JP2014016228A

JP2014016228A - 反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法

Info

Publication number: JP2014016228A
Application number: JP2012153435A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Kano; 宣彦加納; Katsumi Saito; 克己斉藤
Original assignee: Nakatani Sangyo Co Ltd
Current assignee: Nakatani Sangyo Co Ltd
Priority date: 2012-07-09
Filing date: 2012-07-09
Publication date: 2014-01-30

Abstract

【課題】反射型エンコーダにおける低反射率部と高反射率部との明暗のはっきりした境界を有する、反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法を提供すること。
【解決手段】円板状の基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフー処理が可能なレジスト層とを有する円板状のレジスト基板を用意する工程と、前記レジスト基板を露光する工程と、露光された前記レジスト基板を現像する工程と、を有し、前記露光する工程では、制御手段を備えた露光機が使用され、該露光機により前記円板状のレジスト基板に対してレーザー照射により微細な凸部と微細な凹部との繰り返し構造からなるマスター用低反射率部を形成するに際し、前記露光機の前記レジスト基材の回転制御をＣＡＶ（Constant Angular Velocity）制御により行うことを特徴としている。
【選択図】図４

Description

本発明は、可動物体の機械的な変位を、光源から放出した光の反射光を用いて電気的なパルスに変換する反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法に関する。

現在使用されている、エンコーダは光学式、磁気式が一般的である。光学式には透過型（特許文献１）と反射型（特許文献２）とがある。
このようなエンコーダのうち、図１２に示したように、スリット板１０の反射光を受光する反射型ロータリーエンコーダ８０では、発光素子３からスリット板１０に光を投射し、そのスリット板１０の低反射率部７と高反射率部２とから構成される光学変調トラック８より反射されてきた光を、受光素子４で受光するものである。

ところで、反射型ロータリーエンコーダ８０において、スリット板１０からの情報をより正確に読み取るには、図１３に示したように、低反射率部７と高反射率部２との境界、すなわち高反射率部２の終端から低反射率部７に至るＡ−Ａ線における反射光量の変化を、より正確に読み取る必要がある。

そこで、今日では、このＡ−Ａ線位置における反射光量の変化を正確に読み取ることのできるロータリーエンコーダのスリット板が求められている。
そのため、このような反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板を提供するためのマスタリング原盤の好ましい製造方法の提供が望まれている。

特開２００８−２９８５９３号公報特開２００６−１０５７０８号公報

本発明は、このような実情に鑑み、反射型ロータリーエンコーダにおける低反射率部と高反射率部との明暗のはっきりした境界を有する、反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板を提供することのできるマスタリング原盤の製造方法を提供することを目的としている。

本発明に係る反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法は、
円板状の基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフー処理が可能なレジスト層とを有する円板状のレジスト基板を用意する工程と、
前記レジスト基板を露光する工程と、
露光された前記レジスト基板を現像する工程と、
を有し、
前記露光する工程では、制御手段を備えた露光機が使用され、該露光機により前記円板状のレジスト基板に対してレーザー照射により微細な凸部と微細な凹部との繰り返し構造からなるマスター用低反射率部を形成するに際し、前記露光機の前記レジスト基材の回転制御をＣＡＶ（Constant Angular Velocity）制御により行うことを特徴としている。

このような方法であれば、マスター用低反射率部の境界が明確な反射型ロータリーエンコーダのマスタリング原盤を提供することができる。
すなわち、低反射率部の各トラックの最初の位置に凸部を形成することができるので、マスター用低反射率部の境界（図１３におけるＡ−Ａ線）を明確にすることができる。

また、本発明は、
前記マスタリング原盤の前記マスター用低反射率部における前記凸部の周方向の長さが、前記エンコーダにおける光源波長（λ）を超えない範囲とし、
かつ、前記マスタリング原盤の前記マスター用低反射率部における半径方向の位置ｒ₁〜ｒ₂、ｒ₂〜ｒ₃、ｒ₃〜ｒ₄、ｒ_n-1〜…ｒ_nの１つの領域内では、
前記マスター用低反射率部の１つの凸部の周方向の物理的長さを、Ｐ₁から始めて外側のトラックに向かうほど大きくなるように設定し、さらに前記凸部の周方向の最大の物理的長さはＰ₂（但し、Ｐ₁＜Ｐ₂＜λであり、Ｐ₂はλを超えない所定の長さである）とし、
さらに、前記凸部の周方向の物理的長さが、Ｐ₂になったら、再びＰ₁の長さに戻って、Ｐ₁〜Ｐ₂のパターンが繰り返されるように、前記露光機の露光周期が制御されていることが好ましい。

このような構成であれば、マスタリング原盤のマスター用低反射率部における低反射を維持することができる。
さらに、本発明は、前記露光機では、前記レジスト基板に対する前記レーザー光による露光が、光リソグラフィにより行なわれることが好ましい。

また、本発明は、前記露光機では、前記レジスト基板に対する前記レーザー光による露光が、熱リソグラフィにより行われても良い。
さらに、本発明は、前記レジスト基板には、ポジ型のレジスト膜が形成されていても良い。

また、本発明は、前記レジスト基板には、ネガ型のレジスト膜が形成されても良い。
さらに、本発明は、前記レジスト基板で前記レジスト基板に対し露光後に前記現像工程でレジストが除去された後、さらにこの除去された部分がエッチングにより削られ、そのエッチングにより削られた部分が、微細な凸部と微細な凹部との繰り返し構造からなるマスター用低反射率部として形成されても良い。

本発明に係る反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法によれば、露光機の露光の制御をＣＡＶ（Constant Angular Velocity）制御により行うことにより、微細構造の凹部と凸部との繰り返し構造からなるマスター用低反射率部の周方向の始まりを全て凸部として整合することができ、これにより、マスター用低反射率部の境界を明確に識別することができる。

このような方法で製造されたマスタリング原盤を用いることにより、高反射率部と低反射率部との境界部を明確に識別することができるロータリーエンコーダにおけるスリット板を提供することができる。

また、露光機における露光周期を光源波長（λ）を超えない範囲としたことにより、マスタリング原盤の半径位置が周方向のどの位置であるとしても低反射率部を維持することができる。

図１（Ａ）は本発明の一実施例により製造された反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板の正面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線方向の拡大断面図である。図２は、図１のスリット板に形成された微細な凹凸部からなる低反射率部の拡大斜視図である。図３は図２の低反射率部に光が入射された場合の原理説明図である。図４は、図１に示した低反射率部の模式的平面図である。図５は、図１に示したスリット板を製造するためのマスタリング原盤の平面図である。図６（Ａ）〜図６（Ｆ）は、光フォトリソグラフィーの原理により、反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤を製造するときの手順を示す断面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）は図６に示したマスタリング原盤の製造方法から製造されたマスタリング原盤を用いて反射型ロータリーエンコーダのスリット板を射出成形するときの工程を説明する断面図である。図８は図６（Ｂ）に示した光フォトリソグラフィーの露光工程において、露光機により露光するときの、円板状のレジスト基板と露光機との関係を示す概略図である。図９は図８に示した露光機による露光のＯＮ−ＯＦＦと露光周期時間Ｔとの関係を示す図である。図１０は、図４に示した扇状の低反射率部における半径位置と、低反射率部を構成する凸部のラジアン方向の長さとの繰り返しパターンの関係を示す表である。図１１はレジスト層としてネガ型のフォトレジストを使用して露光機で露光するときのスリット板と露光との関係を示す概略図である。図１２は従来の反射型ロータリーエンコーダの概略斜視図である。図１３は図１２に示した反射型ロータリーエンコーダのスリット板の高反射率部と低反射率部との境界部分の拡大図である

以下、図面を参照しながら本発明に係る反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法について説明する。
先ず、図１（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら反射型ロータリーエンコーダのスリット板１０について説明する。

反射型ロータリーエンコーダのスリット板１０は、円板状の基板１１上に、高反射率部１２と低反射率部１４とが交互に形成されたもので、高反射率部１２または低反射率部１４のいずれか一方は、扇状の領域に形成される。なお、以下の説明では、扇状の領域が低反射率部１４であり、それ以外の領域が高反射率部１２であるとする。

スリット板１０の低反射率部１４は、図１、図２、図３に示したように、微細な凸部１８と微細な凹部１９とが周期的に形成されることにより構成されている。
このような凸部１８と凹部１９は、先ず、ポリカーボネートなどの基材１１上に基本となる形状が形成され、その上層に同一形状の金属膜２０を設けることにより形成されている。

すなわち、低反射率部１４の凸部１８は、図２に示したように、断面形状が二等辺三角形の円錐形であり、そのアスペクト比（高さＨ／底面の長さＰ）は０．５〜３．０の範囲に設定されている。

このように微細な凹凸が周期的に形成された構造体は、モスアイ構造として知られている。このような構造体は、例えば、図３において矢印Ｃ方向に光が照射されてきた場合に、凹凸部での反射が低反射となることが知られている。また、アスペクト比が大きい程、反射防止効果が高いことが知られている。また、低反射となる場合の凸部１８の長さＰは、反射型ロータリーエンコーダにおける光源波長（λ）を超えない範囲である必要がある。すなわち、この長さＰが光源波長（λ）を超えてしまうと、低反射率部として機能しなくなる。

一方、図１（Ａ）、（Ｂ）における高反射率部１２は、平滑なミラー面により構成されている。
図４は、図１（Ａ）、（Ｂ）における扇状領域の低反射率部１４の一部を模式的に示したものである。なお、図４における白丸は１つの凸部１８の底面を表しており、実際にはその上方（紙面の上方）に向かって、円錐形状に立体的に形成されている。

低反射率部１４は、このように微細な凸部１８が周期的に並ぶ構造を有しており、このような凸部１８とその間の凹部１９とにより、低反射となる構造になっている。
なお、低反射率部１４における凸部１８の周方向の長さ（図４においてＰ₁またはＰ₂で表されている）は、スリット板１０の内周側から外周側に向かうにしたがって径方向に対して滑らかに大きくされている。

ここで、凸部１８の周方向の長さが、エンコーダの光源波長λを超えてしまうと、低反射率部１４を構成することができないことから、凸部１８の周方向の最大長さＰ₂は光源波長λを超えない大きさとなっている。そして、図４では、光源波長λを超えない範囲に設定された所定の長さＰ₂になったら、元のＰ₁の長さに戻される構造パターンを有している（但し、Ｐ₁＜Ｐ₂＜λであり、Ｐ₂はλを超えない所定の長さである。）
すなわち、図４に示したように、半径位置ｒ₁〜ｒ₂、ｒ₂〜ｒ₃、ｒ₃〜ｒ₄、ｒ_n-1〜…ｒ_nの領域で、Ｐ₁〜Ｐ₂の構造パターンが繰り返されている。

なお、同一トラックでの周方向には、同じ大きさの凸部１８が並んで形成されている。
上記のようなスリット板１０を形成するには、先ず、図５（Ａ）、（Ｂ）に示したようなマスタリング原盤２７が用意される。

このマスタリング原盤２７は、スリット板１０の低反射率部１４の表面形状が反転して形成されたものである。すなわち、スリット板１０はこのようなマスタリング原盤２７が用意されてから当該原盤を元にして、工業的に大量生産されている。

スリット板１０の原盤となるマスタリング原盤２７は、円板状の基板２６０上に、マスター用高反射率部１２０とマスター用低反射率部１４０とが交互に形成されている。マスター用低反射率１４０は、スリット板１０の低反射率部１４の微細パターンが反転した形状の微細パターンが周期的に形成されている。すなわち、図１（Ｂ）に示したスリット板１０の凸部１８がマスタリング原盤２７では凹部１９０とされ、スリット板１０の凹部１９がマスタリング原盤２７では凸部１８０とされている。

なお、図５（Ｂ）における符号２５は円板状の基板２６０の上層に形成された導電化膜を示している。
また、マスタリング原盤２７のマスター用高反射率部１２０は、スリット板１０の高反射率部１２と同様にミラー面である。

以下に、本発明に係る反射型ロータリーエンコーダのスリット板１０を形成するためのマスタリング原盤２７の一般的な製造方法について、図６を参照して説明する。
高反射率部１２と低反射率部１４とを有する反射型ロータリーエンコーダのスリット板１０を形成するためのマスタリング原盤２７は、リソグラフィの原理を利用して図６（Ａ）〜（Ｆ）の手順で製造されている。

先ず、図６（Ａ）に示したように、一方の面２２ａが極めて平滑に研磨されたガラスなどの基板２２の当該一方の面２２ａ上にフォトトレジストを塗布することによりレジスト層２３を形成する。

次いで、図６（Ｂ）に示したように、これら基板２２およびレジスト層２３からなるレジスト基板２４のレジスト層２３を記録信号に応じてレーザー光で露光し、現像することによりレジスト基板２４の一方の面２２ａに、マスター用低反射率部１４０を構成するための凹凸パターンを形成する（図６（Ｃ））。

なお、このとき、図外では、ミラー面からなるマスター用高反射率部１２０も形成される。
続いて、図６（Ｄ）に示したように、マスター用低反射率部１４０の凹凸パターンの表面上（すなわちレジスト層２３および当該レジスト層２３から露出する基板２２の一方の面２２ａの表面上）に無電解メッキ等により導電化膜層２５を形成し、その後、この導電化膜層２５上に電解メッキ等により所定厚のメッキ層２６を形成する（図６（Ｅ））。

さらに、その後、導電化膜層２５およびメッキ層２６を一体にレジスト基板２４から剥離する。これにより、図６（Ｆ）に示したように、マスタリング原盤２７を得ることができる。

なお、図６では、凸部１８０が角柱状に図示されているが、これは説明のための模式図であり、実際には、凸部１８０が尖塔状に形成される。
なお、このマスタリング原盤２７のマスター用低反射率部１４０に形成された凸部１８０と凹部１９０とからなる微細な凹凸構造は、前述したスリット板１０における低反射率部１４の微細な凸部１８と凹部１９とからなる凹凸構造が反転した形状となっている。

図６（Ｆ）に示したようなマスタリング原盤２７が得られれば、例えば、図７（Ａ）、（Ｂ）に示したように、上型２８と下型２９金型とからなる金型３０内に、図６（Ｆ）で形成されたマスタリング原盤２７を上下反転した姿勢で載置し、その状態から図７（Ｂ）に示したように、キャビティ内に樹脂を射出し、上型２８と下型２９とを離型することにより、反射型ロータリーエンコーダのスリット板１０を得ることができる。

ところで、本発明に係る製造方法の特徴部分は、マスタリング原盤２７をリソグラフィの原理で製造する図６（Ｂ）の露光工程で行われている。
すなわち、図６（Ｂ）に示した露光工程においては、レーザービームレコーダー（ＬＢＲ）として称されている図８の露光機３１が使用されている。この露光機３１は、ガラスなどの基板２２上に成膜したレジスト層２３に、高速に微細なナノパターンを直接描画（ナノ露光）する装置である。このような露光機３１を利用して、図６（Ｆ）に示したような微細な凸部１８０と微細な凹部１９０との周期構造からなるマスター用低反射率部１４０を、扇状の領域に形成することができる。

このような露光機３１の光源としては、半導体レーザーや、ガスレーザーなどを使用することができる。また、このような露光機３１には、記録データに基づいてレジスト層２３を露光するための、制御手段３２が具備されている。

このような制御手段３２のプログラム制御により、露光機３１では、図９に示したように、露光がＯＮのときに周方向に向かって露光が行われ、ＯＦＦのときに露光が停止する。このような露光を図８に示したレジスト基板２４を回転させながら行うことにより、半径同一の１つのトラック上に、同一の凹凸部を形成するための露光を行うことができる。このような露光を行うことにより、微細な凹凸構造からなるマスター用低反射率部１４０を、マスター用高反射率部１２０、１２０の間に形成することができる。

そして、１つのトラック上での露光が完了したら、露光機３１のレーザー照射位置を外周側の次のトラックに移動し、その円周上を露光する。その場合、露光はスパイラル状でも同心円状でもどちらを選択しても良い。

このような動作を繰り返すことにより、レジスト基板２４の円盤上に、微細な凹凸構造からなるマスター用高反射率部１２０と、ミラー面からなるマスター用低反射率部１４０とを全面的に形成することができる。

このような露光機３１を使用することにより、図１に示したスリット板１０の元となるマスタリング原盤２７が形成される。
ここで、本発明のマスタリング原盤２７では、マスター用高反射率部１２０と低反射率部１４０との境界が明確でなければならない。すなわち、図４のＡ−Ａ線における反射光量の変化を明確にする必要がある。

そこで、本発明では、Ａ−Ａ線での明暗がはっきり識別できるように、角速度一定の条件で露光を行うようにしている。すなわち、カッティングマシーン３１における制御手段３２を、ＣＡＶ制御している。

角速度一定のＣＡＶ制御であれば、図８においてレジスト基板２４の半径方向の位置が外周側であるとしても内周側であるとしても、図４におけるＡ−Ａ線の境界部では、全て凸部１８０を並べることができる。

このようなマスタリング原盤２７を利用してスリット板１０を製造した場合についての効果をスリット板１０で説明すれば、露光機３１から照射された光が、図４において、相対的に矢印Ｆ方向に進んでいく場合に、Ａ−Ａ線では、全て凸部１８を走査することになる。よって、高反射率部と低反射率部との境界の明暗を明確に識別することが可能となる。

また、本発明のマスタリング原盤２７では、マスター用低反射率部１４０での反射防止機能が低下しないように、制御手段３２のプログラムが設定されている。すなわち、角速度一定（ＣＡＶ）である場合、マスタリング原盤２７では、レジスト基板２４の外周に近い程、凸部１８０の周方向の長さＰ₂が長くなってしまう。しかしながら、凸部１８０の長さＰ₂が、光源波長（λ）を超えてしまうと、前述したように光を反射してしまうことになる。

そこで、本実施例のマスタリング原盤２７では、マスター用低反射率部１２０の凸部１８０の底面の周方向の長さＰ₂がλを超えないように設定されている。すなわち、半径位置ｒ₁〜ｒ₂、半径位置ｒ₂〜ｒ₃、半径位置ｒ₃〜ｒ₄において、凸部の周方向の長さをＰ₁からＰ₂とまでとし、これを繰り返すように設定している。

なお、図１０の表に示したように、半径位置ｒ₁〜ｒ₂の露光周期をＴ₁、半径位置ｒ₂〜ｒ₃の露光周期をＴ₂、半径位置ｒ₃〜ｒ₄の露光周期をＴ₃としたとき、Ｔ₁＞Ｔ₂＞Ｔ₃である。

本発明では、このようなパターンを露光機３１の制御手段３２に組み込むことにより、図４に示したように、マスタリング原盤のマスター用低反射率部１４０における１つの凸部１８０の周方向の物理的長さを径方向に対して滑らかに大きくし、かつその長さがＰ₂を超えない所定の長さとしている。

このような本発明の製造方法を採用することにより、図４のＡ−Ａ線における明暗をはっきりさせるとともに、反射防止効果を損なわないようにしている。
このようなマスタリング原盤２７を用いれば、図１３に示した反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板１０を製造した場合に、低反射率部７と高反射率部２との境界、すなわち高反射率部２の終端から低反射率部７に至るＡ−Ａ線における反射光量の変化を、より正確に読み取ることができる。

以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は上記実施例に何ら限定されない。
例えば、露光機３１の熱源は、ガスレーザーであっても半導体レーザーであっても良い。

また、図６に示したレジスト層２３を光リソグラフィに代えて熱リソグラフィにより凸部１８を形成することもできる。
すなわち、電子ビームや遠紫外レーザーによる高密度記録で使用されるフォトレジストの代わりに、金属酸化物から成る無機レジストを使用し、アモルファスから結晶への熱による相変化を利用して微細な凹凸部を形成する。この熱源には、波長405ナノメートルの青紫色半導体レーザーを採用する。熱リソグラフィであれば、光リソグラフィに比べて、解像度の高いピットの微細加工を実現することができる。
さらに、上記実施例では、レジスト層２３としてポジ型のフォトレジスト組成物が使用され、これにより、露光された部分が現像工程で削除されている。

しかし、このポジ型のフォトレジスト組成物に代えて、図１１（Ａ）に示したように、ネガ型のフォトレジスト層３５を設けても良い。
このようにネガ型のフォトレジスト層３５を使用する場合、レジスト層３５がマスクとなり、図１１（Ｂ）の露光工程で露光されなかった部分が、図１１（Ｃ）に示した現像工程で削除される。

そして、ネガ型のフォトレジスト層３５を設けた場合には、図１１（Ｃ）の現像工程で露光されなかった部分のフォトレジスト層３５が除去されるので、現像工程が完了した後には、図１１（Ｄ）に示したように、基板２２の表面に、微細な凹凸パターンを形成することができる。

したがって、このようにネガ型のフォトレジスト層３５を設けることによっても、図６（Ｆ）に示したようなマスタリング原盤２７を製造することができる。このようなマスタリング原盤２７を、スタンパとして使用すれば、所望とする反射型ロータリーエンコーダのスリット板を大量にかつ安価に製造することが可能となる。

以上、本発明に係る反射型ロータリーエンコーダにおけるインクリメンタルタイプのスリット板の製造方法について説明したが、アブソリュートタイプのスリット板の製造にも適用できる。又、本発明は上記実施例に何ら限定されない。

例えば、露光機３１で露光する場合に、光リソグラフィや熱リソグラフィに代わる他の技術が将来的に開発されれば、その技術を用いて露光することも可能である。

２高反射率部
７低反射率部
８光学変調トラック
１０スリット板
１１基板
１２高反射率部
１４低反射率部
１８凸部
１９凹部
２２基板
２３レジスト層
２４レジスト基板
２５導電化膜層
２６メッキ層
２７マスタリング原盤
３１カッティングマシーン
３２制御手段
３５フォトレジスト層
８０反射型のロータリーエンコーダ
１２０マスター用高反射率部
１４０マスター用低反射率部
１８０凸部
１９０凹部
Ｔ露光周期時間
λ 光源波長

Claims

円板状の基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフー処理が可能なレジスト層とを有する円板状のレジスト基板を用意する工程と、
前記レジスト基板を露光する工程と、
露光された前記レジスト基板を現像する工程と、
を有し、
前記露光する工程では、制御手段を備えた露光機が使用され、該露光機により前記円板状のレジスト基板に対してレーザー照射により微細な凸部と微細な凹部との繰り返し構造からなるマスター用低反射率部を形成するに際し、前記露光機の前記レジスト基材の回転制御をＣＡＶ（Constant Angular Velocity）制御により行うことを特徴とする反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。
前記マスタリング原盤の前記マスター用低反射率部における前記凸部の周方向の長さが、前記エンコーダにおける光源波長（λ）を超えない範囲とし、
かつ、前記マスタリング原盤の前記マスター用低反射率部における半径方向の位置ｒ₁〜ｒ₂、ｒ₂〜ｒ₃、ｒ₃〜ｒ₄、ｒ_n-1〜…ｒ_nの１つの領域内では、
前記マスター用低反射率部の１つの凸部の周方向の物理的長さを、Ｐ₁から始めて外側のトラックに向かうほど大きくなるように設定し、さらに前記凸部の周方向の最大の物理的長さはＰ₂（但し、Ｐ₁＜Ｐ₂＜λであり、Ｐ₂はλを超えない所定の長さである）とし、
さらに、前記凸部の周方向の物理的長さが、Ｐ₂になったら、再びＰ₁の長さに戻って、Ｐ₁〜Ｐ₂のパターンが繰り返されるように、前記露光機の露光周期が制御されていることを特徴とする反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。
前記露光機では、前記レジスト基板に対する前記レーザー光による露光が、光リソグラフィにより行なわれることを特徴とする請求項１に記載の反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。
前記露光機では、前記レジスト基板に対する前記レーザー光による露光が、熱リソグラフィにより行われることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。
前記レジスト基板には、ポジ型のレジスト膜が形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。
前記レジスト基板には、ネガ型のレジスト膜が形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。
前記レジスト基板で前記レジスト基板に対し露光後に前記現像工程でレジストが除去された後、さらにこの除去された部分がエッチングにより削られ、そのエッチングにより削られた部分が、微細な凸部と微細な凹部との繰り返し構造からなるマスター用低反射率部として形成されることを特徴とする請求項３または４に記載の反射型ロータリーエンコーダにおけるスリット板のマスタリング原盤の製造方法。