JP2013239178A - 消費電力を制御する方法と装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】携帯用装置とドッキングステーションとの接続如何によって互いに異なる消費電力制御アルゴリズムを使うことのできる方法と装置とを提供する。
【解決手段】携帯用装置の消費電力を制御する方法は、ドッキングステーションとの接続如何を監視する段階と、前記監視の結果によって、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に適用する段階と、を含む。前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)である。前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、互いに異なる。前記方法は、前記携帯用装置と前記ドッキングステーションとが互いに接続された場合、前記携帯用装置の内部に具現された処理装置の特性情報を解析する段階をさらに含み、前記何れか1つは、前記監視の結果と前記解析の結果とに基づいて選択される。
【選択図】図1
【解決手段】携帯用装置の消費電力を制御する方法は、ドッキングステーションとの接続如何を監視する段階と、前記監視の結果によって、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に適用する段階と、を含む。前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)である。前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、互いに異なる。前記方法は、前記携帯用装置と前記ドッキングステーションとが互いに接続された場合、前記携帯用装置の内部に具現された処理装置の特性情報を解析する段階をさらに含み、前記何れか1つは、前記監視の結果と前記解析の結果とに基づいて選択される。
【選択図】図1
Description
本発明は、消費電力を制御する技術に係り、特に、携帯用装置とドッキングステーションとの接続如何によって互いに異なる消費電力制御アルゴリズムを使うことのできる方法とその装置とに関する。
スマートフォンまたはタブレットPCのような携帯用装置は、充電可能なバッテリから供給される電圧を用いて動作する。この携帯用装置の使用時間を延ばすための方法として、バッテリの性能を改善する方法と携帯用装置の消費電力を制御する方法とがある。
一般的に、動的電圧スケーリング(Dynamic Voltage Scaling)は、コンピュータの構成要素(component)、例えば、マイクロプロセッサで使われる電圧を周りの環境によって増加または減少させて、コンピュータでの消費電力を制御する技術である。
一般的に、動的電圧スケーリング(Dynamic Voltage Scaling)は、コンピュータの構成要素(component)、例えば、マイクロプロセッサで使われる電圧を周りの環境によって増加または減少させて、コンピュータでの消費電力を制御する技術である。
一般的に、動的周波数スケーリング(Dynamic Frequency Scaling)は、コンピュータの構成要素で発生した熱を減少させるか、または消費電力を減少させるために、構成要素に供給されるクロック信号の周波数をリアルタイムで調節する技術である。動的電圧及び周波数スケーリング(Dynamic Voltage and Frequency Scaling)は、携帯用装置で消費電力を減らすために共に使われる。携帯用装置では、消費電力制御と熱制御とが重要である。
本発明が解決しようとする技術的な課題は、携帯用装置とドッキングステーションとの接続如何によって互いに異なる消費電力制御アルゴリズムを使うことのできる方法とその装置とを提供することにある。
携帯用装置の消費電力を制御する方法は、ドッキングステーションとの接続如何を監視(monitor)する段階と、前記監視の結果によって、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に適用する段階と、を含む。
前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)である。前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、互いに異なる。
前記方法は、前記携帯用装置と前記ドッキングステーションとが互いに接続された場合、前記携帯用装置の内部に具現された処理装置の特性情報を解析する段階をさらに含み、前記何れか1つは、前記監視の結果と前記解析の結果とに基づいて選択される。
前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)である。前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、互いに異なる。
前記方法は、前記携帯用装置と前記ドッキングステーションとが互いに接続された場合、前記携帯用装置の内部に具現された処理装置の特性情報を解析する段階をさらに含み、前記何れか1つは、前記監視の結果と前記解析の結果とに基づいて選択される。
本発明の実施形態によるシステムは、ドッキングステーションとの接続如何を監視し、監視信号を出力する通信ポートと、前記監視信号に応答して、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させる処理装置と、を含む。
前記システムは、前記処理装置についての特性情報を保存するストレージ(storage)をさらに含み、前記処理装置は、前記監視信号と前記特性情報とに基づいて、前記何れか1つを実行させる。
前記システムは、前記何れか1つの制御によって、前記処理装置に供給されるクロック信号の周波数と電圧とのうちの少なくとも1つを調節する調節回路をさらに含む。
前記システムは、前記処理装置の周辺温度を周期的に感知し、温度情報を出力する温度管理ユニットと、制御信号に応答して、前記処理装置に供給されるクロック信号の周波数と電圧とのうちの少なくとも1つを調節する調節回路と、をさらに含み、前記何れか1つは、前記温度情報に基づいて、前記制御信号を出力する。
前記システムは、前記処理装置についての特性情報を保存するストレージ(storage)をさらに含み、前記処理装置は、前記監視信号と前記特性情報とに基づいて、前記何れか1つを実行させる。
前記システムは、前記何れか1つの制御によって、前記処理装置に供給されるクロック信号の周波数と電圧とのうちの少なくとも1つを調節する調節回路をさらに含む。
前記システムは、前記処理装置の周辺温度を周期的に感知し、温度情報を出力する温度管理ユニットと、制御信号に応答して、前記処理装置に供給されるクロック信号の周波数と電圧とのうちの少なくとも1つを調節する調節回路と、をさらに含み、前記何れか1つは、前記温度情報に基づいて、前記制御信号を出力する。
前記電力消費制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、前記携帯用装置で実行されるアプリケーションごとに互いに異なる。
本発明の実施形態によるシステムは、第1通信ポートを含む携帯用装置と、前記第1通信ポートとハンドシェーキングする第2通信ポートとを含む携帯用装置を含み、前記携帯用装置は、前記第2通信ポートから出力された監視信号に応答して、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させる処理装置と、を含む。
本発明の実施形態によるシステムは、第1通信ポートを含む携帯用装置と、前記第1通信ポートとハンドシェーキングする第2通信ポートとを含む携帯用装置を含み、前記携帯用装置は、前記第2通信ポートから出力された監視信号に応答して、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させる処理装置と、を含む。
本発明の実施形態による携帯用装置の電力消費を制御する方法は、携帯用装置とドッキングステーションとの接続如何によって互いに異なる消費電力制御アルゴリズムを使うことができる。
したがって、携帯用装置とドッキングステーションとの接続如何によって、前記携帯用装置で発生する熱を互いに異なるアルゴリズムを用いて適応的に制御することができるので、前記携帯用装置の性能を向上させることができる。また、前記方法は、携帯用装置の表面温度を適切に調節することができるので、前記携帯用装置を長期間使うユーザの皮膚に損傷を与える低温火傷を防止または予防することができる。
したがって、携帯用装置とドッキングステーションとの接続如何によって、前記携帯用装置で発生する熱を互いに異なるアルゴリズムを用いて適応的に制御することができるので、前記携帯用装置の性能を向上させることができる。また、前記方法は、携帯用装置の表面温度を適切に調節することができるので、前記携帯用装置を長期間使うユーザの皮膚に損傷を与える低温火傷を防止または予防することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明を詳しく説明する。
図1は、本発明の実施形態による携帯用装置とドッキングステーションとを含むシステムを概略的に示す。図1を参照すると、システム100は、携帯用装置200とドッキングステーション300とを含む。携帯用装置200は、コンピューティング装置(computing device)の一例である。
携帯用装置200は、ユーザの手の平やヒザなどに乗せて使うことができるモバイルアプリケーションセット(mobile application set)として具現可能である。
図1は、本発明の実施形態による携帯用装置とドッキングステーションとを含むシステムを概略的に示す。図1を参照すると、システム100は、携帯用装置200とドッキングステーション300とを含む。携帯用装置200は、コンピューティング装置(computing device)の一例である。
携帯用装置200は、ユーザの手の平やヒザなどに乗せて使うことができるモバイルアプリケーションセット(mobile application set)として具現可能である。
また、携帯用装置200は、ラップトップコンピュータ(laptop computer)、携帯電話、スマートフォン(smart phone)、タブレットPC(Tablet Personal Computer)、PDA(Personal Digital Assistant)、EDA(Enterprise Digital Assistant)、デジタルスチルカメラ(Digital Still Camera)、デジタルビデオカメラ(Digital Video Camera)、PMP(Portable Multimedia Player)、PND(Personal Navigation DeviceまたはPortable Navigation Device)、携帯用ゲームコンソール(handheld game console)、ゲームコントローラ(game controller)、または電子ブック(e−book)として具現可能である。
携帯用装置200とドッキングステーション300とが、互いに有線または無線を通じて互いに接続されれば、ドッキングステーション300は、携帯用装置200に電圧(または、電力)を有線または無線で供給する。例えば、携帯用装置200のバッテリ231は、ドッキングステーション300から有線または無線で供給された電圧によって充電されうる。したがって、ドッキングステーション300は、携帯用装置200のバッテリ231を接触式充電方式または非接触式(contactless)充電方式で充電するためのバッテリ充電器(Battery Charger)の機能を行うことができる。
携帯用装置200は、第1有線/無線通信ポート210、処理装置220、レジスタ230、バッテリ231、少なくとも1つの温度管理ユニット(TemperatureManagement Unit、TMU)240、グラフィックプロセッシングユニット(Graphic Processing Unit、GPU)250、メモリ260、及び調節回路270を含む。
第1有線/無線通信ポート210は、ドッキングステーション300の第2有線/無線通信ポート310と通信し、該通信の結果によって、携帯用装置200とドッキングステーション300との接続如何を判断することができる。
処理装置220の制御によって、または独立して第1有線/無線通信ポート210は、第2有線/無線通信ポート310に要求信号REQを伝送し、第2有線/無線通信ポート310は、要求信号REQに応答して、応答信号ACKを第1有線/無線通信ポート210に伝送しうる。すなわち、第1有線/無線通信ポート210は、第2有線/無線通信ポート310とハンドシェーキング(handshaking)とを通じて携帯用装置200とドッキングステーション300との接続如何を監視することができる。
処理装置220の制御によって、または独立して第1有線/無線通信ポート210は、第2有線/無線通信ポート310に要求信号REQを伝送し、第2有線/無線通信ポート310は、要求信号REQに応答して、応答信号ACKを第1有線/無線通信ポート210に伝送しうる。すなわち、第1有線/無線通信ポート210は、第2有線/無線通信ポート310とハンドシェーキング(handshaking)とを通じて携帯用装置200とドッキングステーション300との接続如何を監視することができる。
実施形態によって、第1有線/無線通信ポート210と第2有線/無線通信ポート310との間の通信チャネルは、有線通信チャネル、例えば、USB(Universal Serial Bus)またはHDMI(登録商標)(High−Definition Multimedia Interface)として具現可能である。すなわち、第1有線/無線通信ポート210と第2有線/無線通信ポート310とは、有線通信プロトコル(protocol)、例えば、USB通信プロトコルまたはHDMI通信プロトコルを通じて互いに通信することができる。
他の実施形態によって、第1有線/無線通信ポート210と第2有線/無線通信ポート310との間の通信チャネルは、無線通信チャネル、例えば、無線USB(Wireless USB)、CWUSB(Certified Wireless USB)、またはUWB(Ultra−WideBand)として具現可能である。
すなわち、第1有線/無線通信ポート210と第2有線/無線通信ポート310は、無線通信プロトコル、例えば、無線USB通信プロトコル、CWUSB通信プロトコル、またはUWBプロトコルなどを用いて互いに通信することができる。
すなわち、第1有線/無線通信ポート210と第2有線/無線通信ポート310は、無線通信プロトコル、例えば、無線USB通信プロトコル、CWUSB通信プロトコル、またはUWBプロトコルなどを用いて互いに通信することができる。
また、第2有線/無線通信ポート310は、無線エネルギ伝送技術(wireless power or energy transmission technology)を通じてエネルギを第1有線/無線通信ポート210に伝送しうる。無線エネルギ伝送技術は、電磁気誘導、非放射型無線エネルギ伝送(non−radiative wireless energy transfer)などを含みうる。また、第1有線/無線通信ポート210は、レクテナ(rectenna)を含み、第2有線/無線通信ポート310は、マイクロ波を伝送しうる機能を含みうる。
処理装置220は、監視の結果によって、すなわち、第1有線/無線通信ポート210から出力された監視信号DETによって、消費電力制御アルゴリズム(または、消費電力制御プログラム)のうちの何れか1つを適用(または、実行)することができる。
処理装置220は、携帯用装置200の動作を全般的に制御することができるCPU(Central Processing Unit)またはプロセッサを含みうる。例えば、携帯用装置200とドッキングステーション300とが有線または無線を通じて互いに接続される時、第1有線/無線通信ポート210は、第1状態、例えば、ハイレベルを有する監視信号DETを出力し、それ以外の場合、第1有線/無線通信ポート210は、第2状態、例えば、ローレベルを有する監視信号DETを出力すると仮定する。
処理装置220は、携帯用装置200の動作を全般的に制御することができるCPU(Central Processing Unit)またはプロセッサを含みうる。例えば、携帯用装置200とドッキングステーション300とが有線または無線を通じて互いに接続される時、第1有線/無線通信ポート210は、第1状態、例えば、ハイレベルを有する監視信号DETを出力し、それ以外の場合、第1有線/無線通信ポート210は、第2状態、例えば、ローレベルを有する監視信号DETを出力すると仮定する。
第1状態を有する監視信号DETによって、処理装置220によって実行される消費電力制御アルゴリズムと、第2状態を有する監視信号DETによって、処理装置220によって実行される消費電力制御アルゴリズムは、互いに異なる。
消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)プログラム(簡単に、“DVFS”と称する)であり得る。すなわち、TMU240から出力された温度情報TIに基づいて、DVFSは、携帯用装置200の消費電力を制御するために、処理装置220に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)プログラム(簡単に、“DVFS”と称する)であり得る。すなわち、TMU240から出力された温度情報TIに基づいて、DVFSは、携帯用装置200の消費電力を制御するために、処理装置220に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
レジスタ230は、ストレージの一例であって、処理装置220に含まれた少なくとも1つのプロセッサチップと少なくとも1つのメモリチップとの接続関係(または、配置関係)を指示する特性情報を保存する。例えば、図5または図6に示したように、前記特性情報は、プロセッサチップ221とメモリチップ223とが垂直方向、例えば、Y軸に沿って接続されることを指示する情報であり得る。
少なくとも1つのプロセッサチップ221と少なくとも1つのメモリチップ223とが垂直方向に接続された例は、図5に示したように、処理装置220が、PoP(Package on Package)として具現された例、または図6に示したように、処理装置220が、SiP(System in Package)として具現された例を含む。
図5に示したように、プロセッサチップ221を含むプロセッサパッケージ222とメモリチップ223を含むメモリパッケージ224とは、互いに積層(stack)されうる。メモリチップ223は、揮発性メモリまたは不揮発性メモリを含みうる。
揮発性メモリは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、T−RAM(Thyristor RAM)、Z−RAM(Zero Capacitor RAM)、またはTTRAM(Twin Transistor RAM)として具現可能である。
揮発性メモリは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、T−RAM(Thyristor RAM)、Z−RAM(Zero Capacitor RAM)、またはTTRAM(Twin Transistor RAM)として具現可能である。
また、不揮発性メモリは、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read−Only Memory)、フラッシュ(flash)メモリ、MRAM(Magnetic RAM)、スピン伝達トルクMRAM(Spin−Transfer Torque MRAM、STT−MRAM)、Conductive Bridging RAM(CBRAM)、FeRAM(Ferroelectric RAM)、PRAM(Phase Change RAM)、抵抗メモリ(Resistive RAM:RRAM(登録商標))、ナノチューブRRAM(Nanotube RRAM)、ポリマーRAM(Polymer RAM:PoRAM)、ナノ浮遊ゲートメモリ(Nano Floating Gate Memory:NFGM)、ホログラフィックメモリ(holographic memory)、分子電子メモリ素子(Molecular Electronics Memory Device)、または絶縁抵抗変化メモリ(Insulator Resistance Change Memory)として具現可能である。
図7に示したように、特性情報は、印刷回路基板(Printed Circuit Board)225にマウントされた少なくとも1つのプロセッサチップ221と少なくとも1つのメモリチップ223とが、水平方向、例えば、X軸に沿って接続されることを指示する情報であり得る。
少なくとも1つのプロセッサチップ221と少なくとも1つのメモリチップ223とを含む処理装置220は、多様なパッケージでパッケージングされうる。
少なくとも1つのプロセッサチップ221と少なくとも1つのメモリチップ223とを含む処理装置220は、多様なパッケージでパッケージングされうる。
少なくとも1つのTMU240は、処理装置220の周辺温度及び/またはGPU250の周辺温度を感知(sense)し、該感知の結果によって、温度情報TIを処理装置220に出力する。処理装置220は、温度情報TIに基づいて制御信号CTR1、CTR2を調節回路270に出力する。
GPU250は、携帯用装置200で必要なグラフィックデータを処理することができる。メモリ260は、携帯用装置200で必要なデータ、携帯用装置200によって実行可能な少なくとも1つのアプリケーション、及び/または消費電力制御アルゴリズムに対応するプログラムを保存することができる。メモリ260は、揮発性メモリまたは不揮発性メモリを含む。
GPU250は、携帯用装置200で必要なグラフィックデータを処理することができる。メモリ260は、携帯用装置200で必要なデータ、携帯用装置200によって実行可能な少なくとも1つのアプリケーション、及び/または消費電力制御アルゴリズムに対応するプログラムを保存することができる。メモリ260は、揮発性メモリまたは不揮発性メモリを含む。
調節回路270は、処理装置220から出力された制御信号CTR1、CTR2に基づいて、処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
調節回路270は、クロック管理ユニット(Clock Management Unit:CMU)271、クロックソース273、電力管理ユニット(Power Management Unit:PMU)275、及び電圧ソース277を含みうる。
調節回路270は、クロック管理ユニット(Clock Management Unit:CMU)271、クロックソース273、電力管理ユニット(Power Management Unit:PMU)275、及び電圧ソース277を含みうる。
CMU271は、処理装置220から出力された第1制御信号CTR1に応答して、クロックソース273から出力されるクロック信号CLKの周波数を調節することができる。例えば、クロックソース273は、位相同期ループ(Phase Locked Loop)として具現可能である。
PMU275は、処理装置220から出力された第2制御信号CTR2に応答して、電圧ソース277から出力される電圧Vddを調節することができる。例えば、電圧ソース277は、電圧レギュレータ(Voltage Regulator)として具現可能である。他の実施形態によって、電圧ソース277は、PMU275の制御によって電圧Vddを生成することができる別途の集積回路として具現されることもある。
実施形態によって、構成271、273、275、及び277のうちの少なくとも1つは、処理装置220の一部として具現可能である。
PMU275は、処理装置220から出力された第2制御信号CTR2に応答して、電圧ソース277から出力される電圧Vddを調節することができる。例えば、電圧ソース277は、電圧レギュレータ(Voltage Regulator)として具現可能である。他の実施形態によって、電圧ソース277は、PMU275の制御によって電圧Vddを生成することができる別途の集積回路として具現されることもある。
実施形態によって、構成271、273、275、及び277のうちの少なくとも1つは、処理装置220の一部として具現可能である。
図2は、それぞれが互いに異なる最高温度と最低温度とを有する動的電圧及び周波数スケーリングテーブルを示す。図1と図2とを参照すると、第1DVFSは、処理装置220及び/またはGPU250が第1最高温度T11と第1最低温度T21との間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを調節することができる。
例えば、処理装置220で実行される第1DVFS(DVFS1)は、TMU240から周期的にリアルタイムで(on the fly)出力される温度情報TIに基づいて、制御信号CTR1、CTR2を調節回路270に出力することができる。
例えば、温度情報TIに対応する温度が、第1最高温度T11よりも高くなる時、処理装置220で実行される第1DVFS(DVFS1)は、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを低下させるための制御信号CTR1、CTR2を調節回路270に出力することができる。
例えば、温度情報TIに対応する温度が、第1最高温度T11よりも高くなる時、処理装置220で実行される第1DVFS(DVFS1)は、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを低下させるための制御信号CTR1、CTR2を調節回路270に出力することができる。
処理装置220及び/またはCPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddが低下するにつれて、携帯用装置200の内部温度は減少する。
温度情報TIに対応する温度が、第1最低温度T21よりも低下する時、処理装置220で実行される第1DVFS(DVFS1)は、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを上昇させるための制御信号CTR1、CTR2を調節回路270に出力することができる。
温度情報TIに対応する温度が、第1最低温度T21よりも低下する時、処理装置220で実行される第1DVFS(DVFS1)は、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを上昇させるための制御信号CTR1、CTR2を調節回路270に出力することができる。
処理装置220及び/またはCPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddが上昇するにつれて、携帯用装置200の内部温度は増加する。すなわち、温度情報TIに基づいて第1DVFS(DVFS1)は、処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを調節することができるので、第1DVFS(DVFS1)は、携帯用装置200の消費電力を制御することができる。
各DVFS(DVFS2〜DVFSn)は、処理装置220及び/またはCPU250が各最高温度T12、T13、・・・、T1nと各最低温度T22、T23、・・・、T2nとの間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを調節することができる。この際、各最高温度T11〜T1nは、互いに異なり、各最低温度T21〜T2nは、互いに異ならせて設定しうる。
前述したように、消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる最高温度と互いに異なる最低温度との間で処理装置220及び/またはGPU250が動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを調節することができる。
前述したように、消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる最高温度と互いに異なる最低温度との間で処理装置220及び/またはGPU250が動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを調節することができる。
図3は、動作モードによる表面温度と内部温度との関係を示す。図1から図3を参照すると、携帯用装置200は、ゲームアプリケーションを実行するゲームモード、イメージをキャプチャリングアプリケーションを実行するイメージキャプチャリングモード、ウェブブラウジングアプリケーションを実行するウェブブラウジングモード、またはビデオプレイングアプリケーションを実行するビデオプレイモードなどを含みうる。すなわち、動作モードは、処理装置220で実行されるアプリケーションによって決定されうる。
動作モード別に、携帯用装置200の内部温度ITによって、携帯用装置200の表面温度Tsは変わる。例えば、ゲームモードで処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数が、F11であり、電圧Vddが、V11である時、携帯用装置200の内部温度ITは、Ta11であり、携帯用装置200の表面温度Tsは、45℃である。
この際、内部温度ITは、処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数F11と電圧V11とによって決定されうる。
この際、内部温度ITは、処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数F11と電圧V11とによって決定されうる。
また、ゲームモードで処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数が、F12(F12<F11)であり、電圧Vddが、V12(V12<V11)である時、携帯用装置200の内部温度ITは、Ta12(Ta12<Ta11)であり、携帯用装置200の表面温度Tsは、42℃である。この際、内部温度ITは、処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数F12と電圧V12とによって決定されうる。
ゲームモードで処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数が、F13(F13<F12)であり、電圧Vddが、V13(V13<V12)である時、携帯用装置200の内部温度ITは、Ta13(Ta13<Ta12)であり、携帯用装置200の表面温度Tsは、40℃である。この際、内部温度ITは、処理装置220及び/またはGPU250に供給されるクロック信号CLKの周波数F13と電圧V13とによって決定されうる。
イメージキャプチャリングモード、ウェブブラウジングモード、またはビデオプレイモードでの各表面温度、各内部温度、各周波数、及び各電圧の関係は、ゲームモードでの各表面温度、各内部温度、各周波数、及び各電圧の関係と類似している。
各表面温度Tsと相関関係のある各内部温度ITは、各消費電力制御アルゴリズム、例えば、DVFSの最高温度として設定しうる。最高温度に対応する最低温度は、各消費電力制御アルゴリズム、例えば、DVFSによって適切に設定しうる。
実施形態によって、コンピューティング装置、例えば、携帯用装置200は、指示信号DET及び/またはレジスタ230に保存された特性情報に基づいて、処理装置220に内蔵された消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させることができる。
各表面温度Tsと相関関係のある各内部温度ITは、各消費電力制御アルゴリズム、例えば、DVFSの最高温度として設定しうる。最高温度に対応する最低温度は、各消費電力制御アルゴリズム、例えば、DVFSによって適切に設定しうる。
実施形態によって、コンピューティング装置、例えば、携帯用装置200は、指示信号DET及び/またはレジスタ230に保存された特性情報に基づいて、処理装置220に内蔵された消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させることができる。
他の実施形態によって、コンピューティング装置、例えば、携帯用装置200は、指示信号DET及び/またはレジスタ230に保存された特性情報に基づいて、メモリ260から処理装置220にロードされた(loaded)消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させることができる。
さらに他の実施形態によって、コンピューティング装置、例えば、携帯用装置200は、指示信号DET及び/またはレジスタ230に保存された特性情報に基づいて、メモリ260に保存された消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを処理装置220にリアルタイムでロードし、処理装置220にロードされた消費電力制御アルゴリズムを実行させることができる。
さらに他の実施形態によって、コンピューティング装置、例えば、携帯用装置200は、指示信号DET及び/またはレジスタ230に保存された特性情報に基づいて、メモリ260に保存された消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを処理装置220にリアルタイムでロードし、処理装置220にロードされた消費電力制御アルゴリズムを実行させることができる。
図4は、本発明の実施形態による携帯用装置の消費電力を制御する方法を示すフローチャートである。図1から図4を参照すると、第1有線/無線通信ポート210は、第2有線/無線通信ポート310とハンドシェーキングとを通じて携帯用装置200とドッキングステーション300との接続如何を監視する(ステップS110)。
監視の結果、携帯用装置200とドッキングステーション300とが互いに接続された場合、処理装置220は、第1状態を有する監視信号DETに応答して、消費電力制御アルゴリズム(または、プログラム)のうちから第1消費電力制御アルゴリズム、例えば、第1DVFS(DVFS1)を適用(または、実行)することができる。
監視の結果、携帯用装置200とドッキングステーション300とが互いに接続された場合、処理装置220は、第1状態を有する監視信号DETに応答して、消費電力制御アルゴリズム(または、プログラム)のうちから第1消費電力制御アルゴリズム、例えば、第1DVFS(DVFS1)を適用(または、実行)することができる。
図1に示したように、メモリ260に保存された消費電力制御アルゴリズムは、携帯用装置200がブーティング(booting)される時、メモリ260から処理装置220にロードされ、該ロードされた消費電力制御アルゴリズムのうちから前記第1消費電力制御アルゴリズム、例えば、第1DVFS(DVFS1)は、監視信号DETに基づいて選択的に実行可能である。
しかし、監視の結果、携帯用装置200とドッキングステーション300とが互いに接続されていない場合、処理装置220は、第2状態を有する監視信号DETに応答して、消費電力制御アルゴリズムのうちから第2消費電力制御アルゴリズム、例えば、第2DVFS(DVFS2)を実行させることができる。すなわち、携帯用装置200とドッキングステーション300との接続如何を指示する監視信号DETに基づいて、処理装置220は、第1DVFS(DVFS1)と第2DVFS(DVFS2)とのうちの何れか1つを選択的に実行させることができる。
TMU240から周期的に出力される温度情報TIに基づいて、第1DVFS(DVFS1)は、処理装置220及び/またはGPU250が第1最高温度T11と第2最低温度T21との間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
また、TMU240から周期的に出力される温度情報TIに基づいて、第2DVFS(DVFS2)は、処理装置220及び/またはGPU250が第2最高温度T12と第2最低温度T22との間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
携帯用装置200が、レジスタ230をさらに含む時、処理装置220は、第1状態を有する監視信号DETに応答して、レジスタ230に保存された特性情報を読み取って解析することができる。
また、TMU240から周期的に出力される温度情報TIに基づいて、第2DVFS(DVFS2)は、処理装置220及び/またはGPU250が第2最高温度T12と第2最低温度T22との間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
携帯用装置200が、レジスタ230をさらに含む時、処理装置220は、第1状態を有する監視信号DETに応答して、レジスタ230に保存された特性情報を読み取って解析することができる。
前記特性情報が、処理装置220がSiPまたはPoPとして具現されることを表わす時(ステップS120)、処理装置220は、第1状態を有する監視信号DETと特性情報の解析の結果に基づいて、消費電力制御アルゴリズムのうちから第3消費電力制御アルゴリズム、例えば、第3DVFS(DVFS3)を実行することができる(ステップS130)。
第3DVFS(DVFS3)は、メモリチップ223の最大接合温度(maximumjunction temperature)に関連した温度、例えば、第3最大温度T13を基準にクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS130)。
第3DVFS(DVFS3)は、メモリチップ223の最大接合温度(maximumjunction temperature)に関連した温度、例えば、第3最大温度T13を基準にクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS130)。
ここで、最大接合温度は、メモリチップ223の正常な動作を保証するために、メモリチップ223に具現された素子、例えば、トランジスタの最大接合温度を意味する。前記関連した温度は、実験的に測定または計算されうる。
第3DVFS(DVFS3)は、周期的に出力される温度情報TIに基づいて、処理装置220及び/またはGPU250が、第3最高温度T13と第2最低温度T22との間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS130)。
第3DVFS(DVFS3)は、周期的に出力される温度情報TIに基づいて、処理装置220及び/またはGPU250が、第3最高温度T13と第2最低温度T22との間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS130)。
しかし、前記特性情報が、処理装置220がSiPまたはPoP以外のパッケージとして具現されることを表わす時(ステップS120)、処理装置220は、第1状態を有する監視信号DETと特性情報の解析の結果に基づいて、消費電力制御アルゴリズムのうちから第n消費電力制御アルゴリズム、例えば、第nDVFS(DVFSn)を実行することができる(ステップS140)。
第nDVFS(DVFSn)は、プロセッサチップ221の最大接合温度に関連した温度、例えば、第n最大温度T1nを基準にクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS140)。
第nDVFS(DVFSn)は、プロセッサチップ221の最大接合温度に関連した温度、例えば、第n最大温度T1nを基準にクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS140)。
ここで、最大接合温度は、プロセッサチップ221の正常な動作を保証するために、プロセッサチップ221に具現された素子、例えば、トランジスタの最大接合温度を意味する。前記関連した温度は、実験的に測定または計算されうる。
例えば、プロセッサチップ221の最大接合温度(例えば、125℃)は、メモリチップ223の最大接合温度(例えば、105℃)よりも高い。
第nDVFS(DVFSn)は、周期的に出力される温度情報TIに基づいて、処理装置220及び/またはGPU250が、第n最高温度T1nと第n最低温度T2nとの間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS140)。例えば、第3最高温度T13は、第n最高温度T1nよりも低い。
例えば、プロセッサチップ221の最大接合温度(例えば、125℃)は、メモリチップ223の最大接合温度(例えば、105℃)よりも高い。
第nDVFS(DVFSn)は、周期的に出力される温度情報TIに基づいて、処理装置220及び/またはGPU250が、第n最高温度T1nと第n最低温度T2nとの間で動作できるように、クロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる(ステップS140)。例えば、第3最高温度T13は、第n最高温度T1nよりも低い。
携帯用装置200とドッキングステーション300とが互いに接続されていない場合でも、処理装置220は、動作モード(または、実行されるアプリケーション)別に固有に割り当てられた消費電力制御アルゴリズム(または、消費電力制御プログラム、例えば、DVFS)を選択的に実行させることができる。この際、前記動作モード別に固有に割り当てられた消費電力制御アルゴリズムは、メモリ260に保存され、また処理装置220に内蔵されることもある。
図1から図7を参照して説明された携帯用装置の消費電力を制御する方法は、コンピュータで読み取り可能なプログラム(または、プログラムコード)で作成され、コンピュータで読み取り可能な記録媒体(computer readable storage medium)に保存することができる。
前記プログラム(または、プログラムコード)は、コンピューティング装置、例えば、プロセッサ、アプリケーションプロセッサ、またはCPUによって、コンピューティング装置で実行可能である。
前記プログラム(または、プログラムコード)は、コンピューティング装置、例えば、プロセッサ、アプリケーションプロセッサ、またはCPUによって、コンピューティング装置で実行可能である。
本発明の実施形態による携帯用装置100の消費電力を制御する方法、コンピュータプログラム製品、及び/または処理装置220は、動的温度管理(Dynamic Thermal Management、DTM)スキーム(scheme)によって、携帯用装置100の表面温度と相関関係のある携帯用装置100の内部温度を動的に調節することができる。
すなわち、動的温度管理スキームまたは方法を適用する基準温度は、携帯用装置100の表面温度または表面温度と相関関係のある携帯用装置100の内部温度である。
すなわち、動的温度管理スキームまたは方法を適用する基準温度は、携帯用装置100の表面温度または表面温度と相関関係のある携帯用装置100の内部温度である。
前記スキームまたは方法は、プロセッサチップ221の最大接合温度に関連した温度及び/またはメモリチップ223の最大接合温度に関連した温度を測定するTMU240から出力された温度情報TIを活用して、最大接合温度を動的に制御するために、処理装置220に供給されるクロック信号CLKの周波数及び/または電圧Vddを制御することができる。
本発明は、ドッキングステーションと処理装置とを含むシステムに利用されうる。
100:システム
200:携帯用装置
210:第1有線/無線通信ポート
220:処理装置
230:レジスタ
240:温度管理ユニット
250:グラフィックプロセッシングユニット
260:メモリ
270:調節回路
271:クロック管理ユニット
273:クロックソース
275:電力管理ユニット
277:電源
300:ドッキングステーション
200:携帯用装置
210:第1有線/無線通信ポート
220:処理装置
230:レジスタ
240:温度管理ユニット
250:グラフィックプロセッシングユニット
260:メモリ
270:調節回路
271:クロック管理ユニット
273:クロックソース
275:電力管理ユニット
277:電源
300:ドッキングステーション
Claims (10)
- ドッキングステーションとの接続如何を監視する段階と、
前記監視の結果によって、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に適用する段階と、
を含む携帯用装置の消費電力を制御する方法。 - 前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれは、互いに異なる動的電圧及び周波数スケーリング(DVFS)である請求項1に記載の電力消費を制御する方法。
- 前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、互いに異なる請求項1に記載の消費電力を制御する方法。
- 前記消費電力を制御する方法は、前記携帯用装置と前記ドッキングステーションとが互いに接続された場合、前記携帯用装置の内部に具現された処理装置の特性情報を解析する段階をさらに含み、
前記何れか1つは、前記監視の結果と前記解析の結果とに基づいて選択される請求項1に記載の消費電力を制御する方法。 - ドッキングステーションとの接続如何を監視し、監視信号を出力する通信ポートと、
前記監視信号に応答して、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させる処理装置と、
を含む消費電力を制御するシステム。 - 前記システムは、前記処理装置についての特性情報を保存するストレージをさらに含み、前記処理装置は、前記監視信号と前記特性情報とに基づいて、前記何れか1つを実行させる請求項5に記載のシステム。
- 前記何れか1つの制御によって、前記処理装置に供給されるクロック信号の周波数と電圧とのうちの少なくとも1つを調節する調節回路をさらに含む請求項5に記載のシステム。
- 前記処理装置の周辺温度を周期的に感知し、温度情報を出力する温度管理ユニットと、
制御信号に応答して、前記処理装置に供給されるクロック信号の周波数と電圧とのうちの少なくとも1つを調節する調節回路と、をさらに含み、
前記何れか1つは、前記温度情報に基づいて、前記制御信号を出力する請求項5に記載のシステム。 - 前記消費電力制御アルゴリズムのそれぞれによって制御される最高温度と最低温度は、前記携帯用装置で実行されるアプリケーションごとに互いに異なる請求項5に記載のシステム。
- 第1通信ポートを含む携帯用装置と、
前記第1通信ポートとハンドシェーキングする第2通信ポートとを含む携帯用装置を含み、前記携帯用装置は、前記第2通信ポートから出力された監視信号に応答して、消費電力制御アルゴリズムのうちの何れか1つを選択的に実行させる処理装置と、
を含むシステム。
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