JP2014049620A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板を搭載するステージ20を回転させつつ、その傾斜角度θ1を−0.5°≦θ1≦0.5°に変化させながらイオン注入する。これにより、FS層2を形成するためのn型不純物を確実にチャネリングさせられる。したがって、半導体基板の結晶方位のバラツキやイオン注入装置毎の機械精度のバラツキがあっても、狙い深さの不純物濃度を所望の濃度にすることが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1に示すように、本実施形態の半導体装置は、例えば厚さ125μm、n型不純物濃度が7.1×1013cm-3とされたn-型ドリフト層1を構成する半導体基板(Siウェハ)に対してIGBT100を備えた構成とされている。IGBT100が備えられるIGBT形成領域がセル領域とされ、図示していないが、セル領域の外周部に外周耐圧領域などが備えられことで半導体装置が構成されている。
上記実施形態では、半導体結晶の隙間を通ってイオンが深く注入されるようにチャネリングて形成する不純物層としてFS層2を例に挙げた。しかしながら、これは単なる一例を示したに過ぎず、不純物をチャネリングさせるイオン注入(チャネリングインプラ)を用いて、所定深さの不純物層を形成するような他の素子を有する半導体装置に対して、本発明を適用することができる。
2 FS層
3 p+型不純物領域
4 p型領域
5 n+型不純物領域
8 ゲート電極
10 上部電極
11 下部電極
20 ステージ
21 中心軸
22 支持棒
Claims (3)
- 半導体基板(1)を構成する半導体結晶の隙間を通ってイオンを所定深さに注入させるようにチャネリングさせて不純物層(2)を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記不純物層を形成する工程では、イオン注入装置内に備えられたステージ(20)の上に前記半導体基板を搭載したのち、前記ステージの回転軸を中心として該ステージを回転させつつ、前記ステージの全周において、前記ステージの前記回転軸から径方向に延びる直線と当該直線を水平面上に投影した直線とのなす傾斜角度θ1を変化させながら、前記イオンを注入することで前記不純物層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物層を形成する工程では、前記イオン注入装置毎の機械精度のバラツキによるイオン注入角度のずれと、前記半導体基板を構成する結晶方位の傾きによるイオン注入角度のずれを足した角度に基づいて、前記傾斜角度θ1の変化量を設定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記不純物層を形成する工程では、前記傾斜角度θ1を、−0.5°≦θ1≦0.5°に変化させることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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