JP2013211430A - 半導体装置、半導体ウエハ、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、半導体ウエハ、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体素子30と、半導体素子30の表面に立設された複数のカーボンナノチューブ15と、半導体素子30の表面とカーボンナノチューブ15の側面とを覆い、かつ、カーボンナノチューブ15の先端15bが表出する上面27aを備えた樹脂27とを有する半導体装置による。
【選択図】図11
Description
本実施形態では、カーボンナノチューブを放熱パスに利用することで、半導体装置で発生した熱をそのカーボンナノチューブを介して外部に速やかに放熱し、半導体装置の放熱効率を高める。
前記半導体素子の表面に立設された複数のカーボンナノチューブと、
前記半導体素子の前記表面と前記カーボンナノチューブの側面とを覆い、かつ、前記カーボンナノチューブの先端が表出する上面を備えた樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
前記被覆膜の上に前記樹脂が設けられたことを特徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置。
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面に形成された半導体回路層とを有し、
前記半導体回路層の上に前記カーボンナノチューブが立設されたことを特徴とする付記1乃至付記8のいずれかに記載の半導体装置。
前記半導体基板の他方の主面に形成され、かつ、前記貫通電極と電気的に接続されたパッドと、
前記パッドの上に設けられた端子とを更に有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置。
前記半導体基板に形成された複数の半導体素子と、
複数の前記半導体素子の各々の表面に立設された複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記半導体素子の各々の前記表面と前記カーボンナノチューブの側面とを覆い、かつ、前記カーボンナノチューブの先端が表出する上面を備えた樹脂と、
を有することを特徴とする半導体ウエハ。
半導体素子の表面に、複数の前記カーボンナノチューブの他方の先端を当接させる工程と、
前記他方の先端が前記半導体素子の前記表面に当接した状態で、前記半導体素子の前記表面と前記プレートの前記表面との間に樹脂を供給する工程と、
前記樹脂を供給する工程の後、複数の前記カーボンナノチューブの前記一方の先端から前記プレートを剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記プレートを剥離する工程の前に、前記粘着剤を加熱することにより、該粘着剤の粘着力を弱める工程を更に有することを特徴とする付記12乃至付記15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記粘着剤の粘着力を弱める工程において、前記樹脂を加熱して熱硬化させることを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
前記複数のカーボンナノチューブの一方の前記先端を前記プレートの前記表面に固着する工程において、前記プレートの前記表面において前記複数の半導体素子の各々に対応する複数の一部領域に選択的に前記カーボンナノチューブを固着することを特徴とする付記12乃至付記17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂を供給する工程において、前記孔から前記樹脂の供給を行うことを特徴とする付記12乃至付記18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
一方の前記先端を前記プレートの前記表面に固着する工程は、前記基板に前記プレートを近接させることにより行われ、
前記一方の先端を前記プレートの前記表面に固着する工程の後、前記プレートを前記基板から離すことにより、複数の前記カーボンナノチューブの他方の前記先端を前記基板から引き剥がすことを特徴とする付記12乃至付記19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (10)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の表面に立設された複数のカーボンナノチューブと、
前記半導体素子の前記表面と前記カーボンナノチューブの側面とを覆い、かつ、前記カーボンナノチューブの先端が表出する上面を備えた樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記カーボンナノチューブと前記半導体素子の前記表面とが直接接続されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記カーボンナノチューブの前記側面を覆う被覆膜を更に有し、
前記被覆膜の上に前記樹脂が設けられたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記樹脂の前記上面と前記カーボンナノチューブの前記先端の各々の上に放熱部材が設けられたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された複数の半導体素子と、
複数の前記半導体素子の各々の表面に立設された複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記半導体素子の各々の前記表面と前記カーボンナノチューブの側面とを覆い、かつ、前記カーボンナノチューブの先端が表出する上面を備えた樹脂と、
を有することを特徴とする半導体ウエハ。 - 複数のカーボンナノチューブの一方の先端をプレートの表面に固着する工程と、
半導体素子の表面に、複数の前記カーボンナノチューブの他方の先端を当接させる工程と、
前記他方の先端が前記半導体素子の前記表面に当接した状態で、前記半導体素子の前記表面と前記プレートの前記表面との間に樹脂を供給する工程と、
前記樹脂を供給する工程の後、複数の前記カーボンナノチューブの前記一方の先端から前記プレートを剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体素子の前記表面に、複数の前記カーボンナノチューブの他方の前記先端を当接させる工程の前に、前記カーボンナノチューブの側面と一方の前記先端とに被覆膜を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プレートを剥離する工程の後、前記樹脂を研磨することにより、該樹脂の上面に一方の前記先端を表出させる工程を更に有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プレートの前記表面に、複数の前記カーボンナノチューブの一方の前記先端を固着する工程は、熱剥離性を有する粘着剤を介して一方の前記先端を前記プレートの前記表面に固着することにより行われると共に、
前記プレートを剥離する工程の前に、前記粘着剤を加熱することにより、該粘着剤の粘着力を弱める工程を更に有することを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂として熱硬化性樹脂を使用すると共に、
前記粘着剤の粘着力を弱める工程において、前記樹脂を加熱して熱硬化させることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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