JP2013211364A - ウェーハの収容方法 - Google Patents

ウェーハの収容方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013211364A
JP2013211364A JP2012079786A JP2012079786A JP2013211364A JP 2013211364 A JP2013211364 A JP 2013211364A JP 2012079786 A JP2012079786 A JP 2012079786A JP 2012079786 A JP2012079786 A JP 2012079786A JP 2013211364 A JP2013211364 A JP 2013211364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
modified layer
cassette
division line
division
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012079786A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Nakamura
勝 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2012079786A priority Critical patent/JP2013211364A/ja
Priority to TW102105844A priority patent/TW201344827A/zh
Priority to KR1020130030278A priority patent/KR20130111330A/ko
Priority to CN2013100961818A priority patent/CN103367212A/zh
Publication of JP2013211364A publication Critical patent/JP2013211364A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成されたウェーハをカセットに収容し搬送する場合において、ウェーハが割れないようにする。
【解決手段】ウェーハの出し入れを許容する開口部90と、開口部90の両側部に設けられた一対の側壁91と、一対の側壁91の内側の面に対向して形成され開口部90から背部95にかけて設けられた支持棚92とを少なくとも備えたカセット9に、交差する分割予定ラインLに沿って改質層8が形成されたウェーハを収容する場合において、分割予定ラインLの方向が支持棚92に交差するようにウェーハWを収容することにより、ウェーハWの自重が分割予定ラインLに集中しないようにして、カセット9の搬送中等にウェーハWが割れるのを防ぐ。
【選択図】図7

Description

本発明は、レーザー光の照射により内部に改質層が形成されたウェーハをカセットに収容する方法に関する。
IC、LSI、LED等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成されたウェーハは、分割予定ラインに沿って切断されて個々のデバイスに分割され、各種電子機器等に利用されている。
ウェーハを個々のデバイスに分割する方法として、ウェーハに対して透過性を有する波長を有するレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に合わせて照射することにより改質層を形成し、その後、改質層に対して外力を加えることにより個々のデバイスに分割する技術が提案され、実用に供されている(例えば、特許文献1参照)。レーザー光線の照射時は、ウェーハの表面側に形成されたデバイスが邪魔になることから、ウェーハの裏面側からレーザー光を照射している。
特許第3408805号公報
しかし、分割予定ラインの内部に改質層が形成されたウェーハは、分割予定ラインに沿って割れやすい状態となっているため、ウェーハをカセットに収容する際や、ウェーハが収容されたカセットを、ウェーハをデバイスに分割する分割工程やウェーハの裏面を研削する研削工程に搬送する際に、ウェーハが割れることがあるという問題がある、
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成されたウェーハをカセットに収容し搬送する場合において、ウェーハが割れないようにすることを課題とする。
本発明は、複数の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハをカセットに収容するウェーハの収容方法に関するもので、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、分割予定ラインの内部に集光点を位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウェーハの出し入れを許容する開口部と、開口部の両側部に設けられた一対の側壁と、一対の側壁の内側の面に対向して形成され開口部から背部にかけて設けられた支持棚とを少なくとも備えたカセットに、分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウェーハを収容する収容工程とを含み、収容工程において、分割予定ラインの方向が支持棚に交差するようにウェーハを収容することを特徴とする。
収容工程においては、ウェーハに形成された分割予定ラインの方向が支持棚に対して45度の角度で交差するようにウェーハを収容することが望ましい。
本発明では、複数の交差する分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウェーハをカセットに収容する収容工程において、支持棚がのびる方向に対して分割予定ラインの方向が交差するようにウェーハを収容することにより、ウェーハの自重が分割予定ラインに集中しないようにしたため、カセットの搬送中等にウェーハが割れるのを防ぐことができる。特に、分割予定ラインの方向が支持棚に対して45度の角度で交差するようにウェーハをカセットに収容すると、ウェーハの自重による曲げモーメントが交差する分割予定ラインに対して最小となり、より確実にウェーハの割れを防止することができる。
ウェーハ及び保護テープを示す分解斜視図である。 ウェーハの表面に保護テープが貼着された状態を示す斜視図である。 レーザー加工装置の一例を示す斜視図である。 ウェーハの内部に改質層を形成する状態を示す断面図である。 ウェーハの内部に改質層を形成する状態を示す斜視図である。 ウェーハの内部に改質層が形成されたウェーハを示す斜視図である。 ウェーハをカセットに収容する状態を示す斜視図である。 ウェーハをカセットに収容する状態を示す平面図である。 ウェーハの裏面を研削する状態を示す斜視図である。 ウェーハの裏面を拡張テープに貼着し保護テープをウェーハの裏面から剥離する状態を示す斜視図である。 ウェーハを分割する状態を示す断面図である。
図1に示すウェーハWの表面W1には、複数の交差する分割予定ラインLが形成され、分割予定ラインLによって区画された領域にデバイスDが形成されている。以下では、このウェーハWを分割予定ラインLに沿って個々のデバイスDに分割し、分割されたウェーハWをカセットに収容する方法について説明する。
(1)改質層形成工程
図1に示すウェーハWの表面W1には保護テープT1が貼着され、図2に示すように、表面W1に形成されたデバイスDが保護テープT1によって保護され、裏面W2が露出した状態となる。なお、図2は、ウェーハWの表面W1に保護テープT1を貼着してから裏返した状態を示している。このようにして表面W1に保護テープT1が貼着されたウェーハWの分割予定ラインLの内部に、例えば図3に示すレーザー加工装置1を用いて改質層を形成する。
レーザー加工装置1は、ウェーハを保持する保持手段2と、ウェーハに対してレーザー光線を照射する加工手段3とを備えている。
保持手段2は、保持手段X方向送り部4によってX軸方向に移動可能に支持されているとともに、保持手段Y方向送り部5によってY軸方向に移動可能に支持されている。一方、加工手段3は、加工手段Y方向送り部6によってY軸方向に移動可能に支持されているとともに、加工手段Z方向送り部7によってZ軸方向に移動可能に支持されている。
保持手段X方向送り部4は、X軸方向の軸心を有するボールネジ40と、ボールネジ40に平行に配設された一対のガイドレール41と、ボールネジ40の一端に連結されたモータ42と、ボールネジ40に螺合するナットを内部に有するとともに下部がガイドレール41に摺接するスライド部43とから構成され、モータ42に駆動されてボールネジ40が回動するのに伴い、スライド部43がガイドレール41上をX軸方向に摺動する構成となっている。
スライド部43には、保持手段2をY軸方向に移動させる保持手段Y方向送り部5が配設されている。保持手段Y方向送り部5は、Y軸方向の軸心を有するボールネジ50と、ボールネジ50に平行に配設された一対のガイドレール51と、ボールネジ50の一端に連結されたパルスモータ52と、ボールネジ50に螺合するナットを内部に有するとともに下部がガイドレール51に摺接する移動基台53とから構成され、パルスモータ52に駆動されてボールネジ50が回動するのに伴い、移動基台53がガイドレール51上をY軸方向に摺動する構成となっている。移動基台53には、パルスモータを内部に備え保持手段2を回転させる回転駆動部54が配設されている。
加工手段Y方向送り部6は、Y軸方向の軸心を有するボールネジ60と、ボールネジ60に平行に配設された一対のガイドレール61と、ボールネジ60の一端に連結されたパルスモータ62と、ボールネジ60に螺合するナットを内部に有するとともに下部がガイドレール61に摺接するスライド部63とから構成され、パルスモータ62に駆動されてボールネジ60が回動するのに伴い、スライド部63がガイドレール61上をY軸方向に摺動し、これに伴い加工手段3もY軸方向に移動する構成となっている。
加工手段Z方向送り部7は、Z軸方向の軸心を有するボールネジ70と、ボールネジ70に平行に配設された一対のガイドレール71と、ボールネジ70の一端に連結されたパルスモータ72と、ボールネジ70に螺合するナットを内部に有するとともに側部がガイドレール71に摺接し加工手段3を支持する昇降部73とから構成され、パルスモータ72に駆動されてボールネジ70が回動するのに伴い昇降部73がガイドレール71にガイドされてZ軸方向に昇降し、これに伴い加工手段3もZ軸方向に昇降する構成となっている。
加工手段3は、レーザー光を下方に向けて照射するレーザー光照射ヘッド30を備えており、レーザー光照射ヘッド30は、ハウジング31の先端部に固定されている。また、ハウジング31の側部には、ウェーハを撮像してレーザー光を照射すべき位置を検出する検出手段32が配設されている。検出手段32は、例えば赤外線カメラ32aを備えている。
レーザー加工装置1において、表面W1に保護テープT1が貼着されたウェーハWは、裏面W2側を上方に露出させ、保護テープT1側が保持手段2に吸引保持される。
ウェーハWを保持した保持手段2は、図1に示した保持手段X方向送り部4によって駆動されてX軸方向に移動し、ウェーハWが検出手段32の直下に位置付けされる。そして、赤外線カメラ32aによる撮像及びパターンマッチング等の処理によって、表面W1に形成された分割予定ラインLが検出され、レーザー光照射ヘッド30と、検出された分割予定ラインLとのY軸方向の位置合わせが行われる。
レーザー光照射ヘッド30と分割予定ラインLとの位置合わせがなされると、保持手段X方向送り部4によって保持手段2をX軸方向に移動させながら、検出された分割予定ラインLに対してレーザー光照射ヘッド30からレーザー光30aを照射する。このとき、図4に示すように、レーザー光30aの集光点がウェーハWの内部に位置するように照射を行うと、X軸方向に平行な分割予定ラインLに沿ってウェーハWの内部に改質層8が形成される。なお、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性のいずれかがその周囲とは異なる状態となった層のことをいう。
図5に示すように、このようにして行うレーザー光の照射を、加工手段3をY軸方向に送りながら、同方向のすべての分割予定ラインLについて行った後、保持手段2を90度回転させてから同様にレーザー光の照射を行うと、図6に示すように、すべての分割予定ラインLに沿って改質層8が形成される。なお、レーザー光照射時の加工条件は、例えば以下のとおりとする。
波長 :1300[nm]
平均出力 :1[W]
繰り返し周波数 :90[kHz]
パルス幅 :10[ps]
スポット径 :1[μm]
(2)収容工程
改質層8が形成されたウェーハWは、図7に示すカセット9に収容される。このカセット9は、ウェーハWの出し入れを許容する出入り口となる開口部90と、開口部90の両側部に立設された一対の側壁91と、一対の側壁91の内側の面に対向して形成され開口部90からカセット9の背部95にかけてのびる支持棚92と、一対の側壁91の上部の間に架設された天板93と、天板93の上面に設けられた把持部94とを備えている。
支持棚92は、側壁91の内側の面を水平方向に切り欠いて凹状に形成された複数の溝92aによって構成されており、各溝92aにおいて、ウェーハWの外周部を支持することができる。
ウェーハWは、開口部90から各溝92aに挿入する。図7に示すように、挿入方向であるA方向、すなわち支持棚92が開口部90から背部95にかけてのびる方向に対して分割予定ラインLが交差するように、ウェーハWをカセット9に収容する。
ウェーハWのカセット9への収容時には、例えば図8に示す保持部材95によってウェーハWが保持される。この保持部材95は、2つのフィンガー950とこれらを連結する基部951とによって形成され、2つのフィンガー950及び基部951の上面には、ウェーハWを吸引する吸引部952を備えている。
ウェーハWが保持部材95によって下方から支持され吸引部952によって吸引された状態で、保持部材95がカセット9の開口部90から内部に進入し、吸引部952による吸引を解除するとともに保持部材95を降下させると、ウェーハWの外周部が支持棚92に支持される。支持棚92に収容されたウェーハWには、支持棚92の長手方向に沿ってウェーハWの自重が支えられ、曲げモーメントは支持棚92に直交する方向に働くことになる。
ここで、保持部材95の内部に形成された改質層8は、分割予定ラインLに沿って形成されているため、仮に、分割予定ラインLの方向と支持棚92の長手方向とが平行であるとすると、改質層8にウェーハWの自重による曲げモーメントが集中し、ウェーハWが分割予定ラインLに沿って割れるおそれがある。しかし、図7及び図8に示すように、支持棚92がのびる方向に対して分割予定ラインLが交差するようにウェーハWを収容しているため、ウェーハWの自重による曲げモーメントが分割予定ラインLに集中せず、支持棚92がのびる方向、すなわちウェーハWの支持方向と、自重が集中する方向とがずれているため、ウェーハWが分割予定ラインLに沿って割れにくい。特に、図8に示すように、分割予定ラインLの方向と支持棚92がのびる方向とが交差してなす角θが45度となるようにウェーハWを収容すると、支持棚92の方向に対して平行にウェーハを収容する場合と比較して、分割予定ラインLに作用する曲げモーメントが
[数1]
Figure 2013211364
となり、90度の角度で交差する分割予定ラインLに対して曲げモーメントを最小にすることができるため、より確実にウェーハWの割れを防止することができる。このようにしてウェーハWがカセット9に収容されると、カセット9は、後の研削工程や分割工程に搬送される際に、ウェーハWが割れるのを防ぐことができる。
(3)研削工程
研削工程では、例えば図9に示す研削装置10を用いることができる。研削装置10は、ウェーハWを保持して回転可能なチャックテーブル100と、ウェーハに研削を施す研削手段101とを備えている。研削手段101は、回転軸102の下端にマウント103を介して研削ホイール104が装着されて構成され、研削ホイール104の下面には研削砥石104aが複数固着されている。
内部に改質層8が形成されたウェーハWは、図7に示したカセット9から取り出され、保護テープT1側がチャックテーブル100に吸引保持される。そして、チャックテーブル100が矢印B方向に例えば300[RPM]の回転速度で回転するとともに、研削手段101が矢印C方向に例えば6000[RPM]回転速度で回転し、研削手段101が例えば1[μm/s]の速度で降下することにより、ウェーハWの裏面W2が研削される。そして、ウェーハWが所定の厚さに形成されると、研削手段1を上昇させて研削を終了する。そして、研削の際にウェーハWは改質層8が形成された分割予定ラインLによって個々のデバイスに分割される。
(4)分離工程
図10に示すように、研削されたウェーハWの裏面W2側を拡張テープT2に貼着する。拡張テープT2の周縁部には、リング状のフレームFが貼着されている。また、保護テープT1をウェーハWの表面W1から剥離する。そうすると、ウェーハWが拡張テープT2を介してフレームFに支持された状態となる。
次に、図11に示すウェーハ拡張装置11を用いてウェーハWを分割予定ラインLに沿って分離する。ウェーハ拡張装置11は、ウェーハを保持する保持テーブル110と、フレームFを支持するフレーム保持部111とを備えており、保持テーブル110とフレーム保持部111とは相対的に昇降可能となっている。フレーム保持部111は、フレームFを下方から支持するテーブル部111aと、テーブル部111aに載置されたフレームFを上方から押さえる押さえ部111bとを備えている。
拡張テープT2のうち、ウェーハWに貼着された部分を保持テーブル110に載置し、フレームFに貼着された部分をフレーム保持部111のテーブル部111aに載置し、押さえ部111bによってフレームFを押さえる。そして、フレーム保持部111に対して保持テーブル110を相対的に上昇させると、拡張テープT2が水平方向に伸張され、ウェーハWも同方向に引っ張られるため、個々のデバイスDに分離される。なお、研削工程を実施しない場合は、分離工程において、ウェーハは、改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割される。
1:レーザー加工装置
2:保持手段
3:加工手段
30:レーザー光照射ヘッド 31:ハウジング 32:検出手段
4:保持手段X方向送り部
40:ボールネジ 41:ガイドレール 42:モータ 43:スライド部
5:保持手段Y方向送り部
50:ボールネジ 51:ガイドレール 52:パルスモータ 53:移動基台
54:回転駆動部
6:加工手段Y方向送り部
60:ボールネジ 61:ガイドレール 62:パルスモータ 63:スライド部
7:加工手段Z方向送り部
70:ボールネジ 71:ガイドレール 72:パルスモータ 73:昇降部
8:改質層
9:カセット
90:開口部 91:側壁 92:支持棚 92a:溝 93:天板 94:把持部
95:保持部材
10:研削装置
100:チャックテーブル 101:研削手段 102:マウント
103:研削ホイール 103a:研削砥石
11:ウェーハ拡張装置
110:保持テーブル
111:フレーム保持部 111a:テーブル部 111b:押さえ部
W:ウェーハ
W1:表面 L:分割予定ライン D:デバイス
W2:裏面
T1:保護テープ T2:拡張テープ F:フレーム

Claims (2)

  1. 複数の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハをカセットに収容するウェーハの収容方法であって、
    ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、分割予定ラインの内部に集光点を位置付けて照射し、該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
    ウェーハの出し入れを許容する開口部と、該開口部の両側部に設けられた一対の側壁と、該一対の側壁の内側の面に対向して形成され該開口部から背部にかけて設けられた支持棚とを少なくとも備えたカセットに、該分割予定ラインに沿って改質層が形成されたウェーハを収容する収容工程と、
    を含み、
    該収容工程において、該分割予定ラインの方向が該支持棚に交差するように該ウェーハを収容するウェーハの収容方法。
  2. 前記収容工程において、前記ウェーハに形成された分割予定ラインの方向が該支持棚に対して45度の角度で交差するようにウェーハを収容する
    請求項1に記載のウェーハの収容方法。
JP2012079786A 2012-03-30 2012-03-30 ウェーハの収容方法 Pending JP2013211364A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012079786A JP2013211364A (ja) 2012-03-30 2012-03-30 ウェーハの収容方法
TW102105844A TW201344827A (zh) 2012-03-30 2013-02-20 晶圓之收納方法
KR1020130030278A KR20130111330A (ko) 2012-03-30 2013-03-21 웨이퍼의 수용 방법
CN2013100961818A CN103367212A (zh) 2012-03-30 2013-03-25 晶片收纳方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012079786A JP2013211364A (ja) 2012-03-30 2012-03-30 ウェーハの収容方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013211364A true JP2013211364A (ja) 2013-10-10

Family

ID=49368287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012079786A Pending JP2013211364A (ja) 2012-03-30 2012-03-30 ウェーハの収容方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2013211364A (ja)
KR (1) KR20130111330A (ja)
CN (1) CN103367212A (ja)
TW (1) TW201344827A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016072277A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2018199066A1 (ja) * 2017-04-25 2018-11-01 川崎重工業株式会社 シート搬送装置及びシート搬送方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028183A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ収納方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10022812A1 (de) * 2000-05-10 2001-11-22 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Verkehrslagebestimmung auf Basis von Meldefahrzeugdaten für ein Verkehrsnetz mit verkehrsgeregelten Netzknoten
US8882914B2 (en) * 2004-09-17 2014-11-11 Intermolecular, Inc. Processing substrates using site-isolated processing
JP5373517B2 (ja) * 2009-09-14 2013-12-18 株式会社ディスコ 搬送機構および加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028183A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ収納方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016072277A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2018199066A1 (ja) * 2017-04-25 2018-11-01 川崎重工業株式会社 シート搬送装置及びシート搬送方法
JP2018183834A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 川崎重工業株式会社 シート搬送装置及びシート搬送方法
US11478938B2 (en) 2017-04-25 2022-10-25 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Sheet conveying device and sheet conveying method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201344827A (zh) 2013-11-01
CN103367212A (zh) 2013-10-23
KR20130111330A (ko) 2013-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102368338B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102384101B1 (ko) 웨이퍼의 박화 방법
KR102336955B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2010021398A (ja) ウェーハの処理方法
JP2016062949A (ja) SiCのスライス方法
KR102322716B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20140105375A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102289802B1 (ko) 정전 척 테이블, 레이저 가공 장치 및 피가공물의 가공 방법
JP2011156582A (ja) Co2レーザによる分割方法
JP6147982B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR20130142926A (ko) 레이저 가공 장치
JP5595056B2 (ja) 環状凸部除去装置
KR20170049397A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102084269B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법
JP5357669B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR20140136875A (ko) 레이저 가공 장치
JP2013211364A (ja) ウェーハの収容方法
JP2011187829A (ja) レーザー加工溝の確認方法
JP2012160515A (ja) 被加工物の加工方法
JP2014212282A (ja) ウェーハの加工方法
JP2014027007A (ja) ウエーハの加工方法及び環状凸部除去装置
JP2012104778A (ja) 光デバイスウエーハの分割方法
JP2016207820A (ja) ウエーハの加工方法
KR20200085647A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP5508133B2 (ja) 板状物の分割装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150225

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20150427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150811

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150813

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160105