JP2013214661A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トレンチ6の一方の先端面がオフ方向に対して垂直な面、つまり基板表面に対して傾斜した面となるようにしつつ、電界緩和層7を基板垂直方向からのイオン注入によって形成する。これにより、トレンチ6の底部に底部p型層7aを形成できると同時に基板表面に対して傾斜した面にもイオン注入が為され、先端p型層7bを形成できる。したがって、p型ベース領域3やp+型コンタクト層5を介して底部p型層7aをソース電極11に接続するための接続層としての先端p型層7bを底部p型層7aと同時に形成することができる。このため、先端p型層7bの形成のための工程を別途行わなくても済むし、斜めイオン注入のような煩雑なイオン注入を行わなくても良い。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態について説明する。ここではトレンチゲート構造の半導体スイッチング素子として反転型MOSFETが形成されたSiC半導体装置を例に挙げて説明する。
まず、Si面もしくはC面を主表面として、例えばオフ方向が<11−20>とされた所定のオフ角(例えば3.5度)を有するオフ基板にて構成され、窒素等のn型不純物濃度が例えば1.0×1019/cm3で厚さ300μm程度とされたn+型基板1を用意する。このn+型基板1の表面に、窒素等のn型不純物濃度が例えば3.0×1015〜2.0×1016/cm3で厚さ15μm程度のSiCからなるn-型ドリフト層2がエピタキシャル成長させられたエピ基板を用意する。そして、ボロンもしくはアルミニウムなどのp型不純物のイオン注入により、n-型ドリフト層2の表層部に、1.0×1016〜2.0×1019/cm3、厚さ2.0μm程度となるp型ベース領域3を形成する。
続いて、p型ベース領域3の上に、例えばLTO等で構成されるマスク(図示せず)を成膜したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、n+型ソース領域4の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、n型不純物(例えば窒素)をイオン注入する。
p型ベース領域3、n+型ソース領域4およびp+型コンタクト層5の上に、図示しないエッチングマスクを成膜したのち、トレンチ6の形成予定領域においてエッチングマスクを開口させる。具体的には、オフ方向となる<11−20>方向を長手方向とする開口部を形成する。そして、エッチングマスクを用いてトレンチエッチング工程を行うことで、トレンチ6を形成する。これにより、トレンチ6は、長手方向と平行となる両側面がオフ方向と平行な面となり、かつ、両先端面のうちの一方の先端面がオフ方向に対して垂直な面となって形成される。
エッチングマスクを除去したのち、イオン注入用マスク(図示せず)を形成し、このマスクのうちトレンチ6と対応する部分を開口させる。そして、基板垂直方向からp型不純物をイオン注入する。このとき、トレンチ6の底部にp型不純物が注入されるが、これに加えて図6において破線で示したトレンチ6の底面に対して傾斜している一方の先端面にもp型不純物が注入される。逆に、トレンチ6のうちチャネルを形成する側面については、基板表面に対してほぼ垂直とされていることから、p型不純物がほとんど注入されず、p型化することはない。このようにして、底部p型層7aと先端p型層7bとを有する電界緩和層7が形成される。
熱酸化等によるゲート絶縁膜形成工程を行うことにより、トレンチ6内を含む基板表面全面にゲート絶縁膜8を形成する。具体的には、ウェット雰囲気を用いたパイロジェニック法によるゲート酸化(熱酸化)によりゲート絶縁膜8を形成する。続いて、ゲート絶縁膜8の表面にn型不純物をドーピングしたポリシリコン層を例えば600℃の温度下で440nm程度成膜したのち、エッチバック工程等を行うことにより、トレンチ6内にゲート絶縁膜8およびゲート電極9を残す。
上記実施形態では、n-型ドリフト層2の表層部にp型不純物をイオン注入することでp型ベース領域3を形成し、p型ベース領域3の表層部にn型不純物にイオン注入することでn+型ソース領域4を形成してたものを半導体基板として用いた。これに対して、n-型ドリフト層2の表面にエピタキシャル成長によってp型ベース領域3を形成したり、p型ベース領域3の表面にエピタキシャル成長によってn+型ソース領域4しても良い。また、はじめから、n+型基板1の表面にn-型ドリフト層2とp型ベース領域3およびn+型ソース領域4をエピタキシャル成長させてあるトリプルエピ基板を半導体基板として用いても良い。
2 n-型ドリフト層
3 p型ベース領域
4 n+型ソース領域
5 p+型コンタクト層
6 トレンチ
7 電界緩和層
7a 底部p型層
7b 先端p型層
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
11 ソース電極
12 ドレイン電極
Claims (9)
- 第1または第2導電型の炭化珪素基板(1)の主表面上に形成された炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2)上に、炭化珪素からなる第2導電型のベース領域(3)が形成されていると共に、前記ベース領域の上に炭化珪素からなる第1導電型のソース領域(4)が形成された半導体基板が用いられており、前記ベース領域よりも深いトレンチ(6)内にゲート絶縁膜(8)が形成されていると共に該ゲート絶縁膜上にゲート電極(9)が形成されることでトレンチゲート構造が構成され、前記ソース領域および前記ベース領域に対して電気的に接続されたソース電極(11)および前記炭化珪素基板の裏面に電気的に接続されたドレイン電極(12)を有する半導体スイッチング素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板として、一方向をオフ方向とするオフ角を有したオフ基板を用意する工程と、
エッチングにより、前記オフ方向を長手方向とするライン状、かつ、前記ソース領域および前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する形状であり、前記長手方向における両先端面のうちの一方の先端面が前記オフ方向に対して垂直で、かつ、前記半導体基板の主表面に対して傾斜した面となるように前記トレンチを形成するトレンチエッチング工程と、
前記半導体基板の主表面に対する垂直方向から第2導電型不純物をイオン注入することにより、前記トレンチの底部および前記一方の先端面に第2導電型不純物を注入し、前記トレンチの底部に位置する底部層(7a)および前記一方の先端面に位置する先端層(7b)とを有する第2導電型の電界緩和層(7)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板を用意する工程では、前記オフ方向が<11−20>方向であるオフ基板を用意し、
前記トレンチエッチング工程では、前記一方の先端面を{11−20}面とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板を用意する工程では、前記主表面が(0001)面、前記オフ方向が<11−20>方向であるオフ基板を用意し、
前記トレンチエッチング工程では、前記一方の先端面を(11−20)面とすることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板を用意する工程では、前記主表面が(000−1)面、前記オフ方向が<11−20>方向であるオフ基板を用意し、
前記トレンチエッチング工程では、前記一方の先端面を(−1−120)面とすることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチエッチング工程では、前記トレンチの底面に対して前記一方の先端面が成す角度(θ)が該トレンチのうち前記長手方向と平行な側面が成す角度よりも小さくなるようにすることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素からなり、一方向をオフ方向とするオフ角を有したオフ基板にて構成された第1または第2導電型の基板(1)と、
前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層の上に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)と、
前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるソース領域(4)と、
前記オフ方向を長手方向とするライン状、かつ、前記ソース領域および前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に達する形状であり、前記長手方向における両先端面のうちの一方の先端面が前記オフ方向に対して垂直で、かつ、前記半導体基板の主表面に対して傾斜した面となるトレンチ(6)と、
イオン注入によって形成され、前記トレンチの底部および前記一方の先端面にのみ形成され、前記トレンチの底部に形成された底部層(7a)と前記トレンチの前記先端面に形成された先端層(7b)とによって構成された第2導電型の炭化珪素からなる電界緩和層(7)と、
前記電界緩和層上において前記トレンチの内壁面に形成されたゲート絶縁膜(8)と、
前記トレンチ内において、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(9)と、
前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されたソース電極(11)と、
前記基板の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とを備え、
前記ゲート電極への印加電圧を制御することで前記トレンチの側面に位置する前記ベース領域の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域および前記ドリフト層を介して、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に電流を流す反転型のトレンチゲート構造の半導体スイッチング素子を有してなることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記基板は、前記オフ方向が<11−20>方向であるオフ基板であり、
前記一方の先端面は、{11−20}面であることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記基板は、前記主表面が(0001)面、前記オフ方向が<11−20>方向であるオフ基板であり、
前記一方の先端面は、(11−20)面であることを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記基板は、前記主表面が(000−1)面、前記オフ方向が<11−20>方向であるオフ基板であり、
前記一方の先端面は、(−1−120)面であることを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素半導体装置。
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---|---|
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014122919A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
WO2015060441A1 (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体パッケージ |
WO2015145412A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2016136618A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-07-28 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | ストライプ状トレンチゲート構造、トランジスタメサおよびダイオードメサを有する半導体素子 |
JP2018046197A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング装置とその製造方法 |
EP3367443A1 (en) * | 2017-02-27 | 2018-08-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
CN109661728A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-19 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
US10304950B2 (en) | 2016-12-07 | 2019-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019087612A (ja) * | 2017-11-06 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019087736A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US10586862B2 (en) | 2015-08-11 | 2020-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US10586845B1 (en) | 2018-11-16 | 2020-03-10 | Infineon Technologies Ag | SiC trench transistor device and methods of manufacturing thereof |
JP2020077736A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10700192B2 (en) | 2014-12-03 | 2020-06-30 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device having a source electrode contact trench |
US10903322B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-01-26 | Infineon Technologies Ag | SiC power semiconductor device with integrated body diode |
US10950696B2 (en) | 2018-02-22 | 2021-03-16 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide semiconductor component |
JP2021048231A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10985248B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-04-20 | Infineon Technologies Ag | SiC power semiconductor device with integrated Schottky junction |
US11011606B2 (en) | 2018-10-08 | 2021-05-18 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component having a SiC semiconductor body and method for producing a semiconductor component |
WO2021124800A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
US11101343B2 (en) | 2018-05-07 | 2021-08-24 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide field-effect transistor including shielding areas |
JP7472090B2 (ja) | 2021-09-15 | 2024-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007280978A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008016747A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | トレンチmos型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009130069A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2010034381A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Denso Corp | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
JP2011157231A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Nichia Corp | 窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板の製造方法 |
WO2012026089A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 | SiC半導体素子 |
-
2012
- 2012-04-03 JP JP2012084913A patent/JP5776610B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007280978A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008016747A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | トレンチmos型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009130069A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2010034381A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Denso Corp | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
JP2011157231A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Nichia Corp | 窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板の製造方法 |
WO2012026089A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 | SiC半導体素子 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9741797B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
US10510843B2 (en) | 2013-02-05 | 2019-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
WO2014122919A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
WO2015060441A1 (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体パッケージ |
WO2015145412A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2015192028A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US10700192B2 (en) | 2014-12-03 | 2020-06-30 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device having a source electrode contact trench |
US10304953B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-05-28 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures, transistor mesas and diode mesas |
JP2016136618A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-07-28 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | ストライプ状トレンチゲート構造、トランジスタメサおよびダイオードメサを有する半導体素子 |
US10714609B2 (en) | 2014-12-22 | 2020-07-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures, transistor mesas and diode mesas |
US10586862B2 (en) | 2015-08-11 | 2020-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
CN109661728A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-19 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
CN107833921B (zh) * | 2016-09-15 | 2021-06-18 | 丰田自动车株式会社 | 开关器件和制造开关器件的方法 |
CN107833921A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 丰田自动车株式会社 | 开关器件和制造开关器件的方法 |
JP2018046197A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング装置とその製造方法 |
US10304950B2 (en) | 2016-12-07 | 2019-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2018142578A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | トヨタ自動車株式会社 | Mosfet |
EP3367443A1 (en) * | 2017-02-27 | 2018-08-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
KR20180099496A (ko) * | 2017-02-27 | 2018-09-05 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 |
KR102053661B1 (ko) * | 2017-02-27 | 2019-12-09 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 |
JP2019087612A (ja) * | 2017-11-06 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019087736A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7247514B2 (ja) | 2017-11-09 | 2023-03-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11742391B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-08-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component having a diode structure in a SiC semiconductor body |
US10950696B2 (en) | 2018-02-22 | 2021-03-16 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide semiconductor component |
US11626477B2 (en) | 2018-05-07 | 2023-04-11 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide field-effect transistor including shielding areas |
US11101343B2 (en) | 2018-05-07 | 2021-08-24 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide field-effect transistor including shielding areas |
US11600701B2 (en) | 2018-10-08 | 2023-03-07 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component having a SiC semiconductor body |
US11011606B2 (en) | 2018-10-08 | 2021-05-18 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component having a SiC semiconductor body and method for producing a semiconductor component |
JP7119922B2 (ja) | 2018-11-07 | 2022-08-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP2020077736A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US11462611B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-10-04 | Infineon Technologies Ag | SiC device with channel regions extending along at least one of the (1-100) plane and the (-1100) plane and methods of manufacturing thereof |
US10985248B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-04-20 | Infineon Technologies Ag | SiC power semiconductor device with integrated Schottky junction |
US10903322B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-01-26 | Infineon Technologies Ag | SiC power semiconductor device with integrated body diode |
US10896952B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-01-19 | Infineon Technologies Ag | SiC device and methods of manufacturing thereof |
US10586845B1 (en) | 2018-11-16 | 2020-03-10 | Infineon Technologies Ag | SiC trench transistor device and methods of manufacturing thereof |
JP2021048231A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
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