JP2013251520A - 一体的ファラデーシールドを備えた多層電子構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の誘電材料202内に封入される中心導体201を有する構造体が、下部導電プレート203、上部導電プレート205、中心導体201と同じ層上の左右の側面パッド207、208ならびに下部および上部導電プレート203、205にパッド207、208を接続する導体ビア204、206、209、210によって電磁シールドされる。
【選択図】図2
Description
(a)連続金属接地面を備える上層を含む基板を得るステップと、
(b)連続金属接地面の上にフォトレジストの第1層を塗布するステップと、
(c)金属ビアの一対の下部行を備えるパターンによってフォトレジストの第1層を現像するステップと、
(d)フォトレジストの第1層に金属ビアの一対の下部行をパターンメッキするステップと、
(e)フォトレジストの第1層を剥離するステップと、
(f)金属ビアの一対の下部行の上に誘電材料の第1層を積層するステップと、
(g)金属ビアの一対の下部行の端部を露出するために誘電材料の第1層を薄くするステップと、
(h)誘電材料の第1層の上に第1の金属シード層を堆積するステップと、
(i)第1の金属シード層の上に第2のフォトレジスト層を塗布するステップと、
(j)第2のフォトレジスト層内の両側面上に金属要素および隣接するファラデーバリアを含むパターンを露光して現像するステップと、
(k)パターンメッキによって金属要素および隣接するファラデーバリアを共に製作するステップと、
(l)第2のフォトレジスト層を剥離するステップと、
(m)第3のフォトレジスト層を塗布するステップと、
(n)第3のフォトレジスト層内にビア柱の上部行を備える第3のパターンを露光して現像するステップと、
(o)露光されて現像されたパターンにビア柱の上部行をパターンメッキするステップと、
(p)第3のフォトレジスト層を剥離するステップと、
(q)シード層を除去するステップと、
(r)ビア柱の上部行の上に誘電材料の層を積層するステップと、
(s)ビア柱の上部行の誘電材料露出端を薄くするステップと、
(t)露出端の上に金属の上層を堆積するステップと、を含むプロセスに向けられる。
102、104、106 機能層またはフィーチャ層
108 フィーチャ
110、112、114、116 誘電体
118 ビア
200 ファラデーケージ
201 中心導体
202 誘電材料
203 下部導電プレート
205 上部導電プレート
207、208 左右の側面パッド
204、206、209、210 導体ビア
300 ファラデーケージ
301、302、303、304、305、306、307、308 導体
302 誘電材料
310、311、312 ビア構造体
350 回路
307B、307D、308B、308D ビア導体
307A、307C、307E、308A、308C、308E パッド
403、405 最上部と底部金属平面
407B、408B ビア導体
407A、407C、408A、408C 相互接続パッド
410 導電フィーチャ
411 底部導電線
412 ビア導体
413 最上部導電線
418 誘電材料
450 ファラデーケージ
Claims (21)
- 誘電材料内に封入される少なくとも1個の機能金属構成要素を含み、かつ外部電磁場からの干渉から前記少なくとも1個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記金属構成要素からの電磁放出を防ぐための、前記誘電材料内に少なくとも1個のファラデーバリアを更に備える多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個の機能金属構成要素が、信号キャリアを備える、ことを特徴とする請求項1に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個の機能金属構成要素が、銅を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個の機能金属構成要素が上下に隣接するフィーチャ層を連結する接続ビアを更に備えるビア層内に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個の機能金属構成要素が、スパッタリングされたシード層、電気メッキされた金属層およびスパッタリングされたかまたは無電解メッキされたシード層の上に堆積される電気メッキされた金属層からなるグループから選択される下位層を更に備える、ことを特徴とする請求項4に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個の機能金属構成要素が、スパッタリングされたシード層、電気メッキされた金属層およびスパッタリングされたかまたは無電解メッキされたシード層の上に堆積される電気メッキされた金属層からなるグループから選択される上位層を更に備える、ことを特徴とする請求項4に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個の機能金属構成要素が回路を備える、ことを特徴とする請求項4に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個のファラデーバリアが、
前記少なくとも1個の金属構成要素より上の上部金属層および前記少なくとも1個の金属構成要素より下の下部金属層を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の多層電子支持構造体。 - 前記少なくとも1個のファラデーバリアが、
ファラデーケージを与えるために前記上下の金属層にビア柱の行によって連結される前記少なくとも1個の金属構成要素の各側面上の要素を更に備える、ことを特徴とする請求項8に記載の多層電子支持構造体。 - 前記ビア柱の行が連続的である、ことを特徴とする請求項8に記載の多層電子支持構造体。
- 前記ビア柱の行が不連続である、ことを特徴とする請求項8に記載の多層電子支持構造体。
- 前記少なくとも1個のファラデーバリアが銅を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の多層電子支持構造体。
- 前記誘電材料がポリマーを備える、ことを特徴とする請求項1に記載の多層電子支持構造体。
- 前記誘電材料がセラミックまたはガラスを更に備える、ことを特徴とする請求項13に記載の多層電子支持構造体。
- 前記ポリマーがポリイミド、エポキシ、ビスマレイミド、トリアジンおよびその混合物を備える、ことを特徴とする請求項13に記載の多層電子支持構造体。
- 前記誘電材料がガラスファイバを更に備える、ことを特徴とする請求項14に記載の多層電子支持構造体。
- 前記誘電材料がセラミック粒子フィラーを更に備える、ことを特徴とする請求項14に記載の多層電子支持構造体。
- 請求項1に記載の多層電子構造体を製作する方法であって、以下のステップ、すなわち、
(a)連続金属接地面を備える上層を含む基板を得るステップと、
(b)前記連続金属接地面の上にフォトレジストの第1層を塗布するステップと、
(c)金属ビアの一対の下部行を備えるパターンによって前記フォトレジストの第1層を現像するステップと、
(d)前記フォトレジストの第1層に前記金属ビアの一対の下部行をパターンメッキするステップと、
(e)前記フォトレジストの第1層を剥離するステップと、
(f)前記金属ビアの一対の下部行の上に誘電材料の第1層を積層するステップと、
(g)前記金属ビアの一対の下部行の端部を露出するために前記誘電材料の第1層を薄くするステップと、
(h)前記誘電材料の第1層の上に第1の金属シード層を堆積するステップと、
(i)前記第1の金属シード層の上に第2のフォトレジスト層を塗布するステップと、
(j)前記第2のフォトレジスト層内の両側面上に金属要素および隣接するファラデーバリアを含むパターンを露光してかつ現像するステップと、
(k)パターンメッキによって前記金属要素および隣接するファラデーバリアを共に製作するステップと、
(l)前記第2のフォトレジスト層を剥離するステップと、
(m)第3のフォトレジスト層を塗布するステップと、
(n)前記第3のフォトレジスト層内にビア柱の上部行を備える第3のパターンを露光してかつ現像するステップと、
(o)前記露光されてかつ現像されたパターンに前記ビア柱の上部行をパターンメッキするステップと、
(p)前記第3のフォトレジスト層を剥離するステップと、
(q)前記シード層を除去するステップと、
(r)前記ビア柱の上部行の上に誘電材料の層を積層するステップと、
(s)前記ビア柱の上部行の前記誘電材料露出端を薄くするステップと、
(t)前記露出端の上に金属の上層を堆積するステップと、を含む方法。 - 前記金属の上層が金属シード層を備える、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記金属の上層が電気メッキによって堆積される金属の層を更に備える、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- ステージ(h)から(s)がより複雑なシールドされた構造体を構築するために繰り返される、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
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