JP2013530514A - Inline substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、インライン基板処理装置を提供する。
【解決手段】インライン基板処理装置であって、基板１０を予熱する第１チャンバ１００と、第１チャンバ１００で予熱された基板１０を受けて加熱しながらプラズマ処理する第２チャンバ２００と、第２チャンバ２００でプラズマ処理された基板１０を受けて冷却しながらプラズマ処理する第３チャンバ３００とを含み、第１チャンバ１００、第２チャンバ２００及び第３チャンバ３００は、順に一列に接続されて配置されされているインライン基板処理装置を提供する。
【選択図】図２The present invention provides an inline substrate processing apparatus.
A first chamber 100 for preheating a substrate 10, a second chamber 200 for receiving and heating the substrate 10 preheated in the first chamber 100 and performing plasma processing while heating the substrate 10, and a second chamber 200. A third chamber 300 that receives and cools the substrate 10 plasma-treated in the chamber 200, and the first chamber 100, the second chamber 200, and the third chamber 300 are sequentially connected in a row. An in-line substrate processing apparatus is provided.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、インライン基板処理装置に関する。より詳細には、基板に対するプラズマ処理工程の生産性を向上させることができるインライン基板処理装置に関する。 The present invention relates to an inline substrate processing apparatus. More specifically, the present invention relates to an in-line substrate processing apparatus that can improve the productivity of a plasma processing process for a substrate.
石油や石炭のような既存の化石エネルギー資源の枯渇が予測され、環境に対する関心が高まるにつれ、これを解決できる代替エネレギーのうち、無制限／無公害という特徴を有する太陽電池に関する技術が注目されている。 As depletion of existing fossil energy resources such as oil and coal is predicted, and interest in the environment increases, technologies related to solar cells that have the characteristics of unlimited / no pollution are attracting attention as alternative energy that can solve this. .
光を受光して電気エネルギーに変換できる太陽電池は、バルク型［単結晶（single crystalline）、多結晶（poly crystalline）］太陽電池、薄膜型［非晶質（amorphous）、多結晶（poly crystalline）］太陽電池、ＣｄＴｅやＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ２）などの化合物薄膜太陽電池、ＩＩＩ−Ｖ族太陽電池、染料感応型太陽電池及び有機太陽電池などに大別される。 Solar cells that can receive light and convert it into electrical energy are bulk-type [single crystalline, poly crystalline] solar cells, thin-film types [amorphous, poly crystalline] ] It is roughly classified into a solar cell, a compound thin film solar cell such as CdTe and CIS (CuInSe 2 ), a group III-V solar cell, a dye-sensitized solar cell and an organic solar cell.
一方、現在汎用化されている太陽電池のほとんどは、光吸収層の材料としてシリコンを使用しており、この場合、太陽電池の光電変換効率を向上させるために、シリコンを水素プラズマ処理してシリコン原子のダングリングボンド（dangling bond）をパッシベーションする方法が提案されてきた。 On the other hand, most of the solar cells that are currently used in general use silicon as a material for the light absorption layer. In this case, in order to improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell, silicon is treated with hydrogen plasma to form silicon. Methods have been proposed for passivating atomic dangling bonds.
シリコンを水素プラズマ処理するためには、シリコンを所定の温度以上に加熱する必要がある。このため、従来では、プラズマ工程を行うチャンバの外部または内部に設けられたヒータを用いてシリコンを加熱したりもしていたが、最近では、できるだけシリコンの加熱にかかる時間を節約するために、クラスター方式を利用してシリコンを加熱している。 In order to treat silicon with hydrogen plasma, it is necessary to heat the silicon to a predetermined temperature or higher. For this reason, conventionally, silicon has been heated using a heater provided outside or inside the chamber for performing the plasma process, but recently, in order to save as much time as possible to heat the silicon as much as possible, Silicon is heated using a method.
クラスター方式とは、複数のチャンバを備え、プラズマ処理工程を複数の工程に分けた後に、個々の工程を各チャンバで行う方式である。 The cluster method is a method in which a plurality of chambers are provided, and after the plasma treatment process is divided into a plurality of processes, each process is performed in each chamber.
従来のクラスター方式のプラズマ装置を説明する。図１は、従来のクラスター方式のプラズマ装置を示す図である。 A conventional cluster type plasma apparatus will be described. FIG. 1 is a diagram showing a conventional cluster-type plasma apparatus.
図１を参照すると、クラスター方式は、複数のチャンバ４２を円形に配置した後、中央に位置する基板移送部４０を用いて各チャンバ４２に基板を搬入及び搬出することによって行われる。
Referring to FIG. 1, the cluster method is performed by arranging a plurality of
しかし、このような従来のクラスター方式によれば、そのような装置を構築するのに多くの費用がかかるだけでなく、中央に位置する基板移送部４０が基板を移送するにあたり、無駄な時間がかかり、生産性がやや低下するという問題があった。
However, according to such a conventional cluster system, not only is it costly to construct such an apparatus, but also a wasteful time is required for the
このような問題を解決するために、１つのチャンバで同時に複数のシリコンを水素プラズマ処理するバッチタイプのプラズマ処理方式が提案されている。しかし、このようなバッチタイプのプラズマ処理方式によれば、同時に複数のシリコンを水素プラズマ処理することから、生産性が向上するという利点はあるが、比較的複数のシリコンの均一な水素プラズマ処理ができないという問題があった。 In order to solve such a problem, a batch type plasma processing method has been proposed in which a plurality of silicons are simultaneously subjected to hydrogen plasma processing in one chamber. However, according to such a batch type plasma processing method, since a plurality of silicons are simultaneously subjected to hydrogen plasma processing, there is an advantage that productivity is improved, but relatively uniform hydrogen plasma processing of a plurality of silicons is possible. There was a problem that I could not.
そこで、本発明は、上記の従来技術の諸問題を解決するためになされたものであって、基板に対するプラズマ処理工程の生産性を向上させることができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide an in-line substrate processing apparatus capable of improving the productivity of a plasma processing process for a substrate. To do.
また、本発明は、複数の基板を均一にプラズマ処理することができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide an in-line substrate processing apparatus capable of uniformly plasma processing a plurality of substrates.
さらに、本発明は、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。 Furthermore, an object of the present invention is to provide an in-line substrate processing apparatus capable of minimizing cancellation of an electromagnetic field generated by interaction between a plurality of plasma electrodes.
なお、本発明は、シリコン層の水素のアウトディフュージョン（out diffusion）を効果的に防止することができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide an in-line substrate processing apparatus capable of effectively preventing hydrogen out diffusion of a silicon layer.
上記の目的を達成するために、本発明にかかるインライン基板処理装置は、基板を予熱する第１チャンバと、第１チャンバで予熱された基板を受けて加熱しながらプラズマ処理する第２チャンバと、第２チャンバでプラズマ処理された基板を受けて冷却しながらプラズマ処理する第３チャンバとを含み、第１チャンバ、第２チャンバ及び第３チャンバは、順に一列に接続されて配置されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an inline substrate processing apparatus according to the present invention includes a first chamber for preheating a substrate, a second chamber for performing plasma processing while receiving and heating the substrate preheated in the first chamber, A third chamber that receives and cools the plasma-treated substrate in the second chamber, and the first chamber, the second chamber, and the third chamber are sequentially connected in a row. Features.
本発明によれば、チャンバが順に一列に配置されるため、クラスター方式を利用しながらも、基板の移送にかかる時間が最小化される。したがって、基板に対するプラズマ処理工程の生産性を向上させることができる。 According to the present invention, since the chambers are sequentially arranged in a row, the time required to transfer the substrate is minimized while using the cluster method. Therefore, the productivity of the plasma treatment process for the substrate can be improved.
また、本発明によれば、同一の工程を行うチャンバを垂直一列に配置することにより、複数の基板を均一にプラズマ処理することができる。 In addition, according to the present invention, a plurality of substrates can be uniformly plasma-processed by arranging the chambers for performing the same process in a vertical line.
さらに、本発明によれば、プラズマ電極を折り曲げられた形状に構成することにより、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができる。 Furthermore, according to the present invention, the plasma electrode is configured in a bent shape, so that the cancellation of the electromagnetic field generated by the interaction between the plurality of plasma electrodes can be minimized.
なお、本発明によれば、シリコン層の水素のアウトディフュージョンを効果的に防止することができる。 According to the present invention, hydrogen out-diffusion of the silicon layer can be effectively prevented.
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施可能な特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明する。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、及び特性は一実施形態に関連し、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け取るものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等なすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示し、長さ、面積、厚さ、及び形態は、便宜上、誇張して表現されることもある。 The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention can be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different from each other but need not be mutually exclusive. For example, the specific shapes, specific structures, and characteristics described herein are associated with one embodiment and can be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the present invention. It should also be understood that the location or arrangement of the individual components in each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is, when properly described, appended claims with all equivalents of the claims that are claimed. Limited only by. In the drawings, like reference numbers indicate identical or similar functions across various aspects, and length, area, thickness, and configuration may be exaggerated for convenience.
以下では、当業者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.
まず、本発明のインライン基板処理装置で基板をプラズマ処理するとは、半導体素子用基板、液晶表示装置用基板、太陽電池用基板などの分野において一般的にいう基板、例えば、シリコンウエハ基板、ガラス基板などをプラズマ処理することに限らず、基板上に形成された所定の膜またはパターンをプラズマ処理することを含む意味と解釈できる。したがって、本発明のインライン基板処理装置を用いて基板を処理するとは、基板上に形成されたシリコン層をプラズマ処理することを含む意味と解釈できることを明らかにする。 First, plasma processing of a substrate by the inline substrate processing apparatus of the present invention means a substrate generally referred to in the field of a semiconductor element substrate, a liquid crystal display substrate, a solar cell substrate, such as a silicon wafer substrate, a glass substrate. Is not limited to the plasma treatment, and can be interpreted as including a plasma treatment of a predetermined film or pattern formed on the substrate. Therefore, it will be made clear that processing a substrate using the in-line substrate processing apparatus of the present invention can be interpreted as including plasma processing of a silicon layer formed on the substrate.
図２は、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置の構成を示す図である。 FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an inline substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
図２を参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置１は、基本的に、３つのチャンバ１００、２００、３００を含んで構成される。より具体的には、基板１０を予熱する第１チャンバ１００と、第１チャンバ１００で予熱された基板１０をプラズマ処理する第２チャンバ２００と、第２チャンバ２００でプラズマ処理された基板１０を冷却する第３チャンバ３００とを含んで構成される。以下では、各チャンバ別の構成及び機能について説明する。
Referring to FIG. 2, the inline
まず、第１チャンバ１００について説明する。
First, the
図２をさらに参照すると、第１チャンバ１００は、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板１０を予熱するための空間を提供する機能を果たすことができる。第１チャンバ１００の形状は、特に限定されないが、直方体であることが好ましい。第１チャンバ１００の材質は、ステンレス鋼、アルミニウムまたは石英などであり得るが、必ずしもこれらに限定されない。
Still referring to FIG. 2, the
図２をさらに参照すると、上記３つのチャンバのうち、第１チャンバ１００が左側に位置していることを確認することができる。ここで、第１チャンバ１００が左側に位置するのは、基板１０の移動方向に関連している。つまり、第１チャンバ１００で予熱された基板１０が右方向に移動して、第１チャンバ１００の右側に位置する第２チャンバ２００に移動するため、第１チャンバ１００が左側に位置するものとして示したのである。もちろん、基板１０が右方向に移動するのは、説明の便宜上、任意に設定したものであり、基板１０の進行方向が右か左かは、本発明では重要でない。ただし、以下では、基板１０の進行方向を右方向と想定して説明する。
Referring further to FIG. 2, it can be confirmed that the
図２をさらに参照すると、第１チャンバ１００は、第１ヒータ１１０を含んで構成することができる。第１ヒータ１１０は、複数の基板１０に熱を加えて基板１０を予熱させる機能を果たすことができる。例えば、プラズマを用いて基板１０に水素パッシベーション工程を行う場合、第１ヒータ１１０によって基板１０の温度を約５００℃〜７００℃の範囲まで予熱させることができる。
Referring further to FIG. 2, the
このとき、第１ヒータ１１０は、複数の第１単位ヒータ（ユニットヒータ）１１２で構成することができる。ここで、第１単位ヒータ１１２は、通常の長い棒状のヒータであって、石英管の内部に発熱体が挿入されており、両端に設けられた端子を介して外部の電源を受けて熱を発生させる。複数の第１単位ヒータ１１２によって基板１０が予熱されることにより、基板１０の全面積にわたって均一な熱処理が行われるようになる。複数の第１単位ヒータ１１２は、基板１０の長辺方向と平行に一定間隔を有して配置されることが好ましいが、これに限定されるものではなく、基板１０の短辺方向と平行に一定間隔を有して配置されてもよい。また、第１チャンバ１００に配置される第１単位ヒータ１１２の個数は、特に限定されず、本発明の利用目的に応じて多様に変更可能である。
At this time, the
図２には、基板１０が単独で第１チャンバ１００に搬入されて予熱されるものとして示されているが、好ましくは、基板１０が基板ホルダ（図示せず）に載置された状態で第１チャンバ１００に搬入されて予熱されることができる。基板１０が基板ホルダに載置されて処理できるのは、第２チャンバ２００及び第３チャンバ３００においても同様である。基板ホルダについては、以下の第２チャンバ２００及び第３チャンバ３００の説明においては省略する。
Although FIG. 2 shows that the
次に、第１チャンバ１００は、第１チャンバ１００への基板１０の搬入及び第１チャンバ１００からの予熱が完了した基板１０の搬出を行う第１移送部を含んで構成することができる。このとき、第１移送部は、所定の長さを有し、基板１０の移動方向である右方向に沿って設けられる複数の第１駆動ローラユニット１２０を含んで構成することができる。複数の第１駆動ローラユニット１２０は、基板１０を支持しながら、基板１０をインライン方式で移動させる機能を果たすことができる。より具体的には、複数の第１駆動ローラユニット１２０は、基板１０の下面と接触しながら、基板１０の移動方向に回転して第１チャンバ１００の内部に基板１０を搬入させ、基板１０が搬入されると、基板１０に対するプラズマ処理が行われている間に基板１０を支持し、基板１０に対するプラズマ処理が完了すると、基板１０の下面と接触しながら、基板１０の移動方向に回転して第１チャンバ１００から基板１０を搬出する機能を果たすことができる。
Next, the
このような機能を円滑に行うために、図２に示すように、複数の第１駆動ローラユニット１２０は、第１チャンバ１００の内部に同一の高さに設けられることが好ましい。また、複数の第１駆動ローラユニット１２０は相互に連動することが好ましい。一方、複数の第１駆動ローラユニット１２０は、設置位置によって互いに異なる幅で形成できるが、直径はすべて同一に形成されることが好ましい。
In order to perform such a function smoothly, it is preferable that the plurality of first
次に、図２をさらに参照すると、第１チャンバ１００の左側面、より具体的には、後述する第１ロードロックチャンバ４００と接触する面には、所定の幅と高さを有する第１搬入部１３０が形成可能である。第１搬入部１３０は開口して、基板１０が搬入される通路としての役割を果たすことができる。基板１０の予熱工程が行われている間には、第１チャンバ１００を密閉するために第１搬入部１３０が遮断される必要があることから、第１搬入部１３０には、上下方向に運動しながら、第１チャンバ１００を開閉するドア（図示せず）が設置可能である。
Next, referring further to FIG. 2, a first carry-in having a predetermined width and height is provided on the left side surface of the
次に、図２をさらに参照すると、第１チャンバ１００の右側面、より具体的には、第１搬入部１３０が配置された面に対向し、第２チャンバ２００と接触する第１チャンバ１００の面には、所定の幅と高さを有する第１搬出部１４０が形成可能である。第１搬出部１４０は開口して、基板１０が搬出される通路としての役割を果たすことができる。第１搬入部１３０と同様に、熱処理工程が行われている間には、第１チャンバ１００を密閉するために第１搬出部１４０が遮断される必要があることから、第１搬出部１４０には、上下方向に運動しながら、第１チャンバ１００を開閉する他のドア（図示せず）が設置可能である。
Next, referring further to FIG. 2, the
一方、第１チャンバ１００は、上下に独立して配置された第１上部チャンバ１０４（図５を参照）と第１下部チャンバ１０６（図５を参照）とを基本的に備える第１単位チャンバユニット１０２（図５参照）を含んで構成することができる。これについては後述する。
On the other hand, the
次に、第２チャンバ２００について説明する。
Next, the
図２をさらに参照すると、第２チャンバ２００は、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板１０をプラズマ処理するための空間を提供する機能を果たすことができる。第１チャンバ１００と同様に、第２チャンバ２００の形状は直方体であることが好ましい。一方、第２チャンバ２００の材質は、ステンレス鋼、アルミニウムまたは石英などであり得るが、必ずしもこれらに限定されない。
Still referring to FIG. 2, the
図２をさらに参照すると、第２チャンバ２００は、第１チャンバ１００と第３チャンバ３００との間に位置することを確認することができる。これは、前述したように、基板１０の移動方向に関連している。
With further reference to FIG. 2, it can be confirmed that the
図２をさらに参照すると、第２チャンバ２００は、第２ヒータ２１０を含んで構成することができる。基板１０のプラズマ処理のためには、基板１０が所定の温度以上に加熱及び維持される必要があるが、このような意味で、第２ヒータ２１０は、基板１０に熱を加える機能を果たすことができる。例えば、プラズマを用いて基板１０に水素パッシベーション工程を行う場合、第２ヒータ２１０は、基板１０の温度を約４００℃〜１０００℃の範囲に維持させることができる。
Referring further to FIG. 2, the
このとき、図２に示すように、第２ヒータ２１０は、複数の第２単位ヒータ２１２で構成することができる。第２単位ヒータ２１２は、第１単位ヒータ１１２と実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、第２単位ヒータ２１２に関する詳細な説明は省略する。
At this time, as shown in FIG. 2, the
次に、図２をさらに参照すると、第２チャンバ２００は、複数の第１プラズマ電極２５０を含んで構成することができる。第１プラズマ電極２５０は、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）の発生方法によってプラズマを生成する機能を果たす。すなわち、高周波電圧を供給するＲＦ電源を受けて電磁場が生成されるようにすることにより、プラズマを生成及び維持する機能を果たすことができる。
Next, referring to FIG. 2, the
図３は、本発明の一実施形態にかかる、第１プラズマ電極が配置された第２チャンバの構成を示す図である。 FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the second chamber in which the first plasma electrode is disposed according to an embodiment of the present invention.
図３を参照すると、第１プラズマ電極２５０は、第１上部電極部２５４と、折り曲げ部２５２と、第１下部電極部２５６とを含んで構成され、基板１０を挟んで折り曲げられた形状を有することができる。より具体的には、第１プラズマ電極２５０は、折り曲げ部２５２を基準として、基板１０の上部に存在する第１上部電極部２５４と、基板１０の下部に存在する第１下部電極部２５６とを含んで構成することができる。ここで、折り曲げ部２５２は、１つ以上の折り曲げ点を有していてもよく、好ましくは、図３に示すように、２つの折り曲げ点を有していてもよい。これにより、第１プラズマ電極２５０は、「コ」の字または逆「コ」の字形状を有することができる。このとき、基板１０は、「コ」の字または逆「コ」の字形状の間に配置可能である。
Referring to FIG. 3, the
図３をさらに参照すると、第１上部電極部２５４の末端には、ＲＦアンテナ２６０が接続され、第１下部電極部２５６の末端には、グラウンド（GROUND）２７０が接続されることを確認することができる。ここで、ＲＦアンテナ２６０は、ＲＦ信号を第１プラズマ電極２５０に印加する機能を果たすことができ、グラウンド２７０は、印加されたＲＦ信号が第１プラズマ電極２５０を介して流れるようにする機能を果たすことができる。
Referring further to FIG. 3, it is confirmed that the
図４は、本発明の一実施形態にかかる、第１プラズマ電極でＲＦ信号が流れる様子を概略的に示す図である。 FIG. 4 is a diagram schematically illustrating how an RF signal flows through the first plasma electrode according to an embodiment of the present invention.
図４を参照すると、基板１０の上部に位置する第１プラズマ電極２５０の第１上部電極部２５４にＲＦ信号が印加され、基板１０の下部に位置する第１プラズマ電極２５０の第１下部電極部２５６にＲＦ信号が流れ出ることができる。すなわち、ＲＦアンテナ２６０から印加されるＲＦ信号は、基板１０の上部で印加された後、第１プラズマ電極２５０に沿って移動して、基板１０の下部でグラウンド２７０を介して流れ出ることができ、この過程によってプラズマが発生及び維持可能である。
Referring to FIG. 4, the RF signal is applied to the first
このような構成により、第１上部電極部２５４と第１下部電極部２５６とで流れるＲＦアンテナ２６０からの信号の方向は逆であるため、ある特定の領域でＲＦ信号が弱くなってプラズマ密度が減少する現象が消えるようになる。すなわち、基板１０が配置される位置からグラウンド２７０に近い領域では電磁場の強度が小さくなることがあるが、当該領域はＲＦアンテナ２６０にも近い領域であるため、電磁場の強度が補償される。そして、折り曲げ部２５２に近い領域では、第１上部電極部２５４による電磁場と第１下部電極部２５６による電磁場とが相互補償効果を起こし、結果的に、基板１０の全面にわたって均一なプラズマ密度を得ることができる。
With such a configuration, since the direction of the signal from the
次に、図２をさらに参照すると、第２チャンバ２００は、第２チャンバ２００への基板１０の搬入及び第２チャンバ２００からのプラズマ処理が完了した基板１０の搬出を行う第２移送部を含んで構成することができる。第１移送部と同様に、第２移送部は、所定の長さを有し、基板１０の移動方向に沿って設けられる複数の第２駆動ローラユニット２２０を含んで構成することができる。
Next, referring further to FIG. 2, the
第２チャンバ２００に基板１０を搬入し、第２チャンバ２００からプラズマ処理が完了した基板１０を搬出することを除けば、複数の第２駆動ローラユニット２２０と第１チャンバ１００の複数の第１駆動ローラユニット１２０は、実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、第２駆動ローラユニット２２０に関する詳細な説明は省略する。
Except for loading the
次に、図２をさらに参照すると、第２チャンバ２００の左側面、より具体的には、第１チャンバ１００と接触する面には、所定の幅と高さを有する第２搬入部２３０が形成可能である。また、第２チャンバ２００の右側面、より具体的には、第２搬入部２３０が配置された面に対向し、第３チャンバ３００と接触する第２チャンバ２００の面には、所定の幅と高さを有する第２搬出部２４０が形成可能である。このような第２搬入部２３０及び第２搬出部２４０は、上述した第１搬入部１３０及び第１搬出部１４０と同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。
Next, referring further to FIG. 2, a
一方、第２チャンバ２００は、上下に独立して配置された第２上部チャンバ２０４（図５を参照）と第２下部チャンバ（２０６）（図５を参照）とを基本的に備える第２単位チャンバユニット２０２を含んで構成することができる。これについては後述する。
On the other hand, the
次に、第３チャンバ３００について説明する。
Next, the
図２をさらに参照すると、第３チャンバ３００は、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板１０を冷却するための空間を提供する機能を果たすことができる。冷却方式は、水冷方式または空冷方式を利用することができ、場合によっては、自然冷却方式を利用することもできる。第２チャンバ２００と同様に、第３チャンバ３００の形状は直方体であることが好ましく、第３チャンバ３００の材質は、ステンレス鋼、アルミニウム、または石英などであり得るが、必ずしもこれらに限定されない。
Still referring to FIG. 2, the
図２をさらに参照すると、第３チャンバ３００は、第２チャンバ２００の右側に位置することを確認することができる。これは、前述したように、基板１０の移動方向に関連している。
Referring further to FIG. 2, it can be confirmed that the
次に、図２をさらに参照すると、第３チャンバ３００は、プラズマが生成及び維持されるようにする複数の第２プラズマ電極３５０を含んで構成することができる。第２プラズマ電極３５０は、折り曲げ部（図示せず）を基準として、基板１０の上部に存在する第２上部電極部（図示せず）と、基板１０の下部に存在する第２下部電極部（図示せず）とを含んで構成することができる。第２プラズマ電極３５０は、第１プラズマ電極２５０と実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、詳細な説明は省略する。
Referring now further to FIG. 2, the
次に、図２をさらに参照すると、第３チャンバ３００は、第３チャンバ３００への基板１０の搬入及び第３チャンバ３００からの冷却が完了した基板１０の搬出を行う第３移送部を含んで構成することができる。第３移送部は、第１移送部と同様に、所定の長さを有し、基板１０の移動方向に沿って設けられる複数の第３駆動ローラユニット３２０を含んで構成することができる。第３チャンバ３００に基板１０を搬入し、第３チャンバ３００から冷却が完了した基板１０を搬出することを除けば、複数の第１駆動ローラユニット１２０と複数の第３駆動ローラユニット３２０は、実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、第３駆動ローラユニット３２０に関する詳細な説明は省略する。
Next, referring further to FIG. 2, the
次に、図２をさらに参照すると、第３チャンバ３００の左側面、より具体的には、第２チャンバ２００と接触する第２チャンバ２００の面には、所定の幅と高さを有する第３搬入部３３０が形成可能である。また、第３チャンバ３００の右側面、より具体的には、第３搬入部３３０が配置された面に対向し、後述する第２ロードロックチャンバ５００と接触する第３チャンバ３００の面には、所定の幅と高さを有する第３搬出部３４０が形成可能である。第３搬入部３３０及び第３搬出部３４０は、上述した第１搬入部１３０及び第１搬出部１４０と同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。
Next, referring further to FIG. 2, the left side surface of the
以上では、インライン基板処理装置１の基本的な構成要素である第１チャンバ１００、第２チャンバ２００、第３チャンバ３００について説明した。以下では、インライン基板処理装置１の他の構成要素について説明する。
The
図２をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置１は、第１ロードロックチャンバ４００を含んで構成することができる。第１ロードロックチャンバ４００は、第１チャンバ１００に搬入される基板１０を臨時に保管する機能を果たすことができる。また、第１ロードロックチャンバ４００は、大気圧下で基板１０を搬入するものの、第１ゲートバルブ４１０が閉じられた状態で基板１０を搬入し、第１チャンバ１００が非真空状態にさらされないようにする機能を果たすことができる。
Referring further to FIG. 2, the inline
図２には、第１ロードロックチャンバ４００に１枚の基板１０が搬入されて保管されるものとして示されているが、場合によっては、第１ロードロックチャンバ４００に複数の基板１０が搬入されて保管されてもよい。
Although FIG. 2 shows that one
図２をさらに参照すると、第１ロードロックチャンバ４００は、第１ロードロックチャンバ４００から基板１０を搬出する第４移送部を含んで構成することができる。第４移送部は、第１移送部と同様に、所定の長さを有し、基板１０の移動方向に沿って設けられる複数の第４駆動ローラユニット４２０を含んで構成することができる。複数の第１駆動ローラユニット１２０と複数の第４駆動ローラユニット４２０は、実質的に同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。
Referring further to FIG. 2, the first
次に、図２をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置１は、第２ロードロックチャンバ５００を含んで構成することができる。第２ロードロックチャンバ５００は、冷却が完了した基板１０を臨時に保管する機能を果たすことができる。また、第２ロードロックチャンバ５００は、大気圧下で基板１０を搬出するものの、第２ゲートバルブ５１０が閉じられた状態で基板１０を搬出し、第３チャンバ３００が非真空状態にさらされないようにする機能を果たすことができる。
Next, referring further to FIG. 2, the inline
図２をさらに参照すると、第２ロードロックチャンバ５００は、第２ロードロックチャンバ５００に基板１０を搬入する第５移送部を含んで構成することができる。第５移送部は、第１移送部と同様に、所定の長さを有し、基板１０の移動方向に沿って設けられる複数の第５駆動ローラユニット５２０を含んで構成することができる。複数の第１駆動ローラユニット１２０と複数の第５駆動ローラユニット５２０は、実質的に同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。
Referring to FIG. 2, the second
図２をさらに参照すると、第１ロードロックチャンバ４００、第１チャンバ１００、第２チャンバ２００、第３チャンバ３００、第２ロードロックチャンバ５００の順に一列に配置されていることを確認することができる。各チャンバ１００、２００、３００、４００、５００の機能を考慮すると、基板１０は、第１ロードロックチャンバ４００、第１チャンバ１００、第２チャンバ２００、第３チャンバ３００、第２ロードロックチャンバ５００の順に移動して処理できる。このような基板１０の移動を行う構成要素は、各チャンバ１００、２００、３００、４００、５００に配置された第１移送部、第２移送部、第３移送部、第４移送部、第５移送部である。
Referring further to FIG. 2, it can be confirmed that the first
次に、図２をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置１は、第１ロードロックチャンバ４００に基板１０を搬入する第１ロボットアーム６００と、第２ロードロックチャンバ５００から基板１０を搬出する第２ロボットアーム７００とを含んで構成することができる。
Next, with further reference to FIG. 2, the inline
第１ロボットアーム６００は、第１ロードロックチャンバ４００の外側に配置され、基板１０を第１ロードロックチャンバ４００に搬入する。例えば、第１ロボットアーム６００は、第１ロードロックチャンバ４００の左側に配置され、複数の基板１０が保管されているカセット（図示せず）から基板１０を取り出して、第１ロードロックチャンバ４００に基板１０を搬入する機能を果たすことができる。
The
第１ロボットアーム６００と同様に、第２ロボットアーム７００は、第２ロードロックチャンバ５００の右側に配置され、第２ロードロックチャンバ５００から基板１０を搬出して外部に伝達する機能を果たすことができる。図２には、第１ロボットアーム６００及び第２ロボットアーム７００のアーム６１０、７１０がそれぞれ１個として示されているが、これに限定されるものではなく、多様な数のアーム６１０、７１０が第１ロボットアーム６００及び第２ロボットアーム７００にそれぞれ採用可能である。第１ロボットアーム６００及び第２ロボットアーム７００の構成及び機能は公知技術に該当するため、これ以上の詳細な説明は省略する。
Similar to the
このように構成された本実施形態にかかるインライン基板処理装置１では、多様なプラズマ処理工程、例えば、プラズマを用いたシリコン層の水素パッシベーション工程などが実施可能である。本実施形態にかかるインライン基板処理装置１は、クラスター方式を利用しながらも、基板１０を移送する第１移送部〜第５移送部が基板１０を移送するのにかかる時間を最小化できるため、全体的なプラズマ工程時間を短縮することができる。結果的に、プラズマ工程の生産性を向上させることができる。
In the inline
図５は、本発明の他の実施形態にかかるインライン基板処理装置の構成を示す図である。 FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an inline substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
図５を参照すると、本発明の他の実施形態にかかるインライン基板処理装置２によれば、各チャンバ１００、２００、３００は、相互に独立して配置された上部チャンバ及び下部チャンバを有するチャンバユニットを含んで構成される。
Referring to FIG. 5, according to the inline
より具体的に説明すると、第１チャンバ１００は、相互に独立して上下に配置された第１上部チャンバ１０４及び第１下部チャンバ１０６を備える第１単位チャンバユニット１０２を含んで構成され、第２チャンバ２００は、相互に独立して上下に配置された第２上部チャンバ２０４及び第２下部チャンバ２０６を備える第２単位チャンバユニット２０２を含んで構成され、第３チャンバ３００は、相互に独立して上下に配置された第３上部チャンバ３０４及び第３下部チャンバ３０６を備える第３単位チャンバユニット３０２を含んで構成される。
More specifically, the
このとき、図５に示すように、第１単位チャンバユニット１０２、第２単位チャンバユニット２０２、第３単位チャンバユニット３０２は、一列に接続されて配置可能である。より具体的には、第１単位チャンバユニット１０２の第１上部チャンバ１０４、第２単位チャンバユニット２０２の第２上部チャンバ２０４及び第３単位チャンバユニット３０２の第３上部チャンバ３０４は、一列に接続されて配置され、第１単位チャンバユニット１０２の第１下部チャンバ１０６、第２単位チャンバユニット２０２の第２下部チャンバ２０６及び第３単位チャンバユニット３０２の第３下部チャンバ３０６は、一列に接続されて配置可能である。
At this time, as shown in FIG. 5, the first
各チャンバ１００、２００、３００を複数層の形態で構成する場合、一度により多数の基板１０を処理することができるため、プラズマ工程の生産性をさらに向上させることができるという利点がある。
When each of the
一方、各チャンバ１００、２００、３００が相互に独立して配置された上部チャンバ１０４、２０４、３０４及び下部チャンバ１０６、２０６、３０６を備えるチャンバユニット１０２、２０２、３０２を含んで構成される場合、第２チャンバ２００及び第３チャンバ３００に配置される第１プラズマ電極２８０及び第２プラズマ電極３８０は、図３に示された第１プラズマ電極２５０とは異なる構成を有することができる。
On the other hand, when each
第１ロードロックチャンバ４００及び第２ロードロックチャンバ５００も、第１チャンバ〜第３チャンバ１００、２００、３００に対応して、相互上下に独立した上部チャンバ及び下部チャンバで構成することができる。
The first
図６は、本発明の他の実施形態にかかる、第１プラズマ電極が配置された第２単位チャンバユニットの構成を示す図である。 FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a second unit chamber unit in which a first plasma electrode is disposed according to another embodiment of the present invention.
図６を参照すると、図３の第１プラズマ電極２５０が１つの空間で形成された第２チャンバ２００に配置されるのとは異なり、図６の第１プラズマ電極２８０は、第２上部チャンバ２０４及び第２下部チャンバ２０６の両方に配置されることを確認することができる。このため、図６の第１プラズマ電極２８０は、図３の第１プラズマ電極２５０と同様に、折り曲げ部２８２、第１上部電極部２８４、第１下部電極部２８６で構成されるが、第１上部電極部２８４が第２上部チャンバ２０４に配置され、第１下部電極部２８６が第２下部チャンバ２０６に配置されるように構成することができる。このため、図６の第１プラズマ電極２８０の折り曲げ部２８２は、図３の第１プラズマ電極２５０の折り曲げ部２５２より長く形成されることが好ましい。
Referring to FIG. 6, unlike the
図６をさらに参照すると、第１上部電極部２８４の末端には、ＲＦアンテナ２６０が接続され、第１下部電極部２８６の末端には、グラウンド２７０が接続されることを確認することができる。このような構成は、図３に示された構成と類似しているが、図３では、ＲＦアンテナ２６０とグラウンド２７０が１つの空間で形成された第２チャンバ２００の側面に配置され、図６では、ＲＦアンテナ２６０とグラウンド２７０が互いに独立した第２上部チャンバ２０４及び第２下部チャンバ２０６の側面にそれぞれ配置されるという構成上の違いがある。
Referring further to FIG. 6, it can be confirmed that the
図７は、本発明の他の実施形態にかかる、第１プラズマ電極でＲＦ信号が流れる様子を概略的に示す図である。 FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a state where an RF signal flows through the first plasma electrode according to another embodiment of the present invention.
図７を参照すると、第２上部チャンバ２０４に配置される第１上部電極部２８４にＲＦ信号が印加され、第２下部チャンバ２０６に配置される第１下部電極部２８６にＲＦ信号が流れ出ることができる。このようなＲＦ信号の流れにより、第２上部チャンバ２０４では、第１上部電極部２８４によってプラズマが発生及び維持可能であり、第２下部チャンバ２０６では、第１下部電極部２８６によってプラズマが発生及び維持可能である。
Referring to FIG. 7, an RF signal is applied to the first
一方、図６の第３チャンバ３００に配置される第２プラズマ電極３８０は、第１プラズマ電極２８０と実質的に同一の構成を有するため、第２プラズマ電極３８０に関する詳細な説明は省略する。
On the other hand, since the
また、図５のインライン基板処理装置２の構成のうち、各チャンバ１００、２００、３００が相互に独立して上下に配置された上部チャンバ１０４、２０４、３０４及び下部チャンバ１０６、２０６、３０６を備えるチャンバユニット１０２、２０２、３０２を含む構成であることと、第１プラズマ電極２８０及び第２プラズマ電極３８０の構成を除けば、図２の基板処理装置１と同一の構成であるため、他の構成要素に関する詳細な説明は省略する。
In addition, in the configuration of the inline
図８は、本発明のさらに他の実施形態にかかるインライン基板処理装置の構成を示す図である。 FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an inline substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
図８を参照すると、本発明のさらに他の実施形態にかかるインライン基板処理装置３では、各チャンバ１００、２００、３００が垂直一列に配置される複数のチャンバユニットを含んで構成することができる。より具体的には、第１チャンバ１００は、垂直一列に配置される複数の第１単位チャンバユニット１０２を含んで構成され、第２チャンバ２００は、垂直一列に配置される複数の第２単位チャンバユニット２０２を含んで構成され、第３チャンバ３００は、垂直一列に配置される複数の第３単位チャンバユニット３０２を含んで構成することができる。このように構成する場合、一度により多数の基板１０をプラズマ処理することができるため、工程の生産性を極大化することができる。
Referring to FIG. 8, an inline
図８には、第１チャンバ１００、第２チャンバ２００、第３チャンバ３００がそれぞれ第１単位チャンバユニット１０２、第２単位チャンバユニット２０２、第３単位チャンバユニット３０２を２個ずつ含むものとして示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、各チャンバは、多様な数のチャンバユニットを含んで構成することができる。
In FIG. 8, the
第１ロードロックチャンバ４００及び第２ロードロックチャンバ５００も、第１チャンバ〜第３チャンバ１００、２００、３００の構成に対応して構成されることは当然である。
Of course, the first
図８のインライン基板処理装置３は、上部チャンバと下部チャンバが垂直一列に配置される複数のチャンバユニットを含む構成であることを除けば、図５の基板処理装置２と同一に構成されるため、他の構成要素に関する詳細な説明は省略する。
The inline
以下では、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置１を用いてシリコン層をプラズマ処理する工程について、図２を参照して説明する。
Below, the process of plasma-processing a silicon layer using the in-line
まず、シリコン層は、第１ロボットアーム６００によって第１ロードロックチャンバ４００に移送される。移送されたシリコン層は、第１ロードロックチャンバ４００に臨時に保管されてから、複数の第４駆動ローラユニット４２０によって第１ロードロックチャンバ４００から搬出されて第１チャンバ１００に搬入可能である。
First, the silicon layer is transferred to the first
次に、第１チャンバ１００に搬入されたシリコン層は予熱できる。より具体的には、第１チャンバ１００に搬入されたシリコン層は、第１ヒータ１１０によって予熱され、第１温度から第２温度に上昇可能である。ここで、第１温度は、３００℃〜６００℃の範囲であり得、第２温度は、４００℃〜１０００℃の範囲であり得る。
Next, the silicon layer carried into the
予熱されたシリコン層は、複数の第１駆動ローラユニット１２０によって第１チャンバ１００から搬出されて第２チャンバ２００に搬入可能である。
The preheated silicon layer can be unloaded from the
次に、第２チャンバ２００に搬入されたシリコン層は、第２温度に維持されながら、第１プラズマ電極２５０によってプラズマ処理できる。このとき、シリコン層を第２温度に維持するために第２ヒータ２１０が駆動され、シリコン層をプラズマ処理するために第１プラズマ電極２５０が駆動可能である。これにより、シリコン層は、第２チャンバ２００での水素パッシベーションが可能である。すなわち、シリコン層に水素が拡散し、拡散した水素がシリコン層に存在するダングリングボンド（dangling bond）と結合してシリコン層が安定化することができる。一方、第２チャンバ２００に発生するプラズマは、好ましくは、水素またはアンモニアを含むプラズマであり得る。
Next, the silicon layer carried into the
プラズマ処理されたシリコン層は、複数の第２駆動ローラユニット２２０によって第２チャンバ２００から搬出されて第３チャンバ３００に搬入可能である。
The plasma-treated silicon layer can be unloaded from the
次に、第３チャンバ３００に搬入されたシリコン層は、第２温度から第３温度に冷却できる。このとき、第３チャンバ３００に備えられた第２プラズマ電極３５０が駆動可能である。すなわち、第３チャンバ３００でシリコン層を冷却させている間にも、第２プラズマ電極３５０によってシリコン層のプラズマ処理が継続できる。第３チャンバ３００で行われるプラズマ処理は、シリコン層が常温に達するまで継続するのではなく、シリコン層が第３温度に達した時に中断可能である。ここで、第３温度は、３００℃〜７００℃の範囲であり得る。シリコン層の冷却が行われている間にも、第２プラズマ電極３５０を継続して駆動させることにより、第２チャンバ２００での水素プラズマ処理によってシリコン層に混入された水素のアウトディフュージョン現象を効率的に防止することができる。
Next, the silicon layer carried into the
冷却処理が完了したシリコン層は、複数の第３駆動ローラユニット３２０によって第３チャンバ３００から搬出されて第２ロードロックチャンバ５００に搬入可能である。第２ロードロックチャンバ５００に搬入されたシリコン層は、臨時に保管されてから、第２ロボットアーム７００によって外部に移送できる。
The silicon layer that has undergone the cooling process can be unloaded from the
以上の詳細な説明において、本発明は、具体的な構成要素などのような特定の事項と限定された実施形態及び図面によって説明されたが、これは、本発明のより全般的な理解を助けるために提供されたものであって、本発明が上記の実施形態に限定されるものではなく、当業者であれば、このような記載から多様な修正及び変形を図ることができる。したがって、本発明の思想は、上述した実施形態に限定されて定められるのではなく、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等にまたは等価的に変形されたすべてのものは本発明の思想の範疇に属する。 In the foregoing detailed description, the invention has been described with reference to specific items such as specific components and the like but with limited embodiments and drawings, which assist in a more general understanding of the invention. Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and those skilled in the art can make various modifications and variations from such description. Therefore, the idea of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but is limited not only to the claims described below, but also to all that are modified equally or equivalently to the claims. Belongs to the category of the idea of the present invention.
１０：基板
１００：第１チャンバ
１１０：第１ヒータ
１２０：第１駆動ローラユニット
１３０：第１搬入部
１４０：第１搬出部
２００：第２チャンバ
２１０：第２ヒータ
２２０：第２駆動ローラユニット
２３０：第２搬入部
２４０：第２搬出部
２５０：第１プラズマ電極
３００：第３チャンバ
３２０：第３駆動ローラユニット
３３０：第３搬入部
３４０：第３搬出部
３５０：第２プラズマ電極
４００：第１ロードロックチャンバ
４２０：第４駆動ローラユニット
５００：第２ロードロックチャンバ
５２０：第５駆動ローラユニット
６００：第１ロボットアーム
７００：第２ロボットアーム
10: substrate 100: first chamber 110: first heater 120: first drive roller unit 130: first carry-in unit 140: first carry-out unit 200: second chamber 210: second heater 220: second drive roller unit 230 : Second carry-in part 240: second carry-out part 250: first plasma electrode 300: third chamber 320: third drive roller unit 330: third carry-in part 340: third carry-out part 350: second plasma electrode 400: second 1 load lock chamber 420: fourth drive roller unit 500: second load lock chamber 520: fifth drive roller unit 600: first robot arm 700: second robot arm
Claims (21)
基板を予熱する第１チャンバと、
前記第１チャンバで予熱された前記基板を受けて加熱しながらプラズマ処理する第２チャンバと、
前記第２チャンバでプラズマ処理された前記基板を受けて冷却しながらプラズマ処理する第３チャンバとを含み、
前記第１チャンバ、前記第２チャンバ及び前記第３チャンバが、順に一列に接続されて配置されていることを特徴とするインライン基板処理装置。 An in-line substrate processing apparatus,
A first chamber for preheating the substrate;
A second chamber for receiving and heating the substrate preheated in the first chamber and performing plasma processing;
A third chamber that receives and cools the substrate that has been plasma-treated in the second chamber, and performs plasma treatment while cooling.
The in-line substrate processing apparatus, wherein the first chamber, the second chamber, and the third chamber are sequentially connected in a line.
前記基板を予熱する第１ヒータと、
前記基板を支持した状態で、前記第１チャンバへの前記基板の搬入及び前記第１チャンバで予熱が完了した前記基板の前記第１チャンバからの搬出を行う第１移送部とが設けられ、
前記第２チャンバには、
プラズマを発生させる第１プラズマ電極と、
前記基板を加熱する第２ヒータと、
前記基板を支持した状態で、前記第２チャンバへの前記基板の搬入及び前記第２チャンバでプラズマ処理が完了した前記基板の前記第２チャンバからの搬出を行う第２移送部とが設けられ、
前記第３チャンバには、
プラズマを発生させる第２プラズマ電極と、
前記基板を支持した状態で、前記第３チャンバへの前記基板の搬入及び前記第３チャンバで冷却された前記基板の前記第３チャンバからの搬出を行う第３移送部とが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のインライン基板処理装置。 In the first chamber,
A first heater for preheating the substrate;
A first transfer unit configured to carry in the substrate into the first chamber and carry out the substrate from the first chamber that has been preheated in the first chamber in a state where the substrate is supported;
In the second chamber,
A first plasma electrode for generating plasma;
A second heater for heating the substrate;
A second transfer unit configured to carry in the substrate into the second chamber and carry out the substrate from the second chamber after the plasma processing is completed in the second chamber in a state where the substrate is supported;
In the third chamber,
A second plasma electrode for generating plasma;
A third transfer unit configured to carry in the substrate into the third chamber and carry out the substrate cooled in the third chamber from the third chamber in a state where the substrate is supported; The in-line substrate processing apparatus according to claim 1.
前記第２移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第２チャンバに前記基板を搬入しかつ該第２チャンバから前記基板を搬出する複数の第２駆動ローラユニットを含み、
前記第３移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第３チャンバに前記基板を搬入しかつ該第３チャンバから前記基板を搬出する複数の第３駆動ローラユニットを含むことを特徴とする請求項２に記載のインライン基板処理装置。 The first transfer unit includes a plurality of first drive roller units that are provided along a moving direction of the substrate, carry the substrate into the first chamber, and carry the substrate out of the first chamber,
The second transport unit includes a plurality of second drive roller units that are provided along a moving direction of the substrate, carry the substrate into the second chamber, and carry the substrate out of the second chamber;
The third transfer unit includes a plurality of third drive roller units that are provided along a moving direction of the substrate and carry the substrate into the third chamber and unload the substrate from the third chamber. The inline substrate processing apparatus according to claim 2, wherein
前記第１プラズマ電極が、１つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記基板の上部に位置する第１上部電極部と、前記基板の下部に位置する第１下部電極部とを含み、
前記第２プラズマ電極が、１つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記基板の上部に位置する第２上部電極部と、前記基板の下部に位置する第２下部電極部とを含むことを特徴とする請求項２に記載のインライン基板処理装置。 A plurality of the first plasma electrodes are disposed in the second chamber; a plurality of the second plasma electrodes are disposed in the third chamber;
The first plasma electrode includes a bent portion having one or more bending points; a first upper electrode portion located on an upper portion of the substrate; and a first lower electrode portion located on a lower portion of the substrate;
The second plasma electrode includes a bent portion having one or more bending points, a second upper electrode portion located on the upper portion of the substrate, and a second lower electrode portion located on the lower portion of the substrate. The inline substrate processing apparatus according to claim 2, wherein
前記第１ロードロックチャンバ、前記第１チャンバ、前記第２チャンバ、前記第３チャンバ及び前記第２ロードロックチャンバが、順に一列に配置されることを特徴とする請求項２に記載のインライン基板処理装置。 A first load lock chamber for temporarily storing the substrate loaded into the first chamber; and a second load lock chamber for temporarily storing the substrate unloaded from the third chamber;
3. The in-line substrate processing according to claim 2, wherein the first load lock chamber, the first chamber, the second chamber, the third chamber, and the second load lock chamber are sequentially arranged in a line. apparatus.
前記第２ロードロックチャンバが、前記基板を支持した状態で、前記第２ロードロックチャンバに前記基板を搬入する第５移送部を含むことを特徴とする請求項１０に記載のインライン基板処理装置。 The first load lock chamber includes a fourth transfer unit that unloads the substrate from the first load lock chamber in a state where the substrate is supported.
11. The in-line substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the second load lock chamber includes a fifth transfer unit that loads the substrate into the second load lock chamber while supporting the substrate.
前記第５移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第２ロードロックチャンバに前記基板を搬入する複数の第５駆動ローラユニットを含むことを特徴とする請求項１１に記載のインライン基板処理装置。 The fourth transfer unit includes a plurality of fourth driving roller units that are provided along a moving direction of the substrate and carry the substrate out of the first load lock chamber.
The said 5th transfer part is provided along the moving direction of the said board | substrate, The several 5th drive roller unit which carries the said board | substrate in the said 2nd load lock chamber is characterized by the above-mentioned. Inline substrate processing equipment.
前記第２チャンバが、相互に独立して上下に配置された第２上部チャンバ及び第２下部チャンバを備える第２単位チャンバユニットを含み、
前記第３チャンバが、相互に独立して上下に配置された第３上部チャンバ及び第３下部チャンバを備える第３単位チャンバユニットを含むことを特徴とする請求項２に記載のインライン基板処理装置。 The first chamber includes a first unit chamber unit including a first upper chamber and a first lower chamber, which are disposed above and below independently of each other,
The second chamber includes a second unit chamber unit including a second upper chamber and a second lower chamber, which are disposed above and below independently of each other;
3. The in-line substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the third chamber includes a third unit chamber unit including a third upper chamber and a third lower chamber, which are disposed above and below independently of each other.
前記第１上部ヒータが複数の第１上部単位ヒータを含み、前記第１下部ヒータが複数の第１下部単位ヒータを含み、前記第２上部ヒータが複数の第２上部単位ヒータを含み、前記第２下部ヒータが複数の第２下部単位ヒータを含むことを特徴とする請求項１３に記載のインライン基板処理装置。 The first upper chamber is provided with a first upper heater of the first heater, the first lower chamber is provided with a first lower heater of the first heater, and the second upper chamber is provided with the second upper heater. A second upper heater of the heater is provided, and a second lower heater of the second heater is provided in the second lower chamber,
The first upper heater includes a plurality of first upper unit heaters, the first lower heater includes a plurality of first lower unit heaters, the second upper heater includes a plurality of second upper unit heaters, The inline substrate processing apparatus of claim 13, wherein the two lower heaters include a plurality of second lower unit heaters.
前記第１プラズマ電極が、１つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記第２上部チャンバに配置される第１上部電極部と、前記第２下部チャンバに配置される第１下部電極部とを有し、
前記第１上部電極部が前記第２上部チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記第１下部電極部が前記第２下部チャンバの内部にプラズマを発生させ、
前記第２プラズマ電極が、１つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記第３上部チャンバに配置される第２上部電極部と、前記第３下部チャンバに配置される第２下部電極部とを有し、
前記第２上部電極部が前記第３上部チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記第２下部電極部が前記第３下部チャンバの内部にプラズマを発生させるようにしたことを特徴とする請求項１３に記載のインライン基板処理装置。 A plurality of the first plasma electrodes are disposed in the second unit chamber unit; a plurality of the second plasma electrodes are disposed in the third unit chamber unit;
The first plasma electrode includes a bent portion having one or more bending points, a first upper electrode portion disposed in the second upper chamber, and a first lower electrode portion disposed in the second lower chamber. Have
The first upper electrode part generates plasma in the second upper chamber; the first lower electrode part generates plasma in the second lower chamber;
The second plasma electrode includes a bent portion having one or more bending points, a second upper electrode portion disposed in the third upper chamber, and a second lower electrode portion disposed in the third lower chamber. Have
14. The plasma display apparatus according to claim 13, wherein the second upper electrode part generates plasma in the third upper chamber, and the second lower electrode part generates plasma in the third lower chamber. The inline substrate processing apparatus described in 1.
前記第２チャンバが、垂直一列に配置された複数の前記第２単位チャンバユニットを含み、
前記第３チャンバが、垂直一列に配置された複数の前記第３単位チャンバユニットを含むことを特徴とする請求項１３に記載のインライン基板処理装置。 The first chamber includes a plurality of the first unit chamber units arranged in a vertical line;
The second chamber includes a plurality of the second unit chamber units arranged in a vertical line;
The in-line substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the third chamber includes a plurality of the third unit chamber units arranged in a vertical line.
前記複数の第３単位チャンバユニットの各々が、前記複数の第２プラズマ電極を含むことを特徴とする請求項１９に記載のインライン基板処理装置。 Each of the plurality of second unit chamber units includes the plurality of first plasma electrodes,
20. The in-line substrate processing apparatus according to claim 19, wherein each of the plurality of third unit chamber units includes the plurality of second plasma electrodes.
前記第２チャンバにおいて前記基板が前記第２温度に維持され、
前記第２チャンバにおいて前記基板が前記第２温度に維持されている間に、前記第１プラズマ電極が駆動され、
前記第３チャンバにおいて前記基板が前記第２温度から第３温度に冷却され、
前記第３チャンバにおいて前記基板が前記第３温度に冷却されている間に、前記第２プラズマ電極が駆動されるようにしたことを特徴とする請求項２に記載のインライン基板処理装置。 The substrate rises from a first temperature to a second temperature in the first chamber;
The substrate is maintained at the second temperature in the second chamber;
The first plasma electrode is driven while the substrate is maintained at the second temperature in the second chamber;
The substrate is cooled from the second temperature to a third temperature in the third chamber;
The in-line substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second plasma electrode is driven while the substrate is cooled to the third temperature in the third chamber.
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