JP2013191594A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】固体撮像装置のS/N比を向上可能とする。
【解決手段】半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で第1領域の隣に位置する第2領域に、フォトダイオードで発生した光発生電荷を検出する検出トランジスターを形成する固体撮像装置の製造方法であって、第1領域に、フォトダイオードを構成する第1導電型の第1拡散層及び第1拡散層よりも第1面の近くに位置する第2導電型の第2拡散層と、半導体基板の第1面に位置する第1導電型の第3拡散層と、を形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、工程(a)の後に、検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で第1領域の隣に位置する第2領域に、フォトダイオードで発生した光発生電荷を検出する検出トランジスターを形成する固体撮像装置の製造方法であって、第1領域に、フォトダイオードを構成する第1導電型の第1拡散層及び第1拡散層よりも第1面の近くに位置する第2導電型の第2拡散層と、半導体基板の第1面に位置する第1導電型の第3拡散層と、を形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、工程(a)の後に、検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関する。
イメージセンサーとして用いられる固体撮像装置として、CCD(Charge Coupled Device)型、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型の固体撮像装置に代わって、閾値変調型の固体撮像装置が提案されている。閾値変調型の固体撮像装置は、半導体基板にマトリクス状に配列された複数の画素を備えており、各画素は、1つのフォトダイオードと、1つのトランジスターと、を含んでいる。
閾値変調型の固体撮像装置の各画素において、フォトダイオードは、入射光の強度に応じて光発生電荷(ホール又は電子)を発生させる。発生した電荷は、トランジスターの閾値電圧を変化させる。トランジスターの閾値電圧の変化は、トランジスターの飽和領域動作時のソース電圧として読み出される。これによって、入射光の強度に応じたソース電圧、すなわち画素データが得られる。複数の画素に対応する複数の画素データを用いることによって、1枚の画像データが生成される。
下記の特許文献1には、固体撮像装置を構成するトランジスターを形成するために、半導体基板の表面を熱酸化してゲート絶縁膜を形成した後に、閾値電圧調整のためにチャネルドープ層を形成したり、ゲート電極の下方に電荷を集めるためにキャリアポケットを形成したりすることが開示されている。
閾値変調型の固体撮像装置において、フォトダイオードで発生した電荷に応じたトランジスターの閾値電圧の変化は、トランジスターのゲート絶縁膜の厚さに依存する。ゲート絶縁膜が厚い方が、変換効率を上げることができる。
(1)しかしながら、特許文献1の技術において、ゲート絶縁膜を厚くした場合には、上述のチャネルドープ層やキャリアポケットを形成するためのイオン注入において、厚いゲート絶縁膜をイオンが通過できるように、イオン注入エネルギーを高くしなければならない。イオン注入エネルギーを高くすると、注入ばらつきが大きくなってしまうため、ゲート絶縁膜を厚くすることには限界がある。
(2)仮に、チャネルドープ層やキャリアポケットの形成後に熱酸化によってゲート絶縁膜を形成しようとした場合には、先に注入したイオンが熱によって拡散し、イオン濃度プロファイルの形成が困難となる。
また、フォトダイオード表面に、ピニングと言われる暗電流防止のためのイオン注入を行う場合にも、ゲート絶縁膜を厚くしようとすれば、上述の(1)及び(2)と同様の問題があった。従って、特許文献1の技術においては、ゲート絶縁膜を厚くすることが困難であり、S/N比の向上に限界があった。
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものである。本発明の幾つかの態様は、固体撮像装置のS/N比を向上可能とすることに関連している。
本発明の幾つかの態様において、固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で第1領域の隣に位置する第2領域に、フォトダイオードで発生した光発生電荷を検出する検出トランジスターを形成する固体撮像装置の製造方法であって、第1領域に、フォトダイオードを構成する第1導電型の第1拡散層及び第1拡散層よりも第1面の近くに位置する第2導電型の第2拡散層と、半導体基板の第1面に位置する第1導電型の第3拡散層と、を形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、工程(a)の後に、検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、を含む。
この態様によれば、フォトダイオードを構成する第1及び第2拡散層と、半導体基板の第1面に位置する第3拡散層と、を形成する工程(a)の後に、ゲート絶縁膜を堆積させるので、イオン注入後に、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成することができる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
この態様によれば、フォトダイオードを構成する第1及び第2拡散層と、半導体基板の第1面に位置する第3拡散層と、を形成する工程(a)の後に、ゲート絶縁膜を堆積させるので、イオン注入後に、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成することができる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
本発明の他の態様において、固体撮像素子の製造方法は、半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で第1領域の隣に位置する第2領域に、フォトダイオードで発生した光発生電荷を検出する検出トランジスターを形成する固体撮像装置の製造方法であって、検出トランジスターを構成するチャネルドープ層を形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、工程(a)の後に、検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、を含む。
この態様によれば、チャネルドープ層を形成する工程(a)の後に、ゲート絶縁膜を堆積させるので、イオン注入後に、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成することができる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
この態様によれば、チャネルドープ層を形成する工程(a)の後に、ゲート絶縁膜を堆積させるので、イオン注入後に、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成することができる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
本発明の他の態様において、固体撮像素子の製造方法は、半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で第1領域の隣に位置する第2領域に、フォトダイオードで発生した光発生電荷が転送されるキャリアポケットと、キャリアポケットに蓄積された光発生電荷を検出する検出トランジスターと、を形成する固体撮像装置の製造方法であって、キャリアポケットを形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、工程(a)の後に、検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、を含む。
この態様によれば、キャリアポケットを形成する工程(a)の後に、ゲート絶縁膜を堆積させるので、イオン注入後に、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成することができる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
この態様によれば、キャリアポケットを形成する工程(a)の後に、ゲート絶縁膜を堆積させるので、イオン注入後に、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成することができる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
上述の態様において、工程(b)は、CVD法によって酸化膜を堆積させる工程であることが望ましい。
これによれば、良質な酸化膜をゲート絶縁膜として堆積させることができる。
これによれば、良質な酸化膜をゲート絶縁膜として堆積させることができる。
上述の態様において、工程(b)は、厚さ400Å以上のゲート絶縁膜を堆積させる工程であることが望ましい。
これによれば、ゲート絶縁膜を厚くして感度を向上させ、S/N比を向上させることができる。
これによれば、ゲート絶縁膜を厚くして感度を向上させ、S/N比を向上させることができる。
上述の態様において、温度850℃以下の環境で前記ゲート絶縁膜を堆積させる工程であることが望ましい。
これによれば、半導体基板内のイオンの熱による拡散を抑制することができる。
これによれば、半導体基板内のイオンの熱による拡散を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。また同一の構成要素には同一の参照符号を付して説明を省略する。
<1.構成>
図1は、本発明の1つの実施形態に係る固体撮像装置を構成する固体撮像素子を概念的に示す図である。図1(A)は平面図であり、図1(B)は図1(A)のB−B線における断面図である。固体撮像装置は、固体撮像素子1を複数規則的に配列して構成されている。1つの固体撮像素子1は、1つのフォトダイオード10と、1つの検出トランジスター20とを含んでいる。検出トランジスター20は、後述のようにリング状のゲート電極26を有している。
図1は、本発明の1つの実施形態に係る固体撮像装置を構成する固体撮像素子を概念的に示す図である。図1(A)は平面図であり、図1(B)は図1(A)のB−B線における断面図である。固体撮像装置は、固体撮像素子1を複数規則的に配列して構成されている。1つの固体撮像素子1は、1つのフォトダイオード10と、1つの検出トランジスター20とを含んでいる。検出トランジスター20は、後述のようにリング状のゲート電極26を有している。
フォトダイオード10及び検出トランジスター20は、半導体基板110の表面(第1面)側に形成されている。半導体基板110は、第2導電型(例えば、P型)の基板である。なお、基板自体が第2導電型である場合に限らず、第1導電型(例えば、N型)の半導体基板の表面側に、第2導電型のウェルが形成されていても良い。
<1−1.フォトダイオード>
半導体基板110内には、第1導電型の第1拡散層11が形成されている。第1導電型の第1拡散層11よりも半導体基板110の表面に近い位置には、第2導電型の第2拡散層12が形成されている。第1導電型の第1拡散層11と、第2導電型の第2拡散層12とで、フォトダイオード10が構成される。半導体基板110の最表面には、第1導電型の第3拡散層(ピニング層)13が形成されている。第3拡散層13は、基板表面における暗電流の発生を防止している。なお、各図におけるN及びPへの添え字+及び−は、それぞれ、不純物濃度の濃い部分(添え字+)及び薄い部分(添え字−)であることを示している。
半導体基板110内には、第1導電型の第1拡散層11が形成されている。第1導電型の第1拡散層11よりも半導体基板110の表面に近い位置には、第2導電型の第2拡散層12が形成されている。第1導電型の第1拡散層11と、第2導電型の第2拡散層12とで、フォトダイオード10が構成される。半導体基板110の最表面には、第1導電型の第3拡散層(ピニング層)13が形成されている。第3拡散層13は、基板表面における暗電流の発生を防止している。なお、各図におけるN及びPへの添え字+及び−は、それぞれ、不純物濃度の濃い部分(添え字+)及び薄い部分(添え字−)であることを示している。
<1−2.検出トランジスター>
検出トランジスター20は、半導体基板110上にゲート絶縁膜25を介して形成されたゲート電極26を含んでいる。ゲート電極26は、平面視でリング状に形成されている。半導体基板110の表面には、平面視でゲート電極26の外側を囲む領域の一部に、第1導電型のドレイン領域27が形成されている。また、半導体基板110の表面には、平面視でゲート電極26に囲まれる領域に第1導電型のソース領域28が形成され、半導体基板110上のソースコンタクト28aを介して信号出力線28bに接続されている。また、半導体基板110の表面には、平面視でゲート電極26と重なるように、第1導電型のチャネルドープ層23が形成されている。
検出トランジスター20は、半導体基板110上にゲート絶縁膜25を介して形成されたゲート電極26を含んでいる。ゲート電極26は、平面視でリング状に形成されている。半導体基板110の表面には、平面視でゲート電極26の外側を囲む領域の一部に、第1導電型のドレイン領域27が形成されている。また、半導体基板110の表面には、平面視でゲート電極26に囲まれる領域に第1導電型のソース領域28が形成され、半導体基板110上のソースコンタクト28aを介して信号出力線28bに接続されている。また、半導体基板110の表面には、平面視でゲート電極26と重なるように、第1導電型のチャネルドープ層23が形成されている。
半導体基板110の検出トランジスター20直下の領域には、フォトダイオード10の第1導電型の第1拡散層11に接続された第1導電型の半導体領域21と、フォトダイオード10の第2導電型の第2拡散層12に接続された第2導電型の半導体領域22とが形成されている。光を受光したフォトダイオード10において発生した電荷(例えば、正孔)は、第2導電型の半導体領域22内に形成された高濃度の第2導電型半導体領域であるキャリアポケット24に転送され、蓄積される。この電荷蓄積により、検出トランジスター20に基板バイアスがかかり、検出トランジスター20の閾値電圧が変化するので、この閾値電圧の変化量(飽和領域動作時におけるソース電圧の変化量)を入射光量として検出する。
<2.製造方法>
図2〜図5は、図1に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。まず、図2(A)に示すように、シリコン(Si)などの半導体基板110の表面を熱酸化することにより、犠牲酸化膜111を形成する。
図2〜図5は、図1に示す固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。まず、図2(A)に示すように、シリコン(Si)などの半導体基板110の表面を熱酸化することにより、犠牲酸化膜111を形成する。
次に、図2(B)に示すように、半導体基板110の犠牲酸化膜111上に所定パターンでフォトレジストRBを形成し、フォトレジストRBをマスクとして犠牲酸化膜111を介してイオン注入を行うことにより、第1導電型の第1拡散層11及び第2導電型の第2拡散層12を形成する。これにより、フォトダイオード10が形成される。その後、フォトレジストRBを除去する。なお、図2〜図4において、矢印はイオンの注入方向を示している。
次に、図2(C)に示すように、半導体基板110の犠牲酸化膜111上に所定パターンでフォトレジストRCを形成し、フォトレジストRCをマスクとして犠牲酸化膜111を介してイオン注入を行うことにより、第1導電型の半導体領域21及び第2導電型の半導体領域22を形成する。その後、フォトレジストRCを除去する。
次に、図3(D)に示すように、半導体基板110の犠牲酸化膜111上に所定パターンでフォトレジストRDを形成し、フォトレジストRDをマスクとして犠牲酸化膜111を介してイオン注入を行うことにより、第1導電型のドレイン領域27を形成する。その後、フォトレジストRDを除去する。
次に、図3(E)に示すように、半導体基板110の犠牲酸化膜111上に所定パターンでフォトレジストREを形成し、フォトレジストREをマスクとして犠牲酸化膜111を介してイオン注入を行うことにより、第2導電型の半導体領域22内にキャリアポケット24を形成する。その後、フォトレジストREを除去する。
次に、図3(F)に示すように、半導体基板110の犠牲酸化膜111上に所定パターンでフォトレジストRFを形成し、フォトレジストRFをマスクとして犠牲酸化膜111を介してイオン注入を行うことにより、第1導電型のチャネルドープ層23を形成する。その後、フォトレジストRFを除去する。
次に、図4(G)に示すように、半導体基板110の犠牲酸化膜111上に所定パターンでフォトレジストRGを形成し、フォトレジストRGをマスクとして犠牲酸化膜111を介してイオン注入を行うことにより、第1導電型の第3拡散層(ピニング層)13を形成する。その後、フォトレジストRGを除去する。なお、第3拡散層13の形成は、図2(B)に示した第1拡散層11及び12を形成する工程の直後に、フォトレジストRBをマスクとして行ってもよい。
次に、図4(H)に示すように、犠牲酸化膜111を除去して半導体基板110の表面を露出させる。次に、図4(I)に示すように、半導体基板110の表面に、CVD(chemical vapor deposition)法により、ゲート絶縁膜25となる酸化シリコン(SiO2)膜29を堆積させる。
酸化シリコン膜29の堆積条件は、温度850℃以下、例えば800℃以下とすることが望ましい。酸化シリコン膜29の膜厚は、400Å以上、例えば1000Åとすることが好ましい。また、CVD法によって得られる酸化シリコン膜29は、温度600℃以上の高温環境で得られるHTO(high temperature oxide)膜が望ましいが、温度600℃以下の低温環境で得られるLTO(low temperature oxide)膜でもよく、プラズマCVDによって得られる膜でもよい。
次に、図5(J)に示すように、酸化シリコン膜29上に、ゲート電極26を形成する。ゲート電極26は、例えば、第1の導電型にドープされた多結晶シリコンによって形成される。
次に、図5(K)に示すように、酸化シリコン膜29上及びゲート電極26上に、サイドウォールとなる酸化膜30を堆積させる。また、酸化膜30上に、層間絶縁膜31を堆積させる。
次に、図5(L)に示すように、層間絶縁膜31、酸化膜30及び酸化シリコン膜29の各一部をエッチングして半導体基板110の表面を露出させる。そして、層間絶縁膜31、酸化膜30及び酸化シリコン膜29をマスクとしてイオン注入を行うことにより、第1導電型のソース領域28を形成する。その後、ソースコンタクト28a及び信号出力線28b(図1参照)等の配線工程を経て、固体撮像素子1及び複数の固体撮像素子1を有する固体撮像装置が製造される。
<3.本実施形態の効果>
以上説明した実施形態によれば、図4(G)に示した第3拡散層(ピニング層)13を形成する工程の後に、図4(I)に示したようにゲート絶縁膜を堆積させるので、ゲート絶縁膜を厚くしてもイオン注入の障害にならず、イオン注入のばらつきを抑制できる。また、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成するので、ゲート絶縁膜を厚くしても、ピニング層のイオンが拡散することを抑制できる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、雑音成分の影響を低減し、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
以上説明した実施形態によれば、図4(G)に示した第3拡散層(ピニング層)13を形成する工程の後に、図4(I)に示したようにゲート絶縁膜を堆積させるので、ゲート絶縁膜を厚くしてもイオン注入の障害にならず、イオン注入のばらつきを抑制できる。また、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成するので、ゲート絶縁膜を厚くしても、ピニング層のイオンが拡散することを抑制できる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、雑音成分の影響を低減し、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
また、図3(F)に示したチャネルドープ層23を形成する工程の後に、図4(I)に示したようにゲート絶縁膜を堆積させるので、ゲート絶縁膜を厚くしてもイオン注入の障害にならず、イオン注入のばらつきを抑制できる。また、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成するので、ゲート絶縁膜を厚くしても、チャネルドープ層23のイオンが拡散することを抑制できる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、雑音成分の影響を低減し、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
また、図3(E)に示したキャリアポケット24を形成する工程の後に、図4(I)に示したようにゲート絶縁膜を堆積させるので、ゲート絶縁膜を厚くしてもイオン注入の障害にならず、イオン注入のばらつきを抑制できる。また、熱酸化よりも低温でゲート絶縁膜を形成するので、ゲート絶縁膜を厚くしても、キャリアポケット24のイオンが拡散することを抑制できる。従って、ゲート絶縁膜を厚くすることができ、雑音成分の影響を低減し、固体撮像装置のS/N比を向上することができる。
また、ゲート絶縁膜を堆積させることによって形成するので、半導体基板の表面を酸化させる場合に比べて、半導体基板の表面が浸食されることが抑制される。
<4.他の製造方法>
上述の説明では、図4(H)に示した犠牲酸化膜111を除去する工程の後に、図4(I)に示したCVD法による酸化シリコン膜29を厚さ1000Å程度に堆積させる工程を行ったが、本発明はこれに限定されない。例えば、図4(H)に示した犠牲酸化膜111を除去する工程の後に、半導体基板110の表面を僅かに熱酸化し、例えば厚さ100Å程度の熱酸化膜を形成した後に、図4(I)に示したCVD法による酸化シリコン膜29を厚さ900Å程度に堆積させ、熱酸化膜とCVD法による酸化シリコン膜29との膜厚の合計が目標膜厚となるようにしてもよい。
上述の説明では、図4(H)に示した犠牲酸化膜111を除去する工程の後に、図4(I)に示したCVD法による酸化シリコン膜29を厚さ1000Å程度に堆積させる工程を行ったが、本発明はこれに限定されない。例えば、図4(H)に示した犠牲酸化膜111を除去する工程の後に、半導体基板110の表面を僅かに熱酸化し、例えば厚さ100Å程度の熱酸化膜を形成した後に、図4(I)に示したCVD法による酸化シリコン膜29を厚さ900Å程度に堆積させ、熱酸化膜とCVD法による酸化シリコン膜29との膜厚の合計が目標膜厚となるようにしてもよい。
これによれば、熱酸化膜の形成時間が僅かで済むため、半導体基板110内のイオンが熱によって拡散することが抑制され、図2〜図5に示した実施形態と同様の効果が得られる。また、ゲート絶縁膜が緻密な熱酸化膜を含むため、ゲート絶縁膜の信頼性を向上することができる。
また、上述の説明では、図3(E)、図3(F)及び図4(G)に示したイオン注入工程の後に、図4(H)に示した犠牲酸化膜111を除去する工程と、図4(I)に示したCVD法による酸化シリコン膜29を厚さ1000Å程度に堆積させる工程を行ったが、本発明はこれに限定されない。例えば、図3(E)、図3(F)及び図4(G)に示したイオン注入工程の前に、犠牲酸化膜111を除去し、半導体基板110の表面を僅かに熱酸化し、例えば厚さ100Å程度の熱酸化膜を形成してもよい。この場合、図3(E)、図3(F)及び図4(G)に示したイオン注入工程は、厚さ100Å程度の熱酸化膜を通して行い、これらのイオン注入工程の後に、図4(I)に示したCVD法による酸化シリコン膜29を厚さ900Å程度に堆積させ、熱酸化膜とCVD法による酸化シリコン膜29との膜厚の合計が目標膜厚となるようにしてもよい。
これによれば、熱酸化膜の膜厚が薄いため、イオン注入エネルギーを高くする必要性が低減され、図2〜図5に示した実施形態と同様の効果が得られる。また、ゲート絶縁膜が緻密な熱酸化膜を含むため、ゲート絶縁膜の信頼性を向上することができる。
1…固体撮像素子、10…フォトダイオード、11…第1導電型の第1拡散層、12…第2導電型の第2拡散層、13…第1導電型の第3拡散層、20…検出トランジスター、21…第1導電型の半導体領域、22…第2導電型の半導体領域、23…チャネルドープ層、24…キャリアポケット、25…ゲート絶縁膜、26…ゲート電極、27…ドレイン領域、28…ソース領域、28a…ソースコンタクト、28b…信号出力線、29…酸化シリコン膜、30…酸化膜、31…層間絶縁膜、110…半導体基板、111…犠牲酸化膜、RB、RC、RD、RE、RF、RG…フォトレジスト。
Claims (6)
- 半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で前記第1領域の隣に位置する第2領域に、前記フォトダイオードで発生した光発生電荷を検出する検出トランジスターを形成する固体撮像装置の製造方法であって、
前記第1領域に、前記フォトダイオードを構成する第1導電型の第1拡散層及び前記第1拡散層よりも前記半導体基板の第1面の近くに位置する第2導電型の第2拡散層と、前記第1面に位置する第1導電型の第3拡散層と、を形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、
工程(a)の後に、前記検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、
を含む、固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で前記第1領域の隣に位置する第2領域に、前記フォトダイオードで発生した光発生電荷を検出する検出トランジスターを形成する固体撮像装置の製造方法であって、
前記検出トランジスターを構成するチャネルドープ層を形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、
工程(a)の後に、前記検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、
を含む、固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の第1領域に、入射光に応じた光発生電荷を発生するフォトダイオードを形成し、平面視で前記第1領域の隣に位置する第2領域に、前記フォトダイオードで発生した光発生電荷が転送されるキャリアポケットと、前記キャリアポケットに蓄積された光発生電荷を検出する検出トランジスターと、を形成する固体撮像装置の製造方法であって、
前記キャリアポケットを形成するために、不純物のイオンを注入する工程(a)と、
工程(a)の後に、前記検出トランジスターを構成するゲート絶縁膜を堆積させる工程(b)と、
を含む、固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一項において、
工程(b)は、CVD法によって酸化膜を堆積させる工程である、固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項4の何れか一項において、
工程(b)は、厚さ400Å以上の前記ゲート絶縁膜を堆積させる工程である、固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5の何れか一項において、
工程(b)は、温度850℃以下の環境で前記ゲート絶縁膜を堆積させる工程である、固体撮像装置の製造方法。
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