JP2007258291A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型化、軽量化が可能で、放熱特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヒートシンクと、ヒートシンクの上に熱伝導グリスを介して載置されたモジュールと、モジュールの上に載置された押さえ板と、モジュールをヒートシンクに向かって押し付けるように、押さえ板をヒートシンクに固定する固定具とを含み、モジュールで発生した熱を、熱伝導グリスを経てヒートシンクから放出する半導体装置において、モジュールは、樹脂封止型モジュールからなり、ヒートシンクは、固定具が固定された支持板と、支持板に接合されてその間に冷却媒体の流路を形成する流路カバーとを含む。
【選択図】図1
【解決手段】 ヒートシンクと、ヒートシンクの上に熱伝導グリスを介して載置されたモジュールと、モジュールの上に載置された押さえ板と、モジュールをヒートシンクに向かって押し付けるように、押さえ板をヒートシンクに固定する固定具とを含み、モジュールで発生した熱を、熱伝導グリスを経てヒートシンクから放出する半導体装置において、モジュールは、樹脂封止型モジュールからなり、ヒートシンクは、固定具が固定された支持板と、支持板に接合されてその間に冷却媒体の流路を形成する流路カバーとを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型モジュールをヒートシンクに固定した電力用半導体装置に関する。
従来の電力用半導体装置には、ケース型モジュールが用いられる。ケース型モジュールはベース板を含み、ベース板の上には、絶縁基板を介してIGBT等の電力用半導体素子が載置されている。ベース板は例えば銅からなり、絶縁基板は例えばセラミックからなる。また、ベース板は、例えば銅からなるヒートシンクの上に、ネジを用いて固定されている。ベース板とヒートシンクとの間には、熱伝導性を高めるために熱伝導グリスが塗布されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2001−148451号公報
熱伝導グリスは、フィラーを数十重量%以上含んだ粘性体からなり、熱伝導率は0.8〜4W/m・K程度である。かかる熱伝導率は、ベース板やヒートシンクを構成する銅の熱伝導率、約400W/m・Kと比較して極めて小さい値である。このため、放熱特性を向上させるためには、熱伝導グリスの膜厚を例えば0.1mm以下のように薄くする必要があり、ベース板をヒートシンクにネジで締め付けて熱伝導グリスを薄くしている。
しかしながら、ケース型モジュールでは、絶縁基板をベース板に半田材で固定する工程で、ベース板と絶縁基板との線膨張係数の違いによりベース板が湾曲する。このため、ベース板とヒートシンクとの間の熱伝導グリスの膜厚を薄くするには、ネジによりベース板をヒートシンクに締め付けて湾曲したベース板を平坦に延ばす必要があり、ヒートシンクは剛性の大きな構造とする必要がある。この結果、半導体装置の小型化、軽量化を図る場合に、ヒートシンクの大きさが制限となっていた。
そこで、本発明は、小型化、軽量化が可能で、放熱特性の良好な半導体装置の提供を目的とする。
本発明は、ヒートシンクと、ヒートシンクの上に熱伝導グリスを介して載置されたモジュールと、モジュールの上に載置された押さえ板と、モジュールをヒートシンクに向かって押し付けるように、押さえ板をヒートシンクに固定する固定具とを含み、モジュールで発生した熱を、熱伝導グリスを経てヒートシンクから放出する半導体装置であって、モジュールは、樹脂封止型モジュールからなり、ヒートシンクは、固定具が固定された支持板と、支持板に接合されてその間に冷却媒体の流路を形成する流路カバーとを含むことを特徴とする半導体装置である。
本発明にかかる半導体装置では、良好な放熱特性を実現しつつ、小型化、軽量化が可能となる。
以下に、図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、「上」、「下」、「左」、「右」およびこれらの用語を含む名称を適宜使用するが、これらの方向は図面を参照した発明の理解を容易にするために用いるものであり、実施形態を上下反転、あるいは任意の方向に回転した形態も、当然に本願発明の技術的範囲に含まれる。
実施の形態1.
図1は、全体が100で表される、本実施の形態1にかかる半導体装置の断面図である。図2は、半導体装置100を裏面から見た斜視図であり、図1は、図2をA−A方向に見た場合の断面に相当する。
図1は、全体が100で表される、本実施の形態1にかかる半導体装置の断面図である。図2は、半導体装置100を裏面から見た斜視図であり、図1は、図2をA−A方向に見た場合の断面に相当する。
半導体装置100は、ヒートシンク10を含む。ヒートシンク10は、支持板1と、支持板1の裏面にろう材で固定された流路カバー2とを含む。支持板1、流路カバー2は、例えばアルミニウムからなる。支持板1と流路カバー2との間には、波板状の薄板からなるコルゲートフィン3が設けられている。コルゲートフィン3は、例えば、10周期程度の波状部を有し、支持板1と流路カバー2に接してろう材で固定されている。コルゲートフィン3は、例えばアルミニウム板の両面にアルミニウム−シリコン層(ろう材)を設けたクラッド材からなる。冷却媒体は、コルゲートフィン3の間を、図1の紙面に垂直な方向に流れる。
支持板1の上には、熱伝導グリス4を介して樹脂封止型モジュール5が載置されている。熱伝導グリス4は、例えばフィラーを含んだシリコーン樹脂からなる。また、樹脂封止型モジュール5は、例えばIGBT等の半導体素子やリード(図示せず)をエポキシ樹脂で封止した構造となっている。樹脂封止型モジュール5の下面は、若干湾曲して描かれているが、これは封止樹脂の収縮によるものである。もちろん、下面が平坦な樹脂封止型モジュール5を用いても構わない。
樹脂封止型モジュール5の上には、例えばアルミニウムからなる押さえ板6が載置されている。押さえ板6は貫通孔を有し、かかる貫通孔を通るネジ(固定具)7によりヒートシンク10の支持板1に固定されている。
半導体装置100では、ネジ7を回すことにより、樹脂封止型モジュール5に押さえ板6を押し付けることができる。これにより、樹脂封止型モジュール5は、支持板1と押さえ板6との間に挟まれ下面が略平坦となるとともに、樹脂封止型モジュール5と支持板1との間に挟まれた熱伝導グリス4の膜厚も薄くなる。
上述のように、ケース型モジュールでは、湾曲したベース板を平坦に延ばすためにベース板をヒートシンクに強く締め付ける必要があった。このため、ヒートシンクは、例えば厚みが12mmの銅のバルク材を切削加工して形成され、重量も大きいものであった。
これに対し、本実施の形態1にかかる半導体装置100では、ヒートシンク10は、例えば厚さ2mmのアルミニウムの支持板1と、厚さ1mmのアルミニウムの流路カバー2と、その中に配置された厚さ0.5mmのクラッド材(アルミニウム/アルミニウム−シリコン)からなるコルゲートフィン3とからなる。冷却媒体の流路を形成する流路カバー2は、例えば幅が40mmであり、高さが8mmである。
この結果、半導体装置100では、ヒートシンクの重量を、従来構造に比較して約90%低減して、10分の1程度にすることができる。なお、熱伝達率は、10000W/m・K程度の値となる。
この結果、半導体装置100では、ヒートシンクの重量を、従来構造に比較して約90%低減して、10分の1程度にすることができる。なお、熱伝達率は、10000W/m・K程度の値となる。
また、従来構造のような切削加工によらず、クラッド材をプレス加工して形成したコルゲートフィン3と流路カバー2とを支持板1にろう付けするだけで、ヒートシンク10を形成できるため、加工時間が短くなり、製造コストの低減が可能となる。
また、ケース型モジュールを用いた場合、ケース型モジュールのベース板にネジを貫通させてケース型モジュールとヒートシンクとを固定するために、ベース板には貫通孔を設ける領域が必要であった。これに対して、半導体装置100では、樹脂封止型モジュール5を押さえ板6でヒートシンク10に押し付けて固定するため、樹脂封止型モジュール5の小型化、低コスト化が可能となる。
本形態の形態1では、図1、2に基づいて、ヒートシンク10と樹脂封止型モジュール5を2組備えた構造について説明したが、1組又は3組以上備えた構造であっても構わない(以下の実施の形態においても同様)。
なお、図2に示すように、ヒートシンク10には、冷却媒体の導入/排出口11が設けられている。以下の実施の形態3〜7に示すヒートシンク20〜60に対しても、かかる導入/排出口11が接続されて冷却媒体の供給/排出が行われる。
実施の形態2.
図3は、全体が200で表される、本実施の形態2にかかる半導体装置の断面図であり、図3中、図1と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図3は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図3は、全体が200で表される、本実施の形態2にかかる半導体装置の断面図であり、図3中、図1と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図3は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
半導体装置200では、支持板1の上にコルゲートフィン3と流路カバー2が形成され、更にその上に、熱伝導グリス4を介して樹脂封止型モジュール5が設けられている。樹脂封止型モジュール5の上には押さえ板6が載置されている。ネジ7で押さえ板6を支持板1に締め付けることにより、流路カバー2と樹脂封止型モジュール5とに挟まれた熱伝導グリス4を薄くできる。
また、上述の半導体装置100と同様に、支持板1、流路カバー2、およびコルゲートフィン3からヒートシンク10を形成することにより、ヒートシンク10の軽量化、低コスト化が可能となる。
なお、流路カバー2の上面(熱伝導グリス4が塗布される領域)は、両端より中央近傍が数10μm張り出した形状とすることにより、流路カバー2と樹脂封止型モジュール5とに挟まれた熱伝導グリス4が、横方向に逃げやすく、熱伝導グリス4を薄くできる。
このように、半導体装置200では、熱伝導グリス4を薄くして放熱効率を高くするとともに、半導体装置200の小型化、軽量化が可能となる。
実施の形態3.
図4は、全体が300で表される、本実施の形態3にかかる半導体装置の断面図であり、図4中、図3と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図4は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図4は、全体が300で表される、本実施の形態3にかかる半導体装置の断面図であり、図4中、図3と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図4は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
半導体装置300では、支持板1の上に、ヒートシンク20が、例えばろう付けにより固定されている。ヒートシンク20は、例えばアルミニウムの押し出し加工で形成され、寸法は、例えば厚みが1mm、高さが12mm、幅が40mmである。この場合、10000W/m・K程度の冷却性能が得られる。
ヒートシンク20の上には、熱伝導グリス4を介して樹脂封止型モジュール5が載置される。樹脂封止型モジュール5の上には、押さえ板6が載置される。押さえ板6は、ネジ7により支持板1に固定される。
かかる構造では、切削加工や、流路カバーのろう付け等を行うことなく、アルミニウム部材の押し出し加工でヒートシンク20を形成することができ、ヒートシンク20の軽量化、低コスト化が可能となる。即ち、半導体装置300では、熱伝導グリス4を薄くして放熱効率を高くするとともに、半導体装置300の小型化、軽量化が可能となる。
また、ヒートシンク20の形成にろう付け等を用いないため、常に略同一形状のヒートシンク20が得られる。この結果、常に略一定した放熱特性が実現できる。更に、流路カバーを支持板にろう付けするのに必要なのりしろが不要となり、ヒートシンク20の小型化、軽量化が可能となる。なお、ヒートシンク20の小型化でできた空間は、樹脂封止型モジュール5の配線部材の引き回し等に利用できる。
実施の形態4.
図5は、全体が400で表される、本実施の形態4にかかる半導体装置の断面図であり、図5中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図5は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図5は、全体が400で表される、本実施の形態4にかかる半導体装置の断面図であり、図5中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図5は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
半導体装置400では、支持板1の上にはヒートシンク30がろう付け等で固定されている。ヒートシンク30には保持部31が設けられている。ヒートシンク30と保持部31とは、例えばアルミニウム部材の押し出し加工で、同時に形成される。
保持部31は、図5の紙面に直交する平面を有するとともに、復元力を持って上下方向に動くようになっている。ヒートシンク30と保持部31との間隔は、樹脂封止型モジュール5の高さより若干小さくなっている。これにより、ヒートシンク30の上に熱伝導グリス4を介して樹脂封止型モジュール5を載置した場合、保持部31が樹脂封止型モジュール5をヒートシンク30の上面に押し付けて固定するようになる。具体的には、ヒートシンク30の上面に熱伝導グリス4をディスペンサ等で塗布した後に、保持部31を上方に持ち上げて樹脂封止型モジュール5を所定の位置に配置し、その後に、保持部31を最初の位置の戻して固定する。
このように、半導体装置400では、熱伝導グリス4を薄くして放熱効率を高くするとともに、ヒートシンク30に設けた支持部31を用いて樹脂封止型モジュール5を固定するため、更に、小型化、軽量化が可能となる。
実施の形態5.
図6は、全体が500で表される、本実施の形態5にかかる半導体装置の断面図であり、図6中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図6は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図6は、全体が500で表される、本実施の形態5にかかる半導体装置の断面図であり、図6中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図6は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図6(a)に示すように、半導体装置500では、支持板1の上にはヒートシンク40がろう付け等で固定されている。ヒートシンク40には2つの保持部41が設けられている。保持部41の先端には、紙面に垂直な方向に延びた溝部42が設けられている。ヒートシンク40、保持部41、および溝部42は、例えばアルミニウム部材の押し出し加工で、同時に形成される。
上述の半導体装置400と同様に、保持部41は復元力を持って上下方向に動き、ヒートシンク40と保持部41との間隔は、樹脂封止型モジュール5の高さより若干小さくなっている。これにより、ヒートシンク40の上に熱伝導グリス4を介して樹脂封止型モジュール5を載置した場合、保持部41が樹脂封止型モジュール5をヒートシンク40の上面に押し付けて固定するようになる。
特に、本実施の形態5にかかる半導体装置500では、図6(b)に示すように、対向する溝部42の間に、仮固定冶具45を挟んだ状態で、樹脂封止型モジュール5をヒートシンク40の上に挿入し、所定の位置に配置した状態で仮固定冶具45を取り外す。これにより、樹脂封止型モジュール5の配置が容易に行える。
このように、半導体装置500では、熱伝導グリス4を薄くして放熱効率を高くするとともに、小型化、軽量化が可能となる。また、樹脂封止型モジュール5の配置を容易に行うことができる。
実施の形態6.
図7は、全体が600で表される、本実施の形態6にかかる半導体装置の断面図であり、図7中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図7は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図7は、全体が600で表される、本実施の形態6にかかる半導体装置の断面図であり、図7中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図7は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
半導体装置600では、支持板1の上にはヒートシンク50がろう付け等で固定されている。ヒートシンク50には2つの保持部51が設けられ、保持部51の先端には溝部52が設けられている。特に、半導体装置500では、対向する保持部51の間隔W2が、樹脂封止型モジュール5の幅W1より大きくなっている。ヒートシンク50、保持部51、および溝部52は、例えばアルミニウム部材の押し出し加工で、同時に形成される。
溝部の間には押さえ板55が挿入され、押さえ板55により、樹脂封止型モジュール5はヒートシンク50の上面に押し付けられて固定される。押さえ板55には、突起部56が設けられることが好ましい。
半導体装置600では、ヒートシンク50の上に熱伝導グリス4を塗布し、その上に樹脂封止型モジュール5を配置する。保持部51の間隔W2が、樹脂封止型モジュール5の幅W1より大きいため、容易に樹脂封止型モジュール5を配置できる。この後に、図7の紙面に垂直な方向に、押さえ板55を対向する溝部52の間に挿入する。これにより、樹脂封止型モジュール5がヒートシンク50の上面に押し付けられて固定される。
このように、半導体装置600では、熱伝導グリス4を薄くして放熱効率を高くするとともに、小型化、軽量化が可能となる。また、樹脂封止型モジュール5の配置を容易に行うことができる。
押さえ板55の材料は、所定の剛性を有する材料であれば、金属、樹脂等から適当に選択できる。特に、押さえ板55の材料として、鉄やアルミニウムのような磁力を遮蔽できる金属を用いることにより、樹脂封止型モジュールの動作で形成される磁場の遮断、低減が可能となり、外部への影響を防止できる。
実施の形態7.
図8は、全体が700で表される、本実施の形態7にかかる半導体装置の断面図であり、図8中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図8は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
図8は、全体が700で表される、本実施の形態7にかかる半導体装置の断面図であり、図8中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。図8は、図2のA−A方向と同一方向に見た場合の断面図である。
半導体装置700では、上述の半導体装置400の構造に加えて、ヒートシンク60の上面に凹部62が設けられている。また、樹脂封止型モジュール5の裏面には、凹部62に嵌り込むように突起部15が設けられている。突起部15は、樹脂封止工程で、突起部を備えた金型を用いて樹脂封止を行うことにより、容易に形成できる。突起部15は、例えば直径が2mm、高さが1〜2mmの円柱形状からなる。突起部15は、例えば3角形の3つの頂点の位置に設けられる。
樹脂封止型モジュール5をヒートシンク60の上に配置する工程では、ヒートシンク60の上面に熱伝導グリス4を塗布した後に、樹脂封止型モジュール5を滑らしながら凹部62に突起部15を嵌め込む。かかる工程では、突起部15に支えられた状態で樹脂封止型モジュール5が滑るため、樹脂封止型モジュール5を容易に移動させることができる。また、ヒートシンク60の所定の位置に樹脂節型モジュール5を配置できる。
このように、半導体装置700では、熱伝導グリス4を薄くして放熱効率を高くするとともに、小型化、軽量化が可能となる。また、ヒートシンク50の所定の位置に樹脂封止型モジュール5を取り付けることができる。
1 支持板、2 流路カバー、3 コルゲートフィン、4 熱伝導グリス、5 樹脂封止型モジュール、6 押さえ板、7 ネジ、10 ヒートシンク、100 半導体装置。
Claims (2)
- ヒートシンクと、
該ヒートシンクの上に熱伝導グリスを介して載置されたモジュールと、
該モジュールの上に載置された押さえ板と、
該モジュールを該ヒートシンクに向かって押し付けるように、該押さえ板を該ヒートシンクに固定する固定具とを含み、該モジュールで発生した熱を、該熱伝導グリスを経て該ヒートシンクから放出する半導体装置であって、
該モジュールは、樹脂封止型モジュールからなり、
該ヒートシンクは、該固定具が固定された支持板と、該支持板に接合されてその間に冷却媒体の流路を形成する流路カバーとを含むことを特徴とする半導体装置。 - 上記支持板と上記流路カバーとの間に、波板状のコルゲートフィンが設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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JP2012124445A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | パワーパッケージモジュール |
JP2014013880A (ja) * | 2012-06-07 | 2014-01-23 | Toyota Industries Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102017206239A1 (de) * | 2017-04-11 | 2018-10-11 | Baumüller Nürnberg GmbH | Kühlkörper eines Umrichters |
JP7074270B1 (ja) | 2022-01-19 | 2022-05-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
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2006
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