JP2014019937A

JP2014019937A - Laser processing device

Info

Publication number: JP2014019937A
Application number: JP2012162346A
Authority: JP
Inventors: Yuki Tanaka; 祐輝田中; Masahiro Yamamoto; 正弘山本
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 2012-07-23
Filing date: 2012-07-23
Publication date: 2014-02-03

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To quickly start CVD processing.SOLUTION: A gas window 161 retreats outward from a lower part of a laser radiation monitoring unit 162 and moves upward, after stopping supply of raw material gas and the like. A shutter section 165A of a gas shutter 165 is inserted below the gas window 161, and supply of the raw material gas and the like from the gas window 161 is restarted. An interval between the gas window 161 and the shutter section 165A is set almost identical to an interval between the gas window 161 and a workpiece during CVD processing. The present invention can be applied, for example, to a laser repair device.

Description

本発明は、レーザ加工装置に関し、特に、レーザCVD（Chemical Vapor Deposition）加工を行うレーザ加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly to a laser processing apparatus that performs laser CVD (Chemical Vapor Deposition) processing.

従来、LCD（Liquid Crystal Display）パネルや有機EL（Electro-Luminescence）パネルなどのディスプレイパネル用の基板等のワークの配線の欠陥を修正するレーザ加工装置が普及している。 2. Description of the Related Art Conventionally, laser processing apparatuses that correct wiring defects of workpieces such as substrates for display panels such as LCD (Liquid Crystal Display) panels and organic EL (Electro-Luminescence) panels have become widespread.

そのようなレーザ加工装置では、例えば、レーザ誘起プラズマを用いたZAPPING加工（以下、ZAP加工と称する）によりワークの配線ミスを除去し、レーザCVD（Chemical Vapor Deposition）法を用いたCVD加工によりワークの配線が行われる。例えば、CVD加工によりワークの配線を修正する場合、レーザ光を照射するための対物レンズと修正部分との間にガスウインドウが挿入され、そのガスウインドウから修正部分近傍に原料ガスが供給される。そして、対物レンズを介して修正部分にレーザ光が照射され、レーザ光のエネルギーにより活性化した原料ガスを膜として修正部分に堆積することにより、ワーク上の配線が修正される（例えば、特許文献１、２参照）。 In such a laser processing apparatus, for example, workpiece wiring errors are removed by ZAPPING processing (hereinafter referred to as ZAP processing) using laser-induced plasma, and the workpiece is processed by CVD processing using a laser CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Wiring is performed. For example, when a workpiece wiring is corrected by CVD processing, a gas window is inserted between an objective lens for irradiating a laser beam and a correction portion, and a source gas is supplied from the gas window to the vicinity of the correction portion. Then, the correction part is irradiated with laser light through the objective lens, and the source gas activated by the energy of the laser light is deposited on the correction part as a film, thereby correcting the wiring on the workpiece (for example, Patent Documents) 1 and 2).

ところで、高精細なZAP加工を行うために高倍率（例えば、100倍）の対物レンズを使用する場合、対物レンズとワークとの間のワークディスタンスが小さくなる。そのため、ガスウインドウとワークが干渉しないように、対物レンズが設けられているユニットの下からガスウインドウを退避させる必要がある。同様に、例えば、ペリクル付きのマスクを観察したり、ZAP加工する場合、ガスウインドウとペリクルが干渉しないように、上記のユニットの下からガスウインドウを退避させる必要がある。 By the way, when a high-magnification (for example, 100 times) objective lens is used for high-definition ZAP processing, the work distance between the objective lens and the work is reduced. Therefore, it is necessary to retract the gas window from under the unit provided with the objective lens so that the gas window and the workpiece do not interfere with each other. Similarly, for example, when observing a mask with a pellicle or performing ZAP processing, it is necessary to retract the gas window from under the unit so that the gas window does not interfere with the pellicle.

一方、原料ガスは有毒成分を含んでいるため、ガスウインドウを退避させる際に、原料ガスが周囲に漏れないように、ガスウインドウからの原料ガスの供給を停止する必要がある。 On the other hand, since the source gas contains a toxic component, when the gas window is retracted, it is necessary to stop the supply of the source gas from the gas window so that the source gas does not leak to the surroundings.

特開２０１０−２１５９４７号公報JP 2010-215947 A 特開２０１１−１４９０４６号公報JP 2011-149046 A

しかしながら、原料ガスの供給を停止し、原料ガスの循環が止まると、ガスウインドウ内のガス濃度が低下する。また、原料ガスの原料を供給する原料タンクからガスウインドウまでは距離がある。従って、一旦原料ガスの供給を停止してしまうと、原料ガスを所望の濃度で安定して供給できる状態に復帰させるまでに、ある程度の時間を要する。このため、例えば、ガスウインドウを退避した状態からCVD加工を行うまでに待ち時間が生じてしまう。 However, when the supply of the raw material gas is stopped and the circulation of the raw material gas is stopped, the gas concentration in the gas window decreases. Further, there is a distance from the raw material tank that supplies the raw material gas to the gas window. Therefore, once the supply of the source gas is stopped, it takes a certain amount of time to return to a state where the source gas can be stably supplied at a desired concentration. For this reason, for example, a waiting time is generated from when the gas window is retracted until CVD processing is performed.

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、迅速にCVD加工を開始できるようにするものである。 The present invention has been made in view of such a situation, and makes it possible to start CVD processing quickly.

本発明の一側面のレーザ加工装置は、レーザ光と原料ガスを用いてCVD（Chemical Vapor Deposition）加工を行うレーザ加工装置であって、原料ガスを給排気することにより加工対象の加工部分近傍を原料ガス雰囲気に保つガス供給部と、ガス供給部から供給される原料ガスの漏れを防ぐためのシャッタと、ガス供給部およびシャッタの少なくとも一方の位置を制御する制御部とを備え、制御部は、CVD加工を行わない場合に、ガス供給部とシャッタを所定の間隔をおいて上下に配置し、ガス供給部は、シャッタが所定の間隔をおいて下方にある状態において、原料ガスの給排気を継続する。 A laser processing apparatus according to an aspect of the present invention is a laser processing apparatus that performs CVD (Chemical Vapor Deposition) processing using a laser beam and a raw material gas, and is configured to supply and exhaust the raw material gas so that the vicinity of the processing portion to be processed A gas supply unit that maintains a source gas atmosphere; a shutter for preventing leakage of source gas supplied from the gas supply unit; and a control unit that controls at least one position of the gas supply unit and the shutter. When the CVD process is not performed, the gas supply unit and the shutter are vertically arranged at a predetermined interval, and the gas supply unit supplies and exhausts the source gas in a state where the shutter is below the predetermined interval. Continue.

本発明の一側面のレーザ加工装置においては、CVD加工を行わない場合に、ガス供給部とシャッタが所定の間隔をおいて上下に配置され、ガス供給部により、シャッタが所定の間隔をおいて下方にある状態において、原料ガスの給排気が継続される。 In the laser processing apparatus according to one aspect of the present invention, when CVD processing is not performed, the gas supply unit and the shutter are arranged above and below at a predetermined interval, and the shutter is provided at a predetermined interval by the gas supply unit. In the state below, the supply and exhaust of the source gas is continued.

従って、迅速にCVD加工を開始することができる。 Therefore, the CVD process can be started quickly.

このレーザ加工装置は、例えば、レーザリペア装置により構成される。この原料ガスは、例えば、クロムカルボニルガス等により構成される。このガス供給部は、例えば、ガスウインドウにより構成される。このシャッタは、例えば、ガスシャッタにより構成される。この制御部は、例えば、CPUなどからなる制御装置により構成される。 This laser processing apparatus is constituted by, for example, a laser repair apparatus. This source gas is composed of, for example, chromium carbonyl gas. This gas supply part is comprised by the gas window, for example. This shutter is constituted by a gas shutter, for example. The control unit is configured by a control device including a CPU, for example.

このガス供給部は、レーザ光を射出する対物レンズが設けられているユニットの下に配置したり、ユニットの下から退避させたりすることが可能であり、この制御部には、ユニットの下からガス供給部を退避させたときに、ガス供給部とシャッタを所定の間隔をおいて上下に配置させ、このガス供給部には、ユニットの下から退避され、シャッタが所定の間隔をおいて下方にある状態において、原料ガスの給排気を継続させることができる。 This gas supply unit can be arranged under a unit provided with an objective lens that emits laser light, or can be retracted from under the unit. When the gas supply unit is retracted, the gas supply unit and the shutter are arranged above and below at a predetermined interval. The gas supply unit is retracted from the bottom of the unit, and the shutter is positioned below the predetermined interval. In this state, the supply and exhaust of the source gas can be continued.

これにより、ガス供給部を退避させた状態から、迅速にCVD加工を開始することができる。 Thereby, the CVD process can be started quickly from the state where the gas supply unit is retracted.

この制御部には、ユニットの下からガス供給部を退避した後、ガス供給部を上昇させ、ガス供給部の下にシャッタを挿入させることができる。 The control unit can retract the gas supply unit from the bottom of the unit, then raise the gas supply unit and insert a shutter under the gas supply unit.

このガス供給部には、ユニットの下からの退避を開始してから、シャッタが所定の間隔をおいて下方に位置するまでの間、原料ガスの供給を停止させることができる。 In this gas supply unit, the supply of the source gas can be stopped until the shutter is positioned below at a predetermined interval after the retreat from the bottom of the unit is started.

これにより、原料ガスの周囲への漏れを確実に防止することができる。 Thereby, the leak to the circumference | surroundings of source gas can be prevented reliably.

所定の間隔を、CVD加工を行うときのガス供給部と加工対象の間の間隔と略同じ間隔に設定することができる。 The predetermined interval can be set to be approximately the same as the interval between the gas supply unit and the object to be processed when performing CVD processing.

これにより、ガス供給部とシャッタを上下に配置した状態において、効率的に原料ガスの供排気を行うことができる。 Thereby, in the state which has arrange | positioned the gas supply part and the shutter up and down, source gas can be supplied and exhausted efficiently.

本発明の一側面によれば、迅速にCVD加工を開始することができる。 According to one aspect of the present invention, CVD processing can be started quickly.

本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態の外観の構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of the external appearance of one Embodiment of the laser processing apparatus to which this invention is applied. ワークの設置および撤去方法の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the installation and removal method of a workpiece | work. レーザ加工装置の加工ユニットの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the processing unit of a laser processing apparatus. ガスウインドウ周辺の外観の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the external appearance of a gas window periphery. 加工ユニットのガスウインドウを横から見た断面図である。It is sectional drawing which looked at the gas window of the processing unit from the side. 加工ユニットのガスウインドウの下面の平面図である。It is a top view of the lower surface of the gas window of a processing unit. ガスウインドウの退避方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the retraction | saving method of a gas window. ガスウインドウの移動距離を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the moving distance of a gas window. ガスウインドウの退避方法の第１の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st modification of the retraction | saving method of a gas window. ガスウインドウの退避方法の第２の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd modification of the retraction | saving method of a gas window. ガスウインドウの退避方法の第３の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 3rd modification of the retraction | saving method of a gas window. ガスウインドウの退避方法の第４の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 4th modification of the retraction | saving method of a gas window. ガスシャッタのシャッタ部の位置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the position of the shutter part of a gas shutter. ガスウインドウの退避方法の第５の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 5th modification of the retraction | saving method of a gas window.

以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．変形例 Hereinafter, modes for carrying out the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described. The description will be given in the following order.
1. Embodiment 2. FIG. Modified example

＜実施の形態＞
［レーザ加工装置の構成例］
図１は、本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態の外観の構成例を示す斜視図である。 <Embodiment>
[Configuration example of laser processing equipment]
FIG. 1 is a perspective view showing an external configuration example of an embodiment of a laser processing apparatus to which the present invention is applied.

図１のレーザ加工装置１０１は、LCDパネルや有機ELパネルなどのディスプレイパネル等に使用される基板の配線の欠陥の修正やペリクル付きマスクのパターンの修正等を行うレーザリペア装置である。例えば、レーザ加工装置１０１は、レーザ誘起プラズマにより基板の余分なパターンを除去するZAP加工、および、レーザCVD法により基板の欠落しているパターンを形成するCVD加工を行う。レーザ加工装置１０１は、基台１１１、ワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄ、レール部材１１３ａ，１１３ｂ、コラム１１４、およびヘッド１１５を含むように構成される。 A laser processing apparatus 101 in FIG. 1 is a laser repair apparatus that corrects a defect in wiring of a substrate used in a display panel such as an LCD panel or an organic EL panel, or a mask pattern with a pellicle. For example, the laser processing apparatus 101 performs ZAP processing for removing an excess pattern on a substrate by laser-induced plasma, and CVD processing for forming a missing pattern on a substrate by a laser CVD method. The laser processing apparatus 101 is configured to include a base 111, work holders 112a to 112d, rail members 113a and 113b, a column 114, and a head 115.

なお、以下、コラム１１４の長手方向をｘ軸方向または左右方向と称し、レール部材１１３ａ，１１３ｂの長手方向をｙ軸方向または前後方向と称し、ｘ軸およびｙ軸に垂直な方向をｚ軸方向または上下方向と称する。 Hereinafter, the longitudinal direction of the column 114 is referred to as the x-axis direction or the left-right direction, the longitudinal direction of the rail members 113a and 113b is referred to as the y-axis direction or the front-rear direction, and the direction perpendicular to the x-axis and the y-axis is the z-axis direction. Or it is called the up-down direction.

基台１１１の上面の左右の両端には、レール部材１１３ａ，１１３ｂが設けられている。また、レール部材１１３ａとレール部材１１３ｂの間には、長手方向がｙ軸方向と一致する板状のワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄが、所定の間隔で基台１１１の上面に設けられている。 Rail members 113a and 113b are provided at both left and right ends of the upper surface of the base 111. Further, between the rail member 113a and the rail member 113b, plate-like work holders 112a to 112d whose longitudinal direction coincides with the y-axis direction are provided on the upper surface of the base 111 at a predetermined interval.

ワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄの上には、図２に示されるように、加工対象となるワーク１３１が載置される。このとき、図２に示されるように、例えば、ワーク１３１を運搬するオートローダのアーム１３２を、各ワークホルダの間の溝に挿入することにより、容易にワーク１３１をワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄに設置したり、ワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄから撤去したりすることが可能である。 As shown in FIG. 2, a workpiece 131 to be processed is placed on the workpiece holders 112a to 112d. At this time, as shown in FIG. 2, for example, by inserting the arm 132 of the autoloader that carries the workpiece 131 into the groove between the workpiece holders, the workpiece 131 can be easily installed in the workpiece holders 112a to 112d. Or can be removed from the work holders 112a to 112d.

また、ワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄの上面である設置面には、透明の樹脂からなる小さな突起部が多数設けられている。この突起部により、ワーク１３１の加工部分近傍の熱がワークホルダ１１２を伝わって逃げ、加工部分近傍が冷やされることが防止される。 A large number of small protrusions made of a transparent resin are provided on the installation surface, which is the upper surface of the work holders 112a to 112d. This protrusion prevents the heat in the vicinity of the processed portion of the workpiece 131 from being transferred through the work holder 112 and cooling the vicinity of the processed portion.

なお、以下、ワークホルダ１１２ａ乃至１１２ｄを個々に区別する必要がない場合、単にワークホルダ１１２と称する。 Hereinafter, the work holders 112a to 112d are simply referred to as the work holder 112 when it is not necessary to distinguish them individually.

レール部材１１３ａ，１１３ｂの上面には、それぞれｙ軸方向に延びるレールが設けられている。また、レール部材１１３ａとレール部材１１３ｂの間には、コラム１１４が架けられており、コラム１１４の下面の長手方向の両端が、レール部材１１３ａ，１１３ｂの上面のレールに嵌め合わされている。そして、図示せぬアクチュエータなどを用いて、レール部材１１３ａ，１１３ｂの上面のレールに従って、コラム１１４をｙ軸方向に移動させることが可能である。 Rails extending in the y-axis direction are provided on the upper surfaces of the rail members 113a and 113b. Further, a column 114 is suspended between the rail member 113a and the rail member 113b, and both ends in the longitudinal direction of the lower surface of the column 114 are fitted to the rails on the upper surfaces of the rail members 113a and 113b. Then, the column 114 can be moved in the y-axis direction according to the rails on the upper surfaces of the rail members 113a and 113b using an actuator (not shown).

また、コラム１１４の前面および上面にはレールが設けられており、逆Ｌ字型のヘッド１１５が、コラム１１４の前面および上面のレールに嵌め合わされている。そして、図示せぬアクチュエータなどを用いて、コラム１１４の前面および上面のレールに従って、ヘッド１１５をｘ軸方向に移動させることが可能である。 Further, rails are provided on the front surface and the upper surface of the column 114, and an inverted L-shaped head 115 is fitted to the rails on the front surface and the upper surface of the column 114. Then, it is possible to move the head 115 in the x-axis direction according to the rails on the front surface and the upper surface of the column 114 using an actuator (not shown).

ヘッド１１５には、図３を参照して後述する加工ユニット１５１が設けられている。より具体的には、加工ユニット１５１の各部は、ヘッド１１５に内蔵されたり、ヘッド１１５の下面に取り付けられたりしている。そして、加工ユニット１５１は、図示せぬアクチュエータなどにより、ｚ軸方向に移動させることが可能である。また、上述したように、コラム１１４をｙ軸方向に移動させたり、ヘッド１１５をｘ軸方向に移動させたりすることにより、加工ユニット１５１をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させることが可能である。 The head 115 is provided with a processing unit 151 described later with reference to FIG. More specifically, each part of the processing unit 151 is built in the head 115 or attached to the lower surface of the head 115. The processing unit 151 can be moved in the z-axis direction by an actuator (not shown) or the like. Further, as described above, the machining unit 151 can be moved in the x-axis direction and the y-axis direction by moving the column 114 in the y-axis direction or moving the head 115 in the x-axis direction. is there.

また、基台１１１には、コラム１１４、ヘッド１１５、および加工ユニット１５１の移動を制御したり、加工ユニット１５１の動作を制御したりする制御部１５２（図３）が内蔵されている。 Further, the base 111 incorporates a control unit 152 (FIG. 3) that controls the movement of the column 114, the head 115, and the machining unit 151 and controls the operation of the machining unit 151.

［加工ユニットの構成例］
図３は、加工ユニット１５１の構成例を示すブロック図である。加工ユニット１５１は、ガスウインドウ１６１、レーザ照射観察ユニット１６２、レーザユニット１６３、ガス供給排気ユニット１６４、および、ガスシャッタ１６５を含むように構成される。 [Example of processing unit configuration]
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration example of the processing unit 151. The processing unit 151 is configured to include a gas window 161, a laser irradiation observation unit 162, a laser unit 163, a gas supply / exhaust unit 164, and a gas shutter 165.

ガスウインドウ１６１は、ワークホルダ１１２に載置されているワーク１３１の上方に、ワーク１３１とわずかな間隔（例えば、0.5mm）を置いて配置される。なお、ガスウインドウ１６１とワーク１３１との間の間隔は、加工ユニット１５１をｚ軸方向に移動させることにより調整することができる。また、ガスウインドウ１６１は、制御部１５２の制御の下に、レーザ照射観察ユニット１６２の下に配置したり、レーザ照射観察ユニット１６２の下から退避したりすることができる。 The gas window 161 is arranged above the workpiece 131 placed on the workpiece holder 112 with a slight gap (for example, 0.5 mm) from the workpiece 131. The interval between the gas window 161 and the work 131 can be adjusted by moving the machining unit 151 in the z-axis direction. Further, the gas window 161 can be arranged under the laser irradiation observation unit 162 or retracted from under the laser irradiation observation unit 162 under the control of the control unit 152.

詳細は図５および図６を参照して後述するが、ガスウインドウ１６１は、ガス供給排気ユニット１６４から供給される原料ガスおよびパージガス、並びに、エアヒータ（不図示）から供給される熱風を、ワーク１３１のレーザ光が照射される部分（以下、レーザ照射部と称する）近傍に供給する導入口を有している。なお、熱風の温度は、例えば、１５０〜３００℃とされる。また、ガスウインドウ１６１は、原料ガスおよびパージガスを外部に漏れ出さないように吸い込む吸い込み口を備えている。さらに、ガスウインドウ１６１は、冷却風供給ユニット（不図示）から供給される冷却風をレーザ照射部近傍の周辺に供給する導入口を有している。 Although details will be described later with reference to FIGS. 5 and 6, the gas window 161 is configured to supply the raw material gas and purge gas supplied from the gas supply / exhaust unit 164 and hot air supplied from an air heater (not shown) to the workpiece 131. There is an introduction port for supplying the vicinity of a portion irradiated with the laser beam (hereinafter referred to as a laser irradiation portion). In addition, the temperature of a hot air shall be 150-300 degreeC, for example. The gas window 161 has a suction port for sucking the raw material gas and the purge gas so as not to leak outside. Further, the gas window 161 has an inlet for supplying cooling air supplied from a cooling air supply unit (not shown) to the vicinity of the laser irradiation unit.

ガスウインドウ１６１の直上には、レーザ照射観察ユニット１６２が設置されている。レーザ照射観察ユニット１６２は、CVD加工用の対物レンズ１７１、ZAP加工用の対物レンズ１７２、レーザ光のエネルギーを変えるアッテネータ（不図示）、レーザ光のビーム形状を変化させる可変アパーチャ機構（不図示）、対物レンズ１７１および対物レンズ１７２を上下させて焦点位置を調整する機構（不図示）、並びに、ワーク１３１のレーザ照射部近傍を観察するための顕微鏡機構（不図示）などを有している。 A laser irradiation observation unit 162 is installed immediately above the gas window 161. The laser irradiation observation unit 162 includes a CVD processing objective lens 171, a ZAP processing objective lens 172, an attenuator (not shown) for changing the energy of the laser light, and a variable aperture mechanism (not shown) for changing the beam shape of the laser light. And a mechanism (not shown) for adjusting the focal position by moving the objective lens 171 and the objective lens 172 up and down, a microscope mechanism (not shown) for observing the vicinity of the laser irradiation portion of the work 131, and the like.

レーザユニット１６３は、例えば、ZAP加工用のレーザ光（以下、ZAPレーザ光と称する）、および、CVD加工用のレーザ光（以下、CVDレーザ光と称する）を射出するレーザ光源をそれぞれ備えている。そして、レーザユニット１６３から射出されたレーザ光は、レーザ照射観察ユニット１６２およびガスウインドウ１６１を介して、ワーク１３１に照射される。なお、上述したように、コラム１１４およびヘッド１１５の移動に合わせて加工ユニット１５１をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させることにより、ワーク１３１のレーザ照射部の位置を調整することができる。 The laser unit 163 includes, for example, laser light sources that emit laser light for ZAP processing (hereinafter referred to as ZAP laser light) and laser light for CVD processing (hereinafter referred to as CVD laser light). . Then, the laser light emitted from the laser unit 163 is irradiated onto the work 131 via the laser irradiation observation unit 162 and the gas window 161. As described above, the position of the laser irradiation part of the workpiece 131 can be adjusted by moving the machining unit 151 in the x-axis direction and the y-axis direction in accordance with the movement of the column 114 and the head 115.

なお、例えば、Nd:YLFレーザの第３高調波（波長351nm）で、繰返し周波数が30Hz、時間幅が20ピコ秒のレーザ光が、ZAPレーザ光として用いられ、Nd:YLFレーザの第３高調波（波長349nm）で、繰返し周波数が4kHz、時間幅が30ナノ秒のレーザ光が、CVDレーザ光として用いられる。 For example, a laser beam having the third harmonic (wavelength 351 nm) of the Nd: YLF laser, a repetition frequency of 30 Hz, and a time width of 20 picoseconds is used as the ZAP laser beam, and the third harmonic of the Nd: YLF laser. A laser beam having a wave (wavelength 349 nm), a repetition frequency of 4 kHz, and a time width of 30 nanoseconds is used as a CVD laser beam.

ガス供給排気ユニット１６４は、原料ガス、パージガスを必要なタイミングでガスウインドウ１６１に供給し、かつ、ガスウインドウ１６１から吸引された排気ガスの無害化処理を行う機構などを備える。なお、原料ガスには、例えば、クロムカルボニルガスが用いられ、パージガスには、例えば、ヘリウムガスまたはアルゴンガスが用いられる。 The gas supply / exhaust unit 164 includes a mechanism that supplies the source gas and the purge gas to the gas window 161 at a necessary timing, and performs a detoxification process of the exhaust gas sucked from the gas window 161. For example, chromium carbonyl gas is used as the source gas, and helium gas or argon gas is used as the purge gas, for example.

ガスシャッタ１６５は、後述するように、例えば、ガスウインドウ１６１をレーザ照射観察ユニット１６２の下から退避させたときに、ガスウインドウ１６１の下方に所定の間隔をおいて配置され、ガスウインドウ１６１から供給される原料ガス等が周囲に漏れるのを防止する。 As will be described later, for example, when the gas window 161 is retracted from the bottom of the laser irradiation observation unit 162, the gas shutter 165 is disposed below the gas window 161 at a predetermined interval and supplied from the gas window 161. To prevent the raw material gas etc. leaking to the surroundings.

制御部１５２は、レーザ加工装置１０１の各部の動作を制御する。例えば、制御部１５２は、図示せぬアクチュエータなどを介して、コラム１１４のｙ軸方向の移動、ヘッド１１５のｘ軸方向の移動、および、加工ユニット１５１のｚ軸方向の移動を制御する。また、例えば、制御部１５２は、レーザ照射観察ユニット１６２の照明、アパーチャ、アッテネータの減衰率などを制御する。さらに、例えば、制御部１５２は、レーザユニット１６３から射出されるレーザ光のエネルギー、繰返し周波数、時間幅（パルス幅）、および射出タイミング等を制御する。また、例えば、制御部１５２は、ガス供給排気ユニット１６４のガス開閉弁（不図示）の開閉タイミング等の制御を行う。 The control unit 152 controls the operation of each unit of the laser processing apparatus 101. For example, the control unit 152 controls movement of the column 114 in the y-axis direction, movement of the head 115 in the x-axis direction, and movement of the machining unit 151 in the z-axis direction via an actuator (not shown). Further, for example, the control unit 152 controls the illumination of the laser irradiation observation unit 162, the aperture, the attenuation factor of the attenuator, and the like. Further, for example, the control unit 152 controls the energy of the laser light emitted from the laser unit 163, the repetition frequency, the time width (pulse width), the emission timing, and the like. Further, for example, the control unit 152 controls the opening / closing timing of a gas on / off valve (not shown) of the gas supply / exhaust unit 164.

さらに、例えば、制御部１５２は、ガスウインドウ１６１から熱風を吹き出すタイミングおよび熱風の温度等を制御する。また、例えば、制御部１５２は、ガスウインドウ１６１から冷却風を吹き出すタイミングを制御する。さらに、制御部１５２は、図示せぬアクチュエータなどを介して、ガスウインドウ１６１の上下方向（ｚ軸方向）および左右方向（ｘ軸方向）の位置を制御する。また、制御部１５２は、図示せぬアクチュエータなどを介して、ガスシャッタ１６５の上下方向（ｚ軸方向）および左右方向（ｘ軸方向）の位置を制御する。 Furthermore, for example, the control unit 152 controls the timing of blowing hot air from the gas window 161, the temperature of the hot air, and the like. For example, the control part 152 controls the timing which blows off cooling air from the gas window 161. Furthermore, the control part 152 controls the position of the up-down direction (z-axis direction) and the left-right direction (x-axis direction) of the gas window 161 via an actuator (not shown) or the like. The control unit 152 controls the position of the gas shutter 165 in the vertical direction (z-axis direction) and the horizontal direction (x-axis direction) via an actuator (not shown).

［ガスウインドウ１６１周辺の外観構成例］
図４は、ガスウインドウ１６１周辺の外観の構成例を示している。 [External configuration example around gas window 161]
FIG. 4 shows an example of the external configuration around the gas window 161.

なお、この図では、レーザ照射観察ユニット１６２に対物レンズ１７１ａ乃至１７１ｄの４つのCVD加工用の対物レンズが設けられている例を示している。以下、対物レンズ１７１ａ乃至１７１ｄを個々に区別する必要がない場合、単に対物レンズ１７１と称する。 In this figure, an example is shown in which the laser irradiation observation unit 162 is provided with four objective lenses for CVD processing, which are objective lenses 171a to 171d. Hereinafter, when it is not necessary to distinguish the objective lenses 171a to 171d, they are simply referred to as objective lenses 171.

ガスウインドウ１６１は、上下方向（ｚ軸方向）に移動可能にレール部材１８１に取り付けられている。そして、ガスウインドウ１６１は、制御部１５２の制御の下に、図示せぬアクチュエータなどを介して、ｚ軸方向に移動することができる。これにより、例えば、ガスウインドウ１６１とワーク１３１との間の間隔を調整することができる。 The gas window 161 is attached to the rail member 181 so as to be movable in the vertical direction (z-axis direction). The gas window 161 can move in the z-axis direction via an actuator (not shown) or the like under the control of the control unit 152. Thereby, the space | interval between the gas window 161 and the workpiece | work 131 can be adjusted, for example.

レール部材１８１は、左右方向（ｙ軸方向）に移動可能にレール部材１８２に取り付けられている。そして、レール部材１８１は、制御部１５２の制御の下に、図示せぬアクチュエータなどを介して、ガスウインドウ１６１とともにｙ軸方向に移動することができる。これにより、例えば、ガスウインドウ１６１を対物レンズ１７１ａ乃至１７１ｄのいずれかの直下（CVDレーザ光の光路上）に配置したり、対物レンズ１７１ａ乃至１７１ｄの直下（CVDレーザ光の光路上）から退避させたりすることができる。 The rail member 181 is attached to the rail member 182 so as to be movable in the left-right direction (y-axis direction). The rail member 181 can move in the y-axis direction together with the gas window 161 through an actuator (not shown) under the control of the control unit 152. Thereby, for example, the gas window 161 is disposed directly below any of the objective lenses 171a to 171d (on the optical path of the CVD laser light) or retracted from directly below the objective lenses 171a to 171d (on the optical path of the CVD laser light). Can be.

ガスシャッタ１６５は、水平に設けられた板状のシャッタ部１６５Ａ、および、シャッタ部１６５Ａの上面の左端に設けられ、ガスシャッタ１６５をレール部材１８３に取り付けるための取り付け部１６５Ｂにより構成される。 The gas shutter 165 includes a plate-like shutter portion 165A provided horizontally, and an attachment portion 165B for attaching the gas shutter 165 to the rail member 183, provided at the left end of the upper surface of the shutter portion 165A.

シャッタ部１６５Ａの上面の大きさは、ガスウインドウ１６１とシャッタ部１６５Ａを上下に重ねて配置した場合に、少なくともガスウインドウ１６１のウインドウポート２０１（図６）がシャッタ部１６５Ａの上面からはみ出さないように設定される。また、シャッタ部１６５Ａの材質は、少なくともガスウインドウ１６１から供給される原料ガスおよびパージガス並びに熱風により、変形および変質しにくいことが要求される。例えば、シャッタ部１６５Ａの材質として、上記の性質を有し、ガスウインドウ１６１と接触したときにガスウインドウ１６１を破損しないように、合成樹脂を採用することが可能である。 The size of the upper surface of the shutter portion 165A is such that at least the window port 201 (FIG. 6) of the gas window 161 does not protrude from the upper surface of the shutter portion 165A when the gas window 161 and the shutter portion 165A are arranged vertically. Set to Further, the material of the shutter portion 165A is required to be hardly deformed and deteriorated by at least the raw material gas and the purge gas supplied from the gas window 161 and hot air. For example, it is possible to employ a synthetic resin as the material of the shutter portion 165A so as to have the above properties and not to damage the gas window 161 when it comes into contact with the gas window 161.

レール部材１８３は、長手方向がｙ軸方向と一致するように設けられている。また、ガスシャッタ１６５が左右方向（ｙ軸方向）に移動できるように、ガスシャッタ１６５の取り付け部１６５Ｂがレール部材１８３に取り付けられている。そして、ガスシャッタ１６５は、制御部１５２の制御の下に、図示せぬアクチュエータなどを介して、ｙ軸方向に移動することができる。 The rail member 183 is provided so that the longitudinal direction coincides with the y-axis direction. Further, an attachment portion 165B of the gas shutter 165 is attached to the rail member 183 so that the gas shutter 165 can move in the left-right direction (y-axis direction). The gas shutter 165 can be moved in the y-axis direction via an actuator (not shown) or the like under the control of the control unit 152.

レーザ照射観察ユニット１６２は、左右方向（ｙ軸方向）に移動可能に図示せぬレール部材に取り付けられている。そして、レーザ照射観察ユニット１６２は、制御部１５２の制御の下に、図示せぬアクチュエータなどを介して、ｙ軸方向に移動することができる。 The laser irradiation observation unit 162 is attached to a rail member (not shown) so as to be movable in the left-right direction (y-axis direction). The laser irradiation observation unit 162 can be moved in the y-axis direction via an actuator (not shown) or the like under the control of the control unit 152.

例えば、CVD加工を行う場合、レーザユニット１６３から射出されるCVDレーザ光の光路と、ガスウインドウ１６１および使用する対物レンズ１７１の光軸が一致するように、ガスウインドウ１６１およびレーザ照射観察ユニット１６２のｙ軸方向の位置が調整される。そして、レーザユニット１６３から射出されたCVDレーザ光が、対物レンズ１７１およびガスウインドウ１６１を介して、ワーク１３１の加工部分に照射される。 For example, when performing CVD processing, the gas window 161 and the laser irradiation observation unit 162 are arranged so that the optical path of the CVD laser light emitted from the laser unit 163 matches the optical axes of the gas window 161 and the objective lens 171 to be used. The position in the y-axis direction is adjusted. Then, the CVD laser light emitted from the laser unit 163 is irradiated to the processed portion of the workpiece 131 through the objective lens 171 and the gas window 161.

また、ZAP加工を行う場合、レーザユニット１６３から射出されるZAPレーザ光の光路と対物レンズ１７２の光軸が一致するように、レーザ照射観察ユニット１６２のｙ軸方向の位置が調整される。一方、後述するように、ガスウインドウ１６１は、レーザ照射観察ユニット１６２の下より外側に退避される。そして、レーザユニット１６３から射出されたZAPレーザ光が、対物レンズ１７２を介して、ワーク１３１の加工部分に照射される。 When performing ZAP processing, the position of the laser irradiation observation unit 162 in the y-axis direction is adjusted so that the optical path of the ZAP laser light emitted from the laser unit 163 matches the optical axis of the objective lens 172. On the other hand, as will be described later, the gas window 161 is retracted to the outside from below the laser irradiation observation unit 162. Then, the ZAP laser light emitted from the laser unit 163 is irradiated to the processed portion of the workpiece 131 through the objective lens 172.

［ガスウインドウの構成例］
次に、図５および図６を参照して、ガスウインドウ１６１の構成例について説明する。図５は、ガスウインドウ１６１を横から見た断面図であり、図６は、ガスウインドウ１６１の下面の平面図である。ガスウインドウ１６１は、円盤状のウインドウポート２０１および円盤状の窓２０２が、上述した図４に示されるようなＬ字型の部材に取り付けられている。 [Configuration example of gas window]
Next, a configuration example of the gas window 161 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a cross-sectional view of the gas window 161 viewed from the side, and FIG. 6 is a plan view of the lower surface of the gas window 161. In the gas window 161, a disk-shaped window port 201 and a disk-shaped window 202 are attached to an L-shaped member as shown in FIG.

ウインドウポート２０１の中央には、ガス導入空間部２０１Ａが形成されている。ガス導入空間部２０１Ａは、ウインドウポート２０１の下面から所定の高さまでは径が一定であり、途中から上面部に向かってテーパ状に径が広がっている。また、ウインドウポート２０１の上面には、レーザユニット１６３で発振され対物レンズ１７１から射出されたレーザ光ＬＢを導入するための窓２０２が、ガス導入空間部２０１Ａの上端の開口を覆うように設けられている。 A gas introduction space 201 </ b> A is formed at the center of the window port 201. The diameter of the gas introduction space 201A is constant from the lower surface of the window port 201 to a predetermined height, and the diameter increases in a tapered shape from the middle toward the upper surface. Further, a window 202 for introducing the laser beam LB oscillated by the laser unit 163 and emitted from the objective lens 171 is provided on the upper surface of the window port 201 so as to cover the opening at the upper end of the gas introduction space 201A. ing.

窓２０２のすぐ下方には、パージガス導入口２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２が、ワーク１３１の上面に対して平行で、かつ、互いに対向するように設けられている。ガス供給排気ユニット１６４から供給されるパージガスは、パージガス導入口２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２を介して、ガス導入空間部２０１Ａの側面から吹き出し、そのパージガスにより窓２０２の曇りが防止される。また、ガス導入空間部２０１Ａの側面から吹き出したパージガスは、窓２０２の直下で２つの流れがぶつかり、ガス導入空間部２０１Ａの下方に向かって、ほぼワーク１３１の面に対して垂直に下降する。 Immediately below the window 202, purge gas inlets 201B-1 and 201B-2 are provided so as to be parallel to the upper surface of the work 131 and to face each other. The purge gas supplied from the gas supply / exhaust unit 164 blows out from the side surface of the gas introduction space 201A via the purge gas introduction ports 201B-1 and 201B-2, and the purge gas prevents the window 202 from being fogged. In addition, the purge gas blown out from the side surface of the gas introduction space 201A collides with two flows immediately below the window 202, and descends perpendicularly to the surface of the work 131 toward the lower side of the gas introduction space 201A.

ガス導入空間部２０１Ａの径が一定となる領域には、原料ガス導入口２０１Ｃが、ワーク１３１の面に平行に設けられている。ガス供給排気ユニット１６４から供給される原料ガスは、原料ガス導入口２０１Ｃを介して、ガス導入空間部２０１Ａの側面から吹き出し、パージガスの流れに混じって、ワーク１３１の上面へほぼ垂直に下降する流れとなる。そして、原料ガスは、ガス導入空間部２０１Ａの下端の開口からレーザ照射部近傍に向けて吹き出し、ウインドウポート２０１とワーク１３１との間のCVD空間２１１に拡散する。このCVD空間２１１は、ワーク１３１のレーザ照射部近傍、すなわち、レーザ光および原料ガスによりワーク１３１に薄膜を形成する部分近傍に接している。 In the region where the diameter of the gas introduction space 201A is constant, a source gas introduction port 201C is provided in parallel to the surface of the workpiece 131. The source gas supplied from the gas supply / exhaust unit 164 is blown out from the side surface of the gas introduction space 201A through the source gas introduction port 201C, mixed with the flow of the purge gas, and descended almost vertically to the upper surface of the work 131. It becomes. Then, the source gas blows out from the opening at the lower end of the gas introduction space 201A toward the vicinity of the laser irradiation unit, and diffuses into the CVD space 211 between the window port 201 and the workpiece 131. The CVD space 211 is in contact with the vicinity of the laser irradiation portion of the work 131, that is, the vicinity of the portion where the thin film is formed on the work 131 by the laser beam and the source gas.

ウインドウポート２０１の下面のガス導入空間部２０１Ａの下端の開口の周りには、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３が設けられている。エアヒータ（不図示）から供給される熱風は、図５の矢印Ａ１で示されるように、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３からレーザ照射部近傍に向けて吹き出し、CVD空間２１１に拡散する。 Blower ports 201D-1 to 201D-3 are provided around the opening at the lower end of the gas introduction space 201A on the lower surface of the window port 201. Hot air supplied from an air heater (not shown) blows out from the blower openings 201D-1 to 201D-3 toward the vicinity of the laser irradiation unit and diffuses into the CVD space 211 as indicated by an arrow A1 in FIG.

ウインドウポート２０１の下面の送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３の外側には、ガス導入空間部２０１Ａの下端の開口および送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３の周囲を取り囲むようにリング状の排気口２０１Ｅが形成されている。さらに、排気口２０１Ｅを取り囲むようにリング状の排気口２０１Ｆが形成されている。そして、ガス導入空間部２０１Ａから吹き出されたパージガスおよび原料ガス、並びに、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出された熱風を含む気体のほとんどが、図５の矢印Ｂ１，Ｂ２で示されるように、排気口２０１Ｅに吸い込まれ、残りが排気口２０１Ｆに吸い込まれる。排気口２０１Ｅ，２０１Ｆに吸い込まれた気体は、排気口２０１Ｅ，２０１Ｆに設けられている図示せぬ吸い込み口からガス供給排気ユニット１６４に送られる。 A ring-shaped exhaust port is provided outside the blower ports 201D-1 to 201D-3 on the lower surface of the window port 201 so as to surround the opening at the lower end of the gas introduction space 201A and the periphery of the blower ports 201D-1 to 201D-3. 201E is formed. Further, a ring-shaped exhaust port 201F is formed so as to surround the exhaust port 201E. Then, most of the gas including the purge gas and the raw material gas blown out from the gas introduction space 201A and the hot air blown out from the blower ports 201D-1 to 201D-3 is indicated by arrows B1 and B2 in FIG. Then, the air is sucked into the exhaust port 201E, and the rest is sucked into the exhaust port 201F. The gas sucked into the exhaust ports 201E and 201F is sent to the gas supply / exhaust unit 164 from a suction port (not shown) provided in the exhaust ports 201E and 201F.

このように、排気口２０１Ｅ，２０１Ｆからパージガス、原料ガス、および、熱風を含む気体を吸い込むことにより、CVD空間２１１を外部から遮断するドーナツ状のガスカーテンシールド部２１２が形成される。このガスカーテンシールド部２１２により原料ガスが外部に漏れることが防止され、CVD空間２１１が原料ガス雰囲気に保たれる。また、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３に近く、レーザ照射部近傍の点線で囲まれたワーク１３１の円形の部分Ｐ１（以下、加熱部分Ｐ１と称する）が加熱される。 In this way, the doughnut-shaped gas curtain shield portion 212 that blocks the CVD space 211 from the outside is formed by sucking the gas including the purge gas, the source gas, and the hot air from the exhaust ports 201E and 201F. The gas curtain shield part 212 prevents the source gas from leaking outside, and the CVD space 211 is maintained in the source gas atmosphere. In addition, a circular portion P1 (hereinafter referred to as a heating portion P1) of the work 131 surrounded by a dotted line near the blower opening 201D-1 to 201D-3 and surrounded by a dotted line is heated.

また、排気口２０１Ｆのさらに外側に、排気口２０１Ｆを取り囲むように、ウインドウポート２０１の下面の外周付近に、リング状の送風口２０１Ｇが形成されている。そして、図５の矢印Ｃ１乃至Ｃ４で示されるように、送風口２０１Ｇから加熱部分Ｐ１の周辺に向けて冷却風が吹き出し、ワーク１３１上に拡散する。そのうち、ウインドウポート２０１の内側に向かってCVD空間２１１の方向に進む冷却風のほとんどは、図５の矢印Ｄ１，Ｄ２で示されるように、排気口２０１Ｆに吸い込まれ、残りが排気口２０１Ｅに吸い込まれる。排気口２０１Ｅ，２０１Ｆに吸い込まれた冷却風は、排気口２０１Ｅ，２０１Ｆに設けられている図示せぬ吸い込み口からガス供給排気ユニット１６４に送られる。 Further, a ring-shaped air blowing port 201G is formed near the outer periphery of the lower surface of the window port 201 so as to surround the exhaust port 201F further outside the exhaust port 201F. Then, as indicated by arrows C1 to C4 in FIG. 5, the cooling air blows out from the air blowing port 201G toward the periphery of the heating portion P1 and diffuses on the work 131. Among them, most of the cooling air traveling in the direction of the CVD space 211 toward the inside of the window port 201 is sucked into the exhaust port 201F and the rest is sucked into the exhaust port 201E as shown by arrows D1 and D2 in FIG. It is. The cooling air sucked into the exhaust ports 201E and 201F is sent to the gas supply / exhaust unit 164 from a suction port (not shown) provided in the exhaust ports 201E and 201F.

これにより、排気口２０１Ｆの直下付近より外側の、加熱部分Ｐ１の周囲の点線で囲まれたワーク１３１のドーナツ状の部分Ｐ２（以下、冷却部分Ｐ２と称する）が冷却される。 Thereby, the doughnut-shaped part P2 (hereinafter referred to as the cooling part P2) of the work 131 surrounded by the dotted line around the heating part P1 outside the vicinity immediately below the exhaust port 201F is cooled.

このように、ワーク１３１の熱風により加熱されるレーザ照射部近傍の加熱部分Ｐ１の周辺を冷却することにより、加熱部分Ｐ１が必要以上に大きくなることを防止することができる。これにより、熱膨張によるワーク１３１の撓みを抑制し、加工位置やフォーカスのズレの発生を防止し、加工品質を向上させることができる。 As described above, by cooling the vicinity of the heating portion P1 in the vicinity of the laser irradiation portion heated by the hot air of the work 131, it is possible to prevent the heating portion P1 from becoming larger than necessary. Thereby, the bending of the work 131 due to thermal expansion can be suppressed, the occurrence of the machining position and focus deviation can be prevented, and the machining quality can be improved.

また、詳細な位置は図示していないが、ウインドウポート２０１内で、パージガス、原料ガス、および、熱風が通る経路（以下、ガス熱風経路と称する）と、冷却風および排気口２０１Ｅ，２０１Ｆから吸い込まれた気体が通る経路（以下、冷却風排気経路と称する）の間に断熱層２０３が設けられる。これにより、冷却風によりパージガス、原料ガス、および、熱風が冷却されることを防止することができる。 Further, although the detailed position is not shown in the figure, a path through which purge gas, source gas, and hot air pass (hereinafter referred to as gas hot air path) and cooling air and exhaust ports 201E and 201F are sucked in the window port 201. The heat insulating layer 203 is provided between the paths through which the gas flows (hereinafter referred to as cooling air exhaust paths). Thereby, it is possible to prevent the purge gas, the source gas, and the hot air from being cooled by the cooling air.

なお、ウインドウポート２０１の断熱層２０３よりガス熱風経路側が、制御部１５２の制御の下に、図示せぬヒータなどにより原料ガスに含まれる原料物質が再結晶を開始する温度より高い温度（例えば、６５〜７０℃）に設定される。 Note that the gas hot air path side of the heat insulating layer 203 of the window port 201 is higher than the temperature at which the source material contained in the source gas starts recrystallization with a heater (not shown) under the control of the control unit 152 (for example, 65 to 70 ° C.).

このようにして、確実かつ効率的にワーク１３１のCVD加工を行う部分近傍を加熱することができる。すなわち、透明フィルムヒータを用いないので、透明フィルムヒータの断線等による修理や交換をする必要がなく、それにかかる費用や手間を削減したり、作業の停滞を防止したりすることができる。 In this way, it is possible to heat the vicinity of the portion of the workpiece 131 where CVD processing is performed reliably and efficiently. That is, since the transparent film heater is not used, it is not necessary to repair or replace the transparent film heater due to disconnection or the like, and it is possible to reduce the cost and time required for it or prevent the stagnation of work.

また、CVD加工を行う部分近傍のみを加熱するので、加熱に必要なエネルギーを削減できるとともに、不要な部分を加熱することにより、周辺の部品や機器に熱による悪影響を与えることを防止できる。 In addition, since only the vicinity of the portion to be subjected to CVD processing is heated, energy required for heating can be reduced, and heating of unnecessary portions can prevent peripheral components and equipment from being adversely affected by heat.

さらに、ワーク１３１を加熱するための部品を小型化できるとともに、ワーク１３１の大きさによって交換する必要がなく、コストを削減できるとともに、保守品の保管が容易になる。 Furthermore, it is possible to reduce the size of parts for heating the workpiece 131, and it is not necessary to replace the workpiece 131 depending on the size of the workpiece 131. Thus, the cost can be reduced and the maintenance product can be easily stored.

また、加工ユニット１５１の移動範囲内であれば、ワーク１３１の全ての部分を漏れなく加熱することができ、加熱不足の発生を防止することができる。 Moreover, as long as it is within the movement range of the machining unit 151, all parts of the workpiece 131 can be heated without omission, and the occurrence of insufficient heating can be prevented.

さらに、ワーク１３１のレーザ照射部近傍の周辺を冷却することにより、ワーク１３１の撓みを抑制することができる。これにより、加工位置やフォーカスのズレの発生を防止し、加工品質を向上させることができる。また、ワーク１３１の表面がレーザ加工装置１０１の一部に接触し、損傷することを防止することができる。 Further, by cooling the periphery of the work 131 in the vicinity of the laser irradiation portion, the work 131 can be prevented from being bent. As a result, it is possible to prevent the processing position and focus from being shifted and improve the processing quality. In addition, it is possible to prevent the surface of the work 131 from being in contact with a part of the laser processing apparatus 101 and being damaged.

［ガスウインドウ１６１の退避方法］
次に、図７を参照して、ZAP加工を行う場合やペリクル付きマスクを観察する場合等に、ガスウインドウ１６１をレーザ照射観察ユニット１６２の下から退避させる方法について説明する。なお、図中、説明に不要な部分の符号の図示を一部省略している。 [Retraction Method of Gas Window 161]
Next, a method for retracting the gas window 161 from below the laser irradiation observation unit 162 when performing ZAP processing or observing a pellicle mask will be described with reference to FIG. In the drawing, reference numerals of parts unnecessary for description are partially omitted.

図７Ａは、CVD加工時のガスウインドウ１６１とガスシャッタ１６５の位置を示している。ガスウインドウ１６１は、レーザ照射観察ユニット１６２のCVD加工に使用する対物レンズ１７２の直下に配置されている。一方、ガスシャッタ１６５は、レーザ照射観察ユニット１６２の下より外側に配置されている。 FIG. 7A shows the positions of the gas window 161 and the gas shutter 165 during CVD processing. The gas window 161 is disposed immediately below the objective lens 172 used for the CVD processing of the laser irradiation observation unit 162. On the other hand, the gas shutter 165 is disposed outside the lower part of the laser irradiation observation unit 162.

まず、ガスウインドウ１６１を退避させる前に、ガスウインドウ１６１からの原料ガス、パージガス、熱風、および、冷却風の供給が停止される。 First, before the gas window 161 is retracted, the supply of the source gas, the purge gas, the hot air, and the cooling air from the gas window 161 is stopped.

次に、図７Ｂに示されるように、ガスウインドウ１６１が左方向に移動し、レーザ照射観察ユニット１６２の下より外側に退避される。 Next, as shown in FIG. 7B, the gas window 161 moves to the left and is retracted to the outside from below the laser irradiation observation unit 162.

次に、図７Ｃに示されるように、ガスウインドウ１６１が上昇する。このとき、図８に示されるように、ガスウインドウ１６１の下面とガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａの上面との間のｚ軸方向の距離が、CVD加工時のガスウインドウ１６１の下面とワーク１３１の上面との間のｚ軸方向の距離Ｄａ（例えば、0.5mm）と略等しくなるように、距離Ｄｂ（例えば、10mm）だけガスウインドウ１６１が上昇する。 Next, as shown in FIG. 7C, the gas window 161 is raised. At this time, as shown in FIG. 8, the distance in the z-axis direction between the lower surface of the gas window 161 and the upper surface of the shutter portion 165A of the gas shutter 165 is such that the lower surface of the gas window 161 and the workpiece 131 during CVD processing are The gas window 161 is raised by a distance Db (for example, 10 mm) so as to be substantially equal to a distance Da (for example, 0.5 mm) in the z-axis direction from the upper surface.

次に、図７Ｄに示されるように、ガスシャッタ１６５が右方向に移動し、ガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａがガスウインドウ１６１の下方に挿入される。 Next, as shown in FIG. 7D, the gas shutter 165 moves to the right, and the shutter portion 165 </ b> A of the gas shutter 165 is inserted below the gas window 161.

その後、ガスウインドウ１６１からの原料ガス、パージガス、および、熱風の供給が再開される。従って、レーザ照射観察ユニット１６２の下からのガスウインドウ１６１の退避を開始してから、ガスウインドウ１６１の下方に距離Ｄａをおいてシャッタ部１６５Ａが位置するまでの間、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給が停止されることになる。なお、ガスウインドウ１６１からの冷却風の供給は、再開してもよいし、しなくてもよい。 Thereafter, the supply of the source gas, the purge gas, and the hot air from the gas window 161 is resumed. Therefore, from the start of the retraction of the gas window 161 from the bottom of the laser irradiation observation unit 162 until the shutter portion 165A is positioned at a distance Da below the gas window 161, the source gas from the gas window 161 Etc. will be stopped. Note that the supply of cooling air from the gas window 161 may or may not be resumed.

このとき、ガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａが、ガスウインドウ１６１の下に、CVD加工時のガスウインドウ１６１とワーク１３１の間の間隔と略同じ間隔をおいて配置されている。従って、CVD加工時と同様に、ガスウインドウ１６１から供給される原料ガス、パージガスおよび熱風を含む気体は、ガスウインドウ１６１の排気口２０１Ｅ，２０１Ｆから吸い込まれ、ガス供給排気ユニット１６４に排出されるため、周囲に漏れることはない。 At this time, the shutter portion 165A of the gas shutter 165 is disposed below the gas window 161 at a substantially same interval as the interval between the gas window 161 and the workpiece 131 during CVD processing. Therefore, as in the case of CVD processing, the gas containing the source gas, purge gas and hot air supplied from the gas window 161 is sucked from the exhaust ports 201E and 201F of the gas window 161 and discharged to the gas supply exhaust unit 164. , Do not leak around.

一方、CVD加工を再開する場合には、上述した順序と逆にガスウインドウ１６１およびガスシャッタ１６５を移動させるようにすればよい。また、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給は、図７Ｄの状態から図７Ａの状態に戻るまでの間だけ停止するようにすればよい。 On the other hand, when the CVD process is resumed, the gas window 161 and the gas shutter 165 may be moved in the reverse order. Further, the supply of the raw material gas or the like from the gas window 161 may be stopped only until the state shown in FIG. 7D returns to the state shown in FIG. 7A.

以上のようにして、ガスウインドウ１６１を退避する場合にも、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給をほとんど停止させずに継続することができ、原料ガスの濃度を安定した状態を保つことができる。従って、ガスウインドウ１６１を退避した状態からCVD加工が可能になるまでの待ち時間を短縮し、迅速にCVD加工を開始することができる。 As described above, even when the gas window 161 is withdrawn, the supply of the source gas or the like from the gas window 161 can be continued almost without stopping, and the concentration of the source gas can be kept stable. it can. Therefore, it is possible to reduce the waiting time until the CVD process becomes possible from the state in which the gas window 161 is retracted, and the CVD process can be started quickly.

＜２．変形例＞
［ガスウインドウ１６１の退避方法の変形例］
ガスウインドウ１６１の退避方法は、図７および図８を参照して上述した方法に限定されるものではない。ここで、ガスウインドウ１６１の退避方法の変形例についていくつか説明する。 <2. Modification>
[Modification of Gas Window 161 Retraction Method]
The method for retracting the gas window 161 is not limited to the method described above with reference to FIGS. Here, some modified examples of the retracting method of the gas window 161 will be described.

（第１の変形例）
まず、図９を参照して、ガスウインドウ１６１の退避方法の第１の変形例について説明する。 (First modification)
First, with reference to FIG. 9, the 1st modification of the retraction | saving method of the gas window 161 is demonstrated.

図９Ａから図９Ｃまでのガスウインドウ１６１の動きは、図７Ａから図７Ｃまでのガスウインドウ１６１の動きと同じである。従って、図７Ｃと図９Ｃとは同じ状態を示している。 The movement of the gas window 161 from FIGS. 9A to 9C is the same as the movement of the gas window 161 from FIGS. 7A to 7C. Therefore, FIG. 7C and FIG. 9C show the same state.

そして、図９Ｄに示されるように、上述した図７Ｄとは異なり、ガスウインドウ１６１が、左方向に移動し、ガスシャッタ１６５の位置まで退避される。 9D, unlike FIG. 7D described above, the gas window 161 moves to the left and is retracted to the position of the gas shutter 165.

その後、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給が再開される。このとき、上述した図７Ｄの場合と同様に、ガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａにより、原料ガス等が周囲に漏れることが防止される。 Thereafter, the supply of the raw material gas and the like from the gas window 161 is resumed. At this time, as in the case of FIG. 7D described above, the shutter portion 165A of the gas shutter 165 prevents the source gas and the like from leaking to the surroundings.

一方、CVD加工を再開する場合には、上述した順序と逆にガスウインドウ１６１を移動させるようにすればよい。また、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給は、図９Ｄの状態から図９Ａの状態に戻るまでの間だけ停止するようにすればよい。 On the other hand, when restarting the CVD process, the gas window 161 may be moved in the reverse order. Further, the supply of the source gas or the like from the gas window 161 may be stopped only until the state shown in FIG. 9D returns to the state shown in FIG. 9A.

この方法では、図７の方法と比較して、ガスシャッタ１６５の位置を固定することが可能になる。 In this method, the position of the gas shutter 165 can be fixed as compared with the method of FIG.

（第２の変形例）
次に、図１０を参照して、ガスウインドウ１６１の退避方法の第２の変形例について説明する。 (Second modification)
Next, with reference to FIG. 10, the 2nd modification of the retraction | saving method of the gas window 161 is demonstrated.

次に、図１０Ｂに示されるように、ガスウインドウ１６１およびレーザ照射観察ユニット１６２が上昇する。このとき、上述した図８に示されるように、ガスウインドウ１６１の下面とガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａの上面との間のｚ軸方向の距離が距離Ｄａと等しくなるように、距離Ｄｂだけガスウインドウ１６１およびレーザ照射観察ユニット１６２が上昇する。 Next, as shown in FIG. 10B, the gas window 161 and the laser irradiation observation unit 162 are raised. At this time, as shown in FIG. 8 described above, the gas is supplied by the distance Db so that the distance in the z-axis direction between the lower surface of the gas window 161 and the upper surface of the shutter portion 165A of the gas shutter 165 is equal to the distance Da. The window 161 and the laser irradiation observation unit 162 are raised.

次に、図１０Ｃに示されるように、ガスウインドウ１６１が、左方向に移動し、ガスシャッタ１６５の位置まで退避される。 Next, as shown in FIG. 10C, the gas window 161 moves leftward and retracts to the position of the gas shutter 165.

そして、図１０Ｄに示されるように、レーザ照射観察ユニット１６２が次の工程（例えば、ZAP加工）に必要な位置まで下降する。 Then, as shown in FIG. 10D, the laser irradiation observation unit 162 is lowered to a position necessary for the next step (for example, ZAP processing).

一方、CVD加工を再開する場合には、上述した順序と逆にガスウインドウ１６１およびレーザ照射観察ユニット１６２を移動させるようにすればよい。また、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給は、図１０Ｃの状態から図１０Ａの状態に戻るまでの間だけ停止するようにすればよい。 On the other hand, when restarting the CVD process, the gas window 161 and the laser irradiation observation unit 162 may be moved in the reverse order. Further, the supply of the raw material gas or the like from the gas window 161 may be stopped only until the state shown in FIG. 10C returns to the state shown in FIG. 10A.

この方法では、図９の方法と同様に、ガスシャッタ１６５の位置を固定することが可能になる。 In this method, the position of the gas shutter 165 can be fixed as in the method of FIG.

（第３の変形例）
次に、図１１を参照して、ガスウインドウ１６１の退避方法の第３の変形例について説明する。 (Third Modification)
Next, with reference to FIG. 11, the 3rd modification of the retraction | saving method of the gas window 161 is demonstrated.

図１１Ａから図１１Ｂまでのガスウインドウ１６１およびレーザ照射観察ユニット１６２の動きは、図１０Ａから図１０Ｂまでのガスウインドウ１６１およびレーザ照射観察ユニット１６２の動きと同じである。従って、図１０Ｂと図１１Ｂとは同じ状態を示している。 The movement of the gas window 161 and the laser irradiation observation unit 162 from FIG. 11A to FIG. 11B is the same as the movement of the gas window 161 and the laser irradiation observation unit 162 from FIG. 10A to FIG. 10B. Therefore, FIG. 10B and FIG. 11B show the same state.

次に、図１１Ｃに示されるように、ガスシャッタ１６５がレーザ照射観察ユニット１６２の下方まで右方向に移動し、ガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａがガスウインドウ１６１の下方に挿入される。 Next, as shown in FIG. 11C, the gas shutter 165 moves rightward to the lower side of the laser irradiation observation unit 162, and the shutter portion 165A of the gas shutter 165 is inserted below the gas window 161.

次に、図１１Ｄに示されるように、ガスウインドウ１６１とガスシャッタ１６５が、相対位置を同じ状態に保ったまま左方向に移動し、レーザ照射観察ユニット１６２の下より外側に退避される。 Next, as shown in FIG. 11D, the gas window 161 and the gas shutter 165 move to the left while keeping the relative positions in the same state, and are retracted to the outside from below the laser irradiation observation unit 162.

そして、図１１Ｅに示されるように、レーザ照射観察ユニット１６２が次の工程（例えば、ZAP加工）に必要な位置まで下降する。 Then, as shown in FIG. 11E, the laser irradiation observation unit 162 is lowered to a position necessary for the next step (for example, ZAP processing).

一方、CVD加工を再開する場合には、上述した順序と逆にガスウインドウ１６１、レーザ照射観察ユニット１６２およびガスシャッタ１６５を移動させるようにすればよい。また、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給は、図１１Ｃの状態から図１１Ａの状態に戻るまでの間だけ停止するようにすればよい。 On the other hand, when the CVD process is resumed, the gas window 161, the laser irradiation observation unit 162, and the gas shutter 165 may be moved in the reverse order. Further, the supply of the raw material gas or the like from the gas window 161 may be stopped only until the state shown in FIG. 11C returns to the state shown in FIG. 11A.

この方法では、上述した方法と比較して、原料ガス等の供給を停止する時間を短縮することができ、原料ガスの濃度をより安定させることができる。 In this method, as compared with the above-described method, the time for stopping the supply of the source gas and the like can be shortened, and the concentration of the source gas can be further stabilized.

（第４の変形例）
次に、図１２を参照して、ガスウインドウ１６１の退避方法の第４の変形例について説明する。 (Fourth modification)
Next, with reference to FIG. 12, the 4th modification of the retraction | saving method of the gas window 161 is demonstrated.

なお、この例では、図１３に示されるように、ワーク１３１の上面とガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａの上面が略同じ高さになるように、ガスシャッタ１６５がワーク１３１の外側に配置される。 In this example, as shown in FIG. 13, the gas shutter 165 is arranged outside the workpiece 131 so that the upper surface of the workpiece 131 and the upper surface of the shutter portion 165 </ b> A of the gas shutter 165 have substantially the same height. .

次に、図１２Ｂに示されるように、ガスウインドウ１６１が、左方向に移動し、レーザ照射観察ユニット１６２の下より外側に退避される。 Next, as shown in FIG. 12B, the gas window 161 moves to the left and is retracted to the outside from below the laser irradiation observation unit 162.

次に、図１２Ｃに示されるように、ガスシャッタ１６５が右方向に移動し、ガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａがガスウインドウ１６１の下方に挿入される。 Next, as shown in FIG. 12C, the gas shutter 165 moves to the right, and the shutter portion 165 </ b> A of the gas shutter 165 is inserted below the gas window 161.

そして、図１２Ｄに示されるように、ガスウインドウ１６１とガスシャッタ１６５が、上下方向の間隔を同じ状態に保ったまま、ワーク１３１が水平方向に移動しても干渉しない位置まで上昇する。 Then, as shown in FIG. 12D, the gas window 161 and the gas shutter 165 are moved up to a position where the workpiece 131 does not interfere even when the workpiece 131 moves in the horizontal direction while maintaining the same vertical interval.

一方、CVD加工を再開する場合には、上述した順序と逆にガスウインドウ１６１およびガスシャッタ１６５を移動させるようにすればよい。また、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給は、図１２Ｃの状態から図１２Ａの状態に戻るまでの間だけ停止するようにすればよい。 On the other hand, when the CVD process is resumed, the gas window 161 and the gas shutter 165 may be moved in the reverse order. Further, the supply of the source gas or the like from the gas window 161 may be stopped only until the state shown in FIG. 12C returns to the state shown in FIG. 12A.

なお、ガスウインドウ１６１の退避位置までワーク１３１が移動してこない場合には、図１２Ｄの工程を省略することができる。 If the work 131 does not move to the retreat position of the gas window 161, the process of FIG. 12D can be omitted.

（第５の変形例）
次に、図１４を参照して、ガスウインドウ１６１の退避方法の第５の変形例について説明する。 (Fifth modification)
Next, with reference to FIG. 14, the 5th modification of the retraction | saving method of the gas window 161 is demonstrated.

なお、この例では、図１２の例と同様に、図１３に示されるように、図１３に示されるように、ワーク１３１の上面とガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａの上面が略同じ高さになるように、ガスシャッタ１６５がワーク１３１の外側に配置される。 In this example, similarly to the example of FIG. 12, as shown in FIG. 13, the upper surface of the work 131 and the upper surface of the shutter portion 165A of the gas shutter 165 are substantially at the same height as shown in FIG. Thus, the gas shutter 165 is disposed outside the work 131.

次に、図１４Ｂに示されるように、ガスウインドウ１６１が、左方向に移動し、ガスシャッタ１６５の位置まで退避される。 Next, as shown in FIG. 14B, the gas window 161 moves leftward and retracts to the position of the gas shutter 165.

そして、図１４Ｃに示されるように、ガスウインドウ１６１とガスシャッタ１６５が、上下方向の間隔を同じ状態に保ったまま、ワーク１３１が水平方向に移動しても干渉しない位置まで上昇する。 Then, as shown in FIG. 14C, the gas window 161 and the gas shutter 165 are moved up to a position where they do not interfere even if the work 131 moves in the horizontal direction while maintaining the same vertical spacing.

一方、CVD加工を再開する場合には、上述した順序と逆にガスウインドウ１６１およびガスシャッタ１６５を移動させるようにすればよい。また、ガスウインドウ１６１からの原料ガス等の供給は、図１４Ｂの状態から図１４Ａの状態に戻るまでの間だけ停止するようにすればよい。 On the other hand, when the CVD process is resumed, the gas window 161 and the gas shutter 165 may be moved in the reverse order. Further, the supply of the raw material gas or the like from the gas window 161 may be stopped only until the state shown in FIG. 14B returns to the state shown in FIG. 14A.

なお、ガスウインドウ１６１の退避位置までワーク１３１が移動してこない場合には、図１４Ｃの工程を省略することができる。 In addition, when the workpiece | work 131 does not move to the retraction position of the gas window 161, the process of FIG. 14C can be skipped.

［その他の変形例］
例えば、ガスウインドウ１６１とガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａとの間の間隔を、ガスウインドウ１６１とシャッタ部１６５Ａが接しない程度に、CVD加工時のガスウインドウ１６１とワーク１３１との間の間隔Ｄａより小さい値に設定するようにしてもよい。なお、間隔Ｄａと略同じ値に設定した場合に、最も効率よく原料ガスの供給と排気を行うことができる。 [Other variations]
For example, the interval Da between the gas window 161 and the workpiece 131 during CVD processing is such that the interval between the gas window 161 and the shutter portion 165A of the gas shutter 165 is not in contact with the gas window 161 and the shutter portion 165A. You may make it set to a small value. In addition, when it sets to the value substantially the space | interval Da, source gas can be supplied and exhausted most efficiently.

また、ガスウインドウ１６１をレーザ照射観察ユニット１６２の下方に配置した状態で、ガスウインドウ１６１とワーク１３１との間に十分な隙間を確保できる場合には、必ずしもガスウインドウ１６１をレーザ照射観察ユニット１６２の下から退避させる必要はない。例えば、CVD加工を行わない場合に、ガスウインドウ１６１をレーザ照射観察ユニット１６２の下方に配置したまま、ガスウインドウ１６１の下方にガスシャッタ１６５のシャッタ部１６５Ａを挿入するようにしてもよい。 Further, in the state where the gas window 161 is disposed below the laser irradiation observation unit 162, when a sufficient gap can be secured between the gas window 161 and the work 131, the gas window 161 is not necessarily provided in the laser irradiation observation unit 162. There is no need to evacuate from below. For example, when CVD processing is not performed, the shutter portion 165A of the gas shutter 165 may be inserted below the gas window 161 while the gas window 161 is disposed below the laser irradiation observation unit 162.

さらに、以上の説明では、エアヒータから所定の温度以上の熱風を供給する例を示した。しかし、上述したようにウインドウポート２０１が高い温度（６５〜７０℃）に設定されているので、エアヒータから周囲の温度と同じ風を供給し、ウインドウポート２０１の送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３から吹き出すようにするだけで、送風口２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３からは熱風が吹き出されるようになる。そして、その熱風によりワーク１３１を加熱するようにすることも可能である。 Furthermore, in the above description, the example which supplies hot air more than predetermined temperature from the air heater was shown. However, since the window port 201 is set to a high temperature (65 to 70 ° C.) as described above, the same air as the ambient temperature is supplied from the air heater, and the air outlets 201D-1 to 201D-3 of the window port 201 are supplied. The hot air is blown out from the air outlets 201D-1 to 201D-3. And it is also possible to heat the workpiece | work 131 with the hot air.

また、図５および図６に示したパージガス導入口、原料ガス導入口、および、送風口の数は、その一例であり、必要に応じて増減することが可能である。 In addition, the numbers of purge gas inlets, source gas inlets, and air outlets shown in FIGS. 5 and 6 are examples, and can be increased or decreased as necessary.

なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。 The embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

１０１レーザ加工装置
１１２ａ乃至１１２ｄワークホルダ
１１３ａ，１１３ｂレール部材
１１４コラム
１１５ヘッド
１３１ワーク
１５１加工ユニット
１５２制御部
１６１ガスウインドウ
１６２レーザ照射観察ユニット
１６３レーザユニット
１６４ガス供給排気ユニット
１６５ガスシャッタ
１６５Ａシャッタ部
１７１ａ乃至１７１ｄ，１７２対物レンズ
１８１乃至１８３レール部材
２０１ウインドウポート
２０１Ａガス導入空間部
２０１Ｂ−１，２０１Ｂ−２パージガス導入口
２０１Ｃ原料ガス導入口
２０１Ｄ−１乃至２０１Ｄ−３送風口
２０１Ｅ，２０１Ｆ排気口
２０１Ｇ送風口
２１１ CVD空間
２１２ガスカーテンシールド部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Laser processing apparatus 112a thru | or 112d Work holder 113a, 113b Rail member 114 Column 115 Head 131 Work 151 Processing unit 152 Control part 161 Gas window 162 Laser irradiation observation unit 163 Laser unit 164 Gas supply exhaust unit 165 Gas shutter 165A Shutter part 171a thru 171d, 172 Objective lens 181 to 183 Rail member 201 Window port 201A Gas introduction space 201B-1, 201B-2 Purge gas introduction port 201C Raw material gas introduction port 201D-1 to 201D-3 Blower port 201E, 201F Exhaust port 201G Blower port 211 CVD space 212 Gas curtain shield

Claims

レーザ光と原料ガスを用いてCVD（Chemical Vapor Deposition）加工を行うレーザ加工装置において、
前記原料ガスを給排気することにより加工対象の加工部分近傍を前記原料ガス雰囲気に保つガス供給部と、
前記ガス供給部から供給される前記原料ガスの漏れを防ぐためのシャッタと、
前記ガス供給部および前記シャッタの少なくとも一方の位置を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、CVD加工を行わない場合に、前記ガス供給部と前記シャッタを所定の間隔をおいて上下に配置し、
前記ガス供給部は、前記シャッタが前記所定の間隔をおいて下方にある状態において、前記原料ガスの給排気を継続する
ことを特徴とするレーザ加工装置。 In laser processing equipment that performs CVD (Chemical Vapor Deposition) processing using laser light and source gas,
A gas supply unit that keeps the vicinity of the processing portion to be processed in the source gas atmosphere by supplying and exhausting the source gas;
A shutter for preventing leakage of the source gas supplied from the gas supply unit;
A control unit for controlling the position of at least one of the gas supply unit and the shutter,
When the control unit does not perform CVD processing, the gas supply unit and the shutter are arranged above and below at a predetermined interval,
The laser processing apparatus, wherein the gas supply unit continues to supply and exhaust the source gas in a state where the shutter is located at a predetermined interval below.

前記ガス供給部は、前記レーザ光を射出する対物レンズが設けられているユニットの下に配置したり、前記ユニットの下から退避させたりすることが可能であり、
前記制御部は、前記ユニットの下から前記ガス供給部を退避させたときに、前記ガス供給部と前記シャッタを前記所定の間隔をおいて上下に配置し、
前記ガス供給部は、前記ユニットの下から退避され、前記シャッタが前記所定の間隔をおいて下方にある状態において、前記原料ガスの給排気を継続する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 The gas supply unit can be disposed under a unit provided with an objective lens that emits the laser light, or can be retracted from under the unit.
When the gas supply unit is retracted from under the unit, the control unit arranges the gas supply unit and the shutter above and below the predetermined interval,
2. The gas supply unit according to claim 1, wherein the gas supply unit is retracted from below the unit, and the supply and exhaust of the source gas is continued in a state where the shutter is located at the predetermined interval below. Laser processing equipment.

前記制御部は、前記ユニットの下から前記ガス供給部を退避した後、前記ガス供給部を上昇させ、前記ガス供給部の下に前記シャッタを挿入する
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ加工装置。 The said control part raises the said gas supply part after retracting | saving the said gas supply part from the said unit, and inserts the said shutter under the said gas supply part. Laser processing equipment.

前記ガス供給部は、前記ユニットの下からの退避を開始してから、前記シャッタが前記所定の間隔をおいて下方に位置するまでの間、前記原料ガスの供給を停止する
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ加工装置。 The gas supply unit stops the supply of the source gas from the start of the retreat from the bottom of the unit until the shutter is positioned below the predetermined interval. The laser processing apparatus according to claim 2.

前記所定の間隔は、CVD加工を行うときの前記ガス供給部と前記加工対象の間の間隔と略同じ間隔に設定される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のレーザ加工装置。 5. The laser processing according to claim 1, wherein the predetermined interval is set to be substantially the same as an interval between the gas supply unit and the processing object when performing CVD processing. apparatus.