JP2013228782A - 導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材11に、金属酸化物で構成される透明導電層13と、金属または合金で構成される配線層15とがその順で積層された導電性基板10において、前記透明導電層13と前記配線層15との間には、金属酸化物で構成される密着性改善層14が、前記透明導電層13および前記配線層15の両方と接触した状態で介在し、前記密着性改善層14を構成する金属酸化物の結晶化度は、前記透明導電層13を構成する金属酸化物の結晶化度よりも低い構成とする。
【選択図】図1
Description
そのようなタッチパネルの一例として、2枚の導電性基板を接着剤で貼り合わせた構造の静電容量型タッチパネルがあり、各導電性基板は、例えば、基材に金属酸化物で構成される透明導電層と金属または合金で構成される配線層とがその順で積層された構造を有する。また、透明導電層は、位置検出のための電極部を導電性基板の中央領域に有すると共に、電極部から延出された接続部を導電性基板の周縁領域に有する。一方、配線層は、透明導電層と外部回路とを電気的に接続するための配線部を前記周縁領域に有し、透明導電層と配線層との電気的な接続は、透明導電層の接続部上に配線層の配線部を直接積層させることによって、接続部と配線部とを面接触させて確保している。
本発明に係る導電性基板の製造方法は、基材に、透明導電層、密着性改善層および配線層がその順で積層された積層構造を有する導電性基板の製造方法であって、前記基材に、120℃以上の成膜温度で金属酸化物をスパッタリングし、前記透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、前記透明導電層上に、100℃以下の成膜温度で金属酸化物をスパッタリングし、前記密着性改善層を形成する密着性改善層形成工程と、前記密着性改善層上に、金属または合金で構成される配線層を形成する配線層形成工程と、を含むことを特徴とする。
本発明に係る導電性基板の製造方法は、透明導電層上に、100℃以下の成膜温度で金属酸化物をスパッタリングし、密着性改善層を形成する密着性改善層形成工程と、前記密着性改善層上に、金属または合金で構成される配線層を形成する配線層形成工程と、を含むため、従来よりも配線層の剥離が生じ難い。
<導電性基板およびタッチパネル>
(タッチパネル)
図1は、本発明の一態様に係るタッチパネルを示す断面模式図である。図2は、本発明の一態様に係る導電性基板を示す平面図であって、図2(a)は第1の導電性基板を示し、図2(b)は第2の導電性基板を示す。なお、図1の断面の切断位置は、図2におけるA−A線の部分である。
各導電性基板10,20について、透明導電層13,23、密着性改善層14,24および配線層15,25はパターニングされている。アンダーコート層12,22は、パターニングされていない所謂べた膜として、または一部がパターニングされて形成されている。
第1の導電性基板10と第2の導電性基板20とは、透明導電層13,23、密着性改善層14,24および配線層15,25のパターン形状が異なる以外は同じ構成である。したがって、以下では、第1の導電性基板10についてのみ説明し、第2の導電性基板20についての説明を省略する。だたし、以下の第1の導電性基板10に関する説明は、第2の導電性基板20にも適応される。
(基材)
基材11は、タッチパネルの用途に応じて、PET(ポリエチレンテレフタラート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルスルホン)、PC(ポリカーボネート)、PE(ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)、COP(シクロオレフィンポリマー)、COC(シクロオレフィンコポリマー)、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、アクリル、シロキサン架橋型アクリルシリコーン樹脂、ナイロン、ウレタン等の有機材料や、ソーダガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の無機材料や、それら有機材料と無機材料との混成材料で形成することができる。材質は特には限定されない。
アンダーコート層12は、透明導電層13および密着性改善層14のパターン形状を見え難くして視認性を向上させる効果を奏する層である。アンダーコート層12は、基材11や透明導電層13よりも低い屈折率の材料からなる低屈折率層(1層のみ)や、低屈折率層と高屈折率層(低屈折率層よりも高い屈折率の材料からなる層)とを組み合わせた2層以上の層で形成される。視認性を向上させるアンダーコート層12の構成としては、特表2007−508639号、特開2008−98169号等で開示されている。
アンダーコート層12は、基材11と透明導電層13との間に、低屈折率層が高屈折率層よりも透明導電層13側に位置する状態で介在している。
低屈折率層の厚みは、視認性向上の観点から2nm〜20nmであることが好ましい。低屈折率層の材料としては、シリコンスズ酸化物、酸化ケイ素、酸化アルミ等の無機酸化物、それら無機酸化物のうちの複数を組み合わせで構成される組成物、フッソ系有機物素材、酸化ケイ素系ゾルゲル素材、酸化ケイ素系やフッソ系の微多孔質素材等が挙げられる。視認性および生産性の向上の観点からは、光屈折率が1.3〜1.5のものが特に好ましい。低屈折率層は、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビーム蒸着法、ウエットコーティング法等により形成することができる。
透明導電層13は、第1の導電性基板10の透明導電層13と第2の導電性基板20の透明導電層23との間の静電容量の変化により座標を検出するための層であり、金属酸化物で構成されている。透明導電層13を構成する金属酸化物は、透明導電層13を低抵抗化するために少なくとも一部が結晶化されており、後述するように薄膜X線回折により回折ピークが発現する。
密着性改善層14は、透明導電層13と配線層15との間に、透明導電層13および配線層15の両方と接触した状態で介在している。密着性改善層14は、密着性を向上させるという観点からは、透明導電層13と配線層15の間の領域の全てに存在していることが好ましい。
密着性改善層14は、金属酸化物で構成されている。密着改善層14は、電気伝導性や透明性が高く、膜の安定性が高いとの理由から、酸化インジウム系の金属酸化物で構成されていることが好ましい。酸化インジウム系の金属酸化物としては、酸化インジウム一酸化スズ(ITO)、酸化インジウム一酸化スズ一酸(InTiTO)、酸化インジウム一酸化亜鉛(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、タングステンドープ酸化インジウム(IWO)、チタンドープ酸化インジウム(ITiO)等が挙げられる。酸化インジウム系以外の金属酸化物としては、酸化スズ(SnO2)、弗化スズ(SnF2)等が挙げられる。密着性改善層14と透明導電層13とが同じ化合物で構成されている場合は、材料点数が減るため製造工程を簡略化することができる。
図3および図4は、透明導電層および密着性改善層に関するXRD(X線回折)測定の結果を示すグラフである。透明導電層13および密着性改善層14の金属酸化物の状態を確認するために、X線回折装置(理学電機株式会社製:RINT 2500 VHF)を用いて、薄膜X線回折による測定を行なった。
配線層15は、透明導電層13と外部回路(不図示)とを電気的に接続するための複数の配線部15aを有する層であって、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、Mg(マグネシウム)、Si(シリコン)、Cr(クロム)、Zn(亜鉛)、V(バナジウム)、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Sn(錫)、Sb(アンチモン)等の金属、または、それら金属を含む合金で構成されている。
導電性基板10の製造方法について説明する。図5は、本発明の一態様に係る導電性基板の製造方法を説明するための工程図である。
まず、図5(a)に示すように基材を準備し、図5(b)に示すように、例えば、120℃の成膜温度で例えばITOなどの金属酸化物をスパッタリングし、基材上に透明導電層を形成する(透明導電層形成工程)。スパッタリングの成膜温度が120℃の場合は、図3に示すような金属酸化物が結晶化した透明導電層を得ることができる。成膜温度は120℃に限定されないが、金属酸化物が結晶化した透明導電層を得るためには120℃以上であることが好ましい。なお、成膜方法は、スパッタリング法に限定されず、真空蒸着法やイオンプレーティング法等のスパッタリング法以外のPVD法、或いは、CVD法、塗布法等であっても良い。
以上により、導電性基板が完成する。
<実験>
以下では、実験結果に基づきながら、本発明に係る密着性改善層の剥離防止効果について説明する。
実験では、評価用のサンプルとして、実施例1〜3および比較例1〜3の6種類のサンプルを作製した。サンプル作製においては、まず、基材上にスパッタリング法により透明導電層を形成した。スパッタリングの条件として、ターゲット材料はITO、成膜温度は120℃、到達圧力は6.65×10-4Pa、パワー密度は1.8W/cm2、動作圧は6.65×10-2Pa、酸素分圧は3.0%である。その後、150℃で20分アニール処理を施し、次に透明導電層上にスパッタリング法により密着性改善層を形成した。スパッタリングの条件として、ターゲット材料はITO、成膜温度は100℃、到達圧力は6.65×10-4Pa、パワー密度は0.9W/cm2、動作圧は6.65×10-2Pa、酸素分圧は5.0%である。その後、密着性改善層上にスパッタリング法により配線層を形成した。
まず、各サンプルの配線層側の面に、粘着テープ(ニチバン株式会社製:セロテープ(登録商標)CT−24)を貼り付け、その粘着テープを指の腹で押さえつけて配線層に密着させた。次に、粘着テープの角度をサンプルの配線層側の面に対して90度に維持しながら粘着テープを剥がし、剥がした後に目視で確認して、配線層が剥離しているか否かを評価した。
ITOで構成される密着性改善層を形成した実施例1〜3のサンプルには、粘着テープを剥がした面に配線層の剥離が生じなかった。
一方、密着性改善層を形成していない比較例1のサンプルには、粘着テープを剥がした面に配線層の剥離が生じた。比較例1のサンプルには密着性改善層が形成されていないため、配線層は直接透明導電層上に形成されている。実施例1では、成膜温度100℃で成膜されアニール処理もされたITOの薄膜上に配線層が形成されているのに対し、比較例1では、成膜温度120℃で成膜されアニール処理されていないITOの薄膜上に配線層が形成されている。これら条件の違いによって、実施例1の薄膜のITOは比較例1の薄膜のITOよりも結晶化度が低くなっており、ITOがアモルファス状態に近い実施例1のみで剥離が生じなかったと考えられる。
次に、比較例2,3のサンプルにも剥離が生じていた。実施例1のサンプルと比較例2,3のサンプルとの相違点は、実施例1では密着性改善層がITOで形成されているのに対して、比較例2ではSiで形成され、比較例3ではニッケルと銅の合金で形成されている点である。比較例2,3のサンプルに剥離が生じたことから、密着性改善層が金属酸化物で構成されていなければ高い剥離防止効果が得られないと分かる。
透明度の高い導電性基板を得るためには、密着性改善層の厚みが5nm以下であることが好ましい。実施例3の結果から、密着性改善層の厚みが5nmの場合も配線層の剥離が生じないことが確認でき、密着性改善層の厚みが厚くなっても密着性向上の効果が低下するとは考え難いが、厚みが5nmを超えると、密着性改善層が存在する部分と存在しない部分との見え方の差が顕著になって視認性が悪くなるおそれがあるからである。なお、より高い視認性を得るためには、厚みが3nm以下であることが好ましい。
以上、本発明の一態様に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法を具体的に説明してきたが、それらは、本発明に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法の構成および作用効果を分かり易く説明するための一例であって、本発明に係る導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法は、それらの内容に限定されない。例えば、上記の材料、数値等は好ましいものを例示しているだけであり、それに限定されることはない。また、以下に説明するような変形例も考えられる。
10,20,40,50 導電性基板
11,21,41,52 基材
12,22、42 アンダーコート層
13,23,43,53 透明導電層
14,24,44,54 密着性改善層
15,25,45,55 配線層
Claims (10)
- 基材に、金属酸化物で構成される透明導電層と、金属または合金で構成される配線層とがその順で積層された導電性基板であって、
前記透明導電層と前記配線層との間には、金属酸化物で構成される密着性改善層が、前記透明導電層および前記配線層の両方と接触した状態で介在し、
前記密着性改善層を構成する金属酸化物の結晶化度は、前記透明導電層を構成する金属酸化物の結晶化度よりも低いことを特徴する導電性基板。 - 前記透明導電層を構成する金属酸化物を薄膜X線回折するとピークが得られ、前記密着性改善層を構成する金属酸化物を薄膜X線回折するとピークが得られないことを特徴とする請求項1記載の導電性基板。
- 前記密着性改善層の厚みが1nm〜5nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の導電性基板。
- 前記透明導電層を構成する金属酸化物および前記密着性改善層を構成する金属酸化物は、いずれも酸化インジウム系の金属酸化物であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の導電性基板。
- 前記透明導電層を構成する金属酸化物と、前記密着性改善層を構成する金属酸化物とが同じ化合物であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の導電性基板。
- 前記基材と前記透明導電層との間にアンダーコート層を含み、当該アンダーコート層は、低屈折率層からなる、または、当該低屈折率層および当該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層を有する2層以上の層で形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の導電性基板。
- 基材に、金属酸化物で構成される透明導電層と、金属または合金で構成される配線層とがその順で積層された導電性基板であって、
前記透明導電層と前記配線層との間には、金属酸化物で構成される密着性改善層が、前記透明導電層および前記配線層の両方と接触した状態で介在し、
前記密着性改善層を構成する金属酸化物は、前記透明導電層を構成する金属酸化物よりもアモルファスに近い状態であることを特徴する導電性基板。 - 請求項1から7のいずれかに記載の導電性基板を備えることを特徴とするタッチパネル。
- 基材に、透明導電層、密着性改善層および配線層がその順で積層された積層構造を有する導電性基板の製造方法であって、
前記基材に、120℃以上の成膜温度で金属酸化物をスパッタリングし、前記透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、
前記透明導電層上に、100℃以下の成膜温度で金属酸化物をスパッタリングし、前記密着性改善層を形成する密着性改善層形成工程と、
前記密着性改善層上に、金属または合金で構成される配線層を形成する配線層形成工程と、
を含むことを特徴とする導電性基板の製造方法。 - 前記透明導電層形成工程後に、前記透明導電層をアニール処理するアニール工程をさらに含むことを特徴とする請求項9記載の導電性基板の製造方法。
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