KR101157201B1 - Apparatus for forming a cigs layer - Google Patents

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Abstract

CIGS층 형성장치가 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 복수개의 기판(10)에 대하여 CIGS층 형성 공간을 제공하는 챔버(100); 챔버(100)의 일측에 배치되어 기판(10)의 로딩 또는 언로딩을 위하여 개폐되는 도어(200); 챔버(100)의 내측에 배치되고 복수개의 기판(10)이 로딩되어 지지되는 보트(400); 복수개의 기판(10)에 열을 가하는 히터(300); 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(500); 및 챔버(100) 외부로 공정가스를 배기하는 공정가스 배기부를 포함하며, 챔버(100)는 내부 챔버(110) 및 내부 챔버(110)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버(120)로 구성되는 이중 챔버 구조이며, 도어(200)는 내부 도어(210) 및 내부 도어(210)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어(220)로 구성되는 이중 도어 구조인 것을 특징으로 한다.A CIGS layer forming apparatus is disclosed. CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention comprises a chamber 100 for providing a CIGS layer forming space for a plurality of substrates (10); A door 200 disposed at one side of the chamber 100 to open and close for loading or unloading the substrate 10; A boat 400 disposed inside the chamber 100 and having a plurality of substrates 10 loaded and supported thereon; A heater 300 that applies heat to the plurality of substrates 10; A process gas supply unit 500 supplying a process gas into the chamber 100; And a process gas exhaust unit configured to exhaust the process gas to the outside of the chamber 100, and the chamber 100 includes an inner chamber 110 and an outer chamber 120 disposed at regular intervals from the inner chamber 110. The double chamber structure, the door 200 is characterized in that the double door structure consisting of the inner door 210 and the outer door 220 is disposed at a predetermined distance from the inner door 210.

Description

ＣＩＧＳ층 형성장치{APPARATUS FOR FORMING A CIGS LAYER}CIS layer forming apparatus {APPARATUS FOR FORMING A CIGS LAYER}

본 발명은 CIGS층 형성장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, CIGS층 형성 공정에 이용되는 셀렌화 수소의 외부 누설을 획기적으로 방지할 수 있는 CIGS층 형성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a CIGS layer forming apparatus. More specifically, the present invention relates to a CIGS layer forming apparatus capable of significantly preventing external leakage of hydrogen selenide used in the CIGS layer forming step.

전 세계 각 국에서는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 환경에 악영향을 끼치지 않으면서도 고갈될 염려도 없는 새로운 에너지원인 대체 에너지 및 청정 에너지에 대한 연구 및 개발이 활발히 진행 중이다.In order to reduce our dependence on fossil fuels, research and development are being actively conducted on alternative and clean energy sources, which are new energy sources without adversely affecting the environment and without being exhausted.

한때, 원자력 발전이 현실성 있는 대체 에너지로 개발되어 높은 기여도를 보이기도 하였지만, 불안정성과 사고로 인한 심각한 피해 등의 문제가 제기됨으로써, 점차 이에 대한 의존도를 줄이는 추세이며, 그 대신 청정의 무한한 에너지원이라는 측면에서 태양 에너지를 현실적으로 활용할 수 있는 방안이 더욱 각광받고 있다.At one time, although nuclear power was developed as a viable alternative energy, it showed a high contribution, but problems such as instability and serious damage caused by accidents have been raised, and the dependency on this is gradually reduced, and instead, it is an infinite source of clean energy. Is getting more and more attention on the practical use of solar energy.

종래에는 이러한 태양에너지를 활용할 수 있는 방법 중 하나로써, 태양전지(Solar Cell)와 같은 반도체 소자를 이용하여, 태양광을 수광하고, 이를 다시 전기 에너지로 변환하는 방법이 주를 이루었으나, 최근에는 이보다 태양광 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비도 절감할 수 있는 CIGS 태양전지가 등장하였다.Conventionally, as one of methods of utilizing such solar energy, a method of receiving sunlight and converting it back into electrical energy using a semiconductor device such as a solar cell has been dominant. CIGS solar cells have been introduced that have higher solar absorption rate, less degradation of sunlight or radiation, thin film thickness, and material cost reduction.

이러한 CIGS 태양전지에는 CIGS층이 사용되는데, 이의 재료인 CIGS[Cu(In1-xGax)Se2]는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se2)으로 조성된 4원계 화합물로서, 에너지 밴드갭이 대략 1.04 eV 정도로 이상적인 값에 가깝고, 광흡수 계수가 높으며, 안정성이 뛰어나, 태양전지의 소재로서 커다란 응용 잠재력을 가지는 재료이다.CIGS layer is used for the CIGS solar cell, and its material CIGS [Cu (In1-xGax) Se 2 ] is composed of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se 2 ). As a raw compound, the energy band gap is close to an ideal value of about 1.04 eV, has a high light absorption coefficient, and excellent stability, and has a great application potential as a material for solar cells.

일반적으로 진공 스퍼터링법을 기반으로 한 CIGS층의 제조 공정은 크게 두 가지의 단계를 거친다. 먼저, 첫 번째 단계로 몰리브덴 전극이 입혀진 유리 위에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하는 전구체 형성 공정을 거친다. 이어서, 두 번째 단계로 이와 같이 증착된 전구체에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판에 온도를 가하게 되는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정에 따라, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소의 적정 조성 비율을 갖는 CIGS층을 형성할 수 있게 된다.In general, the manufacturing process of the CIGS layer based on the vacuum sputtering process has two steps. First, a precursor forming process of vacuum sputtering elements of copper, indium, and gallium in an appropriate ratio on a glass coated with a molybdenum electrode is performed as a first step. Subsequently, in a second step, a selenization process is performed to apply a temperature to the substrate while flowing hydrogen selenide (H 2 Se) gas to the thus deposited precursor. According to this series of processes, it is possible to form a CIGS layer having an appropriate composition ratio of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se) elements.

그러나, 셀렌화 공정시에 이용되는 셀렌화 수소는 지독한 냄새가 나는 무색의 기체로서, 외부로 누설되는 경우 심각한 환경상의 피해를 유발하는 문제점이 있다. 더욱이, 셀렌화 수소는 부식성이 강하여 셀렌화 공정이 수행되는 CIGS층 형성장치의 오염을 야기하는 문제점이 있다.However, hydrogen selenide used in the selenization process is a colorless gas with a bad smell, there is a problem that causes serious environmental damage when leaked to the outside. Moreover, hydrogen selenide is highly corrosive and causes a problem of CIGS layer forming apparatus in which the selenization process is performed.

따라서, CIGS층 형성을 위한 셀렌화 공정시에, 셀렌화 수소의 외부 누설을 방지하면서 셀렌화 수소에 의한 부식을 최소화할 수 있는 CIGS층 형성장치에 대한 개발이 요구되고 있는 실정이다.Therefore, in the selenization process for forming the CIGS layer, development of a CIGS layer forming apparatus capable of minimizing corrosion by hydrogen selenide while preventing external leakage of hydrogen selenide is required.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, CIGS층 형성 공정에 이용되는 셀렌화 수소의 외부 누설을 획기적으로 방지할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems of the prior art, to provide a CIGS layer forming apparatus that can significantly prevent the external leakage of hydrogen selenide used in the CIGS layer forming process It is done.

또한, 본 발명은 복수개의 기판 상에 동시에 CIGS층을 형성하여 CIGS층 형성 공정의 생산성을 극대화할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a CIGS layer forming apparatus capable of maximizing the productivity of the CIGS layer forming process by simultaneously forming a CIGS layer on a plurality of substrates.

또한, 본 발명은 복수개의 기판 상에 CIGS층을 균일하게 형성할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the CIGS layer forming apparatus which can form a CIGS layer uniformly on a some board | substrate.

또한, 본 발명은 셀렌화 수소에 의한 챔버의 부식을 최소화할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a CIGS layer forming apparatus capable of minimizing corrosion of a chamber by hydrogen selenide.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치는 복수개의 기판에 대하여 CIGS층 형성 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 기판의 로딩 또는 언로딩을 위하여 개폐되는 도어; 상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 상기 복수개의 기판에 열을 가하는 히터; 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및 상기 챔버 외부로 공정가스를 배기하는 공정가스 배기부를 포함하며, 상기 챔버는 내부 챔버 및 상기 내부 챔버와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버로 구성되는 이중 챔버 구조이며, 상기 도어는 내부 도어 및 상기 내부 도어와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어로 구성되는 이중 도어 구조인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a chamber for providing a CIGS layer forming space for a plurality of substrates; A door disposed at one side of the chamber to open and close for loading or unloading the substrate; A boat disposed inside the chamber and configured to load and support the plurality of substrates; A heater that heats the plurality of substrates; A process gas supply unit supplying a process gas into the chamber; And a process gas exhaust unit configured to exhaust the process gas to the outside of the chamber, wherein the chamber has a double chamber structure including an inner chamber and an outer chamber disposed at regular intervals from the inner chamber. Characterized in that the double door structure consisting of an outer door disposed at regular intervals with the inner door.

상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간에는 소정의 희석가스가 충진될 수 있다.A predetermined dilution gas may be filled in the space between the inner chamber and the outer chamber.

상기 희석가스는 질소 가스일 수 있다.The diluent gas may be nitrogen gas.

상기 희석가스의 압력을 측정하는 압력 측정부를 더 포함할 수 있다.It may further include a pressure measuring unit for measuring the pressure of the diluent gas.

상기 희석가스의 압력이 상압 이상이 되도록 제어하는 압력 제어부를 더 포함할 수 있다.The dilution gas may further include a pressure control unit for controlling the pressure of the dilution gas to be above the normal pressure.

상기 내부 챔버의 내면은 부식 방지 물질이 코팅되어 있을 수 있다.The inner surface of the inner chamber may be coated with a corrosion protection material.

상기 부식 방지 물질은 텅스텐일 수 있다.The corrosion resistant material may be tungsten.

상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버는 분리 가능한 구조인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.And the inner chamber and the outer chamber are separable.

상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어와 상기 외부 도어 사이의 공간은 진공 상태로 유지될 수 있다.While the CIGS layer is formed, the space between the inner door and the outer door may be maintained in a vacuum state.

상기 내부 챔버의 일단에서 연장되고, 상기 외부 챔버와 접촉하면서 배치되어 상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간을 밀폐시키는 챔버 실링부; 및 상기 챔버 실링부와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 챔버 오링을 더 포함할 수 있다.A chamber sealing part extending from one end of the inner chamber and disposed in contact with the outer chamber to seal a space between the inner chamber and the outer chamber; And a first chamber O-ring disposed along a surface in which the chamber sealing part contacts the outer chamber.

상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 외부 도어는 상기 챔버 실링부와 접촉하며, 상기 외부 도어와 상기 챔버 실링부가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제2 챔버 오링을 더 포함할 수 있다.The outer door may further include a second chamber O-ring disposed along a surface in which the outer door contacts the chamber sealing part while the CIGS layer is formed.

상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어는 상기 외부 챔버와 접촉하며, 상기 내부 도어와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제3 챔버 오링을 더 포함할 수 있다.The inner door may further include a third chamber O-ring that is in contact with the outer chamber while the CIGS layer is formed, and is disposed along a surface where the inner door contacts the outer chamber.

상기 외부 도어의 외측으로는 냉각수 또는 냉각 가스가 흐르는 냉각 라인이 설치될 수 있다.A cooling line through which cooling water or cooling gas flows may be installed outside the outer door.

상기 히터는 핫 월(hot-wall) 형태로 배치될 수 있다.The heater may be arranged in the form of a hot-wall.

상기 공정가스 공급부는, 상기 내부 챔버로부터 연장되는 제1 공정가스 공급관; 상기 외부 챔버로부터 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면과 일정한 간격을 가지면서 상기 제1 공정가스 공급관 보다 짧은 길이로 연장되는 제2 공정가스 공급관; 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 상기 제2 공정가스 공급관의 일단과 접촉하면서 배치되어 상기 제1 공정가스 공급관과 상기 제2 공정가스 공급관 사이의 공간을 밀폐시키는 공정가스 실링부; 및 상기 제2 공정가스 공급관과 상기 공정가스 실링부가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 공정가스 오링을 포함할 수 있다.The process gas supply unit, a first process gas supply pipe extending from the inner chamber; A second process gas supply pipe extending from the outer chamber to a shorter length than the first process gas supply pipe at a predetermined distance from an outer circumferential surface of the first process gas supply pipe; A process gas sealing part disposed in contact with one end of the second process gas supply pipe along an outer circumferential surface of the first process gas supply pipe to seal a space between the first process gas supply pipe and the second process gas supply pipe; And a first process gas O-ring disposed along a surface where the second process gas supply pipe contacts the process gas sealing part.

상기 공정가스 실링부는 절곡된 형태를 가지며, 상기 공정가스 공급부는 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 배치되며 상기 공정가스 실링부와는 2면 접촉하는 제2 공정가스 오링을 더 포함할 수 있다.The process gas sealing part may have a bent shape, and the process gas supply part may further include a second process gas O-ring disposed along an outer circumferential surface of the first process gas supply pipe and in two-side contact with the process gas sealing part. .

상기 공정가스 공급부로는 H2Se 가스가 공급될 수 있다.H 2 Se gas may be supplied to the process gas supply unit.

상기 챔버의 상측에 배치되어 상기 챔버 내부를 진공화시키는 진공 수단을 더 포함할 수 있다.It may further include a vacuum means disposed on the upper side of the chamber to vacuum the inside of the chamber.

상기 챔버 내부로 공급된 공정가스를 분사하는 제1 디퓨저; 및 상기 제1 디퓨저로부터 분사된 공정가스를 흡입하는 제2 디퓨저를 더 포함할 수 있다.A first diffuser for injecting a process gas supplied into the chamber; And a second diffuser for sucking the process gas injected from the first diffuser.

상기 제1 디퓨저는 상기 챔버 하측에 배치되고 상기 제2 디퓨저는 상기 챔버 상측에 배치되어 공정가스의 흐름이 상기 챔버의 하측에서 상측으로 이루어질 수 있다.The first diffuser may be disposed below the chamber and the second diffuser may be disposed above the chamber such that a process gas flows from the lower side to the upper side of the chamber.

본 발명에 의하면, 셀렌화 수소의 외부 누설을 획기적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect that can significantly prevent the external leakage of hydrogen selenide.

또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 기판 상에 동시에 CIGS층을 형성하여 CIGS층 형성 공정의 생산성을 극대화할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, by forming a CIGS layer on a plurality of substrates at the same time there is an effect that can maximize the productivity of the CIGS layer forming process.

또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 기판 상에 CIGS층을 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.Moreover, according to this invention, there exists an effect which can form a CIGS layer uniformly on a some board | substrate.

또한, 본 발명은 셀렌화 수소에 의한 챔버의 부식을 최소화할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of minimizing the corrosion of the chamber by hydrogen selenide.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버, 도어, 보트, 제1 디퓨저 및 제2 디퓨저의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 외부 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버와 도어가 상부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버와 도어가 하부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버와 연결되는 공정가스 공급부 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버와 연결되는 진공 장치 주변의 구성을 나타내는 도면이다.1 and 2 are views showing the configuration of the CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view illustrating a configuration of a chamber, a door, a boat, a first diffuser, and a second diffuser according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are views showing the external configuration of the CIGS layer forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a configuration in which the chamber and the door in contact with the top according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a configuration in which the chamber and the door in contact with the bottom in accordance with an embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating a configuration around a process gas supply unit connected to an internal chamber according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration around a vacuum apparatus connected to an internal chamber according to an exemplary embodiment.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 구성을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 구성을 나타내는 단면 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 구성을 나타내는 단면도이다.1 and 2 are views showing the configuration of the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. More specifically, Figure 1 is a cross-sectional perspective view showing the configuration of the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a configuration of the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention It is sectional drawing which shows.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100), 도어(200), 보트(400), 제1 디퓨저(700) 및 제2 디퓨저(800)의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view showing the configuration of the chamber 100, the door 200, the boat 400, the first diffuser 700 and the second diffuser 800 according to an embodiment of the present invention.

먼저, 본 발명의 CIGS층 형성장치(1)에 로딩되는 기판(10)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판(10)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판(10)을 상정하여 설명한다.First, the material of the substrate 10 loaded in the CIGS layer forming apparatus 1 of the present invention is not particularly limited, and the substrate 10 of various materials such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and the like may be loaded. . Hereinafter, a description will be given assuming a rectangular glass substrate 10 that is most commonly used in the solar cell field.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 챔버(100)를 포함하여 구성될 수 있다. 챔버(100)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되어 복수개의 기판(10) 상에 CIGS층이 형성되는 공간을 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 챔버(100)는 최적의 공정 조건을 유지하도록 구성되며 형태는 사각형 또는 원형의 형태로 제조될 수 있다.1 to 3, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include a chamber 100. The chamber 100 may be configured to substantially seal the internal space during the process to provide a space in which the CIGS layer is formed on the plurality of substrates 10. The chamber 100 is configured to maintain optimal process conditions and may be manufactured in a square or circular shape.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 챔버(100)는 내부 챔버(110) 및 내부 챔버(110)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버(120)를 포함하여 구성된다. 즉, 본 발명의 챔버(100)는 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)로 이루어지는 이중 챔버 구조이다. 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 모두 재질은 스테인리스인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.1 and 2, the chamber 100 of the present invention includes an inner chamber 110 and an outer chamber 120 disposed at regular intervals from the inner chamber 110. That is, the chamber 100 of the present invention has a double chamber structure consisting of an inner chamber 110 and an outer chamber 120. Both the inner chamber 110 and the outer chamber 120 are preferably made of stainless steel, but are not necessarily limited thereto.

챔버(100)가 이중 챔버 구조로 구성됨에 따라 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이에는 소정의 공간이 형성될 수 있다. 이러한 소정의 공간에는 희석가스가 충진될 수 있다. 이러한 희석가스는 내부 챔버(110)에 균열이 발생하여 유독한 셀렌화 수소가 상기 소정의 공간에 유입되더라도 외부로는 누설되지 않도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 희석가스로는 질소 가스가 이용되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.As the chamber 100 has a double chamber structure, a predetermined space may be formed between the inner chamber 110 and the outer chamber 120. The predetermined space may be filled with the diluent gas. The dilution gas may function to prevent leakage to the outside even when toxic hydrogen selenide is introduced into the predetermined space by cracking in the inner chamber 110. Nitrogen gas is preferably used as the diluent gas, but is not necessarily limited thereto.

도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 챔버(100)의 일측에는 희석가스 공급부(130)가 설치될 수 있다. 희석가스 공급부(130)는 외부 챔버(120)와 연결되어 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 희석가스를 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 이때에 챔버(100)의 밀폐를 위하여 희석가스 공급부(130)는 여러 가지 실링 수단을 포함하여 구성될 수 있는데, 이에 관해서는 후술하도록 하겠다.1 to 3, the diluent gas supply unit 130 may be installed at one side of the chamber 100. The dilution gas supply unit 130 may be connected to the outer chamber 120 to supply a dilution gas to the space between the inner chamber 110 and the outer chamber 120. At this time, the dilution gas supply unit 130 may be configured to include a variety of sealing means for sealing the chamber 100, which will be described later.

도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 챔버(100)의 하부에는 희석가스 배기부(140)가 설치될 수 있다. 희석가스 배기부(140)는 외부 챔버(120)와 연결되어 희석가스를 배기하는 기능을 수행할 수 있다. 여기서 희석가스를 배기한다 함은, 충진된 희석가스의 압력을 조절하기 위하여 단순히 희석가스만을 배기하는 경우뿐만 아니라, 내부 챔버(110)에 균열이 발생하여 유독한 셀렌화 수소가 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 유입되었을 때 셀렌화 수소와 희석가스를 함께 배기하는 경우를 포함하는 의미이다. 이렇게 배기된 셀렌화 수소와 희석가스는 외부 환경과는 격리된 소정의 공간으로 이동하여 안전하게 처리될 수 있다.1 to 3, the dilution gas exhaust 140 may be installed at the lower portion of the chamber 100. The dilution gas exhaust unit 140 may be connected to the external chamber 120 to perform a function of exhausting the dilution gas. Here, the exhaust of the dilution gas is not only a case of simply exhausting the dilution gas in order to control the pressure of the filled dilution gas, but also a crack occurs in the inner chamber 110 so that toxic hydrogen selenide is stored in the inner chamber 110. And when it is introduced into the space between the outer chamber 120 and the hydrogen selenide and dilution gas together. The hydrogen selenide and the diluted gas thus discharged may be safely moved to a predetermined space separated from the external environment.

도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 챔버(100)의 상부에는 희석가스의 압력을 측정하는 압력 센서(150)가 설치될 수 있다. 희석가스의 압력을 측정할 수 있다면 압력 센서(150)의 구성은 특별하게 한정되지 아니하며 공지의 여러 가지 압력 센서(150)가 본 발명의 압력 센서(150)로 이용될 수 있다. 압력 센서(150)에서 측정된 압력에 관한 정보는 이하에서 설명되는 압력 제어부(미도시)에서 이용될 수 있다.1 to 3, the pressure sensor 150 for measuring the pressure of the dilution gas may be installed at the upper portion of the chamber 100. If the pressure of the dilution gas can be measured, the configuration of the pressure sensor 150 is not particularly limited and various known pressure sensors 150 may be used as the pressure sensor 150 of the present invention. Information about the pressure measured by the pressure sensor 150 may be used in a pressure controller (not shown) described below.

도 1 내지 도 3에 도시되지는 않았지만, 챔버(100)는 희석가스의 압력을 제어하는 압력 제어부를 포함하여 구성될 수 있다. 압력 제어부는 희석가스의 압력 이상이 소정의 압력 이상이 되도록, 바람직하게는 상압 이상의 압력이 되도록 제어할 수 있다. 이렇게 희석가스의 압력을 조절하는 것은 내부 챔버(110)의 균열이 발생하더라도 희석가스 배기부(140)로 용이하게 희석가스 및 셀렌화 수소가 배기될 수 있도록 하기 위함이다. 이에 따라 보다 효과적으로 셀렌화 수소의 외부 누설을 방지할 수 있게 된다.Although not shown in FIGS. 1 to 3, the chamber 100 may include a pressure controller for controlling the pressure of the dilution gas. The pressure controller may control the pressure of the dilution gas to be equal to or greater than the predetermined pressure, preferably to be equal to or greater than the normal pressure. The dilution gas pressure is adjusted so that the dilution gas and the hydrogen selenide can be easily exhausted to the dilution gas exhaust unit 140 even if a crack in the inner chamber 110 occurs. Accordingly, it is possible to more effectively prevent the external leakage of hydrogen selenide.

희석가스의 압력을 상압 이상으로 제어하기 위하여 앞서 설명된 압력 센서(150)에서 측정된 희석가스의 압력 정보가 이용될 수 있다. 이를 테면, 압력 센서(150)에서 희석가스의 압력을 측정한 결과 희석가스의 압력이 상압 이하인 경우, 압력 제어부는 희석가스 공급부(130)에서 희석가스가 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 공급되도록 제어할 수 있다. 이를 위하여, 공지의 여러 가지 압력 제어 구성 원리가 본 발명의 압력 제어부에 채용될 수 있을 것이다. 한편, 압력 제어부는 챔버(100)의 하측에 배치되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.In order to control the pressure of the dilution gas above the normal pressure, the pressure information of the dilution gas measured by the pressure sensor 150 described above may be used. For example, when the pressure of the dilution gas is measured by the pressure sensor 150, and the pressure of the dilution gas is less than or equal to the normal pressure, the pressure controller determines that the diluent gas is supplied from the diluent gas supply unit 130 to the inner chamber 110 and the outer chamber 120. It can be controlled to be supplied to the space between. To this end, various known pressure control construction principles may be employed in the pressure control of the present invention. On the other hand, the pressure control unit is preferably disposed below the chamber 100, but is not necessarily limited thereto.

위에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는, 챔버(100)를 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)로 이루어지는 이중의 챔버(100) 구조로 구성하고, 또한 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 희석가스를 충전시킴에 따라, CIGS층 형성 시에 유독한 셀렌화 수소가 외부로 배출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the chamber 100 has a dual chamber 100 structure including an inner chamber 110 and an outer chamber 120, and further includes an inner chamber 110 and an outer chamber 120. By filling the space between the dilution gas, it is possible to effectively prevent the toxic hydrogen selenide discharged to the outside at the time of forming the CIGS layer.

도 3을 참조하면, 본 발명의 챔버(100)가 이중의 챔버(100) 구조로 구성되는 것을 명확하게 확인할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)는 분리 가능하도록 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 중 어느 하나에 손상이 발생하더라도 손상된 챔버만 수리하거나 교체할 수가 있어서 챔버(100)의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있고 유지 보수 비용을 절감할 수 있게 된다.Referring to FIG. 3, it can be clearly seen that the chamber 100 of the present invention has a dual chamber 100 structure. As shown in Figure 3, the inner chamber 110 and the outer chamber 120 is preferably configured to be detachable. Accordingly, even if damage occurs in any one of the inner chamber 110 and the outer chamber 120, only the damaged chamber can be repaired or replaced, so that the maintenance of the chamber 100 can be easily performed and the maintenance cost can be reduced. You can do it.

다음으로, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 도어(200)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 도어(200)는 기판(10)의 로딩 및 언로딩시에는 개방되어 기판(10)의 이동 통로로서의 역할을 수행하고, CIGS층 형성 공정시에는 폐쇄되어 챔버(100)의 밀폐를 유지시키는 역할을 수행할 수 있다.Next, referring further to FIGS. 1 to 3, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include a door 200. The door 200 is opened during loading and unloading of the substrate 10 to serve as a moving passage of the substrate 10, and is closed during the CIGS layer forming process to maintain the sealing of the chamber 100. Can be performed.

도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 도어(200)는 내부 도어(210) 및 내부 도어(210)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어(220)를 포함하여 구성된다. 즉, 본 발명의 도어(200)는 내부 도어(210)와 외부 도어(220)로 이루어지는 이중 도어 구조이다. 내부 도어(210)와 외부 도어(220) 모두 재질은 스테인리스인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.1 to 3, the door 200 of the present invention includes an inner door 210 and an outer door 220 disposed at regular intervals from the inner door 210. That is, the door 200 of the present invention has a double door structure including an inner door 210 and an outer door 220. Both the inner door 210 and the outer door 220 are preferably made of stainless steel, but are not necessarily limited thereto.

도어(200)가 이중 도어 구조로 구성됨에 따라, 내부 도어(210)와 외부 도어(220) 사이에는 소정의 공간이 형성될 수 있다. 이러한 소정의 공간은 별도의 가스로 충진될 수도 있으나, 바람직하게는 진공 상태일 수 있다. 이를 위하여, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 내부 도어(210)와 외부 도어(220) 사이의 공간이 진공이 유지될 수 있도록 도와주는 도어 진공 장치(230)가 추가로 설치될 수 있다.As the door 200 has a double door structure, a predetermined space may be formed between the inner door 210 and the outer door 220. This predetermined space may be filled with a separate gas, but may be preferably in a vacuum state. To this end, referring to FIGS. 1 to 3, a door vacuum device 230 may be additionally installed to help maintain a vacuum between the inner door 210 and the outer door 220.

한편, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)의 외부에는 외부 커버부(160)가 더 설치될 수 있다. 외부 커버부(160)는 외부의 충격 등으로부터 CIGS층 형상장치(1)의 각 구성요소를 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 외부 커버부(160)는 챔버(100) 전체의 면적을 커버할 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다.Meanwhile, referring to FIGS. 1 and 2, the outer cover part 160 may be further installed outside the chamber 100. The outer cover unit 160 may perform a function of protecting each component of the CIGS layer forming apparatus 1 from an external impact or the like. As illustrated in FIGS. 1 and 2, the outer cover 160 may be installed to cover the entire area of the chamber 100.

또한, 도 1 내지 도 2에 도시되지는 않았지만, 내부 챔버(110)의 내면은 부식 방지 물질이 코팅되어 있을 수 있다. 이러한 부식 방지 물질의 코팅은 본 발명에서 공정가스로 이용되는 셀렌화 수소가 매우 유독하여 내부 챔버(110)의 부식을 유발할 수 있기 때문에 내부 챔버(110)의 부식을 최소화하기 위하여 이루어진다. 부식 방지 물질은 텅스텐인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.In addition, although not shown in FIGS. 1 and 2, the inner surface of the inner chamber 110 may be coated with a corrosion preventing material. The coating of the anti-corrosion material is made to minimize the corrosion of the internal chamber 110 because the hydrogen selenide used as the process gas in the present invention is very toxic and can cause corrosion of the internal chamber 110. Preferably, the corrosion protection material is tungsten, but is not necessarily limited thereto.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 외부 구성을 나타내는 도면이다.4 and 5 are views showing the external configuration of the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

앞서서 도어(200)가 기판(10)의 로딩 및 언로딩시에는 개방되고 기판(10)의 CIGS층 형성 공정 시에는 폐쇄되는 것에 대하여 언급한 바 있다. 도 4에서는 기판(10)의 CIGS층 형성 공정을 위하여 도어(200)가 폐쇄되어 있는 것을 확인할 수 있으며, 도 5에서는 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위하여 도어(200)가 개방되어 있는 것을 확인할 수 있다. 도 4에서와 같이, 도어(200)가 폐쇄된 때에는 도어(200)가 챔버(100)와 접촉하게 되는데, 이때에는 기판(10) 상에 CIGS층 형성을 위하여 챔버(100) 내부가 완전하게 밀폐될 필요가 있다. 이를 위하여, 본 발명의 CIGS층 형성장치(1)에는 챔버(100)와 도어(200)의 접촉면 부근에 복수개의 가스 실링 수단이 설치될 수 있는데, 이하에서는 이러한 가스 실링 수단에 대하여 살펴보기로 한다.Earlier, it has been mentioned that the door 200 is opened during loading and unloading of the substrate 10 and closed during the CIGS layer forming process of the substrate 10. In FIG. 4, the door 200 is closed for the CIGS layer forming process of the substrate 10. In FIG. 5, the door 200 is opened for loading and unloading the substrate 10. You can check it. As shown in FIG. 4, when the door 200 is closed, the door 200 comes into contact with the chamber 100. In this case, the inside of the chamber 100 is completely sealed to form a CIGS layer on the substrate 10. Need to be. To this end, the CIGS layer forming apparatus 1 of the present invention may be provided with a plurality of gas sealing means in the vicinity of the contact surface of the chamber 100 and the door 200, which will be described below. .

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100)와 도어(200)가 상부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다.6 is a view showing a configuration in which the chamber 100 and the door 200 in contact with the upper portion according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, CIGS층 형성장치(1)는 챔버 실링부(170)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 챔버 실링부(170)는 내부 챔버(110)에서 수직으로 연장되면서 외부 챔버(120)와 접촉하게 되는데, 이에 따라 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간이 밀폐될 수 있다. 다시 말하여, 튜브 형태를 가지는 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)가 일정 간격으로 이격되어 배치됨에 따라 발생되었던 간격은 챔버 실링부(170)에 의하여 밀폐될 수 있다. 이러한 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 간격으로 희석가스가 공급될 수 있음은 앞서 언급한 바와 같다.Referring to FIG. 6, the CIGS layer forming apparatus 1 may include a chamber sealing unit 170. As shown in FIG. 6, the chamber sealing unit 170 extends vertically from the inner chamber 110 to be in contact with the outer chamber 120. Thus, between the inner chamber 110 and the outer chamber 120 is formed. The space can be sealed. In other words, an interval generated as the inner chamber 110 and the outer chamber 120 having a tube shape are spaced apart at regular intervals may be closed by the chamber sealing unit 170. As described above, the dilution gas may be supplied at an interval between the inner chamber 110 and the outer chamber 120.

이때, 도 6을 더 참조하면, 챔버 실링부(170)와 외부 챔버(120)가 접촉하는 면을 따라서 외부 챔버(120)의 내주부에 제1 챔버 홈(172)이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이러한 제1 챔버 홈(172)에는 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)의 사이를 실링하는 제1 챔버 오링(174)이 배치될 수 있다.6, the first chamber groove 172 is formed in the inner circumference of the outer chamber 120 along the contact surface between the chamber sealing unit 170 and the outer chamber 120. have. The first chamber o-ring 174 may be disposed in the first chamber groove 172 to seal between the inner chamber 110 and the outer chamber 120.

한편, 도 6을 더 참조하면, 챔버 실링부(170)는 도어(200)가 폐쇄되었을 때 내부 도어(210) 및 외부 도어(220)와도 접촉할 수 있음을 알 수 있다. 다시 말하여, 챔버 실링부(170)는 내부 챔버(110)에서 수직으로 연장되면서 외부 챔버(120) 및 내부 도어(210)와 접촉할 수 있다. 이때에 챔버 실링부(170)와 내부 도어(210)가 접촉하는 면을 따라서 챔버 실링부(170)의 내주부에는 제2 챔버 홈(176)이 형성될 수 있다. 이러한 제2 챔버 홈(176)에는 챔버 실링부(170)와 내부 도어(210) 사이를 실링하는 제2 챔버 오링(178)이 배치될 수 있다. 챔버 실링부(170)가 내부 챔버(110)에서 연장되는 것을 고려할 때, 제2 챔버 오링(178)에 의해서 내부 챔버(110)와 내부 도어(210) 사이는 실링될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 6, it can be seen that the chamber sealing unit 170 may also contact the inner door 210 and the outer door 220 when the door 200 is closed. In other words, the chamber sealing unit 170 may extend vertically from the inner chamber 110 and contact the outer chamber 120 and the inner door 210. In this case, a second chamber groove 176 may be formed at an inner circumference of the chamber sealing unit 170 along a surface where the chamber sealing unit 170 and the inner door 210 contact each other. A second chamber o-ring 178 may be disposed in the second chamber groove 176 to seal between the chamber sealing unit 170 and the inner door 210. Given that the chamber sealing unit 170 extends from the inner chamber 110, the second chamber O-ring 178 may be sealed between the inner chamber 110 and the inner door 210.

또한, 도 6을 더 참조하면, 도어(200)가 폐쇄되었을 때 챔버 실링부(170)의 개입 없이 외부 도어(220)는 외부 챔버(120)와 직접적으로 접촉될 수 있음을 확인할 수 있다. 이때에 외부 챔버(120)와 외부 도어(220)가 접촉하는 면을 따라서 외부 챔버(120)의 내주부에는 제3 챔버 홈(180)이 형성될 수 있다. 이러한 제3 챔버 홈(180)에는 외부 챔버(120)와 외부 도어(220) 사이를 실링하는 제3 챔버 오링(182)이 배치될 수 있다.6, it can be seen that when the door 200 is closed, the outer door 220 may directly contact the outer chamber 120 without intervention of the chamber sealing unit 170. At this time, a third chamber groove 180 may be formed in the inner circumferential portion of the outer chamber 120 along a surface where the outer chamber 120 and the outer door 220 contact each other. The third chamber groove 180 may be disposed in the third chamber groove 180 to seal between the outer chamber 120 and the outer door 220.

앞서 설명한 제1, 제2, 제3 챔버 오링(174, 178, 182)은 동일한 종류인 것이 바람직하나 경우에 따라서는 다른 종류일 수도 있다. 또한, 도어(200)가 닫히었을 때 챔버(100)의 밀폐를 효과적으로 수행할 수 있다면, 제1, 제2, 제3 챔버 오링(174, 178, 182)의 구성은 특별하게 한정되지 아니하며 공지의 여러 가지 오링이 제1, 제2, 제3 챔버 오링(174, 178, 182)으로 채용될 수 있다.The first, second, and third chamber O-rings 174, 178, and 182 described above are preferably the same type, but may be other types in some cases. In addition, when the door 200 is closed, if the sealing of the chamber 100 can be effectively performed, the configuration of the first, second, and third chamber O-rings 174, 178, and 182 is not particularly limited and is well known. Various O-rings may be employed as the first, second, and third chamber o-rings 174, 178, 182.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100)와 도어(200)가 하부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다. 도 7에서도 챔버(100)와 도어(200)가 접촉하면서 앞서 설명된 챔버 실링부(170), 제1 챔버 오링(174), 제2 챔버 오링(178), 제3 챔버 오링(182)이 배치되는 것을 확인할 수 있다.7 is a view showing a configuration in which the chamber 100 and the door 200 in contact with the bottom in accordance with an embodiment of the present invention. In FIG. 7, the chamber sealing unit 170, the first chamber O-ring 174, the second chamber O-ring 178, and the third chamber O-ring 182 described above are disposed while the chamber 100 and the door 200 are in contact with each other. You can see that.

한편, 도 6을 다시 참조하면, 내부 챔버(110)에서 연장되는 고정부(260)가 챔버 실링부(170)를 관통하여 외부 챔버(120)로 삽입되어 있는 것을 확인할 수 있다. 고정부(260)는 CIGS층 형성 공정시에 도어(200)와 챔버(100)가 견고하게 고정될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 챔버 실링부(170)에는 고정부(260)가 관통될 수 있는 관통홀(미도시)이 형성될 수 있으며, 외부 챔버(120)에는 고정부(260)가 삽입되는 삽입홈(262)이 형성될 수 있다.Meanwhile, referring back to FIG. 6, it can be seen that the fixing part 260 extending from the inner chamber 110 is inserted into the outer chamber 120 through the chamber sealing part 170. The fixing part 260 may perform a function of firmly fixing the door 200 and the chamber 100 during the CIGS layer forming process. To this end, a through hole (not shown) through which the fixing part 260 may be formed may be formed in the chamber sealing part 170, and an insertion groove 262 into which the fixing part 260 may be inserted into the outer chamber 120. ) May be formed.

또한, 도 1, 도 2 및 도 6을 참조하면, 외부 도어(220)의 외측으로는 외부 도어(220)의 전면을 커버하는 도어 커버부(240)가 더 형성될 수 있다. 도어 커버부(240)는 외부의 충격으로부터 도어(200)를 보호하는 기능을 수행할 수 있다.In addition, referring to FIGS. 1, 2, and 6, a door cover part 240 may be further formed outside the outer door 220 to cover the front surface of the outer door 220. The door cover part 240 may perform a function of protecting the door 200 from an external shock.

또한, 도 1 및 도 6을 더 참조하면, 도어(200)의 외측으로는 도어 커버부(240)의 외주부를 따라 냉각 라인(250)이 설치될 수 있다. 냉각 라인(250)으로는 냉각수 또는 냉각 가스가 공급될 수 있으며, 냉각수 또는 냉각 가스는 챔버(100)를 냉각시키는 기능을 수행할 수 있다.1 and 6, the cooling line 250 may be installed along the outer circumference of the door cover part 240 to the outside of the door 200. Cooling water or a cooling gas may be supplied to the cooling line 250, and the cooling water or the cooling gas may perform a function of cooling the chamber 100.

한편, 후술하는 바와 같이, 본 발명의 히터(300)는 핫-월(hot-wall) 방식으로 배치되는 것이 바람직하다. 이러한 의미에서 도어(200)에는 복수개의 히터(300)가 배치될 수 있다. 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 내부 도어(210)의 내면에 히터(300)가 복수개 배치되어 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 내부 도어(210)와 도어 커버부(240) 사이의 공간에는 히터(300)를 커버하면서 외부로 열이 유출되는 것을 방지하는 도어 단열부(310)가 더 배치될 수 있다.On the other hand, as described below, the heater 300 of the present invention is preferably arranged in a hot-wall (hot-wall) method. In this sense, a plurality of heaters 300 may be disposed in the door 200. 1 and 2, it can be seen that a plurality of heaters 300 are disposed on the inner surface of the inner door 210. In addition, a door insulation part 310 may be further disposed in the space between the inner door 210 and the door cover part 240 to prevent the heat from leaking to the outside while covering the heater 300.

한편, CIGS층 형성시에는 복수개의 기판(10)이 소정의 온도 이상[바람직하게는, 500℃ 내지 700℃ 이상]으로 유지될 필요가 있다. 이러한 의미에서, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 히터(300)를 포함하여 구성된다. 히터(300)는 복수개의 기판(10)에 열을 가하는 기능을 수행할 수 있다. 히터(300)의 재질은 칸탈(Kanthal)인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.On the other hand, when forming a CIGS layer, it is necessary to keep the some board | substrate 10 more than predetermined temperature (preferably 500 degreeC-700 degreeC or more). In this sense, referring further to FIGS. 1 and 2, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a heater 300. The heater 300 may perform a function of applying heat to the plurality of substrates 10. The material of the heater 300 is preferably Kanthal, but is not necessarily limited thereto.

히터(300)는 챔버(100) 내부의 기판(10)만을 가열하는 콜드-월(cold-wall) 방식으로 배치될 수도 있으나, 챔버(100) 전체를 가열하는 핫-월(hot-wall) 방식으로 배치되는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 챔버(100)는 핫-월 타입의 챔버(100)로 구성되는 것이 바람직하다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버(100)를 핫-월 타입의 챔버(100)로 구성하기 위하여, 챔버(100) 외측에 복수개의 히터(300)가 챔버(100)를 감싸면서 배치되고 있는 것을 확인할 수 있다.The heater 300 may be arranged in a cold-wall method for heating only the substrate 10 inside the chamber 100, but a hot-wall method for heating the entire chamber 100. It is preferred to be arranged. In other words, the chamber 100 is preferably composed of a hot-wall type chamber 100. 1 and 2, in order to configure the chamber 100 as a hot-wall type chamber 100, a plurality of heaters 300 are disposed surrounding the chamber 100 outside the chamber 100. I can confirm that there is.

히터(300)를 콜드-월(cold-wall) 방식으로 배치하는 경우에는 임의의 기판(10)에 열이 편중되게 공급될 수 있으나, 본 발명에 의하면 히터(300)를 핫-월 방식으로 배치함에 따라 복수개의 기판(10)을 균일하게 처리할 수 있게 된다. 이에 따라, CIGS층 형성 공정의 신뢰성은 향상될 수 있게 된다.When the heater 300 is disposed in a cold-wall manner, heat may be supplied to an arbitrary substrate 10 in a biased manner, but according to the present invention, the heater 300 is disposed in a hot-wall manner. As a result, the plurality of substrates 10 can be uniformly processed. Accordingly, the reliability of the CIGS layer forming process can be improved.

한편, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)와 외부 커버부(160) 사이에는 챔버 단열부(320)가 설치될 수 있다. 챔버 단열부(320)는 히터(300)에서 기판(10)으로 인가된 열이 외부로 전달되는 것을 방지함으로써 보다 효율적인 열처리가 이루어질 수 있도록 한다. 이러한 의미에서 챔버 단열부(320)는 챔버(100) 외부의 전체 면적을 커버할 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 챔버 단열부(320)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 세라믹 재질, 특히 고온에서의 내열성이 매우 우수한 세라믹 재질을 이용하여 챔버 단열부(320)를 제조하는 것이 바람직하다.Meanwhile, referring to FIGS. 1 and 2, the chamber heat insulation part 320 may be installed between the chamber 100 and the outer cover part 160. The chamber heat insulation part 320 prevents the heat applied from the heater 300 to the substrate 10 to be transferred to the outside, thereby enabling more efficient heat treatment. In this sense, the chamber insulation 320 is preferably installed to cover the entire area of the outside of the chamber 100. Although the material of the chamber insulation unit 320 is not particularly limited, it is preferable to manufacture the chamber insulation unit 320 using a ceramic material, especially a ceramic material having excellent heat resistance at high temperature.

또한, CIGS층 형성 공정이 완료된 이후에는 가열된 기판(10)을 냉각할 필요가 있다. 이러한 의미에서, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 열을 배기할 수 있는 열 배기부(330)가 더 설치될 수 있다. 열 배기부(330)에는 도시되지는 않았지만 보다 용이하게 열 배기를 하기 위하여 블로워(blower)가 연결될 수 있다. 열 배기부(330)와 관련된 구성은 본 기술 분야에서 공지의 구성에 해당하므로 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.In addition, after the CIGS layer forming process is completed, it is necessary to cool the heated substrate 10. In this sense, referring to FIGS. 1 and 2, a heat exhaust unit 330 capable of exhausting heat of the chamber 100 may be further installed above the chamber 100. Although not shown, a blower may be connected to the heat exhaust unit 330 for easier heat exhaust. Since the configuration related to the heat exhaust unit 330 corresponds to a configuration known in the art, further detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 보트(400)를 포함하여 구성된다. 보트(400)는 챔버(100) 내부에 배치되어 CIGS층 형성이 이루어지는 동안 복수개의 기판(10)을 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 이때 보트(400)에는 기판(10)이 직립 상태로 로딩되며 보트(400)는 기판(10)의 장변측을 지지하도록 설치되는 것이 바람직하다. 보트(400)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 바람직하게는 석영일 수 있다.Next, referring further to FIGS. 1 to 3, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a boat 400. The boat 400 may be disposed in the chamber 100 to support a plurality of substrates 10 while the CIGS layer is formed. In this case, the boat 400 is loaded in the upright state, and the boat 400 is preferably installed to support the long side of the substrate 10. The material of the boat 400 is not particularly limited but may be preferably quartz.

다음으로, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 공정가스 공급부(500)를 포함하여 구성될 수 있다. 공정가스 공급부(500)는 CIGS층 형성 공정에 필요한 가스를 챔버(100) 내부로 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 여기서 CIGS층 형성 공정에 필요한 가스는 셀렌화 수소(H2Se)일 수 있다.Next, referring further to FIGS. 1 and 2, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include a process gas supply unit 500. The process gas supply unit 500 may perform a function of supplying a gas required for the CIGS layer forming process into the chamber 100. The gas required for the CIGS layer formation process may be hydrogen selenide (H 2 Se).

도 1 및 도 2를 더 참조하면, 공정가스 공급부(500)가 챔버(100) 하부로 공정가스를 공급하게 되는 것을 알 수 있는데, 이는 가스의 흐름을 하측에서 상측으로 유도하기 위함이다. 이에 대해서는 후술하도록 하겠다.1 and 2, it can be seen that the process gas supply unit 500 supplies the process gas to the lower part of the chamber 100, to induce the flow of gas from the lower side to the upper side. This will be described later.

도 1 및 도 2를 더 참조하면, 공정가스 공급부(500)가 외부로 돌출되어 있는 것을 확인할 수 있으며, 공정가스 공급부(500)가 내부 챔버(110)에 연결되는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 공정가스 공급부(500)가 내부 챔버(110)와 연결되어 외부 챔버(120)를 관통하면서 배치되기 때문에, 챔버(100) 내부를 완전하게 밀폐하기 위하여 외부 챔버(100)와 공정가스 공급부(500)가 접촉하는 부근에는 가스 실링 수단이 배치될 필요가 있다. 이러한 의미에서 이하에서는 가스 실링 수단을 포함한 공정가스 공급부(500) 주변의 구성에 대하여 살펴보기로 한다.1 and 2, it can be seen that the process gas supply unit 500 protrudes to the outside, and it can be seen that the process gas supply unit 500 is connected to the internal chamber 110. As such, since the process gas supply unit 500 is disposed while being connected to the inner chamber 110 and penetrates through the outer chamber 120, the outer chamber 100 and the process gas supply unit ( It is necessary to arrange the gas sealing means in the vicinity of the contact 500. In this sense, the configuration around the process gas supply unit 500 including the gas sealing unit will be described below.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버(110)와 연결되는 공정가스 공급부(500) 주변의 구성을 나타내는 도면이다.8 is a view showing the configuration around the process gas supply unit 500 connected to the internal chamber 110 according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 공정가스 공급부(500)는 내부 챔버(110)로부터 연장되는 제1 공정가스 공급관(510)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 공정가스 공급관(510)의 내부로는 공정가스가 이동될 수 있으며, 이에 따라 챔버(100) 내부로 공정가스가 공급될 수 있게 된다.Referring to FIG. 8, the process gas supply unit 500 may include a first process gas supply pipe 510 extending from the internal chamber 110. The process gas may move into the first process gas supply pipe 510, and thus the process gas may be supplied into the chamber 100.

도 8을 더 참조하면, 공정가스 공급부(500)는 외부 챔버(120)로부터 연장되되 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면과 일정한 간격을 가지면서 연장되는 제2 공정가스 공급관(520)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 공정가스 공급관(510)과 제2 공정가스 공급관(520) 사이의 공간에는 앞서 설명된 희석가스가 충진될 수 있다.Referring to FIG. 8, the process gas supply unit 500 includes a second process gas supply pipe 520 extending from the outer chamber 120 but extending at a predetermined distance from an outer circumferential surface of the first process gas supply pipe 510. It can be configured. The above-described dilution gas may be filled in the space between the first process gas supply pipe 510 and the second process gas supply pipe 520.

도 8을 더 참조하면, 제2 공정가스 공급관(520)은 제1 공정가스 공급관(510) 보다 짧은 길이로 연장되는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 제1 공정가스 공급관(510)이 제2 공정가스 공급관(520)의 내부로부터 돌출될 수 있는데, 돌출된 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면을 따라서는 제2 공정가스 공급관(520)의 일단과 접촉하는 공정가스 실링부(530)가 배치될 수 있다. 공정가스 실링부(530)는 제1 공정가스 공급관(510)과 제2 공정가스 공급관(520) 사이의 공간을 밀폐시키는 기능을 수행할 수 있다.8, the second process gas supply pipe 520 may be extended to a shorter length than the first process gas supply pipe 510. Accordingly, the first process gas supply pipe 510 may protrude from the inside of the second process gas supply pipe 520, and the second process gas supply pipe 520 may be along the outer circumferential surface of the protruding first process gas supply pipe 510. Process gas sealing part 530 in contact with one end of the) may be disposed. The process gas sealing unit 530 may perform a function of sealing a space between the first process gas supply pipe 510 and the second process gas supply pipe 520.

도 8을 더 참조하면, 공정가스 실링부(530)와 제2 공정가스 공급관(520)이 접촉하는 면을 따라서는, 공정가스 실링부(530)와 제2 공정가스 공급관(520) 사이를 실링하는 제1 공정가스 오링(532)이 배치될 수 있다. 이를 위하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 공정가스 공급관(520)의 일단에는 제1 공정가스 홈(534)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the process gas sealing unit 530 and the second process gas supply pipe 520 may be sealed along a surface where the process gas sealing unit 530 and the second process gas supply pipe 520 contact each other. A first process gas o-ring 532 may be disposed. To this end, as shown in FIG. 8, a first process gas groove 534 may be formed at one end of the second process gas supply pipe 520.

도 8을 더 참조하면, 공정가스 실링부(530)가 절곡된 형태를 가지는 것을 확인할 수 있다. 보다 구체적으로, 공정가스 실링부(530)는 측면에서 절단하여 바라보았을 때, 절곡점을 두 개 가지는 선이 마주보고 있는 형태일 수 있다. 이에 따라, 공정가스 실링부(530) 부근을 측면에서 절단하여 바라보면, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 공정가스 공급관(510)과 공정가스 실링부(530)가 접촉하는 부근에서 ‘ㄷ’자 형상을 가지는 영역이 형성될 수 있게 된다. 여기서, ‘ㄷ’자 형상의 상부 가로획과 세로획은 공정가스 실링부(530)를 나타내며, ‘ㄷ’자 형상의 하부 가로획은 제1 공정가스 공급관(510)을 나타낸다. 이러한 ‘ㄷ’자 영역으로는 제1 공정가스 공급관(510)과 공정가스 실링부(530)를 실링하는 제2 공정가스 오링(536)이 배치될 수 있다. 결과적으로, 제2 공정가스 오링(536)은 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면을 따라서 형성되게 되며 공정가스 실링부(530)와는 2면 접촉하게 된다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the process gas sealing part 530 has a bent shape. More specifically, the process gas sealing unit 530 may have a form in which two lines having two bending points face each other when viewed from the side. Accordingly, when the near side of the process gas sealing unit 530 is cut out and viewed, as shown in FIG. 8, the first process gas supply pipe 510 and the process gas sealing unit 530 are in contact with each other. 'An area having a shape can be formed. Here, the upper horizontal stroke and the vertical stroke of the '-' shape represents the process gas sealing part 530, and the lower horizontal stroke of the '' 'shape represents the first process gas supply pipe 510. The second process gas O-ring 536 for sealing the first process gas supply pipe 510 and the process gas sealing part 530 may be disposed in the '′' area. As a result, the second process gas O-ring 536 is formed along the outer circumferential surface of the first process gas supply pipe 510 and comes into two-side contact with the process gas sealing part 530.

도 8을 더 참조하면, 공정가스 실링부(530)의 외측으로는 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면을 따라 형성되는 공정가스 커버부(540)가 더 배치될 수 있다. 공정가스 커버부(540)는 공정가스 실링부(530)의 외측으로 배치되어 상술한 ‘ㄷ’자 영역을 ‘ㅁ’자 영역으로 구성되게 한다. 이러한 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 공정가스 오링(536)은 제1 공정가스 공급관(510)과 및 공정가스 커버부(540)와는 일면 접촉하게 되며, 공정가스 실링부(530)와는 2면 접촉하게 된다.Referring to FIG. 8, a process gas cover part 540 formed along the outer circumferential surface of the first process gas supply pipe 510 may be further disposed outside the process gas sealing part 530. The process gas cover part 540 is disposed outside the process gas sealing part 530 so that the '' 'region described above is configured as a' ㅁ 'region. In this case, as shown in FIG. 8, the second process gas O-ring 536 is in one surface contact with the first process gas supply pipe 510 and the process gas cover 540, and the process gas sealing part 530. Is in contact with the two sides.

다음으로, 도 1 및 도 2에 도시되지는 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 공정가스 배기부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 공정가스 배기부는 챔버(100) 내부로 공급된 공정가스를 배기하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 공정가스 배기부와 챔버(100)가 연결되는 부근에는 위에서 설명된 가스 실링 수단이 동일하게 적용될 수 있을 것이다.Next, although not shown in Figures 1 and 2, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may be configured to include a process gas exhaust (not shown). The process gas exhaust unit may perform a function of exhausting the process gas supplied into the chamber 100. The gas sealing means described above may be equally applied to the vicinity of the process gas exhaust unit and the chamber 100.

다음으로, 도 1 내지 도 3을 다시 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 진공 장치(600)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 진공 장치(600)는 챔버(100)의 상측에 배치되어 챔버(100) 내부를 진공화시키는 기능을 수행할 수 있다.Next, referring again to FIGS. 1 to 3, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include a vacuum device 600. The vacuum apparatus 600 may be disposed above the chamber 100 to perform a function of evacuating the inside of the chamber 100.

여기서 진공 장치(600)가 챔버(100)의 상측에 배치되는 것에 주목할 필요가 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 공정가스 공급부(500)는 챔버(100)의 하측에 배치될 수 있는데, 이와 같이 공정가스 공급부(500)는 챔버(100)의 하측에, 진공 장치(600)는 챔버(100)의 상측에 배치되는 경우, 공정가스의 흐름은 챔버(100)의 하측에서 상측으로 이루어진다. 이처럼 공정가스의 흐름을 챔버(100)의 하측에서 상측으로 이루어지게 하는 것은, 본 발명의 공정가스로 이용되는 셀렌화 수소의 비중이 높은 관계로 셀렌화 수소를 상측에서 하측으로 흐르게 하는 것이 바람직하기 때문이다.It should be noted here that the vacuum device 600 is disposed above the chamber 100. As described above, the process gas supply unit 500 may be disposed below the chamber 100. As such, the process gas supply unit 500 may be disposed below the chamber 100, and the vacuum apparatus 600 may be disposed in the chamber 100. When disposed above the), the process gas flows from the lower side to the upper side of the chamber 100. As such, the flow of the process gas from the lower side to the upper side of the chamber 100 is preferably such that the hydrogen selenide flows from the upper side to the lower side because the specific gravity of the hydrogen selenide used as the process gas of the present invention is high. Because.

도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버(110)와 연결되는 진공 장치(600) 주변의 구성을 나타내는 도면이다.9 is a diagram illustrating a configuration around a vacuum device 600 connected to an internal chamber 110 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 진공 장치(600)는 제1 진공관(610), 제2 진공관(620), 진공 실링부(630), 제1 진공 오링(632), 제1 진공 홈(634), 제2 진공 오링(636), 진공 커버부(640)을 포함하여 구성될 수 있다. 이는 앞서 설명된 제1 공정가스 공급관(510), 제2 공정가스 공급관(520), 공정가스 실링부(530), 제1 공정가스 오링(532), 제1 공정가스 홈(534). 제2 공정가스 오링(536), 공정가스 커버부(540)와 동일한 구성을 가지므로, 이에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.As shown in FIG. 9, the vacuum apparatus 600 includes a first vacuum tube 610, a second vacuum tube 620, a vacuum sealing part 630, a first vacuum o-ring 632, and a first vacuum groove 634. It may be configured to include a second vacuum o-ring 636, the vacuum cover 640. The first process gas supply pipe 510, the second process gas supply pipe 520, the process gas sealing unit 530, the first process gas o-ring 532, and the first process gas groove 534 described above. Since the second process gas O-ring 536 and the process gas cover 540 have the same configuration, detailed description thereof will be omitted.

한편, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 두 개의 디퓨저(700, 800)를 포함하여 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 챔버(100)의 하측[바람직하게는, 보트(400)의 하측]에 배치되어 공정가스 공급부(500)와 연결되는 제1 디퓨저(700)와 챔버(100)의 상측[바람직하게는 보트(400)의 상측]에 배치되어 진공 장치(600)와 연결되는 제2 디퓨저(800)를 포함하여 구성될 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 1 to 3, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include two diffusers 700 and 800. More specifically, the CIGS layer forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is disposed below the chamber 100 (preferably, below the boat 400) to be connected to the process gas supply unit 500. It may include a first diffuser 700 and a second diffuser 800 disposed above the chamber 100 (preferably above the boat 400) and connected to the vacuum apparatus 600.

제1 디퓨저(700)와 제2 디퓨저(800)에는 다수의 홀이 형성되어 공정가스를 내부 전체로 확산시키고 공정가스의 균일한 흐름을 유도하는 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 복수개의 기판(10)에 균일하게 공정가스를 공급할 수 있게 되며, 복수개의 기판(10)에 균일한 CIGS층을 형성할 수 있게 된다.A plurality of holes may be formed in the first diffuser 700 and the second diffuser 800 so as to diffuse the process gas into the entire interior and induce a uniform flow of the process gas. Accordingly, the process gas can be uniformly supplied to the plurality of substrates 10, and a uniform CIGS layer can be formed on the plurality of substrates 10.

이때에, 제1 디퓨저(700)와 제2 디퓨저(800)는 다수개의 확산판을 구비할 수 있으며, 바람직하게는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 두 개의 확산판을 구비할 수 있다. 두 개의 확산판(710, 720)을 포함하는 제1 디퓨저(700)를 통하여 공정가스가 공급되는 과정에 대해서 살펴보면, 먼저 제1 디퓨저(700)로 공급된 공정가스는 제1 하부 확산판(710)의 제1 하부 확산홀(712)을 통하여 제1 디퓨저(700) 내부로 확산되게 되고, 이렇게 제1 디퓨저(700) 내부로 확산된 공정가스는 제1 상부 확산판(720)의 제1 상부 확산홀(722)을 통하여 챔버(100) 내부로 재확산되게 된다. 한편, 제2 디퓨저(800)에서 이루어지는 공정가스의 흐름 역시 제1 디퓨저(700)와 실질적으로 동일하게 이루어지므로, 제2 하부 확산판(810), 제2 상부 확산판(820), 제2 하부 확산홀(812), 제2 상부 확산홀(822)에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.In this case, the first diffuser 700 and the second diffuser 800 may include a plurality of diffuser plates, and preferably, two diffuser plates as shown in FIGS. 1 and 2. Referring to a process in which the process gas is supplied through the first diffuser 700 including the two diffusion plates 710 and 720, first, the process gas supplied to the first diffuser 700 is the first lower diffusion plate 710. Diffusion into the first diffuser 700 through the first lower diffusion hole 712, the process gas diffused into the first diffuser 700, the first upper portion of the first upper diffusion plate 720 The diffusion hole 722 is re-diffused into the chamber 100. On the other hand, the flow of the process gas in the second diffuser 800 is also made substantially the same as the first diffuser 700, the second lower diffusion plate 810, the second upper diffusion plate 820, the second lower Detailed descriptions of the diffusion hole 812 and the second upper diffusion hole 822 will be omitted.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

1: CIGS층 형성장치
10: 기판
100: 챔버
110: 내부 챔버
120: 외부 챔버
130: 희석가스 공급부
140: 희석가스 배기부
150: 압력 센서
160: 외부 커버부
170: 챔버 실링부
172: 제1 챔버 홈
174: 제1 챔버 오링
176: 제2 챔버 홈
178: 제2 챔버 오링
180: 제3 챔버 홈
182: 제3 챔버 오링
200: 도어
210: 내부 도어
220: 외부 도어
230: 도어 진공 장치
240: 도어 커버부
250: 냉각 라인
260: 고정부
262: 삽입 홈
300: 히터
310: 도어 단열부
320: 챔버 단열부
330: 열 배기부
400: 보트
500: 공정가스 공급부
510: 제1 공정가스 공급관
520: 제2 공정가스 공급관
530: 공정가스 실링부
532: 제1 공정가스 오링
534: 제1 공정가스 홈
536: 제2 공정가스 오링
540: 공정가스 커버부
600: 진공 장치
610: 제1 진공관
620: 제2 진공관
630: 진공 실링부
632: 제1 진공 오링
634: 제1 진공 홈
636: 제2 진공 오링
640: 진공 커버부
700: 제1 디퓨저
710: 제1 하부 확산판
712: 제1 하부 확산홀
720: 제1 상부 확산판
722: 제1 상부 확산홀
800: 제2 디퓨저
810: 제2 하부 확산판
812: 제2 하부 확산홀
820: 제2 상부 확산판
822: 제2 상부 확산홀1: CIGS layer forming device
10: Substrate
100: chamber
110: inner chamber
120: outer chamber
130: dilution gas supply unit
140: dilution gas exhaust
150: pressure sensor
160: outer cover
170: chamber sealing part
172: first chamber groove
174: first chamber o-ring
176: second chamber groove
178: second chamber o-ring
180: third chamber groove
182: third chamber O-ring
200: door
210: inner door
220: exterior door
230: door vacuum device
240: door cover
250: cooling line
260: fixed part
262: insertion groove
300: heater
310: door insulation
320: chamber insulation
330: heat exhaust
400: boat
500: process gas supply unit
510: first process gas supply pipe
520: second process gas supply pipe
530: process gas sealing unit
532 first process gas O-ring
534: first process gas groove
536: second process gas O-ring
540: process gas cover
600: vacuum device
610: first vacuum tube
620: second vacuum tube
630: vacuum sealing unit
632: first vacuum O-ring
634: first vacuum groove
636: second vacuum o-ring
640: vacuum cover
700: first diffuser
710: first lower diffuser plate
712: first lower diffusion hole
720: first upper diffusion plate
722: first upper diffusion hole
800: second diffuser
810: second lower diffuser plate
812: second lower diffusion hole
820: second upper diffusion plate
822: second upper diffusion hole

Claims (20)

상호 간격을 가지면서 배치된 내부 챔버와 외부 챔버를 가지며 복수개의 기판에 대하여 CIGS층 형성 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 기판의 로딩 또는 언로딩을 위하여 개폐되는 도어; 상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 상기 복수개의 기판에 열을 가하는 히터; 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 상기 챔버 외부로 공정가스를 배기하는 공정가스 배기부를 포함하는 CIGS층 형성장치로서,
상기 도어는 상호 간격을 가지면서 배치된 내부 도어와 외부 도어를 가지는 이중 구조로 마련되고,
상기 공정가스 공급부는, 상기 내부 챔버에서 연장된 제1 공정가스 공급관; 상기 외부 챔버에서 연장되고 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면과 일정한 간격을 가지는 제2 공정가스 공급관; 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면에 설치되어 상기 제2 공정가스 공급관의 일단과 접촉하며 상기 제1 공정가스 공급관과 상기 제2 공정가스 공급관 사이의 공간을 밀폐시키는 공정가스 실링부를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.A chamber having an inner chamber and an outer chamber disposed at a distance from each other, the chamber providing a CIGS layer forming space for a plurality of substrates; A door disposed at one side of the chamber to open and close for loading or unloading the substrate; A boat disposed inside the chamber and configured to load and support the plurality of substrates; A heater that heats the plurality of substrates; A process gas supply unit supplying a process gas into the chamber; A CIGS layer forming apparatus comprising a process gas exhaust unit for exhausting a process gas to the outside of the chamber,
The door is provided in a double structure having an inner door and an outer door disposed at intervals from each other,
The process gas supply unit, a first process gas supply pipe extending from the inner chamber; A second process gas supply pipe extending from the outer chamber and having a predetermined distance from an outer circumferential surface of the first process gas supply pipe; And a process gas sealing part installed on an outer circumferential surface of the first process gas supply pipe and contacting one end of the second process gas supply pipe and sealing a space between the first process gas supply pipe and the second process gas supply pipe. CIGS layer forming apparatus. 제1항에 있어서,
상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간에는 소정의 희석가스가 충진되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that a predetermined dilution gas is filled in the space between the inner chamber and the outer chamber. 제2항에 있어서,
상기 희석가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 2,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the diluent gas is nitrogen gas. 제2항에 있어서,
상기 희석가스의 압력을 측정하는 압력 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 2,
CIGS layer forming apparatus further comprises a pressure measuring unit for measuring the pressure of the dilution gas. 제2항에 있어서,
상기 희석가스의 압력이 상압 이상이 되도록 제어하는 압력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 2,
And a pressure controller for controlling the pressure of the diluting gas to be equal to or higher than the normal pressure. 제1항에 있어서,
상기 내부 챔버의 내면은 부식 방지 물질이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the inner surface of the inner chamber is coated with a corrosion protection material. 제6항에 있어서,
상기 부식 방지 물질은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 6,
And the corrosion preventing material is tungsten. 제1항에 있어서,
상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버는 분리 가능한 구조인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
And the inner chamber and the outer chamber are separable. 제1항에 있어서,
상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어와 상기 외부 도어 사이의 공간은 진공 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the space between the inner door and the outer door is maintained in a vacuum state during the formation of the CIGS layer. 제1항에 있어서,
상기 내부 챔버의 일단에서 연장되고, 상기 외부 챔버와 접촉하면서 배치되어 상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간을 밀폐시키는 챔버 실링부; 및
상기 챔버 실링부와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 챔버 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
A chamber sealing part extending from one end of the inner chamber and disposed in contact with the outer chamber to seal a space between the inner chamber and the outer chamber; And
And a first chamber o-ring disposed along a surface in which the chamber sealing portion and the outer chamber are in contact with each other. 제10항에 있어서,
상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 외부 도어는 상기 챔버 실링부와 접촉하며,
상기 외부 도어와 상기 챔버 실링부가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제2 챔버 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 10,
The outer door is in contact with the chamber sealing portion while the CIGS layer is formed,
And a second chamber o-ring disposed along a surface in which the outer door and the chamber sealing part contact each other. 제11항에 있어서,
상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어는 상기 외부 챔버와 접촉하며,
상기 내부 도어와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제3 챔버 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 11,
The inner door is in contact with the outer chamber while the formation of the CIGS layer is in progress,
And a third chamber o-ring disposed along a surface where the inner door contacts the outer chamber. 제1항에 있어서,
상기 외부 도어의 외측으로는 냉각수 또는 냉각 가스가 흐르는 냉각 라인이 설치되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the cooling line in which the coolant or the cooling gas flows outside the outer door. 제1항에 있어서,
상기 히터는 핫 월(hot-wall) 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the heater is arranged in the form of a hot-wall (hot-wall). 제1항에 있어서,
상기 제2 공정가스 공급관의 길이는 상기 제1 공정가스 공급관의 길이 보다 짧은 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
And a length of the second process gas supply pipe is shorter than a length of the first process gas supply pipe. 제15항에 있어서,
상기 공정가스 실링부는 절곡된 형태를 가지며,
상기 공정가스 공급부는, 상기 제2 공정가스 공급관과 상기 공정가스 실링부가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 공정가스 오링과 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 배치되며 상기 공정가스 실링부와는 2면 접촉하는 제2 공정가스 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.16. The method of claim 15,
The process gas sealing portion has a bent shape,
The process gas supply unit may be disposed along an outer circumferential surface of the first process gas o-ring and the first process gas supply pipe disposed along a surface where the second process gas supply pipe contacts the process gas sealing part, and may be different from the process gas sealing part. The CIGS layer forming apparatus further comprises a second process gas O-ring in contact with the two sides. 제1항에 있어서,
상기 공정가스 공급부로는 H2Se 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus, characterized in that the H 2 Se gas is supplied to the process gas supply. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 상측에 배치되어 상기 챔버 내부를 진공화시키는 진공 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
CIGS layer forming apparatus further comprises a vacuum means disposed on the upper side of the chamber to vacuum the inside of the chamber. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부로 공급된 공정가스를 분사하는 제1 디퓨저; 및
상기 제1 디퓨저로부터 분사된 공정가스를 흡입하는 제2 디퓨저를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.The method of claim 1,
A first diffuser for injecting a process gas supplied into the chamber; And
CIGS layer forming apparatus further comprises a second diffuser for sucking the process gas injected from the first diffuser. 제19항에 있어서,
상기 제1 디퓨저는 상기 챔버 하측에 배치되고 상기 제2 디퓨저는 상기 챔버 상측에 배치되어 공정가스의 흐름이 상기 챔버의 하측에서 상측으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.20. The method of claim 19,
And the first diffuser is disposed below the chamber and the second diffuser is disposed above the chamber so that a process gas flows from the lower side to the upper side of the chamber.
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