JP2013247293A5 - - Google Patents
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Description
本半導体パッケージは、配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された接着層と、前記接着層を介して前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、前記放熱板は、前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第1金属箔と、前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第2金属箔と、前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられ、前記空洞部の底部には前記接着層が露出していることを要件とする。
Claims (11)
- 配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された接着層と、
前記接着層を介して前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、
前記放熱板は、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第1金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第2金属箔と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられ、
前記空洞部の底部には前記接着層が露出している半導体パッケージ。 - 配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された接着層と、
前記接着層を介して前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、
前記放熱板は、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第1金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第2金属箔と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填するように形成されている半導体パッケージ。 - 前記金属層の内側部分には絶縁層が充填されている請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記第1金属箔及び前記第2金属箔は、前記絶縁層に被覆されている請求項3記載の半導体パッケージ。
- 前記配線基板の表面、前記半導体チップ及び前記放熱板の各々の側面は、樹脂層により封止され、
前記第1金属箔は、前記樹脂層から露出している請求項1乃至4の何れか一項記載の半導体パッケージ。 - 配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、
前記放熱板は、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面に形成された第1金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面に形成された第2金属箔と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記配線基板の表面、前記半導体チップ及び前記放熱板の各々の側面は、前記絶縁部材とは別に形成された樹脂層により封止され、
前記第2金属箔は、接着層を介さずに、前記半導体チップ上に直接形成され、
前記第1金属箔は、前記樹脂層から露出している半導体パッケージ。 - 前記第1金属箔の前記絶縁部材と接する面の反対面は第1絶縁層により被覆され、
前記第2金属箔の前記絶縁部材と接する面の反対面は第2絶縁層により被覆され、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層は前記金属層上には形成されず、前記金属層は前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層から露出している請求項1乃至6の何れか一項記載の半導体パッケージ。 - 配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第1金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第2金属箔と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられている放熱板。 - 配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第1金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第2金属箔と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填するように形成されている放熱板。 - 配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板の製造方法であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とし、一方の面に第1金属箔が形成され他方の面に第2金属箔が形成された絶縁部材を準備する工程と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層を形成する工程と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられる放熱板の製造方法。 - 配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板の製造方法であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とし、一方の面に第1金属箔が形成され他方の面に第2金属箔が形成された絶縁部材を準備する工程と、
前記第1金属箔、前記絶縁部材、及び前記第2金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に露出する前記第1金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第2金属箔の内側面を被覆して前記第1金属箔と前記第2金属箔とを熱的に接続する金属層を形成する工程と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填するように形成される放熱板の製造方法。
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JPH0897336A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP3269397B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2002-03-25 | 株式会社デンソー | プリント配線基板 |
US6489668B1 (en) * | 1997-03-24 | 2002-12-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2000223627A (ja) | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Nec Corp | フリップチップパッケージ |
JP2001210761A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001274196A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004172489A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Nec Semiconductors Kyushu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20050001930A (ko) * | 2003-06-28 | 2005-01-07 | 삼성전기주식회사 | 고밀도 칩 스케일 패키지 및 그 제조 방법 |
TWI246760B (en) * | 2004-12-22 | 2006-01-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat dissipating semiconductor package and fabrication method thereof |
KR20080014004A (ko) * | 2005-06-06 | 2008-02-13 | 로무 가부시키가이샤 | 인터포저 및 반도체 장치 |
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US20100044845A1 (en) * | 2006-04-27 | 2010-02-25 | Nec Corporation | Circuit substrate, an electronic device arrangement and a manufacturing process for the circuit substrate |
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JP2010103244A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5295932B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2013-09-18 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ及びその評価方法、並びにその製造方法 |
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KR101131288B1 (ko) * | 2010-12-06 | 2012-03-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2012186393A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Fujitsu Ltd | 電子装置、携帯型電子端末機、及び電子装置の製造方法 |
JP5838065B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-12-24 | 新光電気工業株式会社 | 熱伝導部材及び熱伝導部材を用いた接合構造 |
JP5940799B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2016-06-29 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法 |
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