JP2013248659A - 照射装置及び照射方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 115
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 115
- 238000001615 p wave Methods 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置を提供する。
【解決手段】照射装置が、レーザ光を出射する出射部1と、出射部1から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部21と、偏光調整部21により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部22と、偏光分割部22により分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部3とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】照射装置が、レーザ光を出射する出射部1と、出射部1から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部21と、偏光調整部21により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部22と、偏光分割部22により分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部3とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、所定の光強度分布でレーザ光を照射する照射装置及び照射方法に関する。
半導体ウェハに形成された複数の半導体集積回路等の被試験体(DUT:Device Under Test)は、一般に、プローブ装置(プローバ)等を備える半導体試験装置により電気的に試験される。このような半導体試験装置は、テスタからの電気信号を、プローブ装置を介してDUTに供給することにより、DUTの良否を判定することができる。プローブ装置は、DUT毎に異なる配置のプローブを有するプローブ組立体(プローブカード)を用いて、DUTの各端子にプローブを接触させる。
プローブ組立体は、プローブ基板に設けられた複数の接合パッドに、それぞれプローブが接合されている。接合パッド及びプローブは、DUTの微細化に伴い、サイズがより微小になると、一列に配置されることが困難になり、多列の千鳥配置とされる。この場合、DUTの各端子は、通常一列に配置されているため、接合パッド及びプローブは、千鳥配置の列数に応じて複数種類の形状となる(特許文献1参照)。
接合パッド及びプローブは、一般に、レーザを熱源とした半田付けや溶接により接合される。プローブは、その形状毎に熱伝導特性が異なるため、複数種類の形状の接合パッド及びプローブを接合する場合、プローブの形状毎に異なる出力のレーザ光を照射する必要がある(特許文献2参照)。
また、プローブと接合パッドとの接合部は、プローブの形状により、1つの接合部内においても熱伝導特性が異なる。例えば、接合部から前方に延伸するプローブの場合、接合部は、前方側の熱移動量が大きくなるため、前方側の半田濡れ性が悪化する恐れがある。
しかしながら、従来のレーザ光照射装置は、照射領域の光強度分布を任意に調節するために、多大な製造コストが必要であり、また、光強度分布の調節方法が煩雑である。
本発明は、上記問題点を鑑み、簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置及び照射方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記問題点を鑑み、簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置及び照射方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、レーザ光を出射する出射部と、前記出射部から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部、前記偏光調整部により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部を備える分布制御部と、前記分布制御部において分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部を備える照射装置であることを要旨とする。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、前記偏光調整部は、前記出射部から出射されたレーザ光の偏光方向を回転させることにより、前記出射部から出射されたレーザ光のp波成分とs波成分との比率を調整する偏光回転素子を備えることができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、前記偏光回転素子は、1/2波長板からなることができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、前記偏光回転素子は、1/2波長板からなることができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、複数の前記分布制御部を備え、前記照射部は、前記複数の分布制御部においてそれぞれ分割されたレーザ光を、前記照射領域内の複数の小領域において、それぞれ、互いにずらして照射することができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、光強度分布の設定を入力する入力部と、前記入力部により入力された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部とを更に備えることができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、光強度分布の設定を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部とを更に備えることができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、前記照射部は、接合対象にレーザ光を照射することにより、接合対象を接合することができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、前記照射部は、接合対象にレーザ光を照射することにより、接合対象を接合することができる。
また、本発明の第1の態様に係る照射装置においては、前記接合対象の形状に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部を更に備えることができる。
本発明の第2の態様は、レーザ光を出射する出射ステップと、前記出射ステップにおいて出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整ステップと、前記偏光調整ステップにおいて偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割ステップと、前記偏光分割ステップにおいて分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射ステップを含む照射方法であることを要旨とする。
本発明によれば、簡単な構成で、レーザ光の光強度分布を容易に調節できる照射装置及び照射方法を提供することができる。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
(照射装置)
本発明の実施の形態に係る照射装置は、図1に示すように、レーザ光を出射する出射部1と、出射部1から出射されたレーザ光を複数に分割する分布制御部2と、分布制御部2により分割されたレーザ光を照射領域に照射する照射部3と、入力部41と、本発明の実施の形態に係る照射装置に必要な種々の演算を処理する処理部42と、記憶部43とを備える。
本発明の実施の形態に係る照射装置は、図1に示すように、レーザ光を出射する出射部1と、出射部1から出射されたレーザ光を複数に分割する分布制御部2と、分布制御部2により分割されたレーザ光を照射領域に照射する照射部3と、入力部41と、本発明の実施の形態に係る照射装置に必要な種々の演算を処理する処理部42と、記憶部43とを備える。
分布制御部2は、出射部1から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部21と、偏光調整部21により偏光状態を調整されたレーザ光を、互いに異なる2つの偏光方向の成分に分割する偏光分割部22と、反射ミラー23とを備える。
偏光調整部21は、例えば1/2波長板やファラデー素子(ファラデーローテータ)等からなる偏光回転素子と、偏光回転素子を駆動する駆動機構とを備える。偏光回転素子として1/2波長板を採用することにより、製造コストを低くすることができる。偏光調整部21は、出射部1から出射された直線偏光のレーザ光を入射し、処理部42の制御に応じて、入射したレーザ光の偏光方向を、光軸を回転軸として回転させて出射する。偏光調整部21は、レーザ光を、処理部42の制御に応じて、偏光方向を回転させて通過させることにより、レーザ光に含まれるp波成分とs波成分との比率を調整する。
偏光分割部22は、偏光ビームスプリッタ(PBS)等の偏光分割素子と、偏光分割素子を駆動する駆動機構とを備える。偏光分割素子は、例えば、偏光調整部21により偏光状態を調整されたレーザ光を、p波成分とs波成分とに分割するPBSからなる。偏光分割部22は、例えば、入射したレーザ光のp波成分を透過し、s波成分を入射光に対して直交する方向に反射させる。偏光分割部22は、偏光調整部21により偏光状態が調整されることにより、分割するレーザ光の比率を調整することができる。また、偏光分割部22は、処理部42の制御に応じて、偏光分割素子を入射するレーザ光の光軸を回転軸として回転することにより、分割するレーザ光の強度を調整することができる。
偏光分割部22により分割されたレーザ光のうち一方は、偏光調整部24に入射する。偏光調整部24に入射されたレーザ光は、偏光分割部25において分割される、偏光分割部25により分割されたレーザ光のうち一方は、照射部3に入射し、他方は、反射ミラー26において反射した後、照射部3に入射する。
偏光分割部22により分割されたレーザ光のうち他方は、反射ミラー23において反射した後、偏光調整部27に入射する。偏光調整部27に入射されたレーザ光は、偏光分割部28において分割される、偏光分割部28により分割されたレーザ光のうち一方は、照射部3に入射し、他方は、反射ミラー29において反射した後、照射部3に入射する。
偏光調整部24,27、偏光分割部25,28、反射ミラー26,27は、それぞれ、偏光調整部21、偏光分割部22、反射ミラー23と実質的に同様の構成であるので、重複する説明を省略する。偏光調整部21,24,27は、それぞれ、処理部42の制御に応じて、入射するレーザ光の偏光状態を調整して、偏光分割部22,25,28に出射する。分布制御部2は、偏光調整部21及び偏光分割部22を1組の分割部とする場合に、3組の分割部を備えるが、例示であり、他の組数の分割部を備えるようにしてもよい。
照射部3は、偏光分割部22,25,28により複数に分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、所定の光強度分布となるように、互いにずらして照射する。照射領域の光強度分布は、分布制御部2の偏光調整部21,24,27により制御される。
入力部41は、ユーザの操作に応じて、照射領域の光強度分布の設定を処理部42に入力する。処理部42は、照射領域の光強度分布の設定に応じて、分布制御部2の動作を制御する。記憶部43は、照射領域の光強度分布の設定を記憶する。
図2に示すように、出射部1は、レーザ光源及び光ファイバを備えるファイバユニット11と、ファイバユニットから出射されたレーザ光をコリメートして出射するコリメートレンズ12とを備える。出射部1は、処理部42の制御により駆動され、出射するレーザ光の強度を調節される。コリメートレンズ12によりコリメートされたレーザ光は、分布制御部2において複数に分割され、照射部3に入射される。照射部3は、分布制御部2により分割されたレーザ光を、照射領域に集光して照射する集光レンズ31を備える。
本発明の実施の形態に係る照射装置は、光強度分布の設定が入力部41から処理部42に入力され、処理部42が、入力された光強度分布の設定に応じて分布制御部2の動作を制御することにより、容易にレーザ光の光強度分布を調節することができる。処理部42は、予め記憶部43に記憶された時系列の光強度分布の設定を、順次読み出すことにより分布制御部2の動作を自動的に制御するようにしてもよい。
本発明の実施の形態に係る照射装置は、図3に示すように、それぞれ、複数の出射部1A,1B,1C、分布制御部2A,2B,2Cを備えるにしてもよい。以下、それぞれ、複数の出射部1A,1B,1C、分布制御部2A,2B,2Cを備える照射装置について説明する。出射部1A,1B,1C、分布制御部2A,2B,2Cの構成は、それぞれ、出射部1、分布制御部2と実質的に同様の構成であるので、重複する説明を省略する。
分布制御部2A,2B,2Cにおいてそれぞれ分割されたレーザ光は、照射部3の結合光学系32に入射される。結合光学系32は、分布制御部2A,2B,2Cによりそれぞれ分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、所定の光強度分布となるように形成する。集光レンズ31は、結合光学系32において形成されたレーザ光を照射領域に集光して照射する。
例えば、分布制御部2Aは、図4(a)に示すように、照射領域内の小領域RA(図7参照)の光強度分布を制御する。小領域は、例えば、照射領域が複数に分割された互いに隣接する領域である。偏光調整部21Aが、出射部1Aから出射されたレーザ光のp波成分とs波成分との比率を1:1に調整する場合、出射部1Aから出射されたレーザ光のエネルギーを100とすると、偏光分割部22Aに分割された2本のレーザ光のエネルギーは、それぞれ50となる。
偏光分割部22Aにより分割されたレーザ光のうちp波成分(白抜きの丸「○」でp波を示す)は、偏光調整部24Aに入射する。偏光分割部22Aにより分割されたレーザ光のうちs波成分(白抜きの菱形「◇」でs波を示す)は、反射ミラー23Aにおいて反射した後、偏光調整部27Aに入射する。
偏光調整部24Aがレーザ光のp波成分とs波成分との比率を1:0に調整する場合、偏光分割部25Aを透過するレーザ光のエネルギーは50、反射するレーザ光のエネルギーは0となる。偏光分割部25Aにより分割されたレーザ光のうちp波成分は、小領域RAの地点aに向けて照射される光として、照射部3に入射する。
偏光調整部27Aがレーザ光のp波成分とs波成分との比率を0:1に調整する場合、偏光分割部28Aを透過するレーザ光のエネルギーは0、反射するレーザ光のエネルギーは50となる。偏光分割部28Aにより分割されたレーザ光のうちs波成分は、小領域RAの地点dに向けて照射される光として、反射ミラー29Aにおいて反射した後、照射部3に入射する。
分布制御部2Aにより分割されたレーザ光は、照射部3の光学結合系32に入射され、小領域RA内の異なる地点a,b,c,dにそれぞれ向けて照射されるように形成される。小領域RAは、例えば帯状の領域であり、小領域RAの長手方向に、順に地点a,b,c,dが一列に位置する。小領域RAの長手方向における光強度分布は、例えば図4(b)に示すように、小領域RAの両端側の地点a,dの強度が高く、中央側の地点b,cの強度が低くなる。なお、破線はシミュレーションによる分布、実線は実際の分布を示している。
分布制御部2Bは、図5(a)に示すように、照射領域内の小領域RB(図7参照)の光強度分布を制御する。偏光調整部21Bがレーザ光のp波成分とs波成分との比率を1:0に調整する場合、出射部1Bから出射されたレーザ光のエネルギーを100とすると、偏光分割部22Bを透過するレーザ光のエネルギーは100、反射するレーザ光のエネルギーは0となる。偏光分割部22Bにより分割されたレーザ光のうちp波成分は、偏光調整部24Bに入射する。
偏光調整部24Bがレーザ光のp波成分とs波成分との比率を1:1に調整する場合、偏光分割部25Bに分割された2本のレーザ光のエネルギーは、それぞれ50となる。
偏光分割部25Bにより分割されたレーザ光のうちp波成分は、小領域RBの地点aに向けて照射される光として、照射部3に入射する。偏光分割部25Bにより分割されたレーザ光のうちs波成分は、小領域RBの地点bに向けて照射される光として、反射ミラー26Bにおいて反射した後、照射部3に入射する。
分布制御部2Bにより分割されたレーザ光は、照射部3の光学結合系32に入射され、小領域RB内の地点a,b,c,dにそれぞれ向けて照射されるように形成される。小領域RBは、小領域RAと隣接する帯状の領域であり、小領域RAと同様に地点a,b,c,dが位置する。小領域RBの長手方向における光強度分布は、図5(b)に示すように、小領域RBの一端側の地点a,bの強度が高く、他端側の地点c,dの強度が低くなる。
分布制御部2Cは、図6(a)に示すように、照射領域内の小領域RC(図7参照)の光強度分布を、分布制御部2Aと同様に制御する。
分布制御部2Cにより分割されたレーザ光は、照射部3の光学結合系32に入射され、小領域RC内の地点a,b,c,dにそれぞれ向けて照射されるように形成される。小領域RCは、小領域RBと隣接する帯状の領域であり、小領域RA,RBと同様に地点a,b,c,dが位置する。小領域RCの長手方向における光強度分布は、図6(b)に示すように、小領域RAの両端側の地点a,dの強度が高く、中央側の地点b,cの強度が低くなる。
図7に示すように、照射部3によりレーザ光を照射される照射領域Rは、物理的に連続する領域であり、複数の小領域RA,RB,RCからなる。結合光学系32は、分布制御部2A,2B,2Cによりそれぞれ分割されたレーザ光を、それぞれ小領域RA,RB,RCにおいて、所定の光強度分布となるように互いにずらして形成し、集光レンズ31により、照射領域Rに集光して照射する。
以上のように、分布制御部2A,2B,2Cは、それぞれ、偏光調整部21,24,27の駆動が制御されることにより、容易に、照射領域Rの小領域RA,RB,RCの光強度分布をそれぞれ任意に調節することができる。
上記の他、例えば、図8(a)に示すように、1つの分布制御部2の偏光調整部21,24,27は、それぞれ、レーザ光のp波成分とs波成分との比率が、3:2、1:1、1:1となるように制御される。この場合、出射部1から出射されるレーザ光のエネルギーを100とすると、帯状の照射領域内の地点a,b,c,dに向けて照射されるエネルギーは、図8(b)に示すように、それぞれ、30、30、20、20となる。
また、例えば、図9(a)に示すように、分布制御部2の偏光調整部21,24,27は、それぞれ、レーザ光のp波成分とs波成分との比率が、3:2、2:3、3:2となるように制御される。この場合、出射部1から出射されるレーザ光のエネルギーを100とすると、帯状の照射領域内の地点a,b,c,dに向けて照射されるエネルギーは、図8(b)に示すように、それぞれ、20、30、30、20となる。
本発明の実施の形態に係る照射装置によれば、偏光調整部21,24,27の駆動を制御して、偏光分割部22,25,28において分割されるレーザ光の比率を制御することにより、簡単な構成で、照射領域の光強度分布を容易に調節することができる。
(適用例)
本発明の実施の形態に係る照射装置は、例えば、半導体集積回路等の被試験体(DUT)の電気的な試験を行う半導体試験装置のプローブ装置(プローバ)に使用されるプローブ組立体(プローブカード)の製造に用いることができる。プローブ組立体は、例えば、図10に示すように、配線基板7と、配線基板の上面に形成されたそれぞれ複数の接合パッド61,62,63と、接合パッド61,62,63にそれぞれ接合された複数のプローブ51,52,53とを備える。
本発明の実施の形態に係る照射装置は、例えば、半導体集積回路等の被試験体(DUT)の電気的な試験を行う半導体試験装置のプローブ装置(プローバ)に使用されるプローブ組立体(プローブカード)の製造に用いることができる。プローブ組立体は、例えば、図10に示すように、配線基板7と、配線基板の上面に形成されたそれぞれ複数の接合パッド61,62,63と、接合パッド61,62,63にそれぞれ接合された複数のプローブ51,52,53とを備える。
本発明の実施の形態に係る照射装置は、接合パッド61,62,63及びプローブ51,52,53を接合対象として、接合パッド61,62,63に向けてレーザ光を照射し、レーザ光の熱エネルギによって接合対象を接合する。
プローブ51,52,53の各先端部Pは、図10(a)、図10(b)に示すように、DUTの各端子に対応して一列に配置される。接合パッド61,62,63及びプローブ51,52,53が、多列の千鳥配置とされることにより、プローブ51,52,53の各先端部Pは微小なピッチで配置されることができる。プローブ51,52,53は、図10(c)に示すように、それぞれ、互いに異なる形状を有する。
例えば、プローブ52を接合パッド62に接合する場合、本発明の実施の形態に係る照射装置は、図11に示すように、接合パッド62の上面にプローブ52を配置し、プローブ52の後方(図11において右方)から、接合パッド62の上面を照射領域Rとして、接合パッド62の上面に向けて、照射部3からレーザ光を照射する。照射部3から照射されるレーザ光の視射角は、レーザ光がプローブ52の先端部Pに照射されないように、例えば、35〜40°程度である。照射領域Rは、図12に示すように、接合パッド62のみが照射される小領域RA,RCと、プローブ52を含む領域が照射される小領域RBとからなる。
プローブ51,52,53は、それぞれ接合パッド61,62,63の上面に配置され、処理部42の制御により形成されたレーザ光を、照射部3から照射されて半田付けされることにより、プローブ51,52,53の接合部(下部)が、それぞれ接合パッド61,62,63に接合される。
プローブ51は、図13(a)に示すように、後方(図13において右方)に延伸しており、後方への熱移動量が他のプローブ52,53より大きい。この為、照射部3から照射されるレーザ光は、図13(b)に示すように、照射領域Rの小領域RBにおいて、前方の強度が低く、後方の強度が高く設定されている。また、照射部3から照射されるレーザ光は、プローブ51に干渉する。この為、照射部3から照射されるレーザ光は、図13(b)に示すように、プローブ51への干渉を考慮して、照射領域Rの小領域RA,RCにおいて、前方の強度が低く、後方の強度が高く設定されている。
プローブ52は、図14(a)に示すように、後方(図14において右方)への熱移動量が大きい。この為、照射部3から照射されるレーザ光は、図14(b)に示すように、照射領域Rの小領域RBにおいて、前方の強度が低く、後方の強度が高く設定されている。また、照射部3から照射されるレーザ光は、図14(b)に示すように、プローブ52への干渉を考慮して、照射領域Rの小領域RA,RCにおいて、前方の強度が高く、後方の強度が低く設定されている。
プローブ53は、図15(a)に示すように、前方(図15において左方)に延伸しており、前方への熱移動量が他のプローブ51,52より大きい。また、接合パッド62の前方は、照射部3から離れた距離に位置している。この為、照射部3から照射されるレーザ光は、図15(b)に示すように、照射領域Rの小領域RA,RB,RCにおいて、前方の強度が高く、後方の強度が低く設定されている。
以上のように、本発明の実施の形態に係る照射装置によれば、プローブ51,52,53の形状に応じて、照射するレーザ光の光強度分布を調節することにより、適切な半田濡れ性を確保でき、接合パッド61,62,63に安定した品質で接合することができる。処理部42は、プローブ51,52,53の形状の他、プローブ51,52,53及び接合パッド61,62,63の材質、組み合わせ等に応じて、照射するレーザ光の出力、光強度分布を調節することができる。
また、本発明の実施の形態に係る照射装置によれば、プローブ51,52,53への干渉を考慮して、照射するレーザ光の光強度分布を調節することにより、プローブ51,52,53の負担を低減することができる。
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明を上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明を上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、複数のプローブ51が、図16(a)に示すように、方向Dの順に、照射部3からレーザ光を照射されることにより、それぞれ接合パッド61に接合される場合、処理部42は、方向Dに応じて、光強度分布を制御するようにしてもよい。分布制御部2は、例えば、図16(b)に示すように、既に接合済みのプローブ51側の小領域RAの強度が、未だ接合されないプローブ51側の小領域RCの強度より低くなるように、照射領域Rの光強度分布を調節することができる。
また、既に述べた実施の形態においては、照射装置は、記憶部43が、プローブ51,52,53の形状に応じた光強度分布の設定を記憶し、処理部42が、記憶部43に記憶された光強度分布の設定を順次読み出すことにより、プローブ51,52,53の形状に応じた光強度分布となるように、レーザ光を照射するようにしてもよい。
その他、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1 出射部
2 分布制御部
3 照射部
7 配線基板
11 ファイバユニット
12 コリメートレンズ
21,24,27 偏光調整部
22,25,28 偏光分割部
23,26,27 反射ミラー
31 集光レンズ
32 光学結合系
32 結合光学系
41 入力部
42 処理部
43 記憶部
51,52,53 プローブ
61,62,63 接合パッド
2 分布制御部
3 照射部
7 配線基板
11 ファイバユニット
12 コリメートレンズ
21,24,27 偏光調整部
22,25,28 偏光分割部
23,26,27 反射ミラー
31 集光レンズ
32 光学結合系
32 結合光学系
41 入力部
42 処理部
43 記憶部
51,52,53 プローブ
61,62,63 接合パッド
Claims (9)
- レーザ光を出射する出射部と、
前記出射部から出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整部、前記偏光調整部により偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割部を備える分布制御部と、
前記分布制御部において分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射部と
を備えることを特徴とする照射装置。 - 前記偏光調整部は、前記出射部から出射されたレーザ光の偏光方向を回転させることにより、前記出射部から出射されたレーザ光のp波成分とs波成分との比率を調整する偏光回転素子を備えることを特徴とする請求項1に記載の照射装置。
- 前記偏光回転素子は、1/2波長板からなることを特徴とする請求項2に記載の照射装置。
- 複数の前記分布制御部を備え、
前記照射部は、前記複数の分布制御部においてそれぞれ分割されたレーザ光を、前記照射領域内の複数の小領域において、それぞれ、互いにずらして照射することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の照射装置。 - 光強度分布の設定を入力する入力部と、
前記入力部により入力された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部と
を更に備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の照射装置。 - 光強度分布の設定を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された光強度分布の設定に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部と
を更に備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の照射装置。 - 前記照射部は、接合対象にレーザ光を照射することにより、接合対象を接合する請求項1〜6のいずれか1項に記載の照射装置。
- 前記接合対象の形状に応じて、前記照射部が照射するレーザ光が、前記照射領域において、所定の光強度分布となるように前記分布制御部を制御する処理部を更に備えることを特徴とする請求項7に記載の照射装置。
- レーザ光を出射する出射ステップと、
前記出射ステップにおいて出射されたレーザ光の偏光状態を調整する偏光調整ステップと、
前記偏光調整ステップにおいて偏光方向を調整されたレーザ光を、偏光方向の成分に応じて複数に分割する偏光分割ステップと、
前記偏光分割ステップにおいて分割されたレーザ光を、物理的に連続する照射領域において、互いにずらして照射する照射ステップと
を含むことを特徴とする照射方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012126751A JP2013248659A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 照射装置及び照射方法 |
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JP2012126751A JP2013248659A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 照射装置及び照射方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013248659A true JP2013248659A (ja) | 2013-12-12 |
Family
ID=49847862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012126751A Pending JP2013248659A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 照射装置及び照射方法 |
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JP (1) | JP2013248659A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021245861A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 株式会社ニコン | 加工装置 |
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WO2002009904A1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Laser beam machining method |
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-
2012
- 2012-06-04 JP JP2012126751A patent/JP2013248659A/ja active Pending
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