JP2013249514A - 光半導体装置用電解銀めっき液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液は、シアン化銀錯体20〜250g/L、遊離シアン塩50〜200g/L、セレン化合物およびイオウ化合物の少なくともいずれか一方を含有する銀めっき液に、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を、5mg/L〜10g/Lの濃度範囲で添加し、pHが10〜14であることを特徴とする。
【選択図】なし
Description
シアン化銀錯体20〜250g/L、電気伝導塩50〜250g/L、遊離のシアン塩0.1〜30g/L、セレン化合物およびイオウ化合物の少なくともいずれか一方を含有する銀めっき液に、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を、5mg/L〜10g/Lの濃度範囲で添加し、pHが7.5〜14である、光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液、
電気伝導性のあるリードフレームまたは基板を陽極とし、金属銀、ステンレス、白金族金属または白金族金属を被覆したチタンを陰極として、前記陽極及び前記陰極を前記の光半導体装置用リードフレーム及び基板に対する電解銀めっき液に浸漬し、前記リードフレームまたは前記基板を電気めっきするめっき方法
を提供するものである。
本発明の銀めっき液及びめっき方法によれば、めっき液が、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を含むため、銀めっき皮膜の電析粒子の隙間に微量のTi、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iが嵌り込み、実装工程中の機械的な圧力による変形や熱的な履歴による粒子凝集が発生しにくくなり、光反射率の高い銀反射膜としての機能を維持することができる。そのため、著しく光反射率が向上するとともに、長期間にわたり高い光反射率を維持することができる。したがって、当該銀めっき液及びめっき方法によれば、光半導体装置用リードフレームまたは基板に適用することによって、例えばLEDとしての発光効率の向上、耐食性の向上、製品間の光特性の品質安定化を得ることができる。このため、LEDの光束向上が実現できるため、LED電球内の搭載部品数の低減や液晶テレビ用バックライトLEDの搭載数低減により、省エネルギー化とともに製造コストの削減が可能となる。また、耐食性の向上により、LEDの長寿命化が可能となる。また、LEDの発光特性の部品間バラツキが向上するため、製造工程内作業ロスが低減でき製造コストの削減が可能である。
光半導体装置は、電気回路を形成し、適切な電圧を印加すると発光するチッ化ガリウムなどの光半導体素子をリードフレームや基板(プリント基板、セラミック基板、フレキシブル基板など)に、適切なペーストなどでダイボンディングして固定し、p型とn型の電極に金線などでワイヤーボンディングし、樹脂で封止することにより製造されることが多い。また、光半導体装置は、実際のLED電球などに搭載する際に、はんだリフローなどで実装される。
Claims (9)
- シアン化銀錯体20〜250g/L、遊離シアン塩50〜200g/L、セレン化合物およびイオウ化合物の少なくともいずれか一方を含有する銀めっき液に、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を、5mg/L〜10g/Lの濃度範囲で添加し、pHが10〜14である、光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- シアン化銀錯体20〜250g/L、電気伝導塩50〜250g/L、遊離シアン塩0.1〜30g/L、セレン化合物およびイオウ化合物の少なくともいずれか一方を含有する銀めっき液に、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を、5mg/L〜10g/Lの濃度範囲で添加し、pHが7.5〜14である、光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 前記シアン化銀錯体として、シアン化銀、シアン化銀カリウム、シアン化銀ナトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する請求項1または請求項2記載の光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 前記遊離シアン塩として、シアン化カリウム、シアン化ナトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する請求項1または請求項2記載の光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 前記セレン化合物として、シアン化セレンカリウム、シアン化セレン、亜セレン酸、酸化セレン酸カリウム、酸化セレンからなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する請求項1または請求項2記載の光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 前記イオウ化合物として、二硫化炭素、チオ尿素、チオ乳酸、チオウラシル、チオバルビツル酸、システイン、シスチン、チオ酢酸、メルカプトベンゾチアゾールからなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する請求項1または請求項2記載の光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 前記イオウ化合物として、二硫化炭素、チオ尿素、チオ乳酸、チオウラシル、チオバルビツル酸、メルカプトベンゾチアゾール、システイン、シスチン、チオ酢酸、メルカプトベンゾチアゾールからなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物と、脂肪族又は芳香族有機物と、の反応物を含有する請求項1または請求項2記載の光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 前記電気伝導塩として、りん酸塩、硝酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する請求項2記載の光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。
- 電気伝導性のあるリードフレームまたは基板を陽極とし、金属銀、ステンレス、白金族金属または白金族金属を被覆したチタンを陰極として、前記陽極および前記陰極を請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の電解銀めっき液に浸漬し、前記リードフレームまたは前記基板を電気めっきするめっき方法。
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