JP2013175788A - パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アルミニウムの板材からなる金属層13と、この金属層13の一方の面に配設されたセラミックス基板11と、このセラミックス基板11の上に配設され、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層12と、を備え、金属層13が純度99.9%以上のアルミニウムの板材からなり、金属層13の少なくとも周縁部には、金属層13よりも剛性の高い材質で構成された枠部材41が接合されることによって、金属層13よりも厚肉とされた枠体部40が形成されている
【選択図】図2
Description
この金属板は回路層として形成され、その金属板の上には、はんだ材を介してパワー素子の半導体チップが搭載される。
ここで、セラミックス基板は、回路層と金属層との間の絶縁性を確保するとともに、パワーモジュール用基板全体の剛性を確保する役割を有している。
さらに、前記枠部材を前記金属層よりも剛性の高い材質で構成することによって、金属層全体の剛性を確実に向上させることが可能となる。
この場合、金属層の上に、複数のセラミックス基板が配設され、このセラミックス基板の上に回路層が形成されていることから、セラミックス基板自体が分割されて比較的面積が小さくすることができ、セラミックス基板の反りや割れを抑えることが可能となる。よって、複数の回路層が形成された大型のパワーモジュール用基板を構成することが可能となる。
この場合、前記金属層の面積が、4000mm2以上とされているので、例えば複数のセラミックス基板を金属層上に配設することが可能となる。また、前記金属層の面積が、30000mm2以下とされているので、枠体部によって金属層の剛性を確保することができる。
この場合、前記セラミックス基板の面積が、100mm2以上とされているので、セラミックス基板の上に回路層を形成することができる。また、前記セラミックス基板の面積が、4000mm2以下とされているので、セラミックス基板の反りや割れを確実に抑制することができる。
この場合、金属層が冷却器の天板部としても役割を有することから、金属層の一方の面に配設されたセラミックス基板及び回路層を効率的に冷却することが可能となる。よって、回路層上に配設される電子部品から発生する熱を冷却器によって効率的に冷却することができ、電子部品が高集積、高密度に配設されたパワーモジュールユニットに適用することができる。
この場合、前記金属層に、アルミニウムの母相中に第2相が分散されてなる硬化層が形成されることにより、金属層全体の剛性をさらに向上させることができる。また、アルミニウムの単一相からなる軟質層を備えていることから、熱サイクル負荷時や接合時において発生する熱応力を軟質層によって吸収することができる。
なお、積層工程において、例えばAl−Si系等のろう材箔を、枠部材とアルミニウム板との間、アルミニウム板とセラミックス基板との間、セラミックス基板と金属板との間に配設することが好ましい。また、ろう材に替えて、銅層を介してこれらを積層してもよい。
この構成のパワーモジュールによれば、高集積、高密度のパワーモジュールユニットを構成することが可能となる。
このパワーモジュール1は、回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体チップ3と、を備えている。ここで、はんだ層2は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層12とはんだ層2との間にNiメッキ層(図示なし)が設けられている。
また、セラミックス基板11の面積(一方の面の面積)は、100mm2以上4000mm2以下とされている。
硬化層31においては、図4に示すように、アルミニウムの母相35中に第2相36が分散されている。本実施形態では、ろう材箔25に含有されたSiが濃縮してなる第2相36が分散されている。
なお、この硬化層31は、金属層13の一方の面のうちセラミックス基板11と接合されていない部分に形成されている。
図5に示すように、純度99.9%以上のアルミニウム板23の一方の面の上に、厚さ5〜50μm(本実施形態では20μm)のAl−Si系のろう材箔25を配置する。本実施形態では、ろう材箔25を、アルミニウム板23の一方の面の全面を覆うように配置している。
そして、このろう材箔25が配置されたアルミニウム板23の上に、3つのセラミックス基板11が積層され、このセラミックス基板11の一方の面に、回路層12となる金属板22が、厚さ5〜50μm(本実施形態では14μm)のろう材箔24を介して積層される。さらに、アルミニウム板23の周縁部には、アルミニウム合金(A1050)からなる枠部材41が積層される。このようにして積層体20が形成される(積層工程)。
そして、カーボン板51、51を互いに近接する方向に押圧することにより、積層体20をその積層方向に加圧(圧力0.5〜5kgf/cm2)する。
この溶融工程によって、ろう材箔24、25が溶融し、アルミニウム板23とセラミックス基板11との界面、セラミックス基板11と金属板22との界面、アルミニウム板23と枠部材41との界面に、それぞれ溶融アルミニウム層が形成されることになる。また、アルミニウム板23の一方の面全体に溶融アルミニウム層が形成される。
ここで、金属層13の一方の面上に配設されたろう材箔25が溶融することにより、金属層13の一方の面近傍には、ろう材箔25に含まれたSiの濃度が高い部分が生じることになり、このSi濃度が高い部分において、Si元素が濃縮した第2相36が晶出し、硬化層31が形成されることになる。なお、硬化層31における第2相36のサイズ、分布は、ろう材箔25におけるSiの含有量、溶融工程における加熱温度、凝固工程における冷却速度によって調整されることになる。
そして、この枠体部40を構成する枠部材41が、金属層13を構成する純度99.9%のアルミニウム板23よりも剛性の高い材料であるアルミニウム合金(A1050)で構成されているので、枠体部40によって、金属層13全体の剛性を確実に向上させることが可能となる。
さらに、セラミックス基板11の面積が、100mm2以上4000mm2以下とされているので、セラミックス基板11の上に回路層12を確実に形成することができるとともに、セラミックス基板11に負荷される熱応力を抑制でき、反りや割れを確実に抑制することができる。
なお、硬化層31における第2相36の分散状態は、ろう材箔25に含まれるSi量、溶融工程の温度及び時間、凝固工程の凝固速度等によって調整することが可能である。
この第2の実施形態であるパワーモジュール用基板110においては、金属層113の他方の面側に、冷却器部材である放熱フィン162が設けられており、金属層113が冷却器160の天板部161として利用されているのである。
例えば、金属層の一方の面側に枠部材を積層して枠体部を構成したもので説明したが、これに限定されることはなく、図7に示すように、金属層213の他方の面側に枠部材241を配設して枠体部240を形成したパワーモジュール用基板210であってもよい。
さらに、金属層に、硬化層と軟質層とが設けられたものとして説明したが、これに限定されることはなく、必ずしも硬化層が形成されていなくてもよい。
また、セラミックス基板の厚さ、材質、回路層の厚さ、材質については、本実施形態に限定されることはなく、適宜設計変更してもよい。
また、第2の実施形態において、冷却器として天板部にフィンを立設したものとして説明したが、これに限定されることはなく、冷却媒体の流路を有するものであってもよく、冷却器の構造に特に限定はない。
3 半導体チップ(電子部品)
10、110、210、310 パワーモジュール用基板
11、111、211、311 セラミックス基板
12、112、212、312 回路層
13、113、213、313 金属層
23 アルミニウム板
25 ろう材箔
31 硬化層
32 軟質層
35 母相
36 第2相
40、140、240、340 枠体部
41、141、241、341 枠部材
160 冷却器
161 天板部
162 放熱フィン
Claims (9)
- アルミニウムの板材からなる金属層と、この金属層の一方の面に配設されたセラミックス基板と、このセラミックス基板の上に配設され、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、を備え、
前記金属層が純度99.9%以上のアルミニウムの板材からなり、
前記金属層の少なくとも周縁部には、前記金属層よりも剛性の高い材質で構成された枠部材が接合されることによって、前記金属層よりも厚肉とされた枠体部が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 前記セラミックス基板が、前記金属層の一方の面に複数配設され、これら複数のセラミックス基板に回路層がそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記金属層の面積が、4000mm2以上30000mm2以下とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記セラミックス基板の面積が、100mm2以上4000mm2以下とされていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記金属層が、冷却器の天板部とされることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記金属層には、アルミニウムの母相中に第2相が分散されてなる硬化層と、アルミニウムの単一相からなる軟質層と、が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。
- 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記金属層となるアルミニウム板の上に、前記セラミックス基板を配設し、このセラミックス基板上に回路層となる金属板を積層するとともに、前記金属層となるアルミニウム板の周縁部に枠体部を構成する枠部材を積層して、積層体を形成する積層工程と、
前記積層体を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記アルミニウム板と前記セラミックス基板との界面、前記セラミックス基板と前記金属板との界面、前記アルミニウム板と前記枠部材との界面に、それぞれ溶融アルミニウム層を形成する溶融工程と、
冷却によって前記溶融アルミニウム層を凝固させる凝固工程と、
を有していることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項6に記載のパワーモジュール用基板を製造するパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記金属層となるアルミニウム板の上に、前記第2相を構成する元素を含有したアルミ合金からなるろう材を介して前記セラミックス基板を配設し、このセラミックス基板上に回路層となる金属板を積層するとともに、前記金属層となるアルミニウム板の周縁部に、前記第2相を構成する元素を含有したアルミ合金からなるろう材を介して、枠体部を構成する枠部材を積層し、積層体を形成する積層工程と、
前記積層体を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記アルミニウム板と前記セラミックス基板との界面、前記セラミックス基板と前記金属板との界面、前記アルミニウム板と前記枠部材との界面に、それぞれ溶融アルミニウム層を形成する溶融工程と、
冷却によって前記溶融アルミニウム層を凝固させる凝固工程と、を有し、
前記溶融工程及び前記凝固工程により、前記金属層に、アルミニウムの母相中に第2相が分散されてなる硬化層を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、前記回路層上に搭載される電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
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