JP2014011769A - 無線周波数モジュール用基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成でアンテナ特性を向上させることが可能でありかつ製造が容易な無線周波数モジュール用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アンテナ基板部１００は、誘電体層１０および第１の絶縁層２０を含む。誘電体層１０は多孔質材料からなる。誘電体層１０の上面上の所定領域に、正方形状を有するアンテナパターン１１が形成されている。誘電体層１０の下面上には、グランドパターン２１を挟んで第１の絶縁層２０が設けられている。グランドパターン２１は、開口部としてのスロット２１ｓを有する。スロット２１ｓは、誘電体層１０を挟んでアンテナパターン１１の中心部分に対向するように配置されている。第１の絶縁層２０の下面上には、高周波電力を供給可能なマイクロストリップ線路２２ａが形成されている。１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率が２．００以下に設定される。
【選択図】図１

Description

本発明は、アンテナ素子を含む無線周波数モジュール用基板およびその製造方法に関する。

ミリ波を送信または受信可能なアンテナ一体型のＲＦ（無線周波数）モジュールの開発が進められている。このようなＲＦモジュールには、例えば平面アンテナが用いられる。平面アンテナは、誘電体基板上にアンテナ素子が設けられた構成を有する。

平面アンテナのアンテナ素子のサイズは、送信または受信される電波の波長に比例するとともに、誘電体基板の比誘電率の平方根に反比例する。マイクロ波は約１ｃｍから約１ｍ程度の波長を有する。マイクロ波用のアンテナ素子のサイズを小さくするために、誘電体基板の比誘電率を高くすることが知られている。

これに対して、ミリ波は約１ｍｍから約１０ｍｍ以下の波長を有する。このように、ミリ波用のアンテナ素子のサイズはマイクロ波用のアンテナ素子等のサイズに比べて十分に小さい。そのため、ミリ波用の平面アンテナの誘電体基板の比誘電率は高くする必要がない。したがって、ミリ波用のアンテナ素子においては、アンテナ素子の周波数帯域を拡大するとともに高い利得を得るために、誘電体基板の比誘電率を低くすることが好ましい。

特許文献１には、ダイポールアンテナ、誘電体基板およびグランド層からなるダイポール型アンテナ基板が記載されている。誘電体基板の表面に帯状の導体層からなるダイポールアンテナが形成され、誘電体基板の裏面にグランド層が形成されている。このダイポール型アンテナ基板においては、ダイポールアンテナの中心軸に関してダイポールアンテナの両側方に位置する誘電体基板の部分に切り欠きが形成されている。それにより、誘電体基板の実効誘電率が小さくなる。

特許文献２には、パッチ導体と接地導体との間に空隙が形成されたアンテナ装置が記載されている。

特開平１０−３３５９２７号公報 国際公開第２００４／０９５６３９号

しかしながら、特許文献１に記載されたダイポール型アンテナ基板では、誘電体基板に高い精度で切り欠きを形成する必要がある。したがって、製造工程の数が増加し、製造プロセスが複雑化する。

また、特許文献２に記載されたアンテナ装置では、パッチ導体と接地導体との間の空隙はスペーサにより形成される。そのため、アンテナ装置内の部品点数が増加し、構成が複雑化する。また、高い精度でスペーサを作製する必要があるため、製造プロセスが複雑化する。

本発明の目的は、簡単な構成でアンテナ特性を向上させることが可能でありかつ製造が容易な無線周波数モジュール用基板およびその製造方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る無線周波数モジュール用基板は、互いに対向する第１および第２の面を有する第１の絶縁層と、第１の絶縁層の第１の面上に形成され、開口部を有する接地導体層と、接地導体層上に多孔質材料により形成される誘電体層と、接地導体層の開口部に重なるように誘電体層上に形成されるアンテナ素子と、接地導体層の開口部に重なるように第１の絶縁層の第２の面上に形成される導体パターンとを備え、アンテナ素子、接地導体層の開口部および導体パターンは、導体パターンへの高周波電力の供給時またはアンテナ素子による電波の受信時にアンテナ素子が開口部を通して導体パターンと電磁的に結合されるように配置され、１ＧＨｚの周波数における誘電体層の比誘電率は、２．００以下であるものである。

その無線周波数モジュール用基板においては、導体パターンへの高周波電力の供給時にアンテナ素子が接地導体層の開口部を通して導体パターンと電磁的に結合する。それにより、アンテナ素子から電波が放射される。また、アンテナ素子による電波の受信時にアンテナ素子が接地導体層の開口部を通して導体パターンと電磁的に結合する。それにより、導体パターンに高周波電力が発生する。

この場合、多孔質材料を用いることにより１ＧＨｚの周波数における誘電体層の比誘電率が２．００以下に設定されるので、アンテナ素子による電波の放射効率が向上する。また、アンテナ素子による放射可能および受信可能な電波の周波数帯域が拡大される。

さらに、多孔質材料により形成される誘電体層を用いることにより、アンテナ素子と接地導体層との間の領域の比誘電率を複雑な構成を用いることなく容易に低減することができる。

これらの結果、簡単な構成でアンテナ特性を向上させることが可能になるとともに、無線周波数モジュール用基板の製造の容易化が実現される。

（２）誘電体層に含まれる複数の空孔の平均孔径は、５μｍ以下であり、誘電体層の単位体積当りにおける複数の空孔の体積の割合は、４０％以上であってもよい。

この場合、複数の空孔の平均孔径が５μｍ以下であることにより、誘電体層の機械的強度を低下させることなく誘電体層の比誘電率を低くすることができる。また、誘電体層の単位体積当りにおける複数の空孔の体積の割合が４０％以上であることにより、誘電体層内で複数の空孔が均一に分散される。それにより、誘電体層における比誘電率のばらつきの発生が抑制される。

（３）多孔質材料は、多孔質性の樹脂からなってもよい。

樹脂の比誘電率は、ガラスおよびセラミック等の他の材料の比誘電率に比べて低い。それにより、誘電体層の比誘電率を十分に低減することができる。

（４）樹脂は、ポリイミドまたはポリエーテルイミドであってもよい。

ポリイミドおよびポリエーテルイミドは、温度変化時の寸法変化量が小さい特性を有する。したがって、信頼性の高い無線周波数モジュール用基板を作製することができる。

（５）１ＧＨｚの周波数における誘電体層の誘電正接は、０．００５以下であってもよい。

この場合、誘電体層による誘電損失が低減される。それにより、アンテナ素子に高周波電力が供給される場合の電波の放射効率が向上する。また、アンテナ素子による電波の受信効率が向上する。

（６）無線周波数モジュール用基板は、導体パターンを覆うように第１の絶縁層の第２の面上に形成される第２の絶縁層をさらに備え、第２の絶縁層は、高周波電力が出力または入力される電力端子と接地端子とを有する電子部品が実装可能な実装領域を有し、第２の絶縁層の実装領域には、導体パターンに電気的に接続されかつ電子部品の電力端子に接続可能な第１の端子と、接地導体層に電気的に接続されかつ電子部品の接地端子に接続可能な第２の端子とが形成されてもよい。

この場合、電子部品を無線周波数モジュール用基板の実装領域に実装することにより、小型の無線周波数モジュールを容易に作製することができる。

（７）電子部品は、外部信号の入力もしくは出力または電源電圧の供給のための外部端子をさらに有し、第２の絶縁層の実装領域には、電子部品の外部端子に接続可能な第３の端子がさらに形成され、第２の絶縁層上に、第３の端子から実装領域外に延びる配線パターンが形成されてもよい。

この場合、無線周波数モジュール用基板に実装された電子部品に対して配線パターンを通して外部信号を入力もしくは出力し、または電源電圧を容易に供給することができる。

（８）第２の発明に係る無線周波数モジュール用基板の製造方法は、導体パターン、絶縁層、開口部を有する接地導体層、多孔質材料からなる誘電体層およびアンテナ素子をこの順に含む積層構造を形成する工程を備え、アンテナ素子、接地導体層の開口部および導体パターンは、導体パターンへの高周波電力の供給時またはアンテナ素子による電波の受信時にアンテナ素子が開口部を通して導体パターンと電磁的に結合されるように配置され、１ＧＨｚの周波数における誘電体層の比誘電率は、２．００以下であるものである。

その無線周波数モジュール用基板の製造方法によれば、導体パターン、絶縁層、開口部を有する接地導体層、多孔質材料からなる誘電体層およびアンテナ素子をこの順に含む積層構造が形成される。この積層構造においては、導体パターンへの高周波電力の供給時にアンテナ素子が接地導体層の開口部を通して導体パターンと電磁的に結合する。それにより、アンテナ素子から電波が放射される。また、アンテナ素子による電波の受信時にアンテナ素子が接地導体層の開口部を通して導体パターンと電磁的に結合する。それにより、導体パターンに高周波電力が発生する。

この場合、多孔質材料を用いることにより１ＧＨｚの周波数における誘電体層の比誘電率が２．００以下に設定されるので、アンテナ素子による電波の放射効率が向上する。また、アンテナ素子による放射可能および受信可能な電波の周波数帯域が拡大される。

さらに、多孔質材料により形成される誘電体層を用いることにより、アンテナ素子と接地導体層との間の領域の比誘電率を複雑な構成を用いることなく容易に低減することができる。

これらの結果、簡単な構成でアンテナ特性を向上させることが可能になるとともに、無線周波数モジュール用基板の製造の容易化が実現される。

（９）積層構造を形成する工程は、互いに対向する第１および第２の面を有する絶縁層を用意する工程と、絶縁層の第１の面上に接地導体層を形成する工程と、絶縁層の第２の面上に導体パターンを形成する工程と、接地導体層上に誘電体層を形成する工程と、誘電体層上にアンテナ素子を形成する工程とを含み、誘電体層を形成する工程は、流動性の樹脂および硬化した樹脂に対して相分離する相分離化剤を含む組成物を接地導体層上に塗布する工程と、樹脂を硬化させることにより接地導体層上でミクロ相分離構造を有する樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜から相分離化剤を除去する工程とを含んでもよい。

この場合、互いに対向する第１および第２の面を有する絶縁層が用意され、絶縁層の第１の面上に接地導体層が形成される。絶縁層の第２の面上に導体パターンが形成され、接地導体層上に誘電体層が形成される。誘電体層上にアンテナ素子が形成される。

誘電体層の形成時においては、流動性の樹脂および硬化した樹脂に対して相分離する相分離化剤を含む組成物が接地導体層上に塗布された後、樹脂が硬化され、接地導体層上でミクロ相分離構造を有する樹脂膜が形成される。その後、樹脂膜から相分離化剤が除去される。

このようにして、接着剤等の接合材料を用いることなく接地導体層上に誘電体層が形成される。また、接着剤等の接合材料を用いることなくアンテナ素子が誘電体層上に形成される。その結果、アンテナ素子と接地導体層との間の領域の比誘電率の増加を防止しつつ無線周波数モジュール用基板を容易に作製することができる。

（１０）樹脂膜から相分離化剤を除去する工程は、樹脂膜に溶剤を含浸させることにより樹脂膜から相分離化剤を抽出する工程を含んでもよい。

この場合、樹脂膜内で樹脂と相分離している相分離化剤が溶剤により溶解する。溶解した相分離化剤が抽出されることにより、樹脂膜内に複数の空孔が形成される。

（１１）樹脂は、ポリアミド酸であり、誘電体層を形成する工程は、樹脂膜から相分離化剤を除去する工程の後、ポリアミド酸をポリイミドへ変換する工程をさらに含んでもよい。

これにより、接地導体層上に、多孔質性のポリイミドからなる誘電体層を形成することができる。ポリイミドは、温度変化時の寸法変化量が小さい特性を有する。したがって、信頼性の高い無線周波数モジュール用基板を作製することができる。

（１２）積層構造を形成する工程は、互いに対向する第１および第２の面を有する絶縁層を用意する工程と、開口部を有する第１の導体層を絶縁層の第１の面上に形成する工程と、絶縁層の第２の面上に導体パターンを形成する工程と、互いに対向する第３および第４の面を有する誘電体層を用意する工程と、開口部を有する第２の導体層を誘電体層の第３の面上に形成する工程と、誘電体層の第４の面上にアンテナ素子を形成する工程と、第１の導体層と第２の導体層とを接合することにより接地導体層を形成する工程とを含んでもよい。

この場合、互いに対向する第１および第２の面を有する絶縁層が用意され、開口部を有する第１の導体層が絶縁層の第１の面上に形成され、導体パターンが絶縁層の第２の面上に形成される。互いに対向する第３および第４の面を有する誘電体層が用意され、開口部を有する第２の導体層が誘電体層の第３の面上に形成され、アンテナ素子が誘電体層の第４の面上に形成される。アンテナ素子が誘電体層の第４の面上に形成される。第１の導体層と第２の導体層とが接合されることにより接地導体層が形成される。

このようにして、接着剤等の接合材料を用いることなく開口部を有する第２の導体層が誘電体層の第３の面上に形成される。また、接着剤等の接合材料を用いることなくアンテナ素子が誘電体層の第４の面上に形成される。その結果、アンテナ素子と接地導体層との間の領域の比誘電率の増加を防止しつつ無線周波数モジュール用基板を容易に作製することができる。

本発明によれば、簡単な構成でアンテナ特性を向上させることが可能でありかつ無線周波数モジュール用基板の製造の容易化が実現される。

（ａ）は本発明の一実施の形態に係るＲＦモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図である。 図１（ｂ）のアンテナ基板部の製造方法を示す模式図である。 図２（ｅ）のアンテナ基板部を用いたＲＦモジュールの製造方法を示す模式図である。 図１（ｂ）のアンテナ基板部の他の製造方法を示す模式図である。 図２（ａ）の三層基材の製造方法を示す模式的断面図である。 比較例３のサンプルの構成を説明するための模式図である。 比較例５のサンプルの構成を説明するための模式図である。 実施例１および比較例１，２のサンプルについてのシミュレーション結果を示す図である。 実施例１および比較例３，４のサンプルについてのシミュレーション結果を示す図である。 実施例１および比較例５，６のサンプルについてのシミュレーション結果を示す図である。

以下、無線周波数モジュール用基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下の説明では、無線周波数モジュールをＲＦモジュールと略記する。

（１）ＲＦモジュールの構成
図１（ａ）は本発明の一実施の形態に係るＲＦモジュールの平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係るＲＦモジュール１は、ＲＦモジュール用基板１ＡおよびＲＦＩＣ（無線周波数集積回路）１Ｂを含み、例えばミリ波（３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数帯域の電波）を放射または受信する。

ＲＦモジュール用基板１Ａはアンテナ基板部１００を備える。アンテナ基板部１００は、誘電体層１０および第１の絶縁層２０を含む。

誘電体層１０は多孔質材料からなり、上面および下面を有する。本実施の形態においては、誘電体層１０の多孔質材料として多孔質性の樹脂が用いられる。誘電体層１０の上面上の所定領域に、正方形状を有するアンテナパターン１１が形成されている。

誘電体層１０の下面上には、グランドパターン２１を挟んで第１の絶縁層２０が設けられている。第１の絶縁層２０は上面および下面を有する。グランドパターン２１は、開口部として長方形状のスロット２１ｓを有する。スロット２１ｓは、誘電体層１０を挟んでアンテナパターン１１の中心部分に対向するように配置されている。

第１の絶縁層２０の下面上には、マイクロストリップ線路２２ａおよびグランドパターン２２ｂが形成されている。マイクロストリップ線路２２ａは、マイクロストリップ線路２２ａの一部が誘電体層１０、グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの形成部分および第１の絶縁層２０を挟んでアンテナパターン１１の中心部分に対向するように配置されている。第１の絶縁層２０におけるグランドパターン２２ｂの形成領域にスルーホール２０ｈが形成されている。スルーホール２０ｈ内に導電性材料として銅ＶＣが充填される。これにより、グランドパターン２１とグランドパターン２２ｂとが電気的に接続される。

本実施の形態においては、上記の誘電体層１０、アンテナパターン１１、第１の絶縁層２０、グランドパターン２１、マイクロストリップ線路２２ａおよびグランドパターン２２ｂを含む積層構造が、アンテナ基板部１００を構成する。

アンテナ基板部１００の第１の絶縁層２０の下面上に、マイクロストリップ線路２２ａおよびグランドパターン２２ｂを覆うように第２の絶縁層３０が形成されている。第２の絶縁層３０は上面および下面を有する。第２の絶縁層３０の下面上にＲＦＩＣ１Ｂを実装可能な実装領域１ＢＡが設けられる。図１（ａ），（ｂ）では、実装領域１ＢＡが２点差線で示される。

第２の絶縁層３０の下面上では、実装領域１ＢＡに複数の電極パターン３１ａ，３１ｂ，３１ｃが形成されている。また、電極パターン３１ｃから実装領域１ＢＡ外に延びるように配線パターン３１ｄが形成されている。

第２の絶縁層３０における２つの電極パターン３１ａ，３１ｂの形成領域にそれぞれ２つのスルーホール３０ｈが形成されている。各スルーホール３０ｈ内に導電性材料として銅ＶＣが充填される。これにより、マイクロストリップ線路２２ａと電極パターン３１ａとが電気的に接続される。また、グランドパターン２１と電極パターン３１ｂとがグランドパターン２２ｂを通して電気的に接続される。

３つの電極パターン３１ａ，３１ｂ，３１ｃ上には、それぞれ３つの電極端子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが形成されている。

ここで、ＲＦＩＣ１Ｂは、電力端子５０ａ、接地端子５０ｂおよび外部端子５０ｃを有する。電力端子５０ａは、ＲＦＩＣ１Ｂから高周波電力を出力するためまたはＲＦＩＣ１Ｂに高周波電力を入力するために用いられる。外部端子５０ｃは、ＲＦＩＣ１Ｂから外部信号を出力するためまたはＲＦＩＣ１Ｂに外部信号を入力するために用いられる。外部端子５０ｃは、ＲＦＩＣ１Ｂへの電源電圧の供給のために用いられてもよい。

第２の絶縁層３０の実装領域１ＢＡ上にＲＦＩＣ１Ｂを実装する場合には、ＲＦＩＣ１Ｂの電力端子５０ａ、接地端子５０ｂおよび外部端子５０ｃが、それぞれ図示しないはんだを介して電極端子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに接続される。この状態で、第２の絶縁層３０の下面とＲＦＩＣ１Ｂとの間の空間に封止樹脂４１が充填される。

第２の絶縁層３０の下面上では、さらに配線パターン３１ｄの一部を覆うようにカバー絶縁層４２が形成される。カバー絶縁層４２から露出する配線パターン３１ｄの部分にはんだボール４３が設けられている。

本実施の形態に係るＲＦモジュール１においては、ＲＦＩＣ１Ｂの電力端子５０ａからマイクロストリップ線路２２ａへ高周波電力が供給される。それにより、アンテナパターン１１がグランドパターン２１のスロット２１ｓを通してマイクロストリップ線路２２ａと電磁的に結合する。それにより、アンテナパターン１１から電波が放射される。

また、このＲＦモジュール１においては、アンテナパターン１１による電波の受信時に、アンテナパターン１１がグランドパターン２１のスロット２１ｓを通してマイクロストリップ線路２２ａと電磁的に結合する。それにより、マイクロストリップ線路２２ａに高周波電力が発生する。発生した高周波電力は、ＲＦＩＣ１Ｂの電力端子５０ａに入力される。

本実施の形態において、アンテナパターン１１から放射される電波およびアンテナパターン１１により受信される電波の周波数帯域は、５０ＧＨｚ以上８０ＧＨｚ以下であることが好ましく、５５ＧＨｚ以上７７ＧＨｚ以下であることがより好ましい。

（２）アンテナ基板部１００およびＲＦモジュール１の製造方法
図２は、図１（ｂ）のアンテナ基板部１００の製造方法を示す模式図である。図２（ａ）〜（ｅ）においては、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図に相当する断面図が示される。

まず、図２（ａ）に示すように、第１の絶縁層２０および２つの導体層２１ｘ，２２ｘからなる三層基材２０ｘを用意する。三層基材２０ｘにおいては、第１の絶縁層２０の上面および下面にそれぞれ導体層２１ｘ，２２ｘが形成されている。

第１の絶縁層２０は、例えば液晶ポリマーまたは多孔質性の樹脂からなる。第１の絶縁層２０は、後述する誘電体層１０と同じ材料により構成されてもよい。本例では、１ＧＨｚの周波数における第１の絶縁層２０の比誘電率は、例えば１．００よりも大きく５以下であり、１．００よりも大きく３．５以下であることが好ましい。

１ＧＨｚの周波数における第１の絶縁層２０の誘電正接は、例えば０．０１以下であり、０．００５以下であることが好ましく、０．００４以下であることがより好ましい。

第１の絶縁層２０の厚みは、例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、２５μｍ以上１２５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。

導体層２１ｘ，２２ｘはそれぞれ銅からなる。導体層２１ｘ，２２ｘの各々の厚みは、６０ＧＨｚの周波数における導体層２１ｘ，２２ｘの表皮深さ以上の大きさを有する。導体層２１ｘ，２２ｘの各々の厚みは、例えば０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上１８μｍ以下であることがより好ましい。

次に、図２（ｂ）に示すように、一方の導体層２１ｘの一部領域をエッチングすることにより導体層２１ｘに図１のスロット２１ｓを形成する。それにより、第１の絶縁層２０の上面上にグランドパターン２１が形成される。また、他方の導体層２２ｘの一部領域をエッチングする。それにより、第１の絶縁層２０の下面上にマイクロストリップ線路２２ａおよびグランドパターン２２ｂが形成される。さらに、グランドパターン２２ｂの形成領域にスルーホール２０ｈを形成し、電解めっきによりスルーホール２０ｈ内に銅ＶＣを充填する。このようにして、グランドパターン２１とグランドパターン２２ｂとを電気的に接続する。

次に、図２（ｃ）に示すように、グランドパターン２１上に多孔質性の樹脂により誘電体層１０を形成する。誘電体層１０の形成方法については後述する。誘電体層１０の形成時には、誘電体層１０を構成する多孔質性の樹脂の一部がグランドパターン２１のスロット２１ｓ部分に充填される。

本実施の形態においては、誘電体層１０に多孔質性の樹脂を用いることにより、１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率が１．００よりも大きく２．００以下に設定される。この場合、ＲＦモジュール１における電波の放射効率および受信効率が向上する。また、ＲＦモジュール１において放射可能および受信可能な電波の周波数帯域が拡大される。これらのアンテナ特性をさらに向上させるために、周波数１ＧＨｚにおける誘電体層１０の比誘電率は、１．００よりも大きく１．６０以下であることが好ましく、１．００よりも大きく１．５０以下であることがより好ましい。

多孔質材料の比誘電率は、次のようにして求めることができる。まず、空洞共振器接動法により１ＧＨｚの周波数における多孔質材料の複素誘電率を測定する。測定結果のうち実数部を多孔質材料の比誘電率とする。例えば１ＧＨｚの周波数の空洞共振器（関東電子応用開発社製）とネットワークアナライザ（アジレント・テクノロジー社製；Ｎ５２３０Ｃ）とを用いることにより、空洞共振器接動法で１ＧＨｚの周波数おける多孔質材料の複素誘電率を測定することができる。

１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の誘電正接は、例えば０．００５以下である。この場合、誘電体層１０による誘電損失が低減され、ＲＦモジュール１における電波の放射効率および受信効率が向上する。ＲＦモジュール１における電波の放射効率および受信効率をより向上させるために、１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の誘電正接は、０．００４以下であることが好ましい。

誘電体層１０の厚みは、例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、２５μｍ以上１２５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。誘電体層１０の厚みが２０μｍ以上である場合、誘電体層１０による誘電損失が低減され、ＲＦモジュール１における電波の放射効率および受信効率が向上する。また、誘電体層１０の厚みが１５０μｍ以下である場合、ＲＦモジュール１における不要な高次モードの発生が抑制される。

誘電体層１０に含まれる複数の空孔の平均孔径は、例えば０μｍよりも大きく５μｍ以下であり、０μｍよりも大きく３μｍ以下であることが好ましい。複数の空孔の平均孔径が０μｍよりも大きく５μｍ以下である場合には、誘電体層１０の絶縁性および誘電体層１０の機械的強度を低下させることなく、誘電体層１０の比誘電率および誘電正接を低くすることができる。

誘電体層１０に含まれる複数の空孔の平均孔径は、次のようにして求めることができる。例えば、誘電体層１０の切断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察することにより、誘電体層１０の切断面の画像を得る。得られた画像に画像処理（二値化処理）を行う。それにより、複数の空孔画像を抽出する。抽出された複数の空孔画像のうち一部（外形の大きい空孔から順に５０個程度）の空孔画像について、各空孔画像の外径の最大値を測定する。測定結果に基づいて複数の空孔の平均孔径を算出する。

誘電体層１０は、例えば独立気泡構造または半連続半独立気泡構造を有する。半連続半独立気泡構造とは、独立気泡構造と連続気泡構造とが混在している構造である。誘電体層１０は、独立気泡構造部が８０％以上であることが好ましく、独立気泡構造部が９０％以上であることがより好ましい。独立気泡構造によれば、後述するアンテナパターン１１の形成時に、誘電体層１０にエッチング液が浸透することが防止される。なお、誘電体層１０は連続気泡構造を有してもよい。

誘電体層１０の単位体積当りにおける複数の空孔の体積の割合（以下、空孔率と呼ぶ。）は例えば４０％以上であり、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。誘電体層１０の空孔率が４０％以上であると、誘電体層１０内で複数の空孔が均一に分散される。それにより、誘電体層１０における比誘電率のばらつきの発生が抑制される。

誘電体層１０の空孔率は、例えば次のようにして求めることができる。誘電体層１０に用いられる樹脂であって、多孔質化されていない樹脂の比重を測定する。また、誘電体層１０に用いられる多孔質性の樹脂の比重を測定する。その後、測定された樹脂の比重をＤ１とし、測定された多孔質性の樹脂の比重をＤ２とした場合に、空孔率Ｐは下記式（１）を用いて算出することができる。

Ｐ（％）＝[１−（Ｄ２／Ｄ１）]×１００ …（１）
多孔質化されていない樹脂の比重および多孔質性の樹脂の比重を測定するために、例えば比重計（アルファーミラージュ社製；ＭＤ−３００Ｓ）を用いることができる。

次に、誘電体層１０の上面上に、例えばスパッタリング法によりクロムおよび銅の積層膜からなるシード層を形成する。シード層は、クロムおよび銅の積層膜に限らず、例えばクロムの単層膜であってもよい。シード層を無電解めっきにより形成してもよい。その後、図２（ｄ）に示すように、シード層上の全体に硫酸銅等のめっき液を用いた電解めっきにより例えば銅からなる導体層１１ｘを形成する。図２（ｄ）では、シード層の図示を省略する。

次に、図２（ｅ）に示すように、導体層１１ｘおよびシード層の一部領域をエッチングする。具体的には、導体層１１ｘ上に例えば感光性ドライフィルムレジスト等のレジスト膜を形成する。その後、レジスト膜を所定のパターンで露光した後、炭酸ナトリウム等の現像液を用いて現像することによりエッチングレジストを形成する。続いて、エッチングレジストから露出する導体層１１ｘの部分およびシード層の露出する部分を塩化第二鉄等のエッチング液を用いてエッチングする。その後、エッチングレジストを水酸化ナトリウム等の剥離液より除去する。それにより、誘電体層１０の上面上に導体層１１ｘおよびシード層からなるアンテナパターン１１が形成される。このように、本例では、アンテナパターン１１がサブトラクティブ法により形成される。これにより、アンテナ基板部１００が完成する。

アンテナパターン１１は銅からなる。アンテナパターン１１の厚みは、６０ＧＨｚの周波数におけるアンテナパターン１１の表皮深さ以上の大きさを有する。アンテナパターン１１の厚みは、例えば０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上１８μｍ以下であることがより好ましい。

図３は、図２（ｅ）のアンテナ基板部１００を用いたＲＦモジュール１の製造方法を示す模式図である。図３（ａ）〜（ｄ）においては、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図に相当する断面図が示される。

図３（ａ）に示すように、アンテナ基板部１００の第１の絶縁層２０の下面上にマイクロストリップ線路２２ａおよびグランドパターン２２ｂを覆うように第２の絶縁層３０を形成する。

第２の絶縁層３０は、例えば液晶ポリマーまたは多孔質性の樹脂からなる。第２の絶縁層３０の厚みは、例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、２５μｍ以上１２５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。

第２の絶縁層３０として液晶ポリマーまたは多孔質性の樹脂からなるシート部材を用いる場合には、そのシート部材を第１の絶縁層２０の下面上に熱圧着により接合する。それにより、第１の絶縁層２０の下面上に第２の絶縁層３０が形成される。

第２の絶縁層３０は、誘電体層１０と同じ材料により構成されてもよい。第２の絶縁層３０として誘電体層１０と同じ材料を用いる場合には、後述する誘電体層１０の形成方法と同じ方法で、第１の絶縁層２０の下面上に第２の絶縁層３０が形成される。

次に、図３（ｂ）に示すように、アディティブ法、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等により第２の絶縁層３０の下面上の所定領域に３つの電極パターン３１ａ，３１ｂ，３１ｃおよび配線パターン３１ｄを形成する。さらに、２つの電極パターン３１ａ，３１ｂの形成領域にそれぞれ２つのスルーホール３０ｈを形成し、電解めっきによりスルーホール３０ｈ内に銅ＶＣを充填する。このようにして、マイクロストリップ線路２２ａと電極パターン３１ａとを電気的に接続し、グランドパターン２２ｂと電極パターン３１ｂとを電気的に接続する。第２の絶縁層３０の下面上では、３つの電極パターン３１ａ，３１ｂ，３１ｃを含む領域が図１のＲＦＩＣ１Ｂの実装領域１ＢＡとして設定される。

複数の電極パターン３１ａおよび配線パターン３１ｄの厚みは、例えば０．５μｍ以上３５μｍ以下であり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上１８μｍ以下であることがより好ましい。

次に、図３（ｃ）に示すように、３つの電極パターン３１ａ，３１ｂ，３１ｃ上にそれぞれ３つの電極端子４０ａ，４０ｂ，４０ｃを形成する。電極端子４０ａ，４０ｂ，４０ｃの材料としては、金、銀またはそれらの合金等の金属材料を用いることができる。

また、配線パターン３１ｄの一部を覆うように第２の絶縁層３０の下面上にカバー絶縁層４２を形成する。カバー絶縁層４２の材料としては、ポリイミド等の樹脂を用いることができる。さらに、カバー絶縁層４２から露出する配線パターン３１ｄの部分にはんだボール４３を設ける。

最後に、図３（ｄ）に示すように、ＲＦＩＣ１Ｂの電力端子５０ａ、接地端子５０ｂおよび外部端子５０ｃがそれぞれ３つの電力端子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに接続されるように、第１の絶縁層２０の実装領域１ＢＡ上にＲＦＩＣ１Ｂを実装する。また、第２の絶縁層３０の下面とＲＦＩＣ１Ｂとの間の空間に封止樹脂４１を充填する。それにより、図１のＲＦモジュール１が完成する。封止樹脂４１としては、ポリイミドまたはエポキシ樹脂等を用いることができる。

（３）誘電体層１０
（３−ａ）誘電体層１０の形成方法
図２（ｃ）に示される誘電体層１０の形成方法の一例を説明する。誘電体層１０に用いられる多孔質性の樹脂は、耐熱性を有する熱硬化性樹脂、エンジニアリングプラスチックまたはスーパーエンジニアリングプラスチックであることが好ましい。また、誘電体層１０を形成するための樹脂は、５％重量減少温度が２５０℃以上の樹脂であることが好ましく、５％重量減少温度が２８０℃以上の樹脂であることがより好ましい。誘電体層１０を形成するための樹脂として熱可塑性樹脂を用いる場合には、ガラス転移温度が１５０℃以上である熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。

誘電体層１０を形成するための樹脂としては、例えばポリアミド、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートまたは環状ポリオレフィン等のエンジニアリングプラスチックを用いることができる。また、誘電体層１０を形成するための樹脂としては、例えばポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリイミドまたはポリエーテルイミド等のスーパーエンジニアリングプラスチックを用いることができる。また、誘電体層１０を形成するための樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂（ユリア樹脂）、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、熱硬化性ポリイミド、シリコーン樹脂またはジアリルフタレート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。誘電体層１０を形成するための樹脂としては、上記の複数の樹脂のうち１つの樹脂を単独で用いてもよいし、２種類以上の複数の樹脂の混合物を用いてもよい。

ポリイミドおよびポリエーテルイミドは、温度変化時の寸法変化量が小さい特性を有する。したがって、誘電体層１０を形成するための樹脂としては、上記の熱可塑性樹脂のうちポリイミドおよびポリエーテルイミドを用いることがより好ましい。これにより、信頼性の高いＲＦモジュール用基板１Ａ（図１）を作製することができる。

ポリイミドは、例えば有機テトラカルボン酸二無水物とジアミノ化合物とを反応させてポリイミド前駆体（ポリアミド酸）を合成し、合成されたポリイミド前駆体を脱水閉環反応させることにより得ることができる。ポリエーテルイミドは、例えば２，２，３，３−テトラカルボキシジフェニレンエーテル二無水物等の芳香族ビスエーテル無水物とジアミノ化合物との脱水閉環反応により得ることができる。

以下、誘電体層１０を形成するための樹脂としてポリイミドを用いる場合について説明する。

この場合、有機テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４一ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物またはこれらの有機テトラカルボン酸二無水物のうちいずれか２種以上の有機テトラカルボン酸二無水物の混合物を用いることができる。

上記ジアミノ化合物としては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニル、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルまたはこれらのジアミノ化合物のうちいずれか２種以上のジアミノ化合物の混合物を用いることができる。

誘電体層１０を形成するための樹脂としてポリイミドを用いる場合には、有機テトラカルボン酸二無水物として、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用い、ジアミノ化合物としてｐ−フェニレンジアミンおよび４，４’−ジアミノフェニルエーテルの混合物を用いることが好ましい。

ポリイミド前駆体は、例えば０℃以上９０℃以下の有機溶剤中で有機テトラカルボン酸二無水物とジアミノ化合物とを所定時間（１時間以上２４時間以下）反応させることにより得られる。上記の有機溶媒として、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはジメチルスルホキシド等の極性溶媒を用いることができる。また、上記の有機溶媒として、トルエンまたはキシレン等の芳香族炭化水素を用いてもよいし、メタノール、エタノールまたはイソプロピルアルコール等のアルコール類を用いてもよいし、メチルエチルケトンまたはアセトン等のケトン類を用いてもよい。ポリイミド前駆体１００重量部に対して上記のいずれかの有機溶媒を１００重量部以上５００重量部以下混合することが好ましく、樹脂１００重量部に対して上記のいずれかの有機溶媒を３００重量部以上５００重量部以下混合することがより好ましい。

ポリイミド前駆体の脱水閉環反応は、例えばポリイミド前駆体を３００℃以上４００℃以下の温度で加熱する、またはポリイミド前駆体に無水酢酸とピリジンの混合物などの脱水環化剤を作用させることにより行われる。

なお、ポリイミドは、上記の例に代えて、有機テトラカルボン酸二無水物とＮ−シリル化ジアミンとを反応させることによりポリアミド酸シリルエステルを生成し、生成されたポリアミド酸シリルエステルを加熱して閉環反応させることにより得ることも可能である。

多孔質性のポリイミドを作製する場合、上記のようにして得られるポリイミド前駆体に相分離化剤を混合する。本実施の形態において、相分離化剤とは、流動性のポリイミド前駆体に対して相溶性を有しかつ硬化されたポリイミド前駆体と相分離する特性を有する化合物である。

このような相分離化剤としては、例えば、ポリエチレングリコール、トリプロピレングリコールまたはポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリコールを用いることができる。また、相分離化剤としては、ポリアルキレングリコールの片末端メチル封鎖物を用いてもよいし、ポリアルキレングリコールの両末端メチル封鎖物を用いてもよい。また、相分離化剤としては、ポリアルキレングリコールの片末端（メタ）アクリレート封鎖物を用いてもよいし、ポリアルキレングリコールの両末端（メタ）アクリレート封鎖物を用いてもよい。また、相分離化剤としては、ウレタンプレポリマーを用いてもよい。また、相分離化剤としては、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレートまたはオリゴエステル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート系化合物を用いてもよい。また、相分離化剤としては、上記の材料のうち１種類の材料を用いてもよいし、２種類以上の材料を混合して用いてもよい。

本例においては、上記の相分離化剤を用いることにより、微細なミクロ相分離構造を得ることができる。相分離化剤の重量平均分子量は、例えば１００以上１００００以下であることが好ましく、１００以上２０００以下であることがより好ましい。相分離化剤の重量平均分子量が１００以上である場合、ポリイミド前駆体と相分離化剤とを確実に相分離させることができる。また、相分離化剤の重量平均分子量が１００００以下である場合には、ポリイミド前駆体から作製される多孔質性のポリイミドに含まれる複数の空孔の平均孔径を容易に５μｍ以下にすることができる。

本実施の形態では、誘電体層１０の空孔率は例えば４０％以上である。誘電体層１０の空孔率を４０％以上にするために、例えばポリイミド前駆体１００重量部に２５重量部以上３００重量部以下の相分離化剤を混合する。また、ポリイミド前駆体１００重量部に５０重量部以上２００重量部以下の相分離化剤を混合することがより好ましい。

上記のように、多孔質性のポリイミドを得るためにポリイミド前駆体が用いられる場合には、相分離化剤としてポリアルキレングリコールを用いることが好ましい。

誘電体層１０の形成時には、例えば上記のポリイミド前駆体と相分離化剤と有機溶剤とを混合することにより得られる組成物を、塗工機を用いてグランドパターン２１上に塗布する。

次に、組成物中のポリイミド前駆体を硬化させることにより、相分離化剤をポリイミド前駆体に対して不溶化させる。この状態で、第１の絶縁層２０上に塗布された組成物中の有機溶剤を蒸発させる。それにより、組成物中にミクロ相分離構造が形成された状態で、グランドパターン２１上にポリイミド前駆体の膜（以下、ポリアミド酸膜と呼ぶ。）が形成される。有機溶剤を蒸発させる場合には、組成物の温度を例えば１０℃以上２５０℃以下に調整することが好ましく、６０℃以上２００℃以下に調整することがより好ましい。

次に、ポリアミド酸膜から溶剤を用いて相分離化剤を抽出する。溶剤としては、相分離化剤に対して良溶媒でありかつ樹脂の硬化体（本例では、ポリアミド酸膜）を溶解しないものが用いられる。このような溶剤としては、例えば、トルエン、エタノール、酢酸エチルおよびヘプタン等の有機溶剤を用いることができる。また、溶剤として、液化二酸化炭素、亜臨界二酸化炭素または超臨界二酸化炭素等を用いることができる。

溶剤として液化二酸化炭素、亜臨界二酸化炭素または超臨界二酸化炭素を用いる場合には、上記のポリアミド酸膜を含む積層体を圧力容器内に収容した後、圧力容器内の温度および圧力が二酸化炭素の臨界点以上になるように、圧力容器内の温度および圧力を調整する。この場合、圧力容器内の雰囲気は、３２℃以上２３０℃以下の温度かつ７．３ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の圧力に設定されることが好ましく、４０℃以上２００℃以下の温度かつ１０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下の圧力に設定されることがより好ましい。

この状態で、液化二酸化炭素、亜臨界二酸化炭素または超臨界二酸化炭素を圧力容器内へ連続的に供給するとともに、圧力容器内の雰囲気を排出する。これにより、ポリアミド酸膜に溶剤が浸透し、ポリアミド酸膜内の相分離化剤が抽出される。その結果、ポリアミド酸膜から相分離化剤が除去され、多孔質性のポリアミド酸膜が得られる。

最後に、多孔質性のポリアミド酸膜を３００℃以上４００℃以下の温度で加熱することにより、ポリアミド酸をポリイミドに変換する。このようにして、接着剤等の接合材料を用いることなく、グランドパターン２１上に多孔質性のポリイミドからなる誘電体層１０を形成することができる。

なお、本実施の形態において、誘電体層１０は、樹脂に限らず添加剤を含んでもよい。添加剤としては、可塑剤、滑剤、着色剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、充填剤、補強剤、難燃剤または帯電防止剤等を用いることができる。

（３−ｂ）誘電体層１０の形成方法の具体例
上記の誘電体層１０の形成方法の具体例について説明する。まず、１０００ｍｌの４つロフラスコに、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７８５．３ｇ、ｐ−フェニレンジアミン４４．１ｇおよび４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．４ｇを入れ、これらの混合物を常温で攪拌する。それにより、ｐ−フェニレンジアミンおよび４，４’−ジアミノジフェニルエーテルをＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させる。

次に、４つロフラスコ内の組成物に３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１５０．２ｇを添加し、ｐ−フェニレンジアミンおよび４，４’−ジアミノジフェニルエーテルと３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを２５℃で１時間反応させる。その後、４つロフラスコ内の組成物を７５℃で２５時間加熱する。それにより、上記のポリイミド前駆体として溶液粘度が１６０Ｐａ・ｓのポリアミド酸溶液（固形分濃度２０ｗｔ％）を得る。ポリアミド酸溶液の溶液粘度は、例えばＢ型粘度計により測定される。

得られたポリアミド酸溶液に、相分離化剤として重量平均分子量４００のポリプロピレングリコールをポリアミド酸溶液１００重量部に対して１２０重量部添加し、その混合物を攪拌することにより均一かつ透明な組成物を得る。

得られた組成物を塗工機を用いてグランドパターン２１上に塗布する。その後、組成物を１１０℃で３分間加熱することによりＮ−メチル−２−ピロリドンを蒸発させる。このようにして、グランドパターン２１上にポリアミド酸膜を形成する。

次に、ポリアミド酸膜を含む積層体を圧力容器に入れ、圧力容器内の雰囲気を２５℃かつ２５ＭＰａに調整する。その後、圧力容器内の圧力を２５ＭＰａに維持しつつ、約１５Ｌ／ｍｉｎの流量（気体の流量）で５時間に渡って二酸化炭素を圧力容器内へ連続的に供給するとともに、圧力容器内の雰囲気を排出する。それにより、多孔質性のポリアミド酸膜を得る。

続いて、多孔質性のポリアミド酸膜を含む積層体を圧力容器から取り出し、取り出した積層体を真空オーブンに入れる。この状態で、真空オーブン内の圧力を５Ｔｏｒｒ以下に減圧し、真空オーブン内の温度を６０分で３４０℃まで上昇させる。その後、真空オーブン内の圧力が５Ｔｏｒｒ以下かつ真空オーブン内の温度が３４０℃の状態を１０分保持することにより、ポリアミド酸をポリイミドに変換する。このようにして、グランドパターン２１上に多孔質性のポリイミドからなる誘電体層１０を形成する。

（４）アンテナ基板部１００の他の製造方法
図２の例では、グランドパターン２１上にポリイミド前駆体を塗布し、多孔質性のポリイミドを生成することによりアンテナ基板部１００が作製される。

これに限らず、アンテナ基板部１００を以下のように作製してもよい。図４は、図１（ｂ）のアンテナ基板部１００の他の製造方法を示す模式図である。図４（ａ）〜（ｅ）においては、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図に相当する断面図が示される。

まず、図４（ａ）に示すように、樹脂製の多孔質材料からなるシート部材を誘電体層１０として用意する。本例の多孔質材料としては、ｅＰＴＦＥ（延伸ポリテトラフルオロエチレン）が用いられる。ｅＰＴＦＥは、連続孔（連続気泡構造）を有する。ｅＰＴＦＥの平均孔径は、例えば０．０５μｍ以上１．０μｍ以下である。

本例においても、誘電体層１０の厚みは例えば２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、２５μｍ以上１２５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。

次に、誘電体層１０の上面上および下面上に、例えばスパッタリング法によりクロムおよび銅の積層膜からなるシード層を形成する。シード層を無電解めっきにより形成してもよい。その後、図４（ｂ）に示すように、誘電体層１０の上面上で、シード層上の全体に硫酸銅等のめっき液を用いた電解めっきにより例えば銅からなる導体層１１ｘを形成する。同様に、誘電体層１０の下面上で、例えば銅からなる導体層２１１ｘを形成する。図４（ｂ）では、シード層の図示を省略する。

次に、図２（ｅ）の工程で行われるエッチングと同様の方法で、図４（ｃ）に示すように、導体層１１ｘ，２１１ｘおよびシード層の一部領域をエッチングする。このようにして、サブトラクティブ法により誘電体層１０の上面上にアンテナパターン１１が形成され、誘電体層１０の下面上に所定の導体パターン２１１が形成される。導体パターン２１１においては、誘電体層１０を挟んでアンテナパターン１１の中心部分に対向する一部領域にスロット２１ｓが形成される。

次に、図４（ｄ）に示すように、誘電体層１０の下面に形成された導体パターン２１１を、導電性の接合部材９０を用いて図２（ｂ）の第１の絶縁層２０の上面に形成されたグランドパターン２１上に接合する。それにより、図４（ｅ）に示すように、アンテナ基板部１００が完成する。

図４（ｅ）のアンテナ基板部１００においては、導体パターン２１１、接合部材９０およびグランドパターン２１が接地導体層として機能する。接合部材９０としては、導電性接着剤またははんだペーストを用いることができる。

ｅＰＴＦＥは、ポリイミド等の他の樹脂よりも撥水性が高い。そのため、アンテナパターン１１およびグランドパターン２１を形成するためのエッチング時に、たとえエッチング液がｅＰＴＦＥの連続孔に浸入した場合でも、エッチング液が連続孔に残存することが防止される。

（５）図２（ａ）の三層基材２０ｘの一製造例
図２（ａ）の三層基材２０ｘの第１の絶縁層２０が誘電体層１０と同じ材料により構成される場合には、三層基材２０ｘを以下のようにして作製してもよい。

図５は、図２（ａ）の三層基材２０ｘの製造方法を示す模式的断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、導体層２１ｘとして銅箔を用意する。

次に、図５（ｂ）に示すように、導体層２１ｘの一面上に上記の誘電体層１０の形成方法と同じ方法で多孔質性の樹脂からなる第１の絶縁層２０を形成する。

次に、図５（ｃ）に示すように、第１の絶縁層２０上にシード層を形成し、電解めっきによりシード層上に銅からなる導体層２２ｘを形成する。図５（ｃ）では、シード層の図示を省略する。このようにして、接着剤等の接合材料を用いることなく、第１の絶縁層２０および２つの導体層２１ｘ，２２ｘからなる三層基材２０ｘを得ることができる。

（６）効果
上記のＲＦモジュール用基板１Ａにおいては、多孔質性の樹脂からなる誘電体層１０が用いられることにより、１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率が２．００以下に設定される。それにより、ＲＦモジュール１における電波の放射効率および受信効率が向上する。また、ＲＦモジュール１において放射可能および受信可能な電波の周波数帯域が拡大される。

さらに、多孔質性の樹脂により形成される誘電体層１０を用いることにより、アンテナパターン１１とグランドパターン２１との間の領域の比誘電率を複雑な構成を用いることなく容易に低減することができる。

これらの結果、簡単な構成でアンテナ特性を向上させることが可能になるとともに、ＲＦモジュール用基板１Ａの製造の容易化が実現される。

また、樹脂の比誘電率はガラスおよびセラミック等の他の材料の比誘電率に比べて低い。したがって、誘電体層１０の比誘電率が十分に低減される。

また、上記のＲＦモジュール用基板１Ａにおいては、接着剤等の接合材料を用いることなくアンテナパターン１１が誘電体層１０の上面上に形成される。同様に、接着剤等の接合材料を用いることなくグランドパターン２１が誘電体層１０の下面上に形成される。これにより、接合材料によりアンテナパターン１１とグランドパターン２１との間の領域の比誘電率が増加することが防止される。

（７）他の実施の形態
（７−ａ）上記の実施の形態では、アンテナパターン１１がサブトラクティブ法により形成される例を説明したが、アンテナパターン１１はセミアディティブ法により形成されてもよい。

この場合、例えば、図２（ｃ）の誘電体層１０の上面上に、例えばスパッタリング法によりクロムおよび銅の積層膜からなるシード層を形成する。シード層は、クロムおよび銅の積層膜に限らず、例えばクロムの単層膜であってもよい。シード層を無電解めっきにより形成してもよい。その後、シード層上に感光性ドライフィルムレジスト等によりレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンで露光する。

続いて、露光後のレジスト膜を炭酸ナトリウム等の現像液を用いて現像することによりシード層上にめっきレジストを形成する。

次に、めっきレジストの領域を除いて、シード層上に硫酸銅等のめっき液を用いた電解めっきにより、例えば銅からなる導体層を形成する。

次に、めっきレジストを水酸化ナトリウム等の剥離液により除去し、シード層の露出する部分を塩化第二鉄等のエッチング液を用いたエッチングにより除去する。それにより、誘電体層１０の上面上に導体層およびシード層からなるアンテナパターン１１が形成される。

（７−ｂ）アンテナパターン１１、グランドパターン２１、マイクロストリップ線路２２ａ、グランドパターン２２ｂ、複数の電極パターン３１ａ，３１ｂ，３１ｃおよび配線パターン３１ｄの材料としては、銅に限らず、金、銀、アルミニウム、リン青銅、銅−ベリリウム合金、鉄−ニッケル合金等の他の金属材料を用いてもよい。ただし、アンテナパターン１１、グランドパターン２１およびマイクロストリップ線路２２ａには、ミリ波帯の信号が伝送される。そのため、アンテナパターン１１、グランドパターン２１およびマイクロストリップ線路２２ａには、銅の電気伝導率と同等以上の電気伝導率を有する金属材料を用いることが好ましい。

（７−ｃ）上記の実施の形態では、電解めっきによりアンテナパターン１１、グランドパターン２１、マイクロストリップ線路２２ａ、グランドパターン２２ｂ、複数の電極パターン３１ａおよび配線パターン３１ｄが形成されるが、電解めっきに代えて他の方法によりアンテナパターン１１、グランドパターン２１、マイクロストリップ線路２２ａ、グランドパターン２２ｂ、複数の電極パターン３１ａおよび配線パターン３１ｄが形成されてもよい。この場合、シード層を形成しなくてもよい。

（７−ｄ）上記の実施の形態では、誘電体層１０の多孔質材料として多孔質性の樹脂が用いられる。これに限らず、多孔質材料としては、上記の多孔質性の樹脂に代えて、１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率が２．００以下である多孔質性のガラスまたはセラミック等を用いてもよい。

また、上記の実施の形態では、第１の絶縁層２０および第２の絶縁層３０の材料として液晶ポリマーまたは多孔質性の樹脂が用いられる。これに限らず、第１の絶縁層２０および第２の絶縁層３０の材料としては、液晶ポリマーまたは多孔質性の樹脂に代えて、ガラスまたはセラミック等を用いてもよい。または、多孔質性のガラスまたはセラミック等を用いてもよい。

（７−ｅ）上記の実施の形態においては、アンテナパターン１１は正方形状を有する。これに限らず、アンテナパターン１１は、円形状、長方形状または帯状等の他の形状を有してもよい。

また、上記の実施の形態においては、グランドパターン２１のスロット２１ｓが長方形状を有する。これに限らず、スロット２１ｓは、円形状、長方形状または帯状等の他の形状を有してもよい。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、ＲＦモジュール用基板１Ａが無線周波数モジュール用基板の例であり、第１の絶縁層２０が第１の絶縁層の例であり、第１の絶縁層２０の上面が第1の面の例であり、第１の絶縁層２０の下面が第２の面の例であり、スロット２１ｓが開口部の例である。

また、図１〜図３のグランドパターン２１と図４（ｅ）の導体パターン２１１、接合部材９０およびグランドパターン２１からなる積層体とが接地導体層の例であり、誘電体層１０が誘電体層の例であり、アンテナパターン１１がアンテナ素子の例であり、マイクロストリップ線路２２ａが導体パターンの例であり、第２の絶縁層３０が第２の絶縁層の例である。

また、ＲＦＩＣ１Ｂが電子部品の例であり、実装領域１ＢＡが実装領域の例であり、電力端子５０ａが電力端子の例であり、接地端子５０ｂが接地端子の例であり、外部端子５０ｃが外部端子の例である。

また、電極端子４０ａが第１の端子の例であり、電極端子４０ｂが第２の端子の例であり、電極端子４０ｃが第３の端子の例であり、配線パターン３１ｄが配線パターンの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

（９）実施例および比較例
シミュレーションにより、実施例１および比較例１〜６のサンプルについて、アンテナ特性についての評価を行った。まず、実施例１および比較例１〜６のサンプルの構成を説明する。

（９−ａ）実施例１
実施例１のサンプルは、図１および図２（ｅ）のアンテナ基板部１００と同じ構成を有する。実施例１のサンプルにおいては、誘電体層１０が多孔質性の樹脂により構成されるものとする。誘電体層１０の厚みは１００μｍに設定される。１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率は１．５０に設定され、誘電正接は０．００３に設定される。

また、第１の絶縁層２０の厚みは１００μｍに設定される。１ＧＨｚの周波数における第１の絶縁層２０の比誘電率は３．５０に設定され、誘電正接は０に設定される。

さらに、アンテナパターン１１、グランドパターン２１およびマイクロストリップ線路２２ａの各々は、１０μｍの厚みを有する銅により構成される。

アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は１．７６ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．６５ｍｍに設定され、スロット２１ｓの幅ＳＷ（図１（ａ））は０．２ｍｍに設定される。マイクロストリップ線路２２ａの幅ＭＷ（図１（ａ））は２００μｍに設定され、マイクロストリップ線路２２ａの特性インピーダンスは５０Ωに設定される。また、マイクロストリップ線路２２ａが延びる方向において、アンテナパターン１１に重なるように配置されたマイクロストリップ線路２２ａの開放端からスロット２１ｓの中心までの距離ｄ１（図１（ａ））は０．６５ｍｍに設定される。

（９−ｂ）比較例１
比較例１のサンプルは、以下の点を除いて実施例１のサンプルと同じ構成を有する。比較例１のサンプルにおいては、１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率は３．５０に設定され、誘電正接は０．００２に設定される。また、アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は１．１５ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．５ｍｍに設定される。

（９−ｃ）比較例２
比較例２のサンプルは、以下の点を除いて実施例１のサンプルと同じ構成を有する。比較例２のサンプルにおいては、１ＧＨｚの周波数における誘電体層１０の比誘電率は９．５０に設定され、誘電正接は０．０００５に設定される。また、アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は０．７０７ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．３ｍｍに設定される。

（９−ｄ）比較例３
比較例３のサンプルは、以下の点を除いて実施例１のサンプルと同じ構成を有する。図６は、比較例３のサンプルの構成を説明するための模式図である。

図６に示すように、比較例３のサンプルにおいては、誘電体層１０とグランドパターン２１との間に、接着剤層７１が設けられている。

誘電体層１０は多孔質性の樹脂により構成されるものとする。本例では、誘電体層１０の厚みｔ１は８５μｍに設定される。一方、接着剤層７１の厚みｔ２は１５μｍに設定される。１ＧＨｚの周波数における接着剤層７１の比誘電率は３．５０に設定され、誘電正接は０．０２に設定される。また、アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は１．６９ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．６５ｍｍに設定される。

（９−ｅ）比較例４
比較例４のサンプルは、以下の点を除いて比較例３のサンプルと同じ構成を有する。比較例４のサンプルにおいては、誘電体層１０の厚みｔ１は７０μｍに設定される。一方、接着剤層７１の厚みｔ２は３０μｍに設定される。また、アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は１．６４ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．６ｍｍに設定される。

（９−ｆ）比較例５
比較例５のサンプルは、以下の点を除いて実施例１のサンプルと同じ構成を有する。図７は、比較例５のサンプルの構成を説明するための模式図である。

図７に示すように、比較例５のサンプルにおいては、誘電体層１０とグランドパターン２１との間に接着剤層７１が設けられるとともに、誘電体層１０とアンテナパターン１１との間に接着剤層７２が設けられている。

誘電体層１０は多孔質性の樹脂により構成されるものとする。本例では、誘電体層１０の厚みｔ１は７０μｍに設定される。一方、接着剤層７１，７２の厚みｔ２，ｔ３はそれぞれ１５μｍに設定される。１ＧＨｚの周波数における接着剤層７１，７２の比誘電率はそれぞれ３．５０に設定され、誘電正接はそれぞれ０．０２に設定される。また、アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は１．５９ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．６ｍｍに設定される。

（９−ｇ）比較例６
比較例６のサンプルは、以下の点を除いて比較例５のサンプルと同じ構成を有する。比較例６のサンプルにおいては、誘電体層１０の厚みｔ１は４０μｍに設定される。一方、接着剤層７１，７２の厚みｔ２，ｔ３は、それぞれ３０μｍに設定される。また、アンテナパターン１１の一辺の長さＡＬ（図１（ａ））は１．４２ｍｍに設定される。グランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬ（図１（ａ））は０．５５ｍｍに設定される。

上記のように、実施例１および比較例１〜６のサンプルにおいては、アンテナパターン１１における一辺の長さＡＬおよびグランドパターン２１におけるスロット２１ｓの長さＳＬが互いに異なる。下記表１に、実施例１および比較例１〜６のサンプルにおける長さＡＬおよび長さＳＬの一覧を示す。

（９−ｈ）評価
実施例１および比較例１〜６のサンプルについて、マイクロストリップ線路２２ａへ６０ＧＨｚの周波数の高周波電力を供給した場合に、アンテナパターン１１から電波が放射される場合のＨ面（本例では、マイクロストリップ線路２２ａの軸心に直交しかつアンテナパターン１１の中心部を含む面）における放射パターンをシミュレーションにより求めた。シミュレーションには、Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ 社製のＭｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｔｕｄｉｏというソフトウェアを用いた。

図８は、実施例１および比較例１，２のサンプルについてのシミュレーション結果を示す図である。図８では、縦軸がアンテナパターン１１の中心から１ｍ離れた位置における電波の絶対利得を示し、横軸がアンテナパターン１１の中心に直交する軸を基準とするＨ面上の角度を示す。

図８においては、太い実線Ｌ１、太い一点鎖線Ｌ１１および太い破線Ｌ１２がそれぞれ実施例１および比較例１，２のサンプルについてのシミュレーション結果を示す。

図８によれば、実施例１のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約６．５ｄＢである。一方、比較例１のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約３．５ｄＢであり、比較例２のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約２．５ｄＢである。

また、実施例１のサンプルから放射される電波の絶対利得は、約−７０°以上約７０°以下の範囲で比較例１，２のサンプルから放射される電波の絶対利得よりも大きい。

これらより、１ＧＨｚの周波数における比誘電率が低い誘電体層１０を備えるアンテナ基板部１００ほど高い放射特性を有することがわかる。その結果、１ＧＨｚの周波数における比誘電率が２．００以下である誘電体層１０を用いることにより、アンテナ基板部１００の放射特性が十分に向上することが明らかとなった。

図９は、実施例１および比較例３，４のサンプルについてのシミュレーション結果を示す図である。図９においても、縦軸がアンテナパターン１１の中心から１ｍ離れた位置における電波の絶対利得を示し、横軸がアンテナパターン１１の中心に直交する軸を基準とするＨ面上の角度を示す。

図９においては、太い実線Ｌ１、太い一点鎖線Ｌ２１および太い破線Ｌ２２がそれぞれ実施例１および比較例３，４のサンプルについてのシミュレーション結果を示す。

図９によれば、実施例１のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約６．５ｄＢである。一方、比較例３のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約５．８ｄＢであり、比較例４のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約５．５ｄＢである。

また、実施例１のサンプルから放射される電波の絶対利得は、約−７０°以上約７０°以下の範囲で比較例３，４のサンプルから放射される電波の絶対利得よりも大きい。

これらより、誘電体層１０とグランドパターン２１との間に設けられる接着剤層７１の厚みｔ２が小さいアンテナ基板部１００ほど高い放射特性を有することがわかる。その結果、誘電体層１０とグランドパターン２１との間に接着剤層７１を設けないことにより、アンテナ基板部１００の放射特性が十分に向上することが明らかとなった。

図１０は、実施例１および比較例５，６のサンプルについてのシミュレーション結果を示す図である。図１０においても、縦軸がアンテナパターン１１の中心から１ｍ離れた位置における電波の絶対利得を示し、横軸がアンテナパターン１１の中心に直交する軸を基準とするＨ面上の角度を示す。

図１０においては、太い実線Ｌ１、太い一点鎖線Ｌ３１および太い破線Ｌ３２がそれぞれ実施例１および比較例５，６のサンプルについてのシミュレーション結果を示す。

図１０によれば、実施例１のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約６．５ｄＢである。一方、比較例５のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約５．３ｄＢであり、比較例６のサンプルから放射される電波の絶対利得の最大値は約４．０ｄＢである。

また、実施例１のサンプルから放射される電波の絶対利得は、約−７０°以上約７０°以下の範囲で比較例５，６のサンプルから放射される電波の絶対利得よりも大きい。

これらより、誘電体層１０とグランドパターン２１との間に設けられる接着剤層７１の厚みｔ２、および誘電体層１０とアンテナパターン１１との間に設けられる接着剤層７２の厚みｔ３が小さいアンテナ基板部１００ほど高い放射特性を有することがわかる。

その結果、誘電体層１０とグランドパターン２１との間に接着剤層７１，７２を設けないことにより、アンテナ基板部１００の放射特性が十分に向上することが明らかとなった。

本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。

１Ａ ＲＦモジュール用基板
１Ｂ ＲＦＩＣ
１ＢＡ 実装領域
１０ 誘電体層
１１ アンテナパターン
２０ 第１の絶縁層
２１，２２ｂ グランドパターン
２１ｓ スロット
２２ａ マイクロストリップ線路
２０ｈ，３０ｈ スルーホール
２１１ 導体パターン
３０ 第２の絶縁層
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 電極パターン
３１ｄ 配線パターン
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 電極端子
４１ 封止樹脂
４２ カバー絶縁層
４３ はんだボール
５０ａ 電力端子
５０ｂ 接地端子
５０ｃ 外部端子
９０ 接合部材
１００ アンテナ基板部
ＶＣ 銅

Claims (12)

1. 互いに対向する第１および第２の面を有する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層の前記第１の面上に形成され、開口部を有する接地導体層と、
   前記接地導体層上に多孔質材料により形成される誘電体層と、
   前記接地導体層の前記開口部に重なるように前記誘電体層上に形成されるアンテナ素子と、
   前記接地導体層の前記開口部に重なるように前記第１の絶縁層の前記第２の面上に形成される導体パターンとを備え、
   前記アンテナ素子、前記接地導体層の前記開口部および前記導体パターンは、前記導体パターンへの高周波電力の供給時または前記アンテナ素子による電波の受信時に前記アンテナ素子が前記開口部を通して前記導体パターンと電磁的に結合されるように配置され、
   １ＧＨｚの周波数における前記誘電体層の比誘電率は、２．００以下である、無線周波数モジュール用基板。
2. 前記誘電体層に含まれる複数の空孔の平均孔径は、５μｍ以下であり、
   前記誘電体層の単位体積当りにおける複数の空孔の体積の割合は、４０％以上である、請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記多孔質材料は、多孔質性の樹脂からなる、請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 前記樹脂は、ポリイミドまたはポリエーテルイミドである、請求項３記載の配線回路基板。
5. １ＧＨｚの周波数における前記誘電体層の誘電正接は、０．００５以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の無線周波数モジュール用基板。
6. 前記導体パターンを覆うように前記第１の絶縁層の前記第２の面上に形成される第２の絶縁層をさらに備え、
   前記第２の絶縁層は、高周波電力が出力または入力される電力端子と接地端子とを有する電子部品が実装可能な実装領域を有し、
   前記第２の絶縁層の前記実装領域には、前記導体パターンに電気的に接続されかつ前記電子部品の電力端子に接続可能な第１の端子と、前記接地導体層に電気的に接続されかつ前記電子部品の接地端子に接続可能な第２の端子とが形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の無線周波数モジュール用基板。
7. 前記電子部品は、外部信号の入力もしくは出力または電源電圧の供給のための外部端子をさらに有し、
   前記第２の絶縁層の前記実装領域には、前記電子部品の前記外部端子に接続可能な第３の端子がさらに形成され、
   前記第２の絶縁層上に、前記第３の端子から前記実装領域外に延びる配線パターンが形成される、請求項６記載の無線周波数モジュール用基板。
8. 導体パターン、絶縁層、開口部を有する接地導体層、多孔質材料からなる誘電体層およびアンテナ素子をこの順に含む積層構造を形成する工程を備え、
   前記アンテナ素子、前記接地導体層の前記開口部および前記導体パターンは、前記導体パターンへの高周波電力の供給時または前記アンテナ素子による電波の受信時に前記アンテナ素子が前記開口部を通して前記導体パターンと電磁的に結合されるように配置され、
   １ＧＨｚの周波数における前記誘電体層の比誘電率は、２．００以下である、無線周波数モジュール用基板の製造方法。
9. 前記積層構造を形成する工程は、
   互いに対向する第１および第２の面を有する前記絶縁層を用意する工程と、
   前記絶縁層の前記第１の面上に前記接地導体層を形成する工程と、
   前記絶縁層の前記第２の面上に前記導体パターンを形成する工程と、
   前記接地導体層上に前記誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層上に前記アンテナ素子を形成する工程とを含み、
   前記誘電体層を形成する工程は、
   流動性の樹脂および硬化した前記樹脂に対して相分離する相分離化剤を含む組成物を前記接地導体層上に塗布する工程と、
   前記樹脂を硬化させることにより前記接地導体層上でミクロ相分離構造を有する樹脂膜を形成する工程と、
   前記樹脂膜から前記相分離化剤を除去する工程とを含む、請求項８記載の無線周波数モジュール用基板の製造方法。
10. 前記樹脂膜から前記相分離化剤を除去する工程は、
    前記樹脂膜に溶剤を含浸させることにより前記樹脂膜から前記相分離化剤を抽出する工程を含む、請求項９記載の無線周波数モジュール用基板の製造方法。
11. 前記樹脂は、ポリアミド酸であり、
    前記誘電体層を形成する工程は、
    前記樹脂膜から前記相分離化剤を除去する工程の後、ポリアミド酸をポリイミドへ変換する工程をさらに含む、請求項９または１０記載の無線周波数モジュール用基板の製造方法。
12. 前記積層構造を形成する工程は、
    互いに対向する第１および第２の面を有する前記絶縁層を用意する工程と、
    開口部を有する第１の導体層を前記絶縁層の前記第１の面上に形成する工程と、
    前記絶縁層の前記第２の面上に前記導体パターンを形成する工程と、
    互いに対向する第３および第４の面を有する前記誘電体層を用意する工程と、
    開口部を有する第２の導体層を前記誘電体層の前記第３の面上に形成する工程と、
    前記誘電体層の前記第４の面上に前記アンテナ素子を形成する工程と、
    前記第１の導体層と前記第２の導体層とを接合することにより前記接地導体層を形成する工程とを含む、請求項８記載の無線周波数モジュール用基板の製造方法。

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