JP2013511137A - オフセットされたビアを伴う回路板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
種々の回路板及びそれを製造する方法が開示される。1つの態様においては、回路板の第1の相互接続層を形成することを含む製造の方法が提供される。第1の相互接続層は、相隔たる関係にある第1及び第2の導体構造、第1の導体構造に抵抗接触する第1のビア、及び第2の導体構造に抵抗接触する第2のビアを含む。第1の相互接続層上には第2の相互接続層が形成される。第2の相互接続層は、相隔たる関係にあり且つ第1及び第2の導体構造から横方向にオフセットされる第3及び第4の導体構造、第3の導体構造に抵抗接触する第3のビア、及び第4の導体構造に抵抗接触する第4のビアを含む。
【選択図】図3
種々の回路板及びそれを製造する方法が開示される。1つの態様においては、回路板の第1の相互接続層を形成することを含む製造の方法が提供される。第1の相互接続層は、相隔たる関係にある第1及び第2の導体構造、第1の導体構造に抵抗接触する第1のビア、及び第2の導体構造に抵抗接触する第2のビアを含む。第1の相互接続層上には第2の相互接続層が形成される。第2の相互接続層は、相隔たる関係にあり且つ第1及び第2の導体構造から横方向にオフセットされる第3及び第4の導体構造、第3の導体構造に抵抗接触する第3のビア、及び第4の導体構造に抵抗接触する第4のビアを含む。
【選択図】図3
Description
本発明は概して半導体処理に関し、より特定的にはビアを伴う回路板及びそれを作製する方法に関する。
半導体チップパッケージ基板及び回路カードを含む種々の回路板は、導体線及び導体トレースを利用して1つの点から別の点へと信号、電力及びグランドを伝える。従来の多くの回路板設計は、多重相互接続の層又はレベルを用いる。1つの層は次の層へ導電性ビアを介して電気的にリンクされる。ビアそれら自身は多くの場合に所謂ビアランド上に形成され、ビアランドは導電性材質の成形されたパッドである。従来の多くの回路板ビアは典型的には円形フットプリントを有する。ある種の従来のビアパッドは円形のフットプリントを有し、また別の種は長方形フットプリントを用いる。
動向としては、より多くの経路(routing)を回路板、特に半導体チップパッケージ基板内に詰め込むことが継続中である。とりわけ、これまで以上に複雑な半導体ダイ設計の入力/出力の数における増大により、より顕著な経路複雑性に対する要求が生じている。より多くのトレース及びビアを回路板レイアウトに盛り込むことは、取るに足らない事柄ではない。事実、増大した経路の目標は設計規則と競合し、設計規則は、回路板を形成するために用いられる製造プロセスが信頼性の高い回路板形成を行い得ることを確実にするために導入される。
従来のビア及びビアランドは、多くの場合に1つの相互接続層から次の層へと垂直に位置合わせされている。従って、経路トレースのパッキング密度を高めるための従来の1つの様態は、ビア及びランドを縮小化することを伴う。しかし、ビアサイズを縮小化して追加的なトレース経路を収容する試みのいずれもが、それに付随するビア及びビアランド内での電流密度の増大の要因にならざるを得ない。電流密度がスレッショルドレベルを超えると、デバイス故障が生じ得る。従来の多くの設計は、ビアホールレーザドリリングプロセスを本質的に過剰設計することによって、この問題を回避することを試みる。ホールは大きめのサイズでレーザドリリングされる。しかし、大きなビアホールサイズは、設計規則を満たすために、ビアに隣接するトレースの配置を阻む傾向にある。
本発明は、前述の1つ以上の不都合の影響を克服し又は低減することに向けられている。
本発明の実施形態の1つの態様に従うと、回路板の第1の相互接続層を形成することを含む製造の方法が提供される。第1の相互接続層は、相隔たる関係にある第1及び第2の導体構造と、第1の導体構造に抵抗接触する(in ohmic contact with)第1のビアと、第2の導体構造に抵抗接触する第2のビアと、を含む。第1の相互接続層上には第2の相互接続層が形成される。第2の相互接続層は、相隔たる関係にあり且つ第1及び第2の導体構造から横方向にオフセットされる第3及び第4の導体構造を含み、第3の導体構造には第3のビアが抵抗接触し、第4の導体構造には第4のビアが抵抗接触する。
本発明の実施形態の別の態様に従うと、第1の相互接続層内の第1及び第2のビアランドの間で少なくとも2つの導体トレースをネストすること(nesting)を含む、回路板内で電流を伝える方法が提供され、第1及び第2のビアランドは、第1の相互接続層上に位置させられる第2の相互接続層内の第3及び第4のビアランドから横方向にオフセットされる。少なくとも2つの導体トレースを介して第1の電流が伝えられる。
本発明の実施形態の別の態様に従うと、相隔たる関係にある第1及び第2の導体構造と、第1の導体構造に抵抗接触する第1のビアと、第2の導体構造に抵抗接触する第2のビアと、を有する第1の相互接続層を含む回路板が提供される。第1の相互接続層上には第2の相互接続層がある。第2の相互接続層は、相隔たる関係にあり且つ第1及び第2の導体構造から横方向にオフセットされる第3及び第4の導体構造、第3の導体構造に抵抗接触する第3のビア、及び第4の導体構造に抵抗接触する第4のビアを含む。
本発明の実施形態の別の態様に従うと、回路板の第1の相互接続層を形成することを含む製造の方法が提供される。第1の相互接続層は、第1の導体トレース及び第1の導体トレースから相隔たる第1の導体パッドを含む。第1の相互接続層上には第2の相互接続層が形成される。第2の相互接続層は第2の導体パッド及び第2の導体トレースを含む。第2の導体トレースは、第1の導体トレースから横方向にオフセットされており、また第2の導体パッドを第1の導体パッドから横方向にオフセットする。
本発明の上述の及び他の利点は、後述の詳細な説明を読むことによって、また図面を参照することによって明らかになるはずである。
半導体チップパッケージキャリア基板等のプリント回路板の種々の実施形態がここに説明される。1つの例は多重相互接続層を含み、少なくともそれらのうちの1層は、ネストされた(nested)導体トレースを収容するために横方向にオフセットされた隣接するビア及びビアランドを有する。付加的な詳細を説明する。
以下に説明される図面において、同一の要素が2つ以上の図において出現する場合には、参照番号は一般的には繰り返される。図面、特に図1を参照すると、パッケージ基板20上に搭載された半導体チップ15を含む例示的な従来の半導体チップパッケージ10の斜視図が示されている。半導体チップ15とパッケージ基板20の間には、アンダーフィル材質層25が位置している。半導体チップ15と図示しない他の何らかの回路デバイスとの間で電力、グランド及び信号の移送を提供するために、パッケージ基板20には多数の導体トレース及びビア並びに他の構造が設けられている。それらの移送を容易にするために、パッケージ基板20は、複数の半田ボールからなるボールグリッドアレイ30の形態にある入力/出力を含む。
図2を参照すると、図1の断面2−2でとられた断面図が示されている。尚、断面2−2は、半導体チップ15及びパッケージ基板20のかなり小さい部分のみを包含する。図示されるように、半導体チップ15は回路板20にフリップチップ実装され、また複数の半田ジョイント35及び40を介して回路板20に電気的に接続される。2つの半田ジョイント35及び40のみが示されているが、半導体チップ15及びパッケージ基板20の複雑性の規模に応じて多数の、例えば数百乃至は数千のそのようなジョイントがあってよい。半田ジョイント35及び40は、半導体チップ15に結合されるそれぞれの半田バンプ45及び50と、パッケージ基板20のそれぞれの導体パッド65及び70に金属学的に結合されるプリ半田(presolders)55及び60と、からなる。プリ半田55及び60は半田マスク75によって横方向に隔離されている。半田バンプ45及び50は、リフロー及びバンプコラプスプロセス(reflow and bump collapse process)によってプリ半田55及び60に金属学的に結合される。
パッケージ基板20は2−2−2ビルドアップ設計である。この点において、相互接続又はビルドアップ層80及び85と90及び95とが、コア100の対向面上に形成されている。ビルドアップ層80、85、90及び95、コア100、半田マスク75並びにビルドアップ層95上に形成される別の半田マスク105が、パッケージ基板20のための相互接続システムを構成する。図2における種々の導体構造の以下の議論は、従来のパッケージ基板20における他の導体構造の例示になるはずである。ビルドアップ層80はそれぞれの導体構造又はパッド110及び115を含み、導体構造又はパッド110及び115は、ビルドアップ層80内に形成されるそれぞれのビア130及び135を介して、ビルドアップ層85内の別のセットの導体構造又はパッド120及び125に相互接続される。同様に、ビルドアップ層85内の導体パッド120及び125は、それぞれのビア140及び145を介して半田マスク75内の上層導体パッド65及び70に電気的に接続される。ビルドアップ層90及び95並びに半田マスク105を介した電気的な経路が、同様にして、ビルドアップ層90内の導体パッド105及び155並びにビア160及び165、ビルドアップ層95内の導体パッド170及び175並びに対応するビア180及び185、並びにビア180及び185に接続される半田マスク150内のボールパッド190及び195によって提供される。半田ボール30はボールパッド190及び195に金属学的に結合される。コア100を介した電気的な経路は、メッキスルホール200及び205によって提供される。
半田ジョイント35及び40はバンプピッチx1で製造され、そのサイズは、半導体チップ15のサイズ、半導体チップ15に要求される入力/出力経路の数及び他の考慮、等の種々の因子に依存する。半田ジョイント35に接続される相互接続構造、例えば導体パッド65、ビア140、導体パッド120、ビア130及び導体パッド130は、全て半田ジョイント35と垂直に位置合わせされており、そして上下から見たときに円形フットプリントを有している。半田ジョイント40に接続される種々の相互接続構造、例えば導体パッド70、ビア125、導体パッド145、ビア135及び導体パッド115についても同様である。
ビルドアップ層85は、導体パッド120及び125の間に位置する導体トレース210を含み、またビルドアップ層75は導体パッド65及び70の間に位置する導体トレース215を含む。導体トレース210及び215は、電力、グランド又は信号の経路を提供する。導体パッド及びビアに対する典型な従来の設計規則では、ビルドアップ層85内の導体パッド120及び125の間に最小間隔x2がある。この最小間隔x2は、導体トレース210及び導体パッド120の間の間隙x3と、導体トレース210及び導体パッド125の間の対応する間隙と、導体トレース210の幅x4とのおよその組み合わせである。この従来の設計に従い、且つバンプピッチx1及び必要な最小間隔x2によると、ビルドアップ層85内の導体パッド120及び125の間には、単一の導体トレース210のみが位置し得る。
図3は回路板320に実装される半導体チップ315を含む半導体チップデバイス300の例示的な実施形態の小部分の断面図である。熱膨張係数(CTE)差の影響を小さくするために、半導体チップ315と回路板320の間にはアンダーフィル材質層325が介在している。半導体チップ315は、エレクトロニクスにおいて用いられる多数の異なる種類の回路デバイスのいずれであってもよく、例えばマイクロプロセッサ、グラフィクスプロセッサ、結合されたマイクロプロセッサ/グラフィクスプロセッサ、特定用途向け集積回路、メモリデバイス等であってよく、また単一コア又は多重コアであってよく、あるいは追加的なダイスと共に積層されていてもよい。半導体チップ315は、シリコン又はゲルマニウム等のバルク半導体、あるいは絶縁体材質上シリコン等の絶縁体材質上半導体から構成されていてよい。半導体チップ315は回路板320にフリップチップ実装され、また複数の半田ジョイント又は他の構造によって回路板320に電気的に接続される。フリップチップ半田ジョイント以外の相互接続スキームが用いられてもよい。
回路板320は、半導体チップパッケージ基板、回路カード、又は実際上いかなる他の種類のプリント回路板であってもよい。回路板320に対してモノリシック構造も用いられ得るが、更なる典型的な構成はビルドアップ設計を利用することになる。この点において、回路板320は、1つ以上のビルドアップ層がその上に形成され且つ1つ以上のビルドアップ層がその下に形成される中央コアから構成され得る。コアそれ自身は、1つ以上の層の積層物から構成され得る。そのような配置の一例は2−2−2配置であり、この場合2つのビルドアップ層の2セットの間に単一層のコアが積層される。半導体チップパッケージ基板として実装される場合、回路板320内の層の数は4から16以上に及び得るが、4層未満が用いられてもよい。いわゆる「コアレス」設計が用いられてもよい。回路板320の層は、金属相互接続が組み込まれた絶縁材質、例えば種々の周知のエポキシ又は他のポリマーから構成されてよい。ビルドアップ以外の多重層構造が用いられてもよい。随意的に、回路板320は周知のセラミックス又はパッケージ基板若しくは他のプリント回路板に適する他の材質から構成されていてよい。
半導体チップ315と図示しない別の回路デバイスとの間で電力、グランド及び信号の移送を提供するために、回路板320には多数の導体トレース及びビア並びに他の構造が設けられている。それらの移送を容易にするために、回路板320には、ピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、ランドグリッドアレイ又は他の種類の相互接続スキームの形態にある入力/出力が設けられていてよい。図示されるこの実施形態においては、回路板320には、複数の半田ボール327からなるボールグリッドアレイが設けられている。
半導体チップ315は回路板320にフリップチップ実装されてよく、また半田ジョイント、導電性ピラー又は他の構造によって回路板320に電気的に接続されてよい。この例示的な実施形態においては、3つの半田構造又はジョイント330、335及び340が示されている。3つの半田ジョイント330、335及び340のみが図示されているが、半導体チップ315及び回路板320の複雑性の規模に応じて多数の、例えば数百乃至は数千のそのようなジョイントがあってよい。半田ジョイント330、335及び340は、半導体チップ315に結合されるそれぞれの半田バンプ345、350及び353と、回路板320のそれぞれの導体パッド365、370及び372に金属学的に結合されるプリ半田(presolders)355、360及び362と、からなる。半田バンプ345、350及び353は、リフロー及びバンプコラプスプロセス(reflow and bump collapse process)によってプリ半田355、360及び362に金属学的に結合される。
半田バンプ345、350及び353並びに半田ボール327は、種々の鉛ベースの又は無鉛の半田から構成され得る。例示的な鉛ベースの半田は共晶比率の又はそれに近い組成、例えばSn約63%及びPb約37%の組成を有していてよい。無鉛の例は、錫−銀(Sn約97.3%、Ag約2.7%)、錫−銅(Sn約99%、Cu約1%)、錫−銀−銅(Sn約96.5%、Ag約3%、Cu約0.5%)等を含む。プリ半田355、360及び362は同じ種類の材質から構成されてよい。随意的に、単一半田構造又は半田プラス導電性ピラー配置が望ましい場合には、プリ半田355、360及び362は除かれてよい。アンダーフィル材質層325は、例えば、シリカフィラー及びフェノール樹脂が混合されたエポキシ樹脂であってよく、そして半田ジョイント330、335及び340を確立するためのリフロープロセスの前又は後に堆積させられてよい。プリ半田355、360及び362は半田マスク375によって横方向に包囲されており、半田マスク375は、種々のプリ半田、例えばプリ半田355、360及び362を収容するために複数の開口を形成するようレーザ切除等によってリソグラフィ的にパターニングされる。半田ボール327の取り付けを容易にするために、回路板320の反対側には別の半田マスク377が配置される。半田マスク375及び377は、半田マスク製造に適する種々の材質、例えば太陽インキ製造株式会社(Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd.)製のPSR−4000AUS703又は日立化成工業株式会社(Hitachi Chemical Co., Ltd.)製のSR7000から製造され得る。
この例示的な実施形態においては、回路板320は2−2−2ビルドアップ設計を伴う半導体チップパッケージとして実装される。この点において、相互接続又はビルドアップ層380及び385と390及び395とが、コア400の対向面上に形成される。コア400は、モノリシックであってよく、あるいは必要に応じて積層物又は2つ以上の層であってよい。コア400並びにビルドアップ層380、385、390及び395は、周知のポリマー材質、例えば味の素株式会社(Ajinomoto, Ltd.)によって提供されるGX13から構成され得る。ビルドアップ層380、385、390及び395、コア400、並びに半田マスク375及び377は、回路板320のための相互接続システムを構成する。図3における種々の導体構造の以下の議論は、回路板320における他の導体構造の例示になるはずである。ビルドアップ層380はそれぞれの導体構造又はパッド410、415及び417を含み、導体構造又はパッド410、415及び417は、ビルドアップ層380内に形成されるそれぞれのビア430、435及び437を介して、ビルドアップ層385内の別のセットの導体構造又はパッド420、425及び427に相互接続され又は抵抗接触する。同様に、ビルドアップ層385内の導体パッド420、425及び427は、それぞれのビア440、445及び447を介して半田マスク375内の上層導体パッド365、370及び372に電気的に接続される。ビルドアップ層390及び395並びに半田マスク377を介した電気的な経路が、同様にして、ビルドアップ層390内の導体パッド450、455及び457並びにビア460、465及び467、ビルドアップ層395内の導体パッド470、475及び477並びに対応するビア480、485及び487、並びにビア480、485及び487に接続される半田マスク377内のボールパッド490、495及び497によって提供されてよい。半田ボール327はボールパッド490、495及び497に金属学的に結合される。コア400を介した電気的な経路は、スルビア(thru-vias)500、505及び507によって提供されてよく、スルビア500、505及び507はメッキスルホール又は他の種類の導体であってよい。
更に図3を参照すると、ビルドアップ層385は複数の導体トレースを含んでいてよく、それらのうちの3つが見えており、そして符号510、515及び517がそれぞれ付されている。ビルドアップ層375は複数の導体トレース520及び525を含んでいてよく、またビルドアップ層395は導体トレース530、535及び537を含んでいてよい。導体トレース510及び515は導体パッド420及び425の間でネストされていてよく、また導体トレース530及び535は導体パッド470及び475の間でネストされていてよい。後で更に詳細に説明されるように、導体パッド420及び425の間の多重トレース510及び515並びに導体パッド470及び475の間のトレース530及び535の有利なネスティング(nesting)は、そのような多重トレースのネスティングを設計規則及び従来の相互接続配置が阻んでいたであろう従来の設計を用いて可能であるよりも複雑で且つ柔軟な電力、グランド及び/又は信号の経路を回路板320内で提供する。
破線の円540で囲まれる図3の部分が拡大されて図4に示される。図4を参照する。この例示的な実施形態の技術的な目標は、半田ジョイント330及び335の間のバンプピッチを値x1を超えて増大させる必要性なしに、導体パッド420及び425の間であってビア440及び445の間の2つのトレース510及び515のネスティングを可能にすることである。このネスティングを達成するために、導体パッド420は矢印550の方向で横方向にオフセットされ、また導体パッド425は、対応して、しかし反対側に、矢印555の方向で横方向にオフセットされる。ビア440及び445は同様に矢印550及び555の方向にオフセットされて、それらのそれぞれの下層の導体パッド420及び425との垂直位置合わせの近似を維持する。ビルドアップ層380内のビア430及び435は、それらのそれぞれの導体パッド410及び415並びにコア400内の下層のメッキスルホール500及び505と実質的に垂直に位置合わせされてよい。同様に、半田バンプ345、プリ半田355及び導体パッド365は垂直に位置合わせされてよく、また半田バンプ350、プリ半田360及び導体パッド370は垂直に位置合わせされてよい。導体パッド420及び425は、合計間隙x5がそれらの間に存在するようにそれぞれの方向550及び555で横方向にオフセットされてよい。合計間隙x5は、導体パッド420及びトレース510の間の間隙x7と、トレース515及び導体パッド425の間の間隙x7と、トレース510及び515の横方向寸法x6の計と、トレース510及び515の間の間隙x8と、の総計になるであろう。必要に応じて量x6、x7及びx8は等しくても等しくなくてもよい。このようにして、トレース及びパッドの間の何らかの最小設計規則間隔、例えば間隔x7並びに何らかの最小トレース間間隔、例えばx8が維持され得る一方で、バンプピッチx1を拡大することなしにネストされたトレースを提供することができる。導体トレース520は、従来の方法により導体パッド365及び370の間に位置させられ得る。随意的に、必要であれば、多重ビルドアップ層上で多重トレースがネストされてよく、例えばビルドアップ層385だけでなく半田マスク375内においてもネストされてよい。このように、バンプピッチをx1よりも大きく拡大することなしに、半導体チップ315からの入力/出力の更に顕著な複雑性を容易にするための更に複雑な経路が提供され得る。
再び図3を参照すると、パッド420及び425並びにビア440及び445の横方向のオフセットを容易にするために、隣接する次のパッド及びビアのセット、例えばパッド427及びビア447の間にネストされたトレースを有することは可能ではないであろう。パッド425及び427の間であってビア445及び447の間に位置する単一のトレース517を有することのみが可能であろう。しかし、ここに説明される横方向オフセット技術を用いて、パッド及びビアのペアの間の2つ以上のトレースのネスティングが、回路板320内の多重位置において用いられ得ることが期待される。また、パッド及びビアのオフセットは非対称であってよいことが理解されるべきである。例えば、導体パッド420及びビア440だけを横方向にオフセットしても、ネストされたトレースを収容することが可能である。
オフセットされた導体パッド420及び425並びにビア440及び445並びに相互接続スキームの他の構造を製造するための例示的な方法は、図5、6、7及び8を参照することによって、先ずは図5を参照することによって、理解されるであろう。図5は図3と同じように断面図であるが、図示を簡単にするために、コア400の上部並びに回路板320のスルビア500及び505のみを示している。また、図3及び4に示される上層の半導体チップ315はこの時点では取り付けられておらず、従って図示されていない。導体パッド410及び415並びにビア430及び435を含むビルドアップ層380は、既に構成されている。この時点で導体層560がビルドアップ層380に適用されてよい。後続の処理を通して、導体層560は、以下に更に詳細に説明されるように、導体パッドのペアと信号トレースのペアとに変わる。導体層560は、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、高融点金属、高融点金属化合物、これらの合金、等の種々の導体材質から製造され得る。単一構造の代わりに、導体層560は、複数の金属層の積層物、例えばチタン層とこれに続くニッケル−バナジウム層とこれらに続く銅層との積層物、から構成されていてよい。別の実施形態においては、チタン層が銅層に覆われニッケルの最上被覆が続いてよい。しかし、当業者であれば、多くの種類の導電性材質が導体層560に対して用いられ得ることを理解するであろう。金属材質を適用するための種々の周知技術、例えば物理的気相堆積、化学的気相堆積、めっき等が用いられ得る。例示的な実施形態においては、導体層560は銅から構成されてよく、そして周知のめっきプロセスによって堆積させられ得る。
この段階で導体層560上にはマスク565が形成されてよく、そしてマスク560は複数の部分570a、570b、570c及び570dへとリソグラフィ的にパターニングされてよい。マスク部分570a及び570dはビア430及び435から横方向にオフセットされており、その結果、それぞれ後で形成される導体パッド420及び425(図3及び4参照)は所望の横方向オフセットを有することとなる。部分570a、570b、570c及び570dは、後で形成される導体構造の所望のフットプリント(footprints)を有するようにパターニングされる。例えば図3及び4に示される導体パッド420及び425が円形フットプリント又は楕円形フットプリントを有することが予定されている場合には、マスク部分570a及び570dは円又は楕円としてリソグラフィ的にパターニングされる。マスク565のリソグラフィパターニングに関連する制約に応じて、一連の相互接続している多角形によって曲線形状を近似することが必要かもしれず、これは厳密に丸みのある形状よりもリソグラフィ処理に容易に利用可能である。
図6を参照すると、マスク565の形成に続いて、導体層560は、導体層560の露出させられた部分を除去するためにエッチングプロセスに供される。エッチングプロセスに続き、マスク565は、灰化、溶媒剥離、又はこれらの組み合わせによって除去されてよい。ビルドアップ層380からの図5に示されるマスク565の除去に続いて、導体パッド420及び425の他にトレース510及び515が残る。導体パッド420は、ビア430、導体パッド410及びスルビア500から横方向にオフセットされている。反対方向ではあるが、ビア435、導体パッド415及びスルビア505に対する導体パッド425も同じである。
次に図7を参照する。パッド420及び425並びにトレース510及び515のパターニングに続いて、ビルドアップ層385がビルドアップ層380上に形成されてよい。何度もここに説明された一種以上の絶縁材質がスピンコーティング又は他の技術によって堆積させられてよく、そして熱その他の方法によって硬化させられてよい。この段階では、ビルドアップ層385は、パッド420及び425並びにトレース510及び515を覆っている。
次に図8と併せて、後で形成されるビアを収容するためにビルドアップ層385内に開口を形成するプロセスを説明する。例示的な実施形態においては、開口575及び580がレーザ切除によって導体パッド420及び425の上に形成されてよい。レーザ585は、レーザ照射590をパルスで又は連続ビームとして供給してよい。レーザ照射590の波長及びスポットサイズは、ビルドアップ層材質層385を効果的に除去する一方で開口575及び580を所望のサイズ及びフットプリントで作製するように選択される。例えば、紫外線範囲にあり且つ2〜5ミクロン範囲のスポットサイズを伴う照射590が用いられ得る。開口575及び580が下層のパッド420及び425まで完全にドリリングされる必要があるが、切除プロセスがパッド420及び425から過剰な材質を除去しないことを確実にするよう注意が払われるべきである。開口575は導体パッド420、ビア430、導体パッド410及びスルビア500から横方向にオフセットされている。同様に開口580は導体パッド425、ビア435、導体パッド415及びスルビア505から反対方向で横方向にオフセットされている。
図9にはビルドアップ層385並びに形成された開口575及び580を上から見た図が示されている。開口575によって露出させられた導体パッド420の一部が見えているが、外周は覆われているので仮想線で示されている。導体パッド425及び開口580についても同じである。ネストされた導体トレース510及び515も覆われたままであるので、同様に仮想線で示されている。
次に図10を参照すると、開口575及び580の形成に続いて、それらの内部にビア440及び445が形成されてよい。ビア440及び445は、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、高融点金属、高融点金属化合物、これらの合金、等の種々の導体材質から製造され得る。単一構造の代わりに、ビア440及び445は、複数の金属層の積層物、例えばチタン層とこれに続くニッケル−バナジウム層とこれらに続く銅層との積層物、から構成されていてよい。別の実施形態においては、チタン層が銅層に覆われニッケルの最上被覆が続いてよい。しかし、当業者であれば、多くの種類の導電性材質がビア440及び445に対して用いられ得ることを理解するであろう。金属材質を適用するための種々の周知技術、例えば物理的気相堆積、化学的気相堆積、めっき等が用いられ得る。例示的な実施形態においては、ビアは2段階で行われる銅めっきによって形成されてよい。第1の段階は、銅の比較的に薄い層を開口575及び580内に適用することを含む。第2の段階においては、ビア440及び445内を埋めるためにバルクめっきプロセスが行われる。
導体パッド420及び425、トレース510及び515並びにビア440及び445を含むビルドアップ層385をビルドアップ層380上に確立するためのここに説明されたプロセスは、導体パッド410及び415並びにビア430及び435を含むビルドアップ層380を確立するためにも用いられてよい。コア400の反対側の他の任意の層についても同じである。
次に図11を参照すると、半田マスク375、導体パッド365及び370並びに導体トレース520からなるビルドアップ層が、周知の材質堆積技術及びパターニング技術によってビルドアップ層385上に形成されてよい。例えば、導体パッド365及び370並びに導体トレース520は、導体パッド410及び415と420及び425並びに導体トレース510及び515を形成するために用いられたここに何度も説明されるのと同じ一般的な導体の堆積技術及びパターニング技術を用いて製造され得る。半田マスク375は、周知の半田マスク堆積技術、例えばスピンコーティング又は所望により他の堆積技術を用いて堆積させられ得る。適切な開口585及び590は、周知のリソグラフィパターニング技術によって半田マスク375内に形成され得る。開口585及び590は、導体パッド365及び370の上に有利に位置させられる。この時点で、プリ半田355及び360が、図示されるように開口585及び590内に位置させられると共に嵌め込まれて(coined)よい。例えば半田ペーストがステンシル(stencil)等によって塗布されてよい。この時点で、プリ半田355及び360を下層の導体パッド365及び370に結合するためにリフローが行われてよい。プリ半田355及び365の適用に続いて、図1及び2に示される半導体チップ315が回路板320上に位置させられてプリ半田355及び360に取り付けられてよい。図3に示される半田ジョイント330及び335を作製するためにリフロープロセスが行われる。リフローの温度及び時間は、半田の種類並びに回路板320及び半導体チップ315のジオメトリに依存するであろう。
ここに説明されるプロセスは、個別の回路板上で又は複数の回路板のストリップ若しくは他の集合体上で一斉に行われてよいことが理解されるべきである。一斉に行われる場合には、個々の回路板は何らかの段階で鋸又は他の技術によって個々に分離されてよい。
ここに開示される任意の例示的な実施形態は、例えば半導体、磁気ディスク、光ディスク若しくは他の記憶媒体等のコンピュータ可読媒体内に配置される命令又はコンピュータデータ信号としての命令において具現化されてよい。命令又はソフトウエアは、ここに開示される回路構造を合成し且つ/又はシミュレートすることが可能であってよい。例示的な実施形態においては、開示される回路構造を合成するために、ケイデンスAPD(Cadence APD)、エンコア(Encore)等の電子的設計自動化プログラムが用いられてよい。結果として得られるコードは、開示される回路構造を製造するために用いられ得る。
本発明は種々の修正及び代替的な形態を許容し得る一方で、特定の実施形態が例示を目的として図面に示されまたここに詳細に説明されてきた。しかし、本発明は開示されている特定の形態に限定されることを意図していないことが理解されるべきである。むしろ、本発明は、以下に添付される特許請求の範囲によって画定される本発明の精神及び範囲内に含まれる全ての修正、均等なもの及び代替案に及ぶものである。
Claims (23)
- 製造の方法であって、
回路板の第1の相互接続層であって相隔たる関係にある第1及び第2の導体構造、前記第1の導体構造に抵抗接触する第1のビア並びに前記第2の導体構造に抵抗接触する第2のビアを含む第1の相互接続層を形成することと、
相隔たる関係にあり且つ前記第1及び第2の導体構造から横方向にオフセットされる第3及び第4の導体構造を含む第2の相互接続層を前記第1の相互接続層上に形成することと、を備える方法。 - 前記第2の相互接続層は前記第3の導体構造に抵抗接触する第3のビア及び前記第4の導体構造に抵抗接触する第4のビアと共に形成される請求項1の方法。
- 前記第3及び第4のビアは前記第1及び第2のビアから横方向にオフセットされる請求項1の方法。
- 前記第2の相互接続層内で前記第3及び第4の導体構造の間に少なくとも2つの導体トレースを形成することを備える請求項1の方法。
- 前記第1の相互接続層内で前記第1及び第2の導体構造の間に導体トレースを形成することを備える請求項4の方法。
- 半導体チップを前記回路板に結合することを備える請求項1の方法。
- コンピュータ可読媒体内に記憶される命令を用いて前記第3及び第4の導体構造を形成することを備える請求項1の方法。
- 複数の半田ボールを前記回路板に結合することを備える請求項1の方法。
- 回路板内で電流を伝える方法であって、
第1の相互接続層内の第1及び第2のビアランドであって前記第1の相互接続層上に位置させられる第2の相互接続層内の第3及び第4のビアランドから横方向にオフセットされる第1及び第2のビアランドの間で少なくとも2つの導体トレースをネストすることと、
前記少なくとも2つの導体トレースを介して第1の電流を伝えることと、を備える方法。 - 前記第1の電流は電気的な信号を備える請求項9の方法。
- 前記第1の相互接続層は前記第1のビアランドに抵抗接触する第3のビアと前記第2のビアランドに抵抗接触する第4のビアとを備える請求項9の方法。
- 前記第1のビアランド、第1のビア及び前記第3のビアランドを介して第2の電流を伝えることを備える請求項9の方法。
- 前記第3及び第4のビアランドの間に位置させられる導体トレースを介して第3の電流を伝えることを備える請求項9の方法。
- 前記回路板は半導体チップを備え、前記方法は前記少なくとも2つの導体トレースビアを用いて前記第1の電流を前記半導体チップと前記回路板の間で伝えることを備える請求項9の方法。
- 相隔たる関係にある第1及び第2の導体構造、前記第1の導体構造に抵抗接触する第1のビア、及び前記第2の導体構造に抵抗接触する第2のビアを含む第1の相互接続層と、
前記第1の相互接続層上の第2の相互接続層であって、相隔たる関係にあり且つ前記第1及び第2の導体構造から横方向にオフセットされる第3及び第4の導体構造、前記第3の導体構造に抵抗接触する第3のビア、及び前記第4の導体構造に抵抗接触する第4のビアを含む第2の相互接続層と、を備える回路板。 - 前記第3及び第4のビアは前記第1及び第2のビアから横方向にオフセットされる請求項15の回路板。
- 前記第1及び第2の導体構造の間に位置させられる導体トレースを備える請求項15の回路板。
- 前記第1の相互接続層はビルドアップ層を備える請求項15の回路板。
- 前記回路板に結合される半導体チップを備える請求項15の回路板。
- 前記第1の相互接続層は半田マスクを備える請求項15の回路板。
- 前記回路板に結合される複数の半田ボールを備える請求項15の回路板。
- 製造の方法であって、
回路板の第1の相互接続層であって第1の導体トレース及び前記第1の導体トレースから相隔たる第1の導体パッドを含む第1の相互接続層を形成することと、
第2の導体パッド及び第2の導体トレースを含む第2の相互接続層を前記第1の相互接続層上に形成することと、を備え、
前記第2の導体トレースは前記第1の導体トレースから横方向にオフセットされ且つ前記第2の導体パッドを前記第1の導体パッドから横方向にオフセットする方法。 - 前記第1の導体パッドに抵抗接触する第1のビア及び前記第2の導体パッドに抵抗接触する第2のビアを形成することを備える請求項22の方法。
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