CN112020796A - 天线模块和搭载该天线模块的通信装置 - Google Patents

天线模块和搭载该天线模块的通信装置 Download PDF

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Abstract

天线模块(100)包括介电体基板(130)和在介电体基板(130)配置的辐射电极(121)和接地电极(GND)。在辐射电极(121)和接地电极(GND)中的至少一电极形成有不贯通介电体基板(130)而贯通该电极的多个开口部(122)。

Description

天线模块和搭载该天线模块的通信装置
技术领域
本公开涉及天线模块和搭载该天线模块的通信装置，更特定而言，涉及提高天线模块的辐射电极与介电体基板的密合强度的构造。
背景技术
在日本特许第3248277号公报(专利文献1)中公开了一种天线模块，在该天线模块中，在基板的一面配置有辐射电极，在与配置有辐射电极的面相反的面配置有接地电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3248277号公报
发明内容
发明要解决的问题
在制造专利文献1所示那样的天线模块的情况下，有时采用通过在加热的同时进行压制而使辐射电极密合在基板上的方法。
通常，使用树脂那样的介电体作为供辐射电极配置的基板。对于这样的基板而言，由于使辐射电极密合时的加热，基板内部所含有的材料的一部分成为气体而向基板的外部放出。
此时，有时放出至辐射电极与基板之间的界面的气体被封锁而在辐射电极与基板之间形成微小的空间。于是，辐射电极与基板之间的密合强度可能降低。
天线模块有时例如用于手机、智能手机等便携终端，此时，辐射电极利用粘接剂等粘贴于该便携终端的壳体的树脂部分。于是，在便携终端的使用中，可能产生沿着将辐射电极与基板剥离的方向作用牵拉力的情况。
在如上述那样由于自基板产生的气体而导致辐射电极与基板之间的密合强度降低的情况下，可能产生辐射电极自基板剥离或天线特性降低的状态。
本公开是为了解决这样的问题而完成的，其目的在于，抑制在基板配置的电极与基板之间的密合强度的降低。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的天线模块包括介电体基板和在介电体基板配置的辐射电极和接地电极。在辐射电极和接地电极中的至少一电极形成有不贯通介电体基板而贯通该电极的多个开口部。
发明的效果
在本公开的天线模块中，在辐射电极和接地电极中的至少一电极形成有多个开口部(贯通孔)。在电极配置于基板的部分，在制造时等自基板产生的气体经过该开口部向天线模块的外部放出。由此，能够抑制由于气体积存在电极与基板之间而导致电极与基板之间的密合强度降低的情况。
附图说明
图1是应用实施方式的天线模块的通信装置的框图。
图2是实施方式1的天线模块的剖视图。
图3是用于说明辐射电极的开口部的配置的一例的图。
图4是比较例的天线模块的剖视图。
图5是变形例1的天线模块的剖视图。
图6是变形例1的天线模块的另一例的剖视图。
图7是变形例1的天线模块的又一例的剖视图。
图8是用于说明密合强度的验证实验的概要的图。
图9是表示验证实验的结果的一例的图。
图10是变形例2的天线模块的剖视图。
图11是变形例3的天线模块的剖视图。
图12是实施方式2的天线模块的俯视图。
图13是表示比较例的天线模块的辐射电极的电流分布的一例的图。
图14是表示图11的天线模块的辐射电极的电流分布的一例的图。
图15是变形例4的天线模块的俯视图。
图16是实施方式3的天线模块的剖视图。
图17是图16的RFIC与电极焊盘的连接部分的放大图。
图18是从第2面侧观察图16的天线模块而得到的俯视图。
图19是用于说明天线模块的制造流程的一例的图。
图20是设有保护膜的天线模块的剖视图。
图21是实施了通过底部填充来进行的封闭处理的天线模块的剖视图。
图22是用于说明应用于挠性基板的应用例的图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本公开的实施方式。另外，对于图中相同或相当的部分标注相同的附图标记而不重复其说明。
[实施方式1]
(通信装置的基本结构)
图1是应用本实施方式1的天线模块100的通信装置10的一例的框图。通信装置10例如是手机、智能手机或平板电脑等便携终端、具备通信功能的个人计算机等。
参照图1，通信装置10包括天线模块100和构成基带信号处理电路的BBIC 200。天线模块100包括天线阵列120和作为供电电路的一例的RFIC 110。通信装置10将自BBIC 200向天线模块100传递的信号上变频为高频信号而自天线阵列120辐射，并且将利用天线阵列120接收的高频信号下变频而利用BBIC 200处理信号。
另外，在图1中，为了容易说明，仅示出与构成天线阵列120的多个辐射电极121中的4个辐射电极121对应的结构，省略与具有同样的结构的其他辐射电极121对应的结构。
RFIC 110包括开关111A～111D、113A～113D、117、功率放大器112AT～112DT、低噪声放大器112AR～112DR、衰减器114A～114D、移相器115A～115D、信号合成/分波器116、混频器118以及放大电路119。
在发送高频信号的情况下，开关111A～111D、113A～113D向功率放大器112AT～112DT侧切换，并且开关117连接于放大电路119的发送侧放大器。在接收高频信号的情况下，开关111A～111D、113A～113D向低噪声放大器112AR～112DR侧切换，并且开关117连接于放大电路119的接收侧放大器。
自BBIC 200传递的信号被放大电路119放大并被混频器118上变频。上变频而得到的高频信号即发送信号被信号合成/分波器116分波成4个信号，通过4个信号路径而向彼此不同的辐射电极121供给。此时，通过单独地调整在各信号路径配置的移相器115A～115D的移相度，能够调整天线阵列120的方向性。
利用各供电元件121接收的高频信号即接收信号分别经由不同的4个信号路径，被信号合成/分波器116合波。合波而得到的接收信号被混频器118下变频，被放大电路119放大而向BBIC 200传递。
RFIC 110例如形成为包含上述电路结构的单芯片的集成电路部件。或者，关于RFIC 110的与各辐射电极121对应的设备(开关、功率放大器、低噪声放大器、衰减器、移相器)，也可以针对每个对应的辐射电极121都形成单芯片的集成电路部件。
(天线模块的构造)
图2是实施方式1的天线模块100的剖视图。参照图2，天线模块100除了包括辐射电极121和RFIC 110以外，还包括介电体基板130、传输线路140以及接地电极GND。在图2中，为了容易说明，说明仅配置有1个辐射电极121的情况，但也可以是配置有多个辐射电极121的结构。
介电体基板130例如是环氧、聚酰亚胺等的树脂形成为多层构造而成的基板。另外，也可以使用具有更低的介电常数的液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer：LCP)或氟树脂来形成。介电体基板130也可以通过依次层叠树脂层和金属层而成形，例如也可以通过对在单面形成有金属膜的多个热塑性树脂层在加热的同时进行压接而一并成形。
辐射电极121配置于介电体基板130的第1面132。在辐射电极121形成有贯通该电极的多个开口部122。另外，在介电体基板130的与多个开口部122对应的位置未形成贯通孔。也就是说，通过形成多个开口部122而使介电体基板130自辐射电极121暴露。在介电体基板130的与第1面132相反的第2面134配置有接地电极GND。另外，在图2中，示出接地电极GND配置于介电体基板130的最外表面的例子，但接地电极GND也可以形成于介电体基板130的内层。在接地电极GND配置于介电体基板130的最外表面的情况下，利用抗蚀剂或作为薄膜的介电体层的覆盖层覆盖接地电极GND的表面。另外，RFIC 110使用钎焊凸块等连接构件安装于在介电体基板130的第2面134形成的电极焊盘(安装电极)，并且在接地电极GND形成有供传输线路140贯通的贯通孔，上述内容在图2中均未图示。
在此，多个开口部122不贯通介电体基板130而贯通辐射电极121。因而，与形成有贯通介电体基板130的多个开口部的结构相比，天线模块100具有较高的强度，并且能够抑制由介电常数的偏差导致的天线特性的紊乱。
图3是从法线方向观察辐射电极121而得到的俯视图，示出多个开口部122的配置例。在图3中，多个开口部122在辐射电极121的整面的范围均匀且等间隔地形成。作为一例，直径40μm的开口部122以250μm节距的间隔形成。另外，在俯视辐射电极121的情况下，开口部122的整周被电极包围。
再次参照图2，传输线路140与RFIC 110和辐射电极121连接，将自RFIC 110供给的高频电力向辐射电极121传递。传输线路140由形成于介电体基板130的层内的电极即布线图案与使层间相连的电极即导通孔(日文：ビア)的组合形成。另外，如图2所示，也可以仅由导通孔形成传输线路140。另外，也可以具有传输线路140的局部被物理切断而使用电容耦合传递高频电力的结构。传输线路140在供电点SP1处与辐射电极121电连接。
图4是比较例的天线模块100X的剖视图。在天线模块100X的辐射电极121X处，未形成图2的辐射电极121那样的开口部。
在制造图2和图4那样的天线模块的情况下，有时使用通过在加热的同时进行压制而使辐射电极密合在介电体基板上的方法。此时，封锁在介电体基板内的空气等气体成分或构成介电体基板的材料的一部分由于加热而成为气体，向基板的外部放出。
此时，在比较例的天线模块100X那样的结构中，有时放出的气体被封锁在辐射电极121X与介电体基板130之间的界面而在辐射电极121X与介电体基板130之间形成微小的空间160。由此，辐射电极121X与介电体基板130之间的密合强度可能降低。
另一方面，在本实施方式1的天线模块100中，由于在辐射电极121形成有多个开口部122，因此如图2中的箭头AR1所示那样，自介电体基板130产生的气体易于经过该开口部122向外部放出。由此，不易在辐射电极121与介电体基板130之间形成图3所示那样的空间，因此能够抑制辐射电极121与介电体基板130之间的密合强度的降低。
(变形例1)
图5是变形例1的天线模块100A的剖视图。在变形例1中，辐射电极121的配置与图2不同。具体而言，辐射电极121埋入于介电体基板130的内部而并非配置于介电体基板130的表面。在该情况下，在形成于辐射电极121的多个开口部122的内部填充介电体基板130的介电体材料。由此，与未形成多个开口部122的辐射电极相比，辐射电极121与介电体基板130的接触面积增加，因此能够进一步提高密合强度。
另外，如图6和图7所示，在开口部122的内部也可以不必须填充介电体材料。具体而言，也可以是像图6的天线模块100A1那样仅辐射电极121的局部埋入于介电体基板130的情况。另外，也可以是像图7的天线模块100A2那样辐射电极121的整体埋入于介电体基板130但在开口部122中的至少一部分开口部未填充介电体材料的情况。在这样的情况下也是，由于辐射电极121的外周侧面与介电体基板130的凹部的内壁之间的接触面积和开口部122的内壁与介电体基板130之间的接触面积增加，因此与图2的情况相比能够提高密合强度。
(验证实验)
发明人为了验证由开口部的有无引起的密合强度的差异而进行图8所示那样的实验。具体而言，关于具有未形成开口部的辐射电极的天线模块(图8的(a))和具有形成有开口部的辐射电极的天线模块(图8的(b))，使用钎焊将配件170安装于辐射电极并沿着天线模块的法线方向进行牵拉，比较辐射电极被剥离时的牵拉力。另外，辐射电极使用12μm的铜，在图8的(b)中，使用直径40μm的开口部以250μm节距形成的辐射电极。
图9是表示利用上述的方法对3个样品分别进行实验而得到的结果的图。如图9所示，在任一样品中均确认到形成有开口部的样品的牵拉力比未形成开口部的样品的牵拉力高，形成有开口部的样品平均具有约150％的强度。
(变形例2、3)
图10是变形例2的天线模块100B的剖视图。在变形例2中，多个开口部150形成于接地电极GND2而并非形成于辐射电极121B。
自介电体基板放出的气体不仅自辐射电极侧放出，也自接地电极侧放出。因此，存在来自介电体基板的气体还被封锁在接地电极与介电体基板之间的可能性，由此接地电极与介电体基板的密合强度可能降低。
如图10所示，通过在接地电极GND2形成多个开口部150，来自介电体基板的气体经过开口部150向外部放出(图10中的箭头AR2)，因此能够提高接地电极GND2与介电体基板130之间的密合强度。
图11是变形例3的天线模块100C的剖视图。在变形例3中，在辐射电极121和接地电极GND2这两者形成有多个开口部。在变形例3中，能够提高辐射电极121与介电体基板130之间的密合强度和接地电极GND2与介电体基板130之间的密合强度。
[实施方式2]
在实施方式2中，说明对1个辐射电极在多个供电点供给高频电力的情况。
图12是实施方式2的天线模块100D的俯视图。在天线模块100D中，使用具有正方形的形状的辐射电极121D。对于辐射电极121D，构成为在两个供电点SP1、SP2处供给高频电力，能够辐射两个极化波的高频信号。供电点SP2位于使供电点SP1相对于辐射电极121D的对角线的交点旋转90°而到达的位置。
在天线模块100D中，多个开口部122沿着辐射电极121D的与将供电点SP1与供电点SP2连结的线LN1交叉的对角线形成。换言之，多个开口部122至少形成于包含将供电点SP1与供电点SP2连结的线LN1的预定的区域RG1内。
在图12那样的能够辐射两个极化波的高频信号的天线模块中，重要的是确保两个极化波间的隔离度。在图12所示的天线模块100D中，由于在辐射电极121D的两个供电点SP1、SP2之间形成有多个开口部122，因此与未形成开口部的情况相比供电点SP1与供电点SP2之间的电阻实质升高。因此，能够提高两个供电点SP1、SP2之间的隔离度。
图13示出未形成多个开口部的比较例的天线模块的辐射电极121Y的电流分布，图14示出图12的天线模块100D的辐射电极121D的电流分布。另外，在图13和图14中，利用颜色深浅表示电流分布的大小，电流分布越小则颜色越深。
比较图13和图14可知，开口部122的周围的部分颜色变深，产生电流分布变小的部分。即，通过形成开口部122，减小自供电点SP1向供电点SP2流通的电流和自供电点SP2向供电点SP1流通的电流，因此供电点SP1与供电点SP2之间的隔离度提高。
这样，在双极化型的天线模块中，通过在包含将辐射电极的两个供电点连结的线的预定的区域内形成开口部，能够使自介电体基板放出的气体向外部放出而提高辐射电极与介电体基板的密合强度，并且提高两个供电点间的隔离度。
另外，在图12的例子中，多个开口部沿着辐射电极的对角线形成，但形成开口部的位置只要在包含将两个供电点连结的线的预定的区域内就不限于此。例如，多个开口部也可以如实施方式1的图3所示那样在辐射电极整体的范围均匀且等间隔地形成。
另外，在图12的例子中，说明了在辐射电极形成开口部的情况，但也可以是在接地电极形成开口部的情况。在俯视天线模块的情况下，在接地电极中，若在包含将与辐射电极的两个供电点对应的位置连结的线的预定的区域内形成有开口部，则能够提高隔离度。
天线通过辐射电极与接地电极之间的电磁耦合而作为天线发挥功能。通过在接地电极侧形成开口部，减少一极化波的电磁场与另一极化波的电磁场的干涉，因此结果能够提高两个极化波的隔离度。
(变形例4)
图15是在4个供电点SP1、SP1A、SP2、SP2A处供给高频电力的天线模块100E的俯视图。参照图15，供电点SP1和供电点SP1A配置于相对于辐射电极121E的对角线的交点彼此点对称的位置。同样，供电点SP2和供电点SP2A也配置于相对于辐射电极121E的对角线的交点彼此点对称的位置。
并且，开口部122沿着辐射电极121E的对角线形成。即，开口部122形成于包含将任意的两个供电点连结的线的预定的区域。由此，能够提高各供电点间的隔离度。
另外，优选的是，对于供电点SP1和供电点SP1A，供给彼此相反相位的高频电力，对于供电点SP2和供电点SP2A，供给彼此相反相位的高频电力。由此，自与供电点SP1连接的传输线路产生的交叉极化波和自与供电点SP1A连接的传输线路产生的交叉极化波相互抵消，同样，自与供电点SP2连接的传输线路产生的交叉极化波和自与供电点SP2A连接的传输线路产生的交叉极化波相互抵消。因而，能够提高交叉极化鉴别度(Cross PolarizationDiscrimination：XPD)。
另外，在上述的实施方式1和实施方式2的说明中，说明了辐射电极的形状为正方形的例子，但辐射电极的形状也可以是圆形或正方形以外的多边形。
特别是在实施方式2的情况下，为了确保多个极化波彼此的对称性，优选的是，将辐射电极的形状设为圆形或正多边形。在该情况下，多个开口部例如也可以沿着经过辐射电极的中心且与将两个供电点连结的第1线交叉的第2线形成。
另外，开口部的形状也可以是圆形以外的形状。例如，开口部也可以形成为多边形，也可以形成为椭圆状。
在上述的说明中，说明了以辐射电极自介电体基板暴露的方式配置的结构，但辐射电极也可以不必须自介电体基板暴露，也可以配置于介电体基板的内层。或者，也可以利用抗蚀剂或作为薄膜的介电体层的覆盖层覆盖辐射电极的表面。
另外，辐射电极也可以不与介电体基板直接接触，也可以在辐射电极与介电体基板之间配置粘接层等其他构件。另外，优选的是，在该其他构件形成有与形成于辐射电极的多个开口部连通的多个贯通孔。或者，优选的是，该其他构件具有气体透过性。该结构不限于辐射电极，也能够应用于接地电极。
另外，多个开口部也可以不全部等间隔地形成，也可以是，一部分以第1节距的间隔形成，其他的至少一部分以第2节距的间隔形成。例如，在实施方式2中，也可以使形成于包含将两个供电点连结的线的预定的区域外的开口部的间隔比形成于该预定的区域的开口部的间隔宽。另外，多个开口部的形状也可以不全部相同，也可以是，一部分开口部的形状与其他开口部的形状不同。
并且，RFIC的安装位置不限于介电体基板的第2面，也可以在与辐射电极不同的位置形成于介电体基板的第1面。在该情况下，对于接地电极，也可以不形成供传输线路贯通的贯通孔。
[实施方式3]
在实施方式3中，说明在供RFIC 110安装的电极焊盘配置有开口部的结构。
图16所示的天线模块100F是在图5所示的天线模块100A中使接地电极GND配置于介电体基板130的内层而得到的结构，并且，图16是详细地表示RFIC 110的安装部分的图。另外，不重复与图5重复的要素的说明。
参照图16，接地电极GND在介电体基板130中配置于辐射电极121与第2面134之间的层。并且，在介电体基板130的第2面134配置有用于实现与外部设备的电连接的多个导体图案190。另外，导体图案190包含与RFIC 110等外部设备连接的导体图案190B(以下也称为“电极焊盘”。)和不与外部设备连接的导体图案190A。如在图17和图18中后述那样，在电极焊盘190B形成有贯通焊盘的多个开口部。RFIC 110利用钎焊凸块180电连接于电极焊盘190B。
图17是放大RFIC 110与电极焊盘190B的连接部分而得到的图。如上述那样，在电极焊盘190B形成有多个贯通孔(开口部)195，RFIC 110利用钎焊凸块180连接于介电体基板130。
在进行钎焊连接的情况下，可以通过回流焊对介电体基板130的电极焊盘190B的周边施加热。此时也是，残留于基板内部的一部分材料成为气体而放出。通过在钎焊连接的电极焊盘190B设置多个开口部195，能够抑制放出至电极焊盘与介电体基板之间的界面的气体被封锁的情况。
另外，优选的是，如图17所示，电极焊盘190B配置为埋入于介电体基板130且其表面暴露。在进行钎焊连接的情况下通常大多使用熔剂，但在如电极焊盘190B那样形成有开口部195的情况下，若在该开口部195的部分产生凹部，则熔剂会积存于该凹部，存在由于在回流焊时施加的热而导致熔剂爆裂，连接不良的可能性。因此，通过将钎焊连接的电极焊盘190B埋入于介电体基板130并尽量在开口部195的部分消除凹部，能够抑制安装RFIC 110时的连接不良的发生。
图18是从天线模块100F的介电体基板130的第2面134侧俯视而得到的图。导体图案190配置为暴露于介电体基板130的第2面134。在此，图18中的虚线的部分是供RFIC 110安装的部分，在配置于该虚线的区域内的各电极焊盘190B形成有多个开口部195。
另一方面，不作为安装电极发挥功能(不与外部设备连接)的导体图案190A配置为包围电极焊盘190B的周围。导体图案190A可以通过与接地电位连接而作为屏蔽导体发挥功能。
另外，在图18中，成为在导体图案190A未形成开口部的结构，但导体图案190A也可以与电极焊盘190B同样地形成有开口部。
(天线模块的制造流程)
接着，使用图19，说明本实施方式的天线模块的制造流程。在图19中，作为一例，说明实施方式3的天线模块100F的制造流程。另外，在天线模块100F中，使用对在单面形成有金属膜的多个热塑性树脂层通过在加热的同时进行压接而一并成形的制造流程。
参照图19的(a)，首先准备在单面形成有金属膜(例如铜箔)的多个热塑性树脂(例如LCP树脂)层，对各树脂层的金属膜通过蚀刻或光刻而形成图案，从而形成导体图案。在图19的(a)中，准备形成有辐射电极121的树脂层130A、形成有接地电极GND的树脂层130B以及形成有导体图案190的树脂层130C。另外，层叠的树脂层的数量不限于3层，例如，在形成其他布线层或辐射电极(无供电元件等)的情况下，也可以使用更多的树脂层。
在各树脂层中，对于要形成层间连接导体的传输线路140的部分，通过激光加工等而形成贯通孔，向该贯通孔内填充导电性糊剂。向树脂层130A的贯通孔填充导电性糊剂145A，向树脂层130B的贯通孔填充导电性糊剂145B，向树脂层130C的贯通孔填充导电性糊剂145C。
接着，层叠上述的树脂层130A～130C，在加热到热塑性树脂的软化温度以上的同时沿着层叠方向加压，从而使各层相互接合(图19的(b))。热塑性树脂其自身也作为连接各层的粘接剂发挥作用。
通过树脂软化，在压接时辐射电极121和导体图案190等电极埋入于树脂层内。此时，当在导体图案形成开口部时，由于也向该开口部内填充树脂，因此与没有开口部的情况相比树脂层与导体图案之间的接触面积增加，密合强度提高。
另外，通过加热，填充于各树脂层的贯通孔的导电性糊剂145A～145C固化，利用导电性糊剂所含有的添加金属(例如Sn)形成层间连接导体(传输线路140)。
在接合各树脂层时，将介电体基板130上下翻转，在导体图案190的需要的部位涂敷钎焊糊剂180(图19的(c))。然后，配置RFIC 110并进行回流焊，从而将RFIC 110与介电体基板130连接(图19的(d))。通过这样的流程，形成天线模块100F。
在此，在图19的(b)所示的各树脂层的加热压接流程时，导电性糊剂的一部分气化而产生气体。产生的气体基本通过基板内而向外部放出，但在形成有导体图案的部分，由于无法使气体通过，因此存在气体积存于导体图案与树脂层的界面而导致导体图案的局部剥离的可能性。
当成为这样的状态时，树脂层与导体图案之间的接合强度降低，并且在剥离部分容量成分变动，因此作为基板整体的阻抗可能变化。在天线模块那样的处理高频信号的构件的情况下，由于该阻抗的变化而产生对特性的影响。
另外，在图19的(d)中进行回流焊处理，但通常回流焊处理的温度比加热压接流程的加热温度(即，热塑性树脂的软化温度)高，因此可能还由于在回流焊处理时施加于导体图案190的附近的热而自介电体基板130的内部产生气体。
在本实施方式的天线模块中，对于与上述的导体图案对应的辐射电极121、接地电极GND以及导体图案190，根据需要而形成开口部。到达导体图案与树脂层的界面的气体成分通过该开口部而向基板外部放出。因而，能够抑制由于在加热时在基板内部产生的气体所导致的导体图案的剥离而发生的强度降低和阻抗变化。
另外，在上述的RFIC100的安装流程之前，有时如图20那样在介电体基板130的安装面(第2面134)形成保护膜200。在保护膜形成开口，形成自开口暴露的电极焊盘190B(包覆抗蚀剂)。此时，导体图案190A的整面被保护膜200覆盖。
在该情况下，当在导体图案190A形成开口部时，通过开口部的气体会积存于保护膜200与介电体基板130的界面，反而存在导致保护膜200剥离的可能性。因此，优选的是，不在导体图案中处于保护膜200的正下方的部分形成开口部。在上述的图18的例子中，由于外部设备不与配置于最外周的导体图案190A连接，因此在形成有保护膜200的情况下，导体图案整体被保护膜200覆盖。因此，图18的导体图案190A不形成开口部。
另外，关于天线模块的RFIC 110的连接部分，如图21所示，也可以使用底部填充剂210实施封闭处理。底部填充剂210例如是包含环氧或硅等的液态固化性树脂。通过实施利用底部填充剂210进行的封闭处理，能够提高保护膜200与介电体基板130之间的连接部分或钎焊凸块180的连接部分的强度。另外，不仅RFIC 110的连接部分，也可以对RFIC 110整体使用树脂进行模制(封闭处理)。
通常，封闭处理的温度比加热压接时和回流焊时的温度低，因此几乎不会由于该封闭处理而自介电体基板130内进一步产生气体。
(应用于挠性基板的应用例)
通过在安装电极形成开口部而实现的电极与基板的密合强度的提高不限定于RFIC与电极焊盘的接合部分。例如，也能够应用于像图22所示那样的使用挠性基板的天线模块的连接器的接合部分那样易于施加应力的部分。
在图22的通信装置10A中，成为在安装有RFIC 110的安装基板20借助连接器30、35安装有天线装置105的构造。
天线装置105包含挠性基板135、介电体基板130、辐射电极121以及传输线路140。挠性基板135例如是多层构造的LCP基板。在挠性基板135的一端隔着介电体基板130配置有辐射电极121，在另一端安装有连接器30。连接器30使用钎焊接合于在挠性基板135形成的导体图案(电极焊盘)190C，构成为能够与配置于安装基板20的连接器35卡合。
挠性基板135以配置有连接器30的第1部分的基板的法线方向与配置有辐射电极121的第2部分的基板的法线方向大致正交的方式在基板的中途弯曲。在挠性基板135的两侧的主面形成有接地电极GND，在内部形成有用于将来自RFIC 110的高频信号向辐射电极121传递的传输线路140。即，挠性基板135形成带状线。配置于挠性基板135的连接器30与配置于安装基板20的连接器35卡合，从而自RFIC 110向辐射电极121传递高频信号。
辐射电极121配置为面对在通信装置10A的金属制的壳体15形成的树脂部16。另外，图22中的辐射电极121成为配置于介电体基板130的外表面的结构，但也可以如图16等那样是埋入于介电体基板130内的结构。另外，也可以在辐射电极121形成有开口部。来自辐射电极121的电波经过树脂部16向通信装置10A的外部辐射。
在这样的具有悬臂梁的形状的天线装置105中，在其构造上，弯曲应力等机械载荷易于施加于配置有连接器30的部分，存在电极焊盘190C自挠性基板135剥离的隐患。因此，通过在电极焊盘190C形成开口部而增加挠性基板135与电极焊盘190C之间的密合强度，能够抑制因机械载荷而发生的电极焊盘190C的剥离。
另外，也可以是，在传输线路140或接地电极GND也形成开口部而提高密合强度。
另外，也可以是，在安装基板20侧，在用于连接连接器35的导体图案(电极焊盘)190D和用于连接RFIC 110的导体图案(电极焊盘)190E也形成开口部而提高密合强度。
应理解为本次公开的实施方式在所有的方面均为例示而不是限制。本公开的范围由权利要求书表示而不由上述的实施方式的说明表示，意图包含在与权利要求书均等的意思和范围内的所有的变更。
附图标记说明
10、10A、通信装置；15、壳体；16、树脂部；20、安装基板；30、35、连接器；100、100A、100A1、100A2、100B～100F、100X、天线模块；105、天线装置；111A～111D、113A～113D、117、开关；112AR～112DR、低噪声放大器；112AT～112DT、功率放大器；114A～114D、衰减器；115A～115D、移相器；116、信号合成/分波器；118、混频器；119、放大电路；120、天线阵列；121、121B、121D、121E、121X、121Y、辐射电极；122、150、195、开口部；130、介电体基板；130A～130C、树脂层；132、第1面；134、第2面；135、挠性基板；140、传输线路；145A～145C、导电性糊剂；160、空间；170、配件；180、钎料；190、190A～190E、导体图案；200、保护膜；210、底部填充剂；GND、GND2、接地电极；SP1、SP1A、SP2、SP2A、供电点。

Claims (11)

1.一种天线模块，其中，
该天线模块包括：
介电体基板；以及
辐射电极和接地电极，其配置于所述介电体基板，
在所述辐射电极和所述接地电极中的至少一电极形成有不贯通所述介电体基板而贯通该电极的多个开口部。
2.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述多个开口部在形成有所述多个开口部的电极均匀且等间隔地形成。
3.根据权利要求1所述的天线模块，其中，
所述辐射电极包含被供给高频电力的第1供电点和第2供电点，
在从所述天线模块的法线方向俯视的情况下，所述多个开口部形成于包含将所述第1供电点与所述第2供电点连结的第1线的预定区域内。
4.根据权利要求3所述的天线模块，其中，
在从所述天线模块的法线方向俯视的情况下，
所述辐射电极具有圆形或正多边形的平板形状，
所述多个开口部沿着经过所述辐射电极的中心且与所述第1线交叉的第2线形成。
5.根据权利要求4所述的天线模块，其中，
所述辐射电极还包含被供给高频电力的第3供电点和第4供电点，
在从所述天线模块的法线方向俯视的情况下，所述多个开口部还沿着经过所述辐射电极的中心且与将所述第3供电点与所述第4供电点连结的第3线交叉的第4线形成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的天线模块，其中，
在所述多个开口部中的至少一部分开口部填充有所述介电体基板的介电体材料。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的天线模块，其中，
所述多个开口部形成于所述辐射电极。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的天线模块，其中，
所述多个开口部形成于所述接地电极。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的天线模块，其中，
该天线模块还包括供电电路，该供电电路安装于所述介电体基板并向所述辐射电极供给高频电力。
10.根据权利要求9所述的天线模块，其中，
该天线模块还包括连接电极，该连接电极用于将所述供电电路安装于所述介电体基板，
在所述连接电极形成有贯通该电极的其他开口部。
11.一种通信装置，其中，
该通信装置搭载权利要求1～10中任一项所述的天线模块。
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