JP2014011393A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子の発熱や周囲温度変化による半導体モジュールの熱反り変形の繰り返しによって、半導体モジュールとヒートシンク間に塗布した熱伝導グリースが流出することと塗布空間に空気が混入することを同時に防止する。
【解決手段】この発明に係る半導体装置５０は、放熱板８の放熱板側面１３には、複数の仕切部５１で仕切られて熱伝導グリースを貯留する複数のグリース貯留部１４が形成されており、このグリース貯留部１４に貯留された熱伝導グリースは、温度サイクルにより生じる塗布空間の増大による塗布空間内への空気の浸入を防止し、また仕切部１４は、温度サイクルにより生じる塗布空間の減少により塗布空間から流出した熱伝導グリースが隣接したグリース貯留部１４に連通して半導体モジュール１の外部に流下するのを防止するようになっている。
【選択図】図４

Description

この発明は、半導体モジュールの放熱板とヒートシンクとの間の塗布空間に熱伝導グリースが介在した半導体装置に関する。

複数の素子（ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等）を回路基板ないしは金属製の回路フレーム等に実装し、端子、モールド構造を含めて一体型としたパワーモジュールや半導体パッケージなどの半導体モジュールが知られている。
一般に、これらの半導体モジュールは、半導体素子からの発熱が大きいため、半導体モジュール表面のうち1つないし複数に金属製放熱面が設けられており、この放熱面とヒートシンクとを熱伝導物質を介して接触させ、この半導体モジュールをヒートシンクにねじ止め等により固定されている。
この半導体装置は、半導体モジュールとヒートシンクとの間で熱伝導物質を介して伝熱経路が確保され、放熱性能が確保されている。

このような半導体モジュールでは、放熱性能の観点から半導体モジュール放熱面とヒートシンクとの接触熱抵抗の低減が特に重要であり、通常熱伝導物質としては熱伝導グリース、熱伝導シート材といった熱伝導に優れた物質を適用する。
このうち、熱伝導グリースは、熱伝導性に優れると共に、半導体モジュールをヒートシンクに固定する際の塗布工程においてペースト状態であるため、位置決めが面倒な熱伝導シートと比較して相対的に作業性が容易である等の利点を有する。

一方、半導体モジュールは、半導体素子や回路基板、放熱面に用いる金属などの線膨張係数の異なる複数の材料で構成されていることから、半導体モジュールの電源入切による発熱有無に伴う温度サイクルや、半導体モジュールの周囲の温度変化に対して反り変形をくり返し生じる場合がある。
このとき、半導体モジュール放熱面とヒートシンクとの間の塗布空間に介在した熱伝導グリースが反り変形に伴う塗布空間の体積変化によって、移動、流出したり、あるいはそれに随伴して外部の空気が塗布空間内に侵入する場合がある。
そして、熱伝導グリースが流出あるいは塗布空間に空気が混入して空気層を形成した場合、半導体モジュール放熱面からヒートシンクへの熱抵抗は大幅に増大し、放熱性能が悪化する。

これに対して、従来の半導体装置では、部材の線膨張係数差に伴う反り変形の繰り返しにもかかわらず、放熱面とヒートシンクとの間に塗布した熱伝導グリース層に空気が混入するのを良好に阻止可能な構造として、半導体モジュールの反り変形に伴う熱伝導グリース塗布空間の体積増加分以上に相当する熱伝導グリース溜め部を放熱板全周にわたって設けることを特徴とする、下記の特許文献１が知られている。

また、同様に反り変形繰り返しによる熱伝導グリース塗布空間の体積減少による熱伝導グリース押し出しが原因で、塗布空間から流出した熱伝導グリースを貯留して、外部に流出するのを防止することを特徴とする、下記の特許文献２が知られている。

特開２００５−３１０９８７号公報（例えば図１〜８等） 特開２０１１−１６５７１３号公報（例えば図１、２等）

上記特許文献１に示された半導体装置は、熱伝導グリース塗布空間の体積増加に対応するため、外部に露出したグリース貯留部を有しているが、逆にグリース塗布空間の体積が減少した場合はグリース貯留部全体の熱伝導グリース量が増加することになる。
しかしながら、この半導体装置の場合、摩擦抵抗などの接触による熱伝導グリース把持力も相対的に小さいため、グリース貯留部で増加した熱伝導グリースが溢れ出て流出する恐れがある。
特に、放熱面が地平に対して垂直に取り付けた場合は、塗布空間体積減少にともなって増加した熱伝導グリースの多くが重力の影響を受けるため、流出する可能性が高い。

一方、上記特許文献２に示した半導体装置は、半導体モジュールの反り変形に伴う熱伝導グリース塗布空間体積の減少に対して、初期の塗布位置からはみ出し、あるいは流出した熱伝導グリースをグリース溜め部に貯留させることができ、外部への流出による汚損を防止することができる。
しかしながら、流出後の塗布空間には空気が混入することになり、放熱性能が悪化することになる。
さらに、その後も半導体モジュールの反り変形を繰り返した場合、混入した空気によって熱伝導グリースがさらに塗布空間から押し出される場合もある。

このように、従来の半導体装置は、半導体モジュールの反り変形によって熱伝導グリースを塗布した塗布空間体積の変動が生じるのに対し、塗布空間体積が増加する場合に空気が混入することを防止すること、あるいは塗布空間体積が減少する場合に熱伝導グリースが外部に流出することを防止することはできるものの、その両方を満足するものではなく、いずれかの構造を採用するか、あるいは複数の熱伝導グリースの中から相対的に空気混入しにくい、あるいは流出しにくいものを採用する方法を取らざるを得ないという問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決することを課題とするものであって、半導体モジュール使用中の反り変形の繰り返しに伴う熱伝導グリース層への空気混入と熱伝導グリース流出の両方を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。

この発明に係る半導体装置は、
半導体素子、この半導体素子に接合層を介して接合された基板、及びこの基板に接着層を介して接着された放熱板を有する半導体モジュールと、
この半導体モジュールに固定されたヒートシンクと、
このヒートシンクと前記放熱板との間の塗布空間に介在した熱伝導グリースと、
を備えた半導体装置であって、
前記放熱板の側面である放熱板側面には、複数の仕切部で仕切られて前記熱伝導グリースを貯留する複数のグリース貯留部が形成されており、
このグリース貯留部に貯留された前記熱伝導グリースは、温度サイクルにより生じる前記塗布空間の増大による塗布空間内への空気の浸入を防止し、
また前記仕切部は、温度サイクルにより生じる前記塗布空間の減少により塗布空間から流出した前記熱伝導グリースが隣接したグリース貯留部に連通して前記半導体モジュールの外部に流下するのを防止するようになっている。

この発明に係る半導体装置によれば、放熱板側面に複数の仕切部で仕切られて熱伝導グリースを貯留する複数のグリース貯留部が形成されている。
従って、半導体モジュールの繰り返し動作あるいは周囲環境温度の変化による温度サイクルによって生じる、繰り返し反り変形により半導体モジュールとヒートシンクとの間の塗布空間に介在した熱伝導グリースに空気が混入すること、あるいは熱伝導グリースが外部へ流出することを同時に防ぐことができ、半導体モジュール使用中において放熱性能を良好に保つことができる。

この発明の実施の形態１の半導体装置の半導体モジュールを示す断面図である。 図１と異なる半導体モジュールの例を示す断面図である。 図１とさらに異なる半導体モジュールの例を示す断面図である。 この発明の実施の形態１の半導体装置を示す斜視図である。 図４の側面図である。 図４の要部正面図である。 この発明の実施の形態２による半導体装置を示す要部正面図である。 図７の半導体装置の変形例を示す要部正面図である。 図７の半導体装置の他の変形例を示す要部正面図である。 この発明の実施の形態３による半導体装置を示す要部正面図である。 図１０の半導体装置の変形例を示す要部正面図である。 図１０の半導体装置の他の変形例を示す要部正面図である。 図１０の半導体装置のさらに他の変形例を示す要部正面図である。 この発明の実施の形態３の半導体装置の要部における角度を定義するための概略図である。 この発明の実施の形態３による半導体装置の要部における角度零の位置と方向を定義するための概略図である。 この発明の実施の形態４による半導体装置を示す要部正面図である。 図１６の上部側断面図である。 図１６の半導体装置の変形例を示す要部正面図である。 この発明の実施の形態５による半導体装置を示す要部正面図である。 図１９の上部側断面図である。 この発明の実施の形態６による半導体装置を示す要部正面図である。 この発明の実施の形態７による半導体装置を示す斜視図である。 図２２の側面図である。 この発明の実施の形態８による半導体装置のヒートシンク及び放熱板を示す斜視図である。 図２４の放熱板を示す斜視図である。 図２４の側断面図である。 この発明の実施の形態９による半導体装置を示す要部正面図である。

以下、この発明の各実施の形態の半導体装置について図に基づいて説明するが、各図において、同一または相当部材、部位については同一符号を付して説明する。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１の半導体装置の半導体モジュール１を示す断面図である。
この半導体モジュール１は、半導体素子２と、この半導体素子２に接合層３を介して接合された基板４と、この基板４に接着層５を介して接着された放熱板８と、半導体素子２、基板４を覆った樹脂部７と、半導体素子２と基板４とを電気的に接続したワイヤボンド６とを備えている。

図１では半導体素子２は二個であるが、一個または三個以上あっても差し支えない。接合層３は、例えばはんだ材や導電性接着剤等が用いられる。基板４は、例えばガラス繊維強化エポキシ等の樹脂材や、銅フレームなどの金属基板が用いられる。接着層５は、はんだ材や接着剤でも構わないし、シート状の樹脂粘着板等でもよい。放熱板８は、例えば銅やアルミなどの放熱性能の高い部材が用いられる。ワイヤボンド６は、図１では一つであるが複数あってもよいし、半導体素子２同士を接続する場合もある。樹脂部７は、フィラー混入エポキシ樹脂等のモールド樹脂やシリコン樹脂等の注型樹脂等が用いられ、絶縁性能保持、構造の強度向上または水分の影響排除等の機能を有する。

また、半導体モジュール１は、図２に示すように、筐体枠９を備えたものでもよい。
また、図３に示すように筐体枠９の縁部に枠縁部９ａを設け、枠縁部９ａで放熱板８を両側から挟んで筐体枠９を放熱板８に取付け、さらに筐体枠９上に蓋１０を被せた半導体モジュール１でもよい。この場合、樹脂部７は除かれる。

図４はこの実施の形態１の半導体装置５０を示す斜視図、図５は図４の側面図、図６は図４の要部正面図である。
この半導体装置５０は、半導体モジュール１をヒートシンク１１に対して、複数のねじ１２で固定し、また半導体モジュール１の放熱板８とヒートシンク１１との間の塗布空間には熱伝導グリース１６が介在している。熱伝導グリース１６は、シリコーンオイルを基油として、アルミナやシリカなどの微粉末であるフィラーを混入し、放熱性能を確保したグリース様物質のことを指す。

放熱板８の側面部である、放熱板側面１３には、頂部１４ａ、谷部１４ｂ及び壁部１４ｃからなる断面三角形状の複数の仕切部５１で仕切られたグリース貯留部１４が形成されており、谷部１４ｂの近傍に貯留グリース１５が保持される。

図４では、放熱板側面１３は、モジュール側面部１ａと同一面でなく、仕切部５１は、モジュール側面部１ａからはみ出しているが、頂部１４ａがモジュール側面部１ａの平面と同一高さであってもよい。
また、各グリース貯留部１４は図示したように、放熱板側面１３の全周面に形成してよいし、任意の部位に複数形成してもよい。

この実施の形態の半導体装置５０では、半導体モジュール１を熱伝導グリース１６を介してヒートシンク１１に固定する際に、放熱面８ａに熱伝導グリース１６が隙間なく介在されると共に、余剰な熱伝導グリース１６は複数のグリース貯留部１４にはみ出て、貯留グリース１５として存在する。

半導体モジュール１は、内蔵する半導体素子２の発熱や使用温度環境の変化により、半導体素子２、基板４、接着層５、樹脂部７、放熱板８等の線膨張係数ミスマッチにより、熱反りを生じる場合がある。
半導体装置５０のように、この半導体モジュール１をヒートシンク１１にねじ止め固定した構造において、熱反りが生じた場合は、ヒートシンク１１と放熱板８との間の塗布空間の体積に変動が生じる。
つまり、図１、図２、図３などに示した半導体モジュール１の一例において、図の下方に放熱面８ａの中間部が突出し、ヒートシンク１１が近づく方向に熱反り変形が生じた場合、熱伝導グリース１６の塗布空間体積は、ねじ止め固定時あるいは熱反り変形が生じる前と比較して減少し、それに伴い熱伝導グリース１６はグリース貯留部１４に押し出される。
そして、熱反りにより熱伝導グリース１６は押し出されることで、各グリース貯留部１４内の、貯留グリース１５の量が増加する。

こうして押出しによるはみ出し熱伝導グリース１６は、複数の仕切部５１で仕切られた各グリース貯留部１４で分担されることで、個々の貯留グリース１５の増分は少ない分、伝導グリース１６の自重増加を防ぐことができる。
従って、熱伝導グリース１６が壁部１４ｃに沿って直下のグリース貯留部１４に流下し、外部流出するのを防ぐことができる。

また、仕切部５１は、断面三角形状で、傾斜した壁部１４ｃを有するため、熱伝導グリース１６の接触面積が増加し、摩擦抵抗が増加することにより熱伝導グリース１６が移動、垂れ落ち、流出しにくくなる効果がある。

また、図１、図２、図３などに示した半導体モジュールの一例において、図の上方に放熱面８ａの中間部が突出し、放熱面８ａがヒートシンク１１から遠ざかる方向に熱反り変形が生じた場合、熱伝導グリース１６の塗布空間体積は、ねじ止め固定時あるいは熱反り変形が生じる前と比較して増加し、それに伴い空間増加体積に相当する空気が混入するおそれがある。

これに対しては、この実施の形態の半導体装置５０では、グリース貯留部１４に貯留された貯留グリース１５の一部が塗布空間内に浸入して、初期の熱伝導グリース１６の塗布空間体積が減じた分を補うことができるため、空気の混入を良好に防止することができる。

このように、この実施の形態の半導体装置５０では、温度サイクルなどにより、半導体モジュール１の放熱面８ａが熱反り変形を繰り返した場合でも、各グリース貯留部１４に貯留された貯留グリース１５の増減により、熱伝導グリース１６の移動、垂れ落ち、流出や、塗布空間への空気の混入を防止することができる。
従って、半導体モジュール１の使用中において、ヒートシンク１１と放熱板８との間の塗布空間内の熱伝導グリース１６量の増減を抑制し、放熱性能を保つことが可能である。

実施の形態２．
図７はこの発明の実施の形態２による半導体装置５０を示す要部正面図である。
この実施の形態では、仕切部５１で仕切られた各グリース貯留部１４の形状が矩形状であって、仕切部５１では、平面である頂面１７を有している点が、実施の形態１の半導体装置５０と異なる。
この実施の形態では、図７に示すように、図面下方を重力方向として半導体装置５０を設置した場合には、壁部１４ｃが重力に垂直な面となるため、半導体モジュール１の放熱面８aが熱反りを生じ、貯留グリース１５の量が増加した際に、実施の形態１のものと比較して熱伝導グリース１６が重力方向に垂れ落ちにくくなる効果がある。
また、各仕切部５１は、各高さが同じ頂面１７を有しており、製造工程での半導体装置５０の取り扱いも簡単である。

なお、図８に示すように、仕切部５１で仕切られたグリース貯留部１４は、谷部１４ｂが円弧状であっても図７のものと同様の効果を得ることができる。
また、図９に示すように、グリース貯留部１４の谷部１４ｂとともに各仕切部５１の頂面１７も円弧上であっても、実施の形態１のものと比較して熱伝導グリース１６が重力方向に垂れ落ちにくくなる効果がある。

実施の形態３．
図１０はこの発明の実施の形態３による半導体装置５０を示す要部正面図であり、また図１１〜図１３は、図１０のものの各変形例を示す図である。
図１４における角度θは、重力方向２２に対して垂直な水平方向２３と、貯留グリース１５を挟む１対の壁部１４ｃのうち下側の壁部１４ｃとの間で生じる角度である。そして、図１５のように水平方向２３と壁部面方向２４が同一の時の角度θを零と定義し、反時計回りを正、時計回りを負の角度θとする。
この実施の形態の半導体装置５０では、この角度θが正であり、かつ９０°より小さい。

この実施の形態の半導体装置５０によれば、各グリース貯留部１４の開口部は、谷部１４ｂから開口部を視て上向きに指向しているので、図面下方を重力方向とした場合、正角度θの効果により、実施の形態１,２のものと比較して熱伝導グリース１６は、さらに垂れ落ち、流出しにくくなる。
なお、この実施の形態では、図１１では鋭角の谷部１４ｂ、頂面１７を有し、また図１２では鋭角の谷部１４ｂ、頂部１４ａを有し、さらに図１３では平面状の谷部１４ｂ、頂面１７を有しているが、鋭角の谷部１４ｂ、平面状の谷部１４ｂ、頂部１４ａ及び頂面１７が混在してもよい。

実施の形態４．
図１６はこの発明の実施の形態４による半導体装置５０を示す要部正面図、図１７は図１６の上部側断面図である。
この実施の形態では、三角形状の各仕切部５１の上部に、ヒートシンク１１側に突出しヒートシンク１１に面接触した突起部２６が形成されている。
他の構成は、実施の形態１の半導体装置５０と同じである。

実施の形態１の半導体装置５０では、半導体モジュール１を熱伝導グリース１６を介してヒートシンク１１に固定する際や、半導体モジュール１の熱反りによって熱伝導グリース１６の塗布空間が減少した際に、谷部１４ｂ側に貯留した貯留グリース１５だけでなく、頂部１４ａの近傍からも熱伝導グリース１６がはみ出る可能性がある。
そして、この場合、はみ出た熱伝導グリース１６がそれぞれのグリース貯留部１４に保持された貯留グリース１５と連通し、最悪の場合垂れ落ちや流出を生じるおそれがある。
これに対しては、三角形状の突起部２６が頂部１４ａ近傍からの熱伝導グリース１６のはみ出しを効果的に抑制できる。

なお、三角形状の突起部２６の代りに、図１８に示すように、仕切部５１の上部に、頂部１４aからの２辺に沿って部分的に突起部２７を形成しても同様の効果を得ることができる。
また、実施の形態２及び３の半導体装置５０にも、同様の突起部２６，２７を設けることで同様の効果を得ることができる。

実施の形態５．
図１９はこの発明の実施の形態５による半導体装置５０を示す要部正面図、図２０は図１９の上部側断面図である。
この実施の形態では、放熱板８は、ヒートシンク１１に対面した面の四辺の各縁部に沿って延びた溝部２８が形成されている。
他の構成は、実施の形態１の半導体装置５０と同じである。

この実施の形態の半導体装置５０によれば、溝部２８に、グリース貯留部１４に貯留される貯留グリース１５の一部を貯留することができ、グリース貯留部１４との間で熱伝導グリース１６の量の調整を確実にすることができる。
また、熱サイクル等による塗布空間体積の増加により空気が塗布空間に混入しようとした際には、グリース貯留部１４に貯留された貯留グリース１５とともに、溝部２８に貯留された熱伝導グリース１６も塗布空間内への空気の浸入を阻止することができ、放熱性能の悪化度合いを低減することができる。

実施の形態６．
図２１はこの発明の実施の形態６による半導体装置５０を示す要部正面図である。
この実施の形態では、仕切部５１は、グリース貯留部１４に対面した壁部１４ｃに凹部２９が形成されている。
他の構成は、実施の形態１の半導体装置５０と同じである。

この実施の形態によれば、凹部２９にも熱伝導グリース１６を貯留することができるので、それぞれのグリース貯留部１４の熱伝導グリース１６の量が増大する。
そのため、隣接したグリース貯留部１４同士で貯留グリース１５が連通しないよう、グリース貯留部１４の最大貯留量を超えない必要があるが、凹部２９の体積の分、熱伝導グリース１６の初期塗布量に余裕が生まれるため、作業性や作業効率の向上や短縮が図られる。
また、熱伝導グリース１６の塗布空間の体積の増減時に、半導体モジュール１の熱反り量が大きくなっても、垂れ落ちや流出、または塗布空間への空気混入をより防止することができる。
さらに、凹部２９による表面積増加の分、熱伝導グリース１６が仕切部５１の壁部１４ｃと接触する面積も増加することから、摩擦抵抗力が増大することで、より移動、垂れ落ち、流出しにくくなる効果もある。

実施の形態７．
図２２はこの発明の実施の形態７による半導体装置５０を示す斜視図、図２３は図２２の側面図である。
この実施の形態では、放熱板８の外形寸法は、半導体モジュール１の外形寸法と一致している、即ち各仕切部５１の隣接した頂部１４ａを結ぶ直線で生じる外枠は、半導体モジュール１と重なっている。
また、仕切部５１は、放熱板側面１３の全域ではなく、熱伝導グリース１６が塗布されるヒートシンク１１側の領域に部分的に形成されている。
他の構成は、実施の形態１の半導体装置５０と同じである。

この実施の形態の半導体装置５０によれば、各仕切部５１を加工して複数のグリース貯留部１４を形成する手順、時間を削減することができる。

実施の形態８．
図２４はこの発明の実施の形態８による半導体装置５０のヒートシンク１１及び放熱板８を示す斜視図、図２５は図２４の放熱板８を放熱面８ａ側から視たときの斜視図、図２６は図２４の側断面図である。
この実施の形態は、放熱板８の四面ある放熱板側面１３のうち三面には仕切部５１によるグリース貯留部１４が形成される。
また、放熱板８には、下縁部に沿って延びた凸状の堰部３０が形成されている。
他の構成は、実施の形態１の半導体装置５０と同じである。

この実施の形態による半導体装置５０によれば、熱伝導グリース１６の塗布空間の下側は堰部３０によって仕切られており、これにより熱伝導グリース１６が外部に流出することを防ぐ効果がある。
なお、堰部３０は１つだけとは限らず、放熱板８の三方の縁部に堰部３０を形成してもよい。
また。三方の縁部に堰部３０を形成した場合には、残りの一方の縁部に対応した放熱板８の放熱板側面１３に仕切部５１によりグリース貯留部１４が形成される。

実施の形態９．
図２７はこの発明の実施の形態９による半導体装置５０を示す要部正面図である。
この実施の形態では、仕切部５１のグリース貯留部１４に対面した壁部１４ｃの面は、表面粗し加工部３１が施された粗面である。
他の構成は、実施の形態１の半導体装置５０と同じである。

この実施の形態による半導体装置５０によれば、表面粗し加工部３１が施されることで、熱伝導グリース１６の移動、垂れ落ち、流出を防ぐ効果がある。

１ 半導体モジュール、１ａ モジュール側面部、２ 半導体素子、３ 接合層、４ 基板、５ 接着層、６ ワイヤボンド、７ 樹脂部、８ 放熱板、８ａ 放熱面、９ 筐体枠、９ａ 枠縁部、１０ 蓋、１１ ヒートシンク、１２ ねじ、１３ 放熱板側面、１４ グリース貯留部、１４ａ 頂部、１４ｂ 谷部、１４ｃ 壁部、１５ 貯留グリース、１６ 熱伝導グリース、１７ 頂面、１９ 底面、２２ 重力方向、２３ 水平方向、２４ 壁部面方向、θ 角度、２６ 突起部、２７ 突起部、２８ 溝部、２９ 凹部、３０ 堰部、３１ 表面粗し加工部、５０ 半導体装置、５１ 仕切部。

Claims (12)

1. 半導体素子、この半導体素子に接合層を介して接合された基板、及びこの基板に接着層を介して接着された放熱板を有する半導体モジュールと、
   この半導体モジュールに固定されたヒートシンクと、
   このヒートシンクと前記放熱板との間の塗布空間に介在した熱伝導グリースと、
   を備えた半導体装置であって、
   前記放熱板の側面である放熱板側面には、複数の仕切部で仕切られて前記熱伝導グリースを貯留する複数のグリース貯留部が形成されており、
   このグリース貯留部に貯留された前記熱伝導グリースは、温度サイクルにより生じる前記塗布空間の増大による塗布空間内への空気の浸入を防止し、
   また前記仕切部は、温度サイクルにより生じる前記塗布空間の減少により塗布空間から流出した前記熱伝導グリースが隣接したグリース貯留部に連通して前記半導体モジュールの外部に流下するのを防止するようになっていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記グリース貯留部は、外側に開口した断面三角形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記グリース貯留部は、底面がＵ字状または平面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 各前記仕切部は、高さが同じであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
5. 前記仕切部は、端部に前記ヒートシンク側に突出しヒートシンクに面接触した突起部が形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
6. 前記仕切部は、前記グリース貯留部側の面に凹部が形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置。
7. 前記仕切部は、前記グリース貯留部側の面が粗面であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置。
8. 前記放熱板は、前記ヒートシンクに対面した側の面であってその縁部に沿って延びた溝部が形成されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置。
9. 前記ヒートシンクに向かって延びた各前記グリース貯留部は、前記放熱板側面に周方向に連続的に形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体装置。
10. 前記グリース貯留部の開口部は、底側から視て上向きに指向していることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の半導体装置。
11. 前記ヒートシンクに向かって延びた各前記グリース貯留部は、前記ヒートシンク側の領域に形成されていることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体装置。
12. 前記放熱板は、前記ヒートシンクに対向した面に、縁部に沿って延びた凸状の堰部が少なくとも一辺に形成されており、他辺では、前記放熱板側面に前記グリース貯留部が形成されていることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の半導体装置。

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