JP2013225568A - 半導体回路、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】負荷に接続された能動素子をオフからオンに切換えるときの、切換開始から所定の電流が流れるまでの時間を短縮する。
【解決手段】LEDアレイ18、所定の電圧が入力された場合にオンしてLEDアレイ18を駆動させることが可能なMOSFET20が電気的に接続されている。半導体回路24は、演算増幅器30、電圧降下回路36、及びスイッチ42を備えている。演算増幅器30の非反転入力端子には基準電圧VRが入力される。電圧降下回路36は、演算増幅器30から出力された電圧を降下させる。スイッチ42は、MOSFET20が演算増幅器30から上記所定の電圧が入力されてオンされる第1期間は、MOSFET20をオンされることにより流れる所定の電流に応じた電圧を演算増幅器30の反転入力端子に入力させ、MOSFET20がオフされる第2期間は電圧降下回路36で降下された電圧を反転入力端子に入力する。
【選択図】図2
【解決手段】LEDアレイ18、所定の電圧が入力された場合にオンしてLEDアレイ18を駆動させることが可能なMOSFET20が電気的に接続されている。半導体回路24は、演算増幅器30、電圧降下回路36、及びスイッチ42を備えている。演算増幅器30の非反転入力端子には基準電圧VRが入力される。電圧降下回路36は、演算増幅器30から出力された電圧を降下させる。スイッチ42は、MOSFET20が演算増幅器30から上記所定の電圧が入力されてオンされる第1期間は、MOSFET20をオンされることにより流れる所定の電流に応じた電圧を演算増幅器30の反転入力端子に入力させ、MOSFET20がオフされる第2期間は電圧降下回路36で降下された電圧を反転入力端子に入力する。
【選択図】図2
Description
本発明は、負荷に所定の電流を供給するために使用される半導体回路及び半導体装置に関するものである。
近年、液晶表示装置の低消費電力化への要求が強くなるにつれて、バックライトにCCFL(冷陰極蛍光管)に代わってLED(発光ダイオード)が使用されるようになってきた。更に、平均的な消費電力を抑えるために、表示される画面の明暗や環境の明るさ等に応じて、LEDに流れる電流をオン・オフして、オン時間及びオフ時間のデューティー比を切換え、バックライトの輝度を調整する、いわゆるPWM(パルス幅変調)制御が広く適用されている。PWM制御では、制御性の良い定電流回路の実現が求められている。
図10に、LEDアレイ100に所定の電流を供給する従来の一般的な定電流回路102の例を示す。
LEDアレイ100は、直列に接続された複数のLED1201〜120nを備えている。定電流回路102は、スイッチ104、演算増幅器(オペアンプ)106、NチャンネルのMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)108、及び抵抗110を備えている。
LEDアレイ100、MOSFET108、及び抵抗110は直列に接続されている。具体的には、MOSFET108のドレイン端子には、LEDアレイ100のカソード端子側の端部が接続され、LEDアレイ100のアノード端子側の端部には、電源VLEDに接続されている。MOSFET108のソース端子は、抵抗110の一端に接続されており、抵抗110の他端は、グランドに接続されている。
演算増幅器106の非反転入力端子は、スイッチ104に接続されている。スイッチ104は、外部から入力されるPWM信号に応じて、演算増幅器106の非反転入力端子に基準電圧VRを供給する第1の状態、及び演算増幅器106の非反転入力端子とグランドとを接続する第2の状態のいずれかに切り換わる。
演算増幅器106の反転入力端子は、MOSFET108のソース端子と抵抗110との間のノードNに接続され、演算増幅器106の出力端子はMOSFET108のゲート端子に接続されている。なお、LGOは、演算増幅器106の出力端子とMOSFET108のゲート端子とを接続する接続端子であり、LCMは、演算増幅器106の反転入力端子とノードNとを接続する接続端子である。
この定電流回路102では、MOSFET108をオンしてMOSFET108のドレイン端子に接続されたLED1201〜120n及びソース端子に接続された抵抗110に所定の電流(駆動電流ILED)を流し、LED1201〜120nを点灯させるようにしている。
図11に、図10に示す定電流回路102の各端子の電圧・電流波形の一例を示す。ここでは、以下の条件を仮定している。
・基準電圧VR:0.4[V]
・LED1201〜120nを点灯(駆動)させるときの駆動電流ILED:20[mA]
・MOSFET108をオンしてLEDアレイ100及び抵抗110に駆動電流ILEDを流すときのゲート・ソース間電圧:2.1[V]
・抵抗110の抵抗値:2[Ω]
・LED1201〜120nを点灯(駆動)させるときの駆動電流ILED:20[mA]
・MOSFET108をオンしてLEDアレイ100及び抵抗110に駆動電流ILEDを流すときのゲート・ソース間電圧:2.1[V]
・抵抗110の抵抗値:2[Ω]
PMW信号がLの期間(図11(A)参照)は、スイッチ104が第2の状態とされ、演算増幅器106の非反転入力端子はグランド(0[V])に接続される(図11(B)参照)。また、演算増幅器106の反転入力端子は、ノードNに接続されている。従って、演算増幅器106の反転入力端子の入力電圧及び演算増幅器106の出力電圧(図11のLGOの電圧波形を参照)Voは、ほぼ0[V]になる(図11(C)、(D)参照)。MOSFET108はオフとされ、LEDアレイ100及び抵抗110に流れる電流はほぼ0[mA]となるため(図11(E)参照)、LEDアレイ100の各LED1201〜120nは消灯状態とされる。
PWM信号がHの期間(図11(A)参照)は、スイッチ104が第1の状態とされ、演算増幅器106の非反転入力端子には、基準電圧VR(0.4[V])が供給される(図11(B)参照)。演算増幅器106は、反転入力端子の電圧が0.4[V]になるよう、出力電圧Voを2.5[V]まで上昇させる(図11(C)参照)。演算増幅器106の出力端子からMOSFET108がオンする電圧がゲート端子に印加されることにより、LEDアレイ100及び抵抗110に20[mA]の電流が流れ(図11(E))、反転入力端子に入力される電圧が0.4[V]になる(図11(D)参照)と共に、LED1201〜120nが点灯する。
なお、定電流回路に関連する技術としては、例えば、ドレイン端子がLED列のカソード端子側端部に接続された駆動トランジスタと、ゲート端子に複数の第1電流制御信号の1つが、ソース端子に接地電圧が夫々入力され、ドレイン端子が前記駆動トランジスタのソース端子に接続された複数の電流制御トランジスタと、複数の第1電流制御信号を切換え、オン状態にある電流制御トランジスタの数を切換えてLED列の電流量を制御する電流制御回路と、電流制御トランジスタのドレイン端子の電圧を帰還信号とし、帰還信号の電圧値の変動を抑制するように、帰還信号の電圧値と参照電圧の差分電圧を増幅して駆動トランジスタのゲート端子のゲート電圧として出力することで、駆動トランジスタの電流駆動能力を電流制御回路の制御する電流量に応じて変化するように制御する駆動トランジスタ制御回路と、を備えた定電流駆動回路を有するLED駆動装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、所望の周波数でクロックを生成する発振器と、発振器からのクロックを入力し、LED駆動電流を立ち上げる時はクロックに応じてカウントアップ動作を行い、LED駆動電流を立ち下げる時はクロックに応じてカウントダウン動作を行うアップ/ダウン・カウンタと、アップ/ダウン・カウンタより出力されたディジタルの計数値をアナログの信号に変換するディジタル−アナログ変換器と、直流電源に対してLEDと直列に接続され、ディジタル−アナログ変換器の出力信号に応じて動作するトランジスタとを有するLED駆動回路も知られている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、従来の定電流回路では、演算増幅器106の特性によって、その出力電圧Voの時間変化量(ΔVo/Δt)が制限されるため、PWM信号をLからHに切換えてから演算増幅器106が定常状態になるまでの時間tr(図11(C)電圧波形も参照)が長いという問題があった。例えば、ΔVo/Δt = 1[V/μs]の場合、出力電圧が0[V]から2.5[V]まで変化するのに、2.5[μs]と長い時間が必要になる。
特に、定電流回路の制御に用いられるPWM制御は、オンとオフの時間の比率(デューティー比)を変化させて制御する手法であるが、上記trで表わされた期間は、オンであるかオフであるかがわからない曖昧な期間となり、この時間trが長くなるほど、結果として、制御の誤差が大きくなってしまうという問題がある。従って、時間trをできるだけ短くする必要があるが、上記特許文献1及び特許文献2には、こうした課題を解決するための手段について何ら記載がない。
本発明は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、負荷に接続された能動素子をオフからオンに切換えて所定の電流を負荷に流すときの、該切換開始から前記所定の電流が負荷に流れるまでの時間を従来に比べて短縮する半導体回路及び半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の半導体回路は、第1負荷と、所定の電圧が入力された場合にオンして前記第1負荷を駆動させる所定の電流を流すことが可能な能動素子とが電気的に接続されており、前記能動素子に前記所定の電圧を入力して前記第1負荷の駆動を制御することが可能な半導体回路であって、基準電圧が入力される第1入力端子と、第2入力端子と、出力端子とを有し、前記第2入力端子に入力される電圧が前記第1入力端子に入力される前記基準電圧に近づくように前記出力端子から第1電圧を出力可能な演算増幅器と、前記演算増幅器の出力端子から出力された前記第1電圧を降下させて第2電圧を生成可能な電圧降下回路と、前記能動素子が前記演算増幅器の前記出力端子から出力された前記第1電圧によってオンされる第1期間には、前記能動素子がオンされることにより流れる前記所定の電流に応じた第3電圧を前記演算増幅器の前記第2入力端子に入力させ、前記能動素子がオフされる第2期間には、前記第2電圧を前記第2入力端子に入力させることが可能な入力切換部と、を備えている。
また、本発明の半導体装置は、第1負荷に電気的に接続され、所定の電圧が入力された場合にオンして前記第1負荷を駆動させる所定の電流を流すことが可能な能動素子と、
前記能動素子に電気的に接続され、前記所定の電流が流れることにより第1電圧を生成可能な第2負荷と、基準電圧が入力される第1入力端子と、第2入力端子と、出力端子とを有し、前記第2入力端子に入力される電圧が前記第1入力端子に入力される前記基準電圧に近づくように前記出力端子から第2電圧を出力可能な演算増幅器と、前記演算増幅器の出力端子から出力された前記第2電圧を降下させて第3電圧を生成可能な電圧降下回路と、前記能動素子が前記演算増幅器の前記出力端子から出力された前記第2電圧によってオンされる第1期間には、前記第1電圧を前記演算増幅器の前記第2入力端子に入力させ、前記能動素子がオフされる第2期間には、前記第3電圧を前記第2入力端子に入力させることが可能な入力切換部と、を備えている。
前記能動素子に電気的に接続され、前記所定の電流が流れることにより第1電圧を生成可能な第2負荷と、基準電圧が入力される第1入力端子と、第2入力端子と、出力端子とを有し、前記第2入力端子に入力される電圧が前記第1入力端子に入力される前記基準電圧に近づくように前記出力端子から第2電圧を出力可能な演算増幅器と、前記演算増幅器の出力端子から出力された前記第2電圧を降下させて第3電圧を生成可能な電圧降下回路と、前記能動素子が前記演算増幅器の前記出力端子から出力された前記第2電圧によってオンされる第1期間には、前記第1電圧を前記演算増幅器の前記第2入力端子に入力させ、前記能動素子がオフされる第2期間には、前記第3電圧を前記第2入力端子に入力させることが可能な入力切換部と、を備えている。
以上説明したように、本発明によれば、負荷に接続された能動素子をオフからオンに切換えて所定の電流を負荷に流すときの、該切換開始から前記所定の電流が負荷に流れるまでの時間を従来に比べて短縮することができる、という効果を奏する。
[第1実施形態]
図1には、第1実施形態に係るLED駆動システム10が図示されている。本実施形態では、液晶表示装置のバックライトとして使用されるLEDをPWM制御により駆動するLED駆動システム10を例に挙げて説明するが、LED等の負荷を所定の電流により駆動させるシステムであれば、どのような用途に使用されてもよい。
LED駆動システム10は、半導体装置12及びLEDアレイ18を有するLED駆動装置11、定電圧回路14、及びパルス幅変調回路16を備えている。
LEDアレイ18は、所定の電流(駆動電流ILED)により駆動される負荷の一例であって、複数のLED501〜50nが直列に接続されて構成されている(図2も参照)。半導体装置12は、LEDアレイ18に流れる電流を制御する回路であり、LEDアレイ18のLED501〜50nを点灯(駆動)させる場合には、LEDアレイ18に所定の電流(駆動電流ILED)を供給する。定電圧回路14は、半導体装置12に対して0[V]より大きな一定の電圧(基準電圧VR)を供給する。パルス幅変調回路16には、外部装置からLEDアレイ18の輝度を調整するための輝度調整情報(例えば、液晶表示装置に表示される画像の輝度や、液晶表示装置の周囲の明るさ等を示す情報)が入力される。
パルス幅変調回路16は、入力された輝度調整情報に応じて、パルス信号(以下、PWM信号と呼称する)のデューティー比を変化させて変調し半導体装置12に供給する。例えば、パルス幅変調回路16は、輝度調整情報に基づき、液晶表示装置の周囲が暗い場合にはバックライト(LED501〜50n)が暗くなるよう、周囲が明るい場合にはバックライトが明るくなるようにPWM信号を生成して半導体装置12に供給する。また、例えば、パルス幅変調回路16は、輝度調整情報に基づき、液晶表示装置に表示される画像の輝度が高い(明るい)場合には、バックライトが明るくなるよう、輝度が低い(暗い)場合にはバックライトが暗くなるようにPWM信号を生成して半導体装置12に供給する。なお、画像の輝度として、画素毎の輝度の平均輝度を用いてもよい。
図2及び図3に、LED駆動装置11の構成を示す。図2は、パルス幅変調回路16から入力されたPWM信号がHのときの回路状態を示し、図3は、パルス幅変調回路16から入力されたPWM信号がLのときの回路状態を示している。
半導体装置12は、NチャンネルのMOSFET20、及び抵抗22を備えている。MOSFET20は、後述する演算増幅器30から所定の電圧が入力されたときにオンして所定の電流(駆動電流ILED)をLEDアレイ18に流すことが可能な能動素子の一例であり、抵抗22は、駆動電流ILEDが流れることにより駆動電流ILEDと抵抗値に応じた電圧を発生可能な負荷の一例である。MOSFET20は、制御入力端子としてのゲート端子を備えると共に、電流出力端子としてのドレイン端子及びソース端子を備えている。LEDアレイ18、MOSFET20、及び抵抗22は直列に接続され、これにより直列回路が形成されている。
より具体的には、MOSFET20のドレイン端子は、LEDアレイ18のカソード端子側の端部に接続され、LEDアレイ18のアノード端子側の端部には、電源VLEDに接続されている。MOSFET20のソース端子は、抵抗22の一端に接続されており、抵抗22の他端は、グランドに接続されている。MOSFET20のゲート端子は、接続端子LGOに接続され、MOSFET20のソース端子と抵抗22との間のノードNaは、接続端子LCMに接続されている。
この半導体装置12では、MOSFET20をオンしてMOSFET20のドレイン端子に接続されたLED501〜50n及びソース端子に接続された抵抗22に駆動電流ILEDを流し、LED501〜50nを点灯させるようにしている。
半導体装置12は、更に、MOSFET20をオン・オフさせてLEDアレイ18の駆動を制御することが可能な半導体回路24を備えている。半導体回路24は、演算増幅器(オペアンプ)30、電圧降下回路36、スイッチ40、及びスイッチ42を備えている。スイッチ40及びスイッチ42は、パルス幅変調回路16から入力されるPWM信号により制御される。なお、スイッチ40及びスイッチ42は、一般的な半導体スイッチとすることができる。
演算増幅器30は、反転入力端子、非反転入力端子、及び出力端子を有する。演算増幅器30の非反転入力端子には、定電圧回路14から一定の電圧(基準電圧VR)が供給される。演算増幅器30は、反転入力端子に入力される電圧が非反転入力端子に入力される基準電圧に近づくよう出力端子から電圧を出力する。
スイッチ40とMOSFET20のゲート端子とは、接続端子LGOを介して接続されている。PWM信号がHのときには、スイッチ40は、MOSFET20のゲート端子と演算増幅器30の出力端子とを接続する第1の状態となる(図2参照)。また、PWM信号がLのときには、スイッチ40は、MOSFET20のゲート端子とグランドとを接続する第2の状態となる(図3参照)。なお、ここでは図示を省略するが、例えば、電流制限のため、スイッチ40とゲート端子との間に抵抗を設けてもよい。
演算増幅器30の出力端子と演算増幅器30の反転入力端子との間には電圧降下回路36が設けられている。電圧降下回路36は、MOSFET32及び抵抗34を備えている。MOSFET32のドレイン端子は、電源電圧VDDに接続され、MOSFET32のゲート端子は、演算増幅器30の出力端子に接続され、MOSFET32にソース端子は、抵抗34の一端に接続され、抵抗34の他端は、グランドに接続されている。
演算増幅器30の反転入力端子には、スイッチ42が設けられている。PWM信号がHのときには、スイッチ42は、演算増幅器30の反転入力端子を、MOSFET20のソース端子と抵抗22との間のノードNaに接続する第1の状態となる(図2参照)。また、PWM信号がLのときには、スイッチ42は、演算増幅器30の反転入力端子を、電圧降下回路36のMOSFET32のソース端子と抵抗34との間のノードNsに接続する第2の状態となる(図3参照)。
PWM信号がLのときにノードNsが演算増幅器30の反転入力端子に接続される電圧降下回路36は、演算増幅器30の出力端子から出力された電圧を降下させることが可能な回路である。
電圧降下回路36により、PWM信号がLの期間においても、演算増幅器30の出力端子と反転入力端子との電位差を発生させ、演算増幅器30の出力電圧は、PWM信号がHの期間のときの出力電圧に近い(本実施形態では、ほぼ同一の)レベルが維持される。すなわち、電圧降下回路36により、PWM信号のL/Hを切換える際の演算増幅器30の各端子の電圧の変化が電圧降下回路36を設けない場合と比較して小さくなる。電圧降下回路36の詳細な作用は後述する。
図4に、図2及び図3に示す半導体装置12の各端子の電圧・電流波形の一例を示す。ここでは、以下の条件を仮定している。ただし、下記条件は一例であって、これらに限定するものではない。
・基準電圧VR:0.4[V]
・LED501〜50nを点灯(駆動)させるときの駆動電流ILED:20[mA]
・MOSFET20をオンして駆動電流ILEDを流すときのゲート・ソース間電圧Vgs1:2.1[V]
・抵抗22の抵抗値:2[Ω]
・MOSFET32がオンのときに電圧降下回路36に流れる電流:20[μA]
・MOSFET32をオンして電圧降下回路36に上記電流を流すときのゲート・ソース間電圧Vgs2:2.0[V]
・抵抗34の抵抗値:2[kΩ]
・LED501〜50nを点灯(駆動)させるときの駆動電流ILED:20[mA]
・MOSFET20をオンして駆動電流ILEDを流すときのゲート・ソース間電圧Vgs1:2.1[V]
・抵抗22の抵抗値:2[Ω]
・MOSFET32がオンのときに電圧降下回路36に流れる電流:20[μA]
・MOSFET32をオンして電圧降下回路36に上記電流を流すときのゲート・ソース間電圧Vgs2:2.0[V]
・抵抗34の抵抗値:2[kΩ]
電圧降下回路36により発生する電圧降下(電位差)がVgs2である。なお、本実施形態では、Vgs1とVgs2との差が所定値未満となるよう半導体装置12を構成する。Vgs1とVgs2との差は0に近いほうが望ましいが、ここでは、Vgs1とVgs2との差が0.1Vである場合を例に挙げて説明する。
PWM信号をLからHに切換えると(図4(A)参照)、図2に示すように、スイッチ40が第1の状態とされ、演算増幅器30の出力端子と、MOSFET20のゲート端子とが接続された状態とされる。また、スイッチ42が第1の状態とされるため、演算増幅器30の反転入力端子は、ノードNaに接続された状態となる。また、演算増幅器30の非反転入力端子には、基準電圧VR(0.4[V])が供給され続ける(図4(B)参照)。演算増幅器30は、反転入力端子の電圧が0.4[V]になるよう、出力端子から出力する電圧Voを2.5[V](VR+Vgs1)まで上昇させる(図4(C)参照)。演算増幅器30の出力端子からMOSFET30がオンする電圧がゲート端子に印加されることにより(図4(D)も参照)、LEDアレイ18及び抵抗22に20[mA]の電流が流れ(図4(F)も参照)、演算増幅器30の反転入力端子に入力される電圧が0.4[V]になる(図4(E)も参照)と共に、LED501〜50nが点灯する。
PMW信号をHからLに切換えると(図4(A)参照)、図3に示すように、スイッチ40が第2の状態とされ、演算増幅器30の出力端子は、MOSFET20のゲート端子との接続が絶たれた状態となる(図4(D)参照)。MOSFET20のゲート端子はグランドに接続され、MOSFET20はオフし、LEDアレイ18及び抵抗22に流れる電流がほぼ0[mA]となるため(図4(F)参照)、LEDアレイ18の各LED501〜50nは消灯状態とされる。
一方、PWM信号がLの期間であっても、定電圧回路14の定電圧出力動作は継続されるため、演算増幅器30の非反転入力端子に対する基準電圧VRの供給は継続される(図4(B)参照)。また、スイッチ42が第2の状態とされるため、演算増幅器30の反転入力端子は、電圧降下回路36の電圧出力部位(ノードNs)に接続された状態となる。演算増幅器30の出力端子からMOSFET32をオンする電圧がゲート端子に印加されることにより、電圧降下回路36に20[μA]の電流が流れ、電圧降下が生じて、MOSFET32と抵抗34との間のノードNsに基準電圧VR相当の電圧が発生する。従って、ノードNsに接続された演算増幅器30の反転入力端子には、基準電圧VR相当の電圧0.4[V]が入力され続ける(図4(E)も参照)。演算増幅器30の出力電圧は、基準電圧VRに、ゲート・ソース間電圧Vgs2を加算した電圧VR+Vgs2(2.4[V])となる(図4(C)も参照)。
このように、PWM信号がLの期間においても、演算増幅器30の出力端子と反転入力端子との間に電位差(電圧降下)を発生させる電圧降下回路36を設けたことにより、PWM信号がHの期間における出力電圧と、PWM信号がLの期間における出力電圧とで大きな差が生じない。従って、図4(C)に示すように、PWM信号をLからHに切換えてから演算増幅器30が定常状態に到達するまでの時間trを短くすることができる。
この効果について更に詳細に説明する。従来の構成では、図11に示すように、PWM信号のLからHへの切換え時に、演算増幅器30の出力電圧は、0[V]からVR+Vgs1(上記例では2.5[V])まで変化する時間が必要であった。
一方、上記実施形態に示す構成では、演算増幅器30の出力は、VR+Vgs1からVR+Vgs2までの変化量|Vgs1-Vgs2|(上記例では0.1[V])で済むこととなる。この変化量は、従来例に比べて十分小さい。
ここで、例えば、Vgs1=2.1[V]、Vgs2=2.0[V]、ΔVo/Δt = 1[V/μs]とすると、PWM信号をLからHに切換えてから、演算増幅器30が定常状態に到達するまでの時間trは、0.1[μs]となり、従来例に比べ大幅な短縮となる。すなわち、本実施形態によれば、MOSFET20をオフからオンに切換えるときに、該切換開始から駆動電流ILED(上記例では20[mA])がLEDアレイ18及び抵抗22に流れるまでの時間を従来に比べて短縮することができる。
このように、上記構成によれば、演算増幅器30の出力変化に必要な時間を短縮でき、ひいては、半導体装置12全体の高速化が可能になる。
更にまた、従来の定電流回路では、非反転入力端子、反転入力端子ともに、0[V]入力可能に演算増幅器106を構成する必要があるため、演算増幅器106の設計或いは選択が大きく制限されるが、本実施形態では、PWM信号がLの期間においても、演算増幅器30の反転入力端子及び非反転入力端子に対する入力電圧は0[V]より大きいため、演算増幅器30の設計や選択の制限も従来に比べて緩和される。
なお、上記例では、PWM信号がHの期間においても、MOSFET32のドレイン端子が演算増幅器30の出力端子にそのまま接続された状態にあるため、演算増幅器30に対して該MOSFET32の入力容量が負荷となるが、PWM信号がHの期間においては、電圧降下回路36は、電流や電圧を演算増幅器30に帰還させる経路にはなく、また、上記説明したように、MOSFET32の負荷容量をMOSFET20の負荷容量よりはるかに小さいものとし、電圧降下回路36に流れる電流を駆動電流ILEDに比べて無視できる程度に小さくすることで(上記では、20μA)、半導体装置12全体の動作に大きな影響は出ない。また、PWM信号がHの期間、電圧降下回路36と演算増幅器30の出力端子との接続を電気的に切断するスイッチを設けてもよい。
また、上記例では、演算増幅器30の出力端子にスイッチ40を設け、PWM信号がHからLになったときに、MOSFET20のゲート・ソース間の電圧を0[V]とするよう構成した。この構成は、PWM信号がLの期間は、電流がLED501〜50nに流れず、確実にLED501〜50nを消灯させることができるため望ましい構成であるが、PWM信号がLの期間、演算増幅器30から出力される電圧を、MOSFET32はオンするが、MOSFET20はオンしないレベルとなるよう構成すれば(例えば、Vgs2+VRをMOSFET20の閾値電圧より低めに設定する等)、スイッチ40を設けずにMOSFET20のゲート端子と演算増幅器30の出力端子とが常に接続された構成とすることもできる。
なお、スイッチ40及びスイッチ42の切換え時に、演算増幅器30の反転入力電圧に揺らぎが生じることがあるが、生じたとしてもごく短い時間であり動作上影響はないため、図4(E)には図示していない。
また、上記実施形態では電圧降下回路36をMOSFET32及び抵抗34を用いて構成する例について説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、図5(A)に示すように、2つの抵抗60、62を直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。抵抗60の一端を演算増幅器30の出力端子に接続し、他端を抵抗62の一端に接続する。抵抗62の他端は、グランドに接続する。抵抗60と抵抗62との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。
この電圧降下回路によれば、2つの抵抗による分圧により電圧降下(電位差)を発生させる。抵抗60の抵抗値をR1とし、抵抗62の抵抗値をR2とし、演算増幅器30の出力電圧をVoutとすると、電位差ΔVを以下の式で表わすことができる。
ΔV=Vout*R1/(R1+R2)
また、例えば、図5(B)に示すように、抵抗64と定電流源66とを直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。抵抗64の一端を演算増幅器30の出力端子に接続し、他端を定電流源66に接続する。抵抗64と定電流源66との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。
この電圧降下回路によれば、定電流源66により発生させる電流値と抵抗64の抵抗値とにより、所望の電位差を発生させる。抵抗64の抵抗値をR3とし、定電流源66の電流値をIoとすると、電位差ΔVを以下の式で表わすことができる。
ΔV=R3*Io
定電流源66によりほぼ一定の電流を流すことができるため、動作中はほぼ一定の電位差(ほぼ理想の電位差)を発生させることができ、図5(A)の構成と比べて制御性が良い。
また、例えば、図5(C)に示すように、ダイオード68と抵抗70を直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。ダイオードのアノードを演算増幅器30の出力端子に接続し、カソードを抵抗70の一端に接続する。抵抗70の他端は、グランドに接続する。ダイオード68と抵抗70との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。電圧降下回路に電流を流すときのダイオード68にかかる順方向電圧VFとすると、電位差ΔVは以下の式で表せる。
ΔV≒VF
この電圧降下回路において、電位差ΔVは、ダイオード68にかかる順方向電圧VFにほぼ等しくなる。
また、例えば、図5(D)に示すように、ダイオード72と定電流源74とを直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。ダイオード72のアノードを演算増幅器30の出力端子に接続し、カソードを定電流源74に接続する。ダイオード72と定電流源74との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。
この電圧降下回路によれば、定電流源74によりほぼ一定の電流を流すことができるため、動作中はほぼ一定の電位差(ほぼ理想の電位差)を発生させることができ、図5(C)の構成と比べて制御性が良い。
また、例えば、図6(A)に示すように、nチャンネルのバイポーラトランジスタ76と抵抗78を直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。バイポーラトランジスタ76のコレクタ端子を電源電圧VDDに接続し、ベース端子を演算増幅器30の出力端子に接続し、エミッタ端子を抵抗78の一端に接続する。抵抗78の他端は、グランドに接続する。バイポーラトランジスタ76と抵抗78との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。バイポーラトランジスタ76をオンして電圧降下回路に電流を流すときのベース・エミッタ間電圧をVbeとすると、電位差ΔVは以下の式で表せる。
ΔV≒Vbe
この電圧降下回路において、電位差ΔVは、バイポーラトランジスタ76のベース・エミッタ間電圧Vbeにほぼ等しくなる。
また、例えば、図6(B)に示すように、nチャンネルのバイポーラトランジスタ80と定電流源82とを直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。バイポーラトランジスタ80のコレクタ端子を電源電圧VDDに接続し、ベース端子を演算増幅器30の出力端子に接続し、エミッタ端子を定電流源82に接続する。バイポーラトランジスタ80と定電流源82との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。
この電圧降下回路によれば、定電流源82によりほぼ一定の電流を流すことができるため、動作中は一定の電位差(ほぼ理想の電位差)を発生させることができ、図6(A)の構成と比べて制御性が良い。
また、例えば、図6(C)に示すように、NチャンネルのMOSFET84と定電流源86とを直列に接続して電圧降下回路を構成してもよい。MOSFET84のドレイン端子を電源電圧VDDに接続し、ゲート端子を演算増幅器30の出力端子に接続し、エミッタ端子を定電流源82に接続する。MOSFET84と定電流源86との間のノードNsと、演算増幅器30の反転入力端子とをスイッチ42を介して接続する。
MOSFET84をオンして電圧降下回路に電流を流すときのゲート・ソース間電圧をVgsとすると、電位差ΔVは以下の式で表せる。
ΔV≒Vgs
この電圧降下回路によれば、定電流源86によりほぼ一定の電流を流すことができるため、動作中は一定の電位差(ほぼ理想の電位差)を発生させることができ、図2及び図3で例示した電圧降下回路36の構成と比べて制御性が良い。
上記例示した電圧降下回路の各々により発生させる電位差は、Vgs1に近いほど好ましいが、MOSFET20のVgs1との差が所定値未満(所定値は、0Vより大きく、Vgs1より小さな値)となる電位差とすれば、従来例に比べて時間trを短縮できる。
また、MOSFET20のゲート・ソース間電圧Vgs1に合わせて、上記例示した電圧降下回路のいずれかを複数接続して1つの電圧降下回路として用いてもよいし、上記例示した複数種類の電圧降下回路を組み合わせて用いて1つの電圧降下回路として用いてもよいのはもちろんである。
なお、上記では、半導体装置12を構成するデバイスのうち、LEDアレイ18のカソード側の端部に接続され、オン時にLEDアレイ18に所定の電流を供給する能動素子として、MOSFET20を例に挙げて説明したが、該能動素子はこれに限定されない。例えば、JFET(接合型FET)や、バイポーラトランジスタなどでもよいのはもちろんである。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態のLED駆動システムについて説明する。第2実施形態のLED駆動システムは、第1実施形態のLED駆動システムに含まれる定電流回路の構成を除いては、図1に示した構成と同じ構成であるため、ここでは図示を省略し、第2実施形態に係る定電流回路(以下、符号13を付す)について詳細に説明する。
図7及び図8に、第2実施形態の半導体装置13を含むLED駆動装置の構成を示す。図7は、パルス幅変調回路16から入力されたPWM信号がHのときの回路状態を示し、図8は、パルス幅変調回路16から入力されたPWM信号がLのときの回路状態を示している。
ここで、図7及び図8において、図2及び図3と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
半導体装置13は、MOSFET20を制御する半導体回路25を備えている。半導体回路25は、演算増幅器30、スイッチ90、及びスイッチ92を備えている。スイッチ90及びスイッチ92は、パルス幅変調回路16から入力されるPWM信号により制御される。なお、スイッチ90及びスイッチ92は、一般的な半導体スイッチとすることができる。
スイッチ90とMOSFET20のゲート端子とは、接続端子LGOを介して接続されている。PWM信号がHのときには、スイッチ90は、MOSFET20のゲート端子と演算増幅器30の出力端子とを接続する第1の状態となる(図7参照)。また、PWM信号がLのときには、スイッチ90は、MOSFET20のゲート端子とグランドとを接続する第2の状態となる(図8参照)。なお、ここでは図示を省略するが、例えば、電流制限のため、スイッチ90とゲート端子との間に抵抗を設けてもよい。
演算増幅器30の非反転入力端子には、定電圧回路14から基準電圧VRが供給される。演算増幅器30の反転入力端子には、スイッチ92が設けられている。PWM信号がHのときには、スイッチ92は、演算増幅器30の反転入力端子を、MOSFET20のソース端子と抵抗22との間のノードNaに接続する第1の状態となる(図7参照)。また、PWM信号がLのときには、スイッチ92は、演算増幅器30の反転入力端子を演算増幅器30の出力端子に接続する第2の状態となる(図8参照)。
図9に、図7及び図8に示す半導体装置13の各端子の電圧・電流波形の一例を示す。ここでは、以下の条件を仮定している。ただし、下記条件は一例であって、これらに限定するものではない。
・基準電圧VR:0.4[V]
・LED501〜50nを点灯(駆動)させるときの駆動電流ILED:20[mA]
・MOSFET20をオンして駆動電流ILEDを流すときのゲート・ソース間電圧Vgs1:2.1[V]
・抵抗22の抵抗値:2[Ω]
・LED501〜50nを点灯(駆動)させるときの駆動電流ILED:20[mA]
・MOSFET20をオンして駆動電流ILEDを流すときのゲート・ソース間電圧Vgs1:2.1[V]
・抵抗22の抵抗値:2[Ω]
PWM信号をLからHに切換えると(図9(A)参照)、図7に示すように、スイッチ90が第1の状態とされ、演算増幅器30の出力端子と、MOSFET20のゲート端子とが接続された状態とされる。また、スイッチ92が第1の状態とされるため、演算増幅器30の反転入力端子は、ノードNaに接続された状態となる。また、演算増幅器30の非反転入力端子には、基準電圧VR(0.4[V])が供給され続ける(図9(B)参照)。演算増幅器30は、反転入力端子の電圧が0.4[V]になるよう、出力端子から出力する電圧Voを2.5[V](VR+Vgs1)まで上昇させる(図9(C)参照)。演算増幅器30の出力端子からMOSFET30がオンする電圧がゲート端子に印加されることにより(図9(D)も参照)、LEDアレイ18に20[mA]の電流が流れ(図9(F)も参照)、演算増幅器30の反転入力端子に入力される電圧が0.4[V]になる(図9(E)も参照)と共に、LED501〜50nが点灯する。
PMW信号をHからLに切換えると(図9(A)参照)、図8に示すように、スイッチ90が第2の状態とされ、演算増幅器30の出力端子は、MOSFET20のゲート端子との接続が絶たれた状態となる(図9(D)参照)。MOSFET20のゲート端子はグランドに接続され、MOSFET20はオフし、LED電流がほぼ0[mA]となるため(図9(F)参照)、LEDアレイ18の各LED501〜50nは消灯状態とされる。
また、PWM信号がLの期間であっても、定電圧回路14の定電圧出力動作は継続されるため、演算増幅器30の非反転入力端子に対する基準電圧VR(0.4[V])の供給は継続される(図9(B)参照)。また、スイッチ92が第2の状態とされるため、演算増幅器30の反転入力端子は、演算増幅器30の出力端子に接続された状態となる。これにより、演算増幅器30は利得1の増幅器(ボルテージフォロア)の構成となることから、演算増幅器30の出力端子から出力される電圧、及び演算増幅器30の反転入力端子に入力される電圧は0.4[V]となる(図9(C)、(E)参照)。
このように、PWM信号がLの期間においても、演算増幅器30の非反転入力端子には基準電圧VRが入力され、反転入力端子には基準電圧VR相当の電圧が入力される。従って、演算増幅器30を0[V]入力を可能に構成する必要がなく、演算増幅器30の設計或いは選択上の制限が緩和される。各端子への入力電圧が従来例に比較して大きく変化しないため、動作が安定する。更にまた、演算増幅器30の出力電圧の変化は、VR(0.4[V])からVR+Vsg1(2.5[V])となるため、出力電圧が0[V]からVR+Vsg1(2.5[V])まで変化する従来例(図10、図11参照)に比べて、変化に要する時間tr(図9(C)参照)を短くすることができる。すなわち、本実施形態によれば、MOSFET20をオフからオンに切換えるときに、該切換え開始から駆動電流ILED(上記例では20[mA])がLEDアレイ18及び抵抗22に流れるまでの時間を従来に比べて短縮することができる。
なお、上記では、半導体装置13を構成するデバイスのうち、LEDアレイ18のカソード側の端部に接続され、オン時にLEDアレイ18に所定の電流を供給する能動素子として、MOSFET20を例に挙げて説明したが、該能動素子はこれに限定されない。例えば、JFET(接合型FET)や、バイポーラトランジスタなどでもよいのはもちろんである。
また、上記第1実施形態及び第2実施形態では、LEDアレイに対して所定の電流を供給するための半導体装置を例に挙げて説明したが、所定の電流を供給して駆動させる負荷はLEDに限定されるものではなく、例えば有機EL等、種々の発光素子とすることができる。また、液晶表示装置のバックライトとしてのLEDではなく、例えば照明装置に用いられるLEDや有機EL等の発光素子に対して所定の電流を供給する装置に上記例を適用してもよい。
10 LED駆動装置
12、13 半導体装置
14 定電圧回路
16 パルス幅変調回路
18 LEDアレイ
22 抵抗
24、25 半導体回路
30 演算増幅器
34 抵抗
36 電圧降下回路
40 スイッチ
42 スイッチ
60 抵抗
62 抵抗
64 抵抗
66 定電流源
68 ダイオード
70 抵抗
72 ダイオード
74 定電流源
76 バイポーラトランジスタ
78 抵抗
80 バイポーラトランジスタ
82 定電流源
84 MOSFET
86 定電流源
90 スイッチ
92 スイッチ
12、13 半導体装置
14 定電圧回路
16 パルス幅変調回路
18 LEDアレイ
22 抵抗
24、25 半導体回路
30 演算増幅器
34 抵抗
36 電圧降下回路
40 スイッチ
42 スイッチ
60 抵抗
62 抵抗
64 抵抗
66 定電流源
68 ダイオード
70 抵抗
72 ダイオード
74 定電流源
76 バイポーラトランジスタ
78 抵抗
80 バイポーラトランジスタ
82 定電流源
84 MOSFET
86 定電流源
90 スイッチ
92 スイッチ
Claims (4)
- 第1負荷と、所定の電圧が入力された場合にオンして前記第1負荷を駆動させる所定の電流を流すことが可能な能動素子とが電気的に接続されており、前記能動素子に前記所定の電圧を入力して前記第1負荷の駆動を制御することが可能な半導体回路であって、
基準電圧が入力される第1入力端子と、第2入力端子と、出力端子とを有し、前記第2入力端子に入力される電圧が前記第1入力端子に入力される前記基準電圧に近づくように前記出力端子から第1電圧を出力可能な演算増幅器と、
前記演算増幅器の出力端子から出力された前記第1電圧を降下させて第2電圧を生成可能な電圧降下回路と、
前記能動素子が前記演算増幅器の前記出力端子から出力された前記第1電圧によってオンされる第1期間には、前記能動素子がオンされることにより流れる前記所定の電流に応じた第3電圧を前記演算増幅器の前記第2入力端子に入力させ、前記能動素子がオフされる第2期間には、前記第2電圧を前記第2入力端子に入力させることが可能な入力切換部と、
を備えた半導体回路。 - 前記能動素子は、前記所定の電圧が入力される制御入力端子、前記第1負荷に接続され且つ前記制御入力端子に前記所定の電圧が入力された場合に前記所定の電流を出力する第1電流出力端子、及び前記所定の電流が流れることにより前記第3の電圧を生成可能な第2負荷に接続され且つ前記制御入力端子に前記所定の電圧が入力されたときに前記所定の電流を出力する第2電流出力端子を備え、
前記電圧降下回路により降下する電圧と、前記能動素子をオンして前記所定の電流を前記第1負荷及び前記第2負荷に出力した場合の前記制御入力端子及び前記第2電流出力端子の間の電圧との差が、所定値未満となるように構成した
請求項1に記載の半導体回路。 - 前記第1負荷は、発光素子であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体回路。
- 第1負荷に電気的に接続され、所定の電圧が入力された場合にオンして前記第1負荷を駆動させる所定の電流を流すことが可能な能動素子と、
前記能動素子に電気的に接続され、前記所定の電流が流れることにより第1電圧を生成可能な第2負荷と、
基準電圧が入力される第1入力端子と、第2入力端子と、出力端子とを有し、前記第2入力端子に入力される電圧が前記第1入力端子に入力される前記基準電圧に近づくように前記出力端子から第2電圧を出力可能な演算増幅器と、
前記演算増幅器の出力端子から出力された前記第2電圧を降下させて第3電圧を生成可能な電圧降下回路と、
前記能動素子が前記演算増幅器の前記出力端子から出力された前記第2電圧によってオンされる第1期間には、前記第1電圧を前記演算増幅器の前記第2入力端子に入力させ、前記能動素子がオフされる第2期間には、前記第3電圧を前記第2入力端子に入力させることが可能な入力切換部と、
を備えた半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012096552A JP2013225568A (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 半導体回路、及び半導体装置 |
US13/864,328 US9306554B2 (en) | 2012-04-20 | 2013-04-17 | Semiconductor circuit and semiconductor apparatus |
CN201310137335.3A CN103379687B (zh) | 2012-04-20 | 2013-04-19 | 半导体电路以及半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012096552A JP2013225568A (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 半導体回路、及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225568A true JP2013225568A (ja) | 2013-10-31 |
Family
ID=49379484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012096552A Pending JP2013225568A (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 半導体回路、及び半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9306554B2 (ja) |
JP (1) | JP2013225568A (ja) |
CN (1) | CN103379687B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9815401B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-11-14 | Rohm Co., Ltd. | Apparatus for driving light emitting device |
JP2018518785A (ja) * | 2015-05-22 | 2018-07-12 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | Tof応用例のための高速照明ドライバ |
JP7283819B1 (ja) | 2022-03-16 | 2023-05-30 | Necプラットフォームズ株式会社 | 駆動回路、制御方法、およびプログラム |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102158801B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2020-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치 및 그 구동 방법 |
US9818338B2 (en) * | 2015-03-04 | 2017-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Pre-charge driver for light emitting devices (LEDs) |
US10187940B2 (en) * | 2015-10-02 | 2019-01-22 | Texas Instruments Incorporated | Transmitter architecture for photoplethysmography systems |
US10748486B2 (en) * | 2016-06-20 | 2020-08-18 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
TWI692982B (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-01 | 茂達電子股份有限公司 | 背光裝置及其調光控制方法 |
CN109496017A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-19 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | Led负载驱动电路及其驱动方法 |
CN111210782A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-05-29 | 上海闻泰电子科技有限公司 | 同步整流背光驱动电路、电子设备及方法 |
CN116137752A (zh) * | 2021-11-18 | 2023-05-19 | 三星电子株式会社 | 发光二极管驱动器和包括发光二极管驱动器的背光装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339507A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Rohm Co Ltd | 駆動回路およびそれを備えた携帯情報端末 |
JP2007324416A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sony Corp | 発光ダイオード素子の駆動装置、光源装置、表示装置 |
US20100289424A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-11-18 | Lepower Semiconductor Inc. | Methods and Circuits for LED Drivers and for PWM Dimming Controls |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100697073B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2007-03-20 | 엘지전자 주식회사 | 휴대단말기 및 그 액정화면 보호방법 |
JP2006331982A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Denso Corp | 発光ダイオード駆動装置及びこれを備えた車両用表示装置 |
JP2009135138A (ja) | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Texas Instr Japan Ltd | Led駆動回路 |
JP5193003B2 (ja) | 2008-12-02 | 2013-05-08 | シャープ株式会社 | Led駆動装置及びled駆動制御方法 |
US8330504B2 (en) * | 2011-02-04 | 2012-12-11 | Peregrine Semiconductor Corporation | Dynamic biasing systems and methods |
KR101941286B1 (ko) * | 2011-12-07 | 2019-01-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Led 구동장치 |
-
2012
- 2012-04-20 JP JP2012096552A patent/JP2013225568A/ja active Pending
-
2013
- 2013-04-17 US US13/864,328 patent/US9306554B2/en active Active
- 2013-04-19 CN CN201310137335.3A patent/CN103379687B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339507A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Rohm Co Ltd | 駆動回路およびそれを備えた携帯情報端末 |
JP2007324416A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sony Corp | 発光ダイオード素子の駆動装置、光源装置、表示装置 |
US20100289424A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-11-18 | Lepower Semiconductor Inc. | Methods and Circuits for LED Drivers and for PWM Dimming Controls |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018518785A (ja) * | 2015-05-22 | 2018-07-12 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | Tof応用例のための高速照明ドライバ |
US9815401B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-11-14 | Rohm Co., Ltd. | Apparatus for driving light emitting device |
JP7283819B1 (ja) | 2022-03-16 | 2023-05-30 | Necプラットフォームズ株式会社 | 駆動回路、制御方法、およびプログラム |
JP2023135913A (ja) * | 2022-03-16 | 2023-09-29 | Necプラットフォームズ株式会社 | 駆動回路、制御方法、およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130278166A1 (en) | 2013-10-24 |
CN103379687B (zh) | 2017-04-12 |
US9306554B2 (en) | 2016-04-05 |
CN103379687A (zh) | 2013-10-30 |
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A977 | Report on retrieval |
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