JP2013534695A - パルス状の熱伝導流体の流れを用いたプラズマ処理装置における温度制御 - Google Patents
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- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 24
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 35
- 230000006870 function Effects 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 7
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32908—Utilities
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32926—Software, data control or modelling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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- Automation & Control Theory (AREA)
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、概してプラズマ処理装置に関し、特に、プラズマ処理チャンバでワークピースピースの処理中に温度を制御する方法に関する。
プラズマ処理チャンバ(例えば、プラズマエッチング又はプラズマ蒸着チャンバ)内では、チャンバ部品の温度は、しばしば処理の間に制御すべき重要なパラメータである。例えば、基板ホルダー(一般にチャック又は台座と呼ばれる)の温度は、(例えば、エッチング速度を制御するために)処理レシピの間においてワークピースを様々な制御された温度に加熱/冷却するために制御することができる。同様に、シャワーヘッド/上部電極又は他の部品の温度も、処理に影響を与えるように処理レシピの間に制御することができる。従来、ヒートシンク及び/又はヒートソースは処理チャンバに結合され、チャンバ部品の温度を所望の温度に維持する。PID(比例−積分−微分)コントローラなどのコントローラは、温度制御された部品とヒートシンク/ソースの間の熱伝達のフィードバック制御のために使用される。十分に大きな積分器が使用されない限り、定常状態の誤差が、単純なフィードバック制御で発生する。単純な比例制御では、(比例ゲインが無限大でない限り)外乱の存在下で定常状態の誤差は常にある。しかしながら、大きな積分制御の使用によって、大きなオーバーシュートをもつ良くない過渡信号をもたらし、長い整定時間を必要とする設定値に収束するために、ほんの数秒しか必要としない短い応答時間を有するマスフローコントローラ(MFC)とは異なり、静電チャックやシャワーヘッドの温度等のチャンバ部品の温度は、チャックのかなりの熱質量等により、プラズマプロセス中の摂動時には、安定化するのに30秒以上が必要となる場合がある。このように、最も迅速に外乱を補償するために、大きな積分器の値は、温度制御をより不安定にする望ましくない副作用を有するフィードバック制御において使用することができる。
Claims (15)
- 処理中にワークピースを支持するように構成されたチャックを含む処理チャンバと、
第1温度の第1熱伝導流体容器と、
第2温度の第2熱伝導流体容器と、
第1又は第2温度の熱伝導流体をチャックへと導くために第1及び第2熱伝導流体容器の両方をチャックに結合する第1供給ライン及び第1回収ラインと、
第1熱伝導流体容器を第1供給ラインと結合する第1バルブと、第2熱伝導流体容器を第1供給ラインと結合する第2バルブと、
重力によって熱伝導流体のレベルを等しくするために、第1熱伝導流体容器を第2熱伝導流体容器に結合するパッシブレベリングパイプを含むプラズマ処理装置。 - パッシブレベリングパイプは、第1及び第2熱伝導流体容器のそれぞれのドレインポイントに結合されている請求項1記載の装置。
- 第3バルブが第1回収ラインを第1熱伝導流体容器に結合し、パッシブレベリングパイプは、第1バルブを介してチャックに供給された熱伝導流体の量と第3バルブを介してチャックから回収された熱伝導流体の量の間の不均衡を考慮することができる請求項1記載の装置。
- 第1及び第2バルブはデジタルであり、装置は、全開状態と全閉状態の間で第1及び第2バルブのうちの少なくとも一方を駆動するパルス幅変調のデューティーサイクルを変調するためのコントローラを更に含み、第1及び第2バルブのうちの一方は、第1及び第2バルブの他方がオン状態にあるとき、オフ状態にあることができる請求項1記載の装置。
- コントローラは、パルス幅変調のデューティーサイクルを時間比例サイクルの割合として変調することができ、時間比例サイクルは、バルブの状態を変更するために必要な時間よりも長い大きさの2以上の命令である請求項4記載の装置。
- 時間比例サイクルの継続時間は、チャックの熱時定数の半分未満である請求項5記載の装置。
- 時間比例サイクルの継続時間は、4〜6秒である請求項6記載の装置。
- 第1供給ラインは、時間比例サイクルの間に導かれた熱伝導流体の体積よりも小さい内部容積を有する請求項5記載の装置。
- 第1熱伝導流体容器と第1バルブとの間のバイパス流路を更に含み、熱伝導流体は、1:0.8〜1:0.2の第1バルブ:バイパス比で、バイパス流路を介して第1熱伝導流体容器に回収される請求項1記載の装置。
- プラズマに印加された全電力に少なくとも基づいて、全開状態と全閉状態の間で第1及び第2バルブのうちの少なくとも一方を駆動するパルス幅変調のデューティーサイクルを変調するためのコントローラを更に含み、全電力は、少なくとも約2MHz〜60MHzの間で動作するRF発生装置からの第1バイアス電力と、約2MHz〜60MHzの間で動作するRF発生装置からの第2バイアス電力の加重和である請求項1記載の装置。
- プラズマ処理装置であって、
チャックを含む処理チャンバであって、チャックは、
処理中にワークピースピースが載置される作業面を提供するセラミックスパックと、
セラミックスパックの下の金属ベース内に配置された第1及び第2熱伝導流体チャンネルであって、第1熱伝導流体チャネルは作業面の外側ゾーンの下に配置され、第2熱伝導流体チャネルは作業面の内側ゾーンの下に配置されている第1及び第2熱伝導流体チャンネルを更に含む処理チャンバと、
金属ベースを通して配置され、セラミックスの作業面から5mm以下分離されている光ファイバー温度プローブと、
第1供給バルブを介して第1熱伝導流体チャネルに結合され、第2供給バルブを介して第2熱伝導流体チャネルに結合された第1温度の第1熱伝導流体容器と、
第3供給バルブを介して第2熱伝導流体チャネルに結合され、第4供給バルブを介して第2熱伝導流体チャネルに結合された第2温度の第2熱伝導流体容器を含むプラズマ処理装置。 - セラミックスパックの厚さが4mm〜10mmであり、温度プローブは、セラミックスパックの全厚さによって、作業面から分離されている請求項11記載の装置。
- セラミックスパックの厚さが20mm〜30mmであり、温度プローブは、作業面の反対側のセラミックスパックの裏側に、作業面から3〜5mm以内になるように配置される請求項11記載の装置。
- チャックを第1熱伝導流体容器に結合する第1供給ライン及び第1回収ラインを介して、チャックに第1温度の第1熱伝導流体を提供する工程と、
チャックを第2熱伝導流体容器に結合する第2供給ライン及び第2回収ラインを介して、チャックに第2温度の第2熱伝導流体を提供する工程と、
第1熱伝導流体容器を第1供給ラインと結合する第1バルブを制御し、第2熱伝導流体容器を第2供給ラインと結合する第2バルブを制御する工程と、
第1熱伝導流体容器を第2熱伝導流体容器に結合するパッシブレベリングパイプを通して第1又は第2熱伝導流体を流すことによって、第1熱伝導流体容器のレベルを第2熱伝導流体容器のレベルと等しくする工程を含むプラズマ処理装置でチャックの温度を制御する方法。 - 第1及び第2バルブのうちの一方は、第1及び第2バルブの他方がオン状態にあるとき、オフ状態にあることができるように、全開状態と全閉状態の間で第1及び第2バルブのうちの少なくとも一方を駆動するパルス幅変調のデューティーサイクルを変調する工程を更に含む請求項14記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35277910P | 2010-06-08 | 2010-06-08 | |
US61/352,779 | 2010-06-08 | ||
US36223210P | 2010-07-07 | 2010-07-07 | |
US61/362,232 | 2010-07-07 | ||
US13/111,334 US8916793B2 (en) | 2010-06-08 | 2011-05-19 | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
US13/111,334 | 2011-05-19 | ||
PCT/US2011/039182 WO2011156239A2 (en) | 2010-06-08 | 2011-06-03 | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013534695A true JP2013534695A (ja) | 2013-09-05 |
JP2013534695A5 JP2013534695A5 (ja) | 2015-11-19 |
JP6077995B2 JP6077995B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=45098592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013514239A Active JP6077995B2 (ja) | 2010-06-08 | 2011-06-03 | パルス状の熱伝導流体の流れを用いたプラズマ処理装置における温度制御 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8916793B2 (ja) |
JP (1) | JP6077995B2 (ja) |
KR (1) | KR101801070B1 (ja) |
CN (1) | CN102907180B (ja) |
TW (1) | TWI445459B (ja) |
WO (1) | WO2011156239A2 (ja) |
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KR20130084221A (ko) | 2013-07-24 |
TWI445459B (zh) | 2014-07-11 |
JP6077995B2 (ja) | 2017-02-08 |
TW201215248A (en) | 2012-04-01 |
US8916793B2 (en) | 2014-12-23 |
CN102907180A (zh) | 2013-01-30 |
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KR101801070B1 (ko) | 2017-11-24 |
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