過度に生じている。しかし、本発明の実施例１による素体の構造を示す図５を参照すると、素体の侵食が生じていないことを確認することができる。   In the case of FIG. 4 showing the structure of the element body according to Comparative Example 1, erosion is excessively generated. However, referring to FIG. 5 showing the structure of the element body according to Example 1 of the present invention, it can be confirmed that no erosion of the element body has occurred.

このような結果は、本発明のニッケルめっき液に含まれた有機酸とその塩のｐＨが４．５以上に上昇した場合にもニッケルイオンがめっき液中に安定して存在するようにニッケルイオンと錯塩を形成し、水酸化物沈殿の形成を効果的に防止したためである。   Such results indicate that the nickel ions are stably present in the plating solution even when the pH of the organic acid and its salt contained in the nickel plating solution of the present invention rises to 4.5 or higher. This is because a complex salt was formed and the formation of hydroxide precipitates was effectively prevented.

１０、１００ 素体
２０、２００ 外部電極
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３ 素体の厚さ 10, 100 Element body 20, 200 External electrode T1, T2, T3 Element body thickness

Claims (10)

ニッケルイオン、塩素イオン、及びｐＨ緩衝剤を含む電気ニッケルめっき液であって、
前記ｐＨ緩衝剤は無機酸と有機酸とその塩を混合して用いることを特徴とする、電気ニッケルめっき液。 An electrolytic nickel plating solution containing nickel ions, chloride ions, and a pH buffer,
The electro-nickel plating solution, wherein the pH buffer is used by mixing an inorganic acid, an organic acid and a salt thereof. 前記ｐＨ緩衝剤を３０〜１００ｇ／Ｌの濃度で含有し、前記ｐＨ緩衝剤中に有機酸とその塩を２０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することを特徴とする、請求項１に記載の電気ニッケルめっき液。   The pH buffer is contained at a concentration of 30 to 100 g / L, and the organic acid and a salt thereof are contained at a concentration of 20 to 50 g / L in the pH buffer. Electro nickel plating solution. 前記有機酸とその塩はコハク酸、グルコン酸、乳酸、及びこれらの塩からなる群から選択される１種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の電気ニッケルめっき液。   The electro-nickel plating solution according to claim 1, wherein the organic acid and its salt are at least one selected from the group consisting of succinic acid, gluconic acid, lactic acid, and salts thereof. 前記電気ニッケルめっき液中にニッケルイオンを５０〜１００ｇ／Ｌ、塩素イオンを１０〜５０ｇ／Ｌの濃度で含有することを特徴とする、請求項１に記載の電気ニッケルめっき液。   The nickel electroplating solution according to claim 1, wherein the nickel electroplating solution contains nickel ions at a concentration of 50 to 100 g / L and chlorine ions at a concentration of 10 to 50 g / L. 前記電気ニッケルめっき液のｐＨは４．５〜６．０であることを特徴とする、請求項１に記載の電気ニッケルめっき液。   The electronickel plating solution according to claim 1, wherein the pH of the electronickel plating solution is 4.5 to 6.0. チップ部品の外部電極にニッケルめっき層を形成する方法であって、
前記ニッケルめっき層がニッケルイオン、塩素イオン、及び無機酸と有機酸とその塩を混合して用いたｐＨ緩衝剤を含む電気ニッケルめっき液を用いて形成されることを特徴とする、ニッケルめっき層の形成方法。 A method of forming a nickel plating layer on an external electrode of a chip component,
The nickel plating layer is formed by using an nickel electroplating solution containing nickel ions, chlorine ions, and a pH buffering agent using a mixture of an inorganic acid, an organic acid and a salt thereof. Forming method. 前記チップ部品の素体（ｂｏｄｙ）はフェライト；またはＭｎ、Ｎｉ、ＡｌまたはＣｏを含む半導体セラミック材料で形成されることを特徴とする、請求項６に記載のニッケルめっき層の形成方法。   7. The method of forming a nickel plating layer according to claim 6, wherein the body of the chip component is formed of a ferrite or a semiconductor ceramic material containing Mn, Ni, Al, or Co. 前記チップ部品はインダクタまたはサーミスタ（Ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）であることを特徴とする、請求項６に記載のニッケルめっき層の形成方法。   The method of forming a nickel plating layer according to claim 6, wherein the chip component is an inductor or a thermistor. 前記ニッケルめっき層はＤＣ電流印加条件下で形成されることを特徴とする、請求項６に記載のニッケルめっき層の形成方法。   The method for forming a nickel plating layer according to claim 6, wherein the nickel plating layer is formed under a DC current application condition. 前記ニッケルめっき層の形成時に、前記めっき液のめっき温度は４５〜５５℃であることを特徴とする、請求項６に記載のニッケルめっき層の形成方法。   The method for forming a nickel plating layer according to claim 6, wherein a plating temperature of the plating solution is 45 to 55 ° C. when the nickel plating layer is formed.
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