JP2013162421A - 固体撮像装置及びこれを用いたデジタルカメラ - Google Patents
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Abstract
【課題】画素部の周辺に設けられた回路から発生する熱に依存する暗電流の影響を低減し、得られる画像の画質を向上させる。
【解決手段】固体撮像装置4は、2次元状に配置された複数の画素PXと、前記複数の画素PXのうちの前記複数の画素PXの列方向の中央付近の行の画素PXから信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素PXのうちの前記列方向の一方側の行の画素PX及び他方側の行の画素PXから信号を読み出すように、前記複数の画素PXを制御する制御手段23と、を備える。
【選択図】図2
【解決手段】固体撮像装置4は、2次元状に配置された複数の画素PXと、前記複数の画素PXのうちの前記複数の画素PXの列方向の中央付近の行の画素PXから信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素PXのうちの前記列方向の一方側の行の画素PX及び他方側の行の画素PXから信号を読み出すように、前記複数の画素PXを制御する制御手段23と、を備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、固体撮像装置及びこれを用いたデジタルカメラに関するものである。
デジタルカメラ等の電子カメラにおいては、CMOSイメージセンサ等のXYアドレス型固体撮像素子(例えば、下記特許文献1)を使用するのが一般的である。
従来、XYアドレス型固体撮像素子からの信号の読み出しは、水平ライン毎に、撮像素子の垂直方向の一方端の水平ラインから他方端の水平ラインまで垂直方向に順番に、行われていた。
しかしながら、前記従来の電子カメラでは、画素部の周辺に設けられた回路から発生する熱に依存する暗電流の影響が大きくなってしまい、得られる画像の画質が低下してしまう。この点については、後に、本発明と比較される比較例の説明において詳述する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、画素部の周辺に設けられた回路から発生する熱に依存する暗電流の影響を低減することができ、得られる画像の画質を向上させることができる固体撮像装置、及びこれを用いた電子カメラを提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による固体撮像装置は、2次元状に配置された複数の画素と、前記複数の画素のうちの前記複数の画素の列方向の中央付近の行の画素から信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素から信号を読み出すように、前記複数の画素を制御する制御手段と、を備えたものである。
第2の態様による固体撮像装置は、前記第1の態様において、作動時に発熱する回路部が、前記複数の画素が配置されている画素部に対する前記列方向の両側にそれぞれ配置されたものである。
第3の態様による固体撮像装置は、前記第1又は第2の態様において、前記制御手段は、前記複数の画素のうちの同一行の画素からの信号の読み出しタイミングが同一であるとともに、前記複数の画素のうちの異なる行の画素からの信号の読み出しタイミングが異なるように、前記複数の画素を制御するものである。
第4の態様による固体撮像装置は、前記第3の態様において、前記複数の画素の読み出すべき行に関して、前記列方向の前記一方側と前記他方側とをk(kは1以上の整数)行ずつ交互に選択しつつ選択された側において当該選択された側の最も端から順次選択されたk行のうちの各行の画素から信号を順次読み出すように、前記複数の画素を制御するものである。
第5の態様による固体撮像装置は、前記第4の態様において、kが1であり、前記制御部は、前記列方向の前記一方側の行を選択するための第1のシフトパルスを生成する第1のシフトレジスタと、前記列方向の前記他方側の行を選択するための第2のシフトパルスを生成する第2のシフトレジスタとを有し、前記第1及び第2のシフトレジスタは、前記第1のシフトパルスの発生周期と前記第2のシフトパルスの発生周期とが同一であるとともに、前記第1のシフトパルスの発生タイミングと前記第2のシフトパルスの発生タイミングとが前記発生周期の半周期だけずれるように、駆動されるものである。
第6の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第5のいずれかの態様において、前記制御手段は、グローバルシャッタ動作において、前記複数の画素のうちの複数の画素の列方向の中央付近の行の画素から信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素から信号を読み出すように、前記複数の画素を制御するものである。
第7の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第6のいずれかの態様において、前記制御手段は、ローリングシャッタ動作において、前記複数の画素のうちの複数の画素の列方向の中央付近の行の画素をリセットするよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素をリセットするように、かつ、前記複数の画素のうちの複数の画素の列方向の中央付近の行の画素から信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素から信号を読み出すように、前記複数の画素を制御するものである。
第8の態様による電子カメラは、前記第1乃至第7のいずれかの態様による固体撮像装置を備えたものである。
本発明によれば、画素部の周辺に設けられた回路から発生する熱に依存する暗電流の影響を低減することができ、得られる画像の画質を向上させることができる固体撮像装置、及びこれを用いた電子カメラを提供することができる。
以下、本発明による固体撮像装置及び電子カメラについて、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施の形態による電子カメラ1を模式的に示す概略ブロック図である。
本実施の形態による電子カメラ1は、例えば一眼レフのデジタルカメラとして構成されるが、本発明による電子カメラは、これに限らず、コンパクトカメラなどの他の電子カメラや、携帯電話に搭載された電子カメラなどにも適用することができる。
電子カメラ1には、撮影レンズ2が装着される。この撮影レンズ2は、レンズ制御部3によってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ2の像空間には、固体撮像装置4の撮像面が配置される。
固体撮像装置4は、撮像制御部5の指令によって駆動され、デジタルの画像信号を出力する。本実施の形態では、電子ビューファインダーモード時や動画撮影時などでは、撮像制御部5は、後述するローリングシャッタ動作を行うように固体撮像装置4を制御する。また、本実施の形態では、通常の本撮影時(静止画撮影時)などでは、撮像制御部5は、後述するグローバルシャッタ動作を行うように固体撮像装置4を制御する。いずれの画像信号も、デジタル信号処理部6により処理された後に、メモリ7に一旦格納される。デジタル信号処理部6は、固体撮像装置4から出力されるデジタルの画像信号に対して、デジタル増幅、色補間処理、ホワイトバランス処理などの画像処理等を行う。メモリ7は、バス8に接続されている。バス8には、レンズ制御部3、撮像制御部5、CPU9、液晶表示パネル等の表示部10、記録部11、画像圧縮部12及び画像処理部13なども接続される。CPU9には、レリーズ釦などの操作部14が接続される。また、記録部11には記録媒体11aが着脱自在に装着される。
電子カメラ1内のCPU9は、操作部14の操作により電子ビューファインダーモードや動画撮影などが指示されると、それに合わせて撮像制御部5を駆動する。撮像制御部5は、後述するローリングシャッタ動作を行うように固体撮像装置4を制御する。このとき、レンズ制御部3によって、フォーカスや絞りが適宜調整される。固体撮像装置4から得られたデジタルの画像信号は、メモリ7に蓄積される。CPU9は、電子ビューファインダーモード時には画像信号を表示部10に画像表示させ、動画撮影時には画像信号を記録媒体11aに記録する。通常の本撮影時(静止画撮影時)などの場合は、CPU9は、画像信号がメモリ7に蓄積された後に、操作部14の指令に基づき、必要に応じて画像処理部13や画像圧縮部12にて所望の処理を行い、記録部11に処理後の信号を出力させ記録媒体11aに記録する。
図2は、図1中の固体撮像装置4の概略構成を示す回路図である。本実施の形態では、固体撮像装置4は、CMOS型の固体撮像装置として構成されているが、他のXYアドレス型固体撮像装置として構成してもよい。
固体撮像装置4は、図2に示すように、n行m列に2次元マトリクス状に配置された画素PXからなる画素部21と、タイミング発生回路22と、垂直走査回路23と、画素PXの行毎に設けられた制御線24〜26と、画素PXの列毎に設けられ対応する列の画素PXからの信号を受け取る複数の(m本の)垂直信号線27と、各垂直信号線27に設けられた定電流源28と、各垂直信号線27に対応して設けられたCDS回路(相関2重サンプリング回路)29及びA/D変換器30と、水平読み出し回路31とを有している。
図3は、図2中の1つの画素PXを示す回路図である。各画素PXは、一般的なCMOSイメージセンサと同様に、入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部としてのフォトダイオードPDと、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する増幅部としての増幅トランジスタAMPと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに電荷を転送する転送トランジスタTXと、フローティングディフュージョンFDの電位をリセットするリセットトランジスタRESと、読み出し行を選択するための選択トランジスタSELとを有し、図3に示すように接続されている。図3において、VDDは電源電位である。なお、本実施の形態では、画素PXのトランジスタAMP,TX,RES,SELは、全てnMOSトランジスタである。
転送トランジスタTXのゲートは行毎に制御線25に共通に接続され、そこには、転送トランジスタTXを制御する制御信号φTXが垂直走査回路23から供給される。リセットトランジスタRESのゲートは行毎に制御線24に共通に接続され、そこには、リセットトランジスタRESを制御する制御信号φRESが垂直走査回路23から供給される。選択トランジスタSELのゲートは行毎に制御線26に共通に接続され、そこには、選択トランジスタSELを制御する制御信号φSELが垂直走査回路23から供給される。各制御信号φTXを行毎に区別する場合、j行目の制御信号φTXは符号φTX(j)で示す。この点は、制御信号φRES,φSELについても同様である。
各画素PXのフォトダイオードPDは、入射光の光量(被写体光)に応じて信号電荷を生成する。転送トランジスタTXは、制御信号φTXのハイレベル期間にオンし、フォトダイオードPDの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。リセットトランジスタRESは、制御信号φRESのハイレベル期間(電源電位VDDの期間)にオンし、フローティングディフュージョンFDをリセットする。
増幅トランジスタAMPは、そのドレインが電源電位VDDに接続され、そのゲートがフローティングディフュージョンFDに接続され、そのソースが選択トランジスタSELのドレインに接続され、定電流源28(図3では図示せず、図2を参照)を負荷とするソースフォロア回路を構成している。増幅トランジスタAMPは、フローティングディフュージョンFDの電圧値に応じて、選択トランジスタSELを介して垂直信号線27に読み出し信号を出力する。選択トランジスタSELは、制御信号φSELのハイレベル期間にオンし、増幅トランジスタAMPのソースを垂直信号線27に接続する。
垂直走査回路23は、後述するグローバルシャッタ動作及びローリングシャッタ動作を実現するように、図2中の撮像制御部5による制御下でタイミング発生回路22が発生するクロックやパルス等の信号に基づいて、画素PXの行毎に、制御信号φSEL,φRES,φTXをそれぞれ出力し、画素部21の画素PXを制御する。この制御によって、各垂直信号線27には、それに対応する列の画素PXの信号(アナログ信号)が供給される。
本実施の形態では、垂直走査回路23は、上側垂直シフトレジスタ(第1のシフトレジスタ)32と、下側垂直シフトレジスタ(第2のシフトレジスタ)33と、垂直駆動回路34とを有している。上側垂直シフトレジスタ32は、1行目からn/2行目までの上側半分の画素PXの各行を、その順序で、順次選択するための第1のシフトパルスφV(1)〜φV(n/2)を生成する。すなわち、上側垂直シフトレジスタ32のシフト方向は図2中の下方向となっている。このとき、上側垂直シフトレジスタ32は、タイミング発生回路22からの信号に応じて、全行読み出しモードの場合には、シフトパルスφV(1)〜φV(n/2)の全てを生成する一方で、間引き読み出しモードの場合には、シフトパルスφV(1)〜φV(n/2)のうちの間引く行のシフトパルスはスルーして生成せずに間引かない行(読み出すべき行)のシフトパルスのみを生成するようになっている。下側垂直シフトレジスタ33は、(n/2)+1行目からn行目までの下側半分の画素PXの各行を、その順序とは逆の順序で、順次選択するための第2のシフトパルスφV((n/2)+1)〜φV(n)を生成する。すなわち、下側垂直シフトレジスタ33のシフト方向は図2中の上方向となっている。このとき、下側垂直シフトレジスタ33は、タイミング発生回路22からの信号に応じて、全行読み出しモードの場合には、シフトパルスφV((n/2)+1)〜φV(n)の全てを生成する一方で、間引き読み出しモードの場合には、シフトパルスφV((n/2)+1)〜φV(n)のうちの間引く行のシフトパルスは生成せずに間引かない行(読み出すべき行)のシフトパルスのみを生成するようになっている。
タイミング発生回路22からの信号によって垂直シフトレジスタ32,33が駆動されることによって、全行読み出しモード及び間引き読み出しモードのいずれの場合も、上側垂直シフトレジスタ32のシフトパルス発生周期と下側垂直シフトレジスタ33のシフトパルス発生周期とが同じく2水平期間とされ、上側垂直シフトレジスタ32に対するタイミング発生回路22からのスタートパルスのタイミングと下側垂直シフトレジスタ33に対するタイミング発生回路22からのスタートパルスのタイミングとが1水平期間ずらされることで、上側垂直シフトレジスタ32のシフトパルス発生タイミングと下側垂直シフトレジスタ33のシフトパルス発生タイミングが前記シフトパルス発生周期の半周期(1水平期間)だけずれるようになっている。
本実施の形態では、これによって、タイミング発生回路22及び垂直走査回路23が、画素部21の画素PXの読み出すべき行(全画素読み出しモードの場合には全行、間引き読み出しモードの場合には間引かない行)に関して、列方向(垂直方向、図2中上下方向)の一方側(図2中の上側)と他方側(図2中の下側)とをk(kは1以上の整数)行ずつ交互に選択しつつ選択された側において当該選択された側の最も端から順次選択されたk行のうちの各行の画素から信号を順次読み出すように、画素部21の画素PXを制御するようになっている。ただし、本実施の形態では、k=1であって、画素部21の画素PXの読み出すべき行に関して、図2中の上側と図2中の下側とを1行ずつ交互に選択しつつ選択された側において当該選択された側の最も端から順次選択された1行の画素から信号を順次読み出すように、画素部21の画素PXが制御されるようになっている。したがって、本実施の形態では、全行読み出しモードの場合には、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の画素PXが、その順序で順次読み出されことになる。
なお、シフトレジスタ32,33に代えて例えばデコーダ回路を用いてもよく、その場合には、kを1にするのみならならず、kを2以上にすることもできる。また、本発明では、画素部21の画素PXの読み出すべき行に関して、列方向の一方側と他方側とをk(kは1以上の整数)行ずつ交互に選択しつつ選択された側において当該選択された側の最も端から順次選択されたk行のうちの各行の画素から信号を順次読み出すように、画素部21の画素PXが制御されることが、画素部21の周辺に設けられた回路部41(後述する図4参照)から発生する熱に依存する暗電流の影響をより低減するために好ましいが、これに限定されるものではない。本発明では、画素部21の画素PXのうちの列方向の中央付近の行の画素PXから信号を読み出すよりも先に、画素部21の画素PXのうちの列方向の一方側の行の画素PX及び他方側の行の画素PXから信号を読み出すように、画素部21の画素PXを制御すればよく、その場合には、前記暗電流の影響を低減することができる。
垂直駆動回路34は、垂直シフトレジスタ32,33からのシフトパルスφV(1)〜φV(n)とタイミング発生回路22からのクロックやパルス等の信号に基づいて、画素PXの行毎に、後述するグローバルシャッタ動作や後述するローリングシャッタ動作を実現するための制御信号φSEL,φRES,φTXをそれぞれ出力する。
なお、画素PXの構成は、前述した図3に示す構成に限らない。例えば、列方向に隣り合う2つ以上の画素PX毎に、当該2つ以上の画素PXが1組のフローティングディフュージョンFD、増幅トランジスタAMP、リセットトランジスタRES及び選択トランジスタSELを共有してもよい。
画素PXから垂直信号線27に読み出された信号は、各列毎に、CDS回路29にて所定のノイズ除去処理が施された後に、A/D変換器30にてデジタル信号に変換され、そのデジタル信号はA/D変換器30に保持される。各A/D変換器30に保持されたデジタルの画像信号は、タイミング発生回路22からのクロックやパルス等の信号に基づいて、水平読み出し回路31によって水平走査され、必要に応じて所定の信号形式に変換されて、外部(図1中のデジタル信号処理部6)へ出力される。
タイミング発生回路22は、撮像制御部5による制御下で、垂直走査回路23の他に、他の各部(CDS回路29、A/D変換器30、水平読み出し回路31など)に、必要なクロックやパルス等の信号を供給し、前述した動作を実現させる。
図4は、図2に示す固体撮像装置4を模式的に示す概略平面図である。本実施の形態では、図2中の画素部21以外の要素からなる回路部41が、画素部21の上側(行方向の一方の側)及び下側(行方向の他方の側)に、分散して配置されている。回路部41の上側部分及び下側部分の発熱状況(作動により発生する熱の状況)が互いにほぼ同じになるように、回路部41は画素部21の上下に対称的に配置することが好ましい。例えば、図2では、CDS回路29及びA/D変換器30は、画素部21の下側のみに配置されているかのように記載しているが、実際には、CDS回路29及びA/D変換器30は、それぞれ半分ずつ、画素部21の上側と下側に配置することが好ましい。なお、本実施の形態では、回路部41を画素部21の上側及び下側のみに配置しているが、回路部41を画素部21の上側及び下側のみならず左側及び/又は右側にも配置してもよく、例えば、垂直走査回路23を画素部21の左側に配置してもよい。
図5は、図2に示す固体撮像装置4のグローバルシャッタ動作の一例を示すタイミングチャートである。図5に示す動作例では、全行が読み出し対象行とされる全行読み出しモードで読み出し動作が行われる。画素PXのトランジスタTX,RES,SELは、ハイレベル(ハイ)の制御信号を受けてオン状態とされる。なお、図5に示すグローバルシャッタ動作は、静止画撮影時などにおいて行われる。
まず、期間T11において、全行のφTXがハイ(H)にされ、全画素PXの転送トランジスタTXがオンにされる。このとき、全行のφRESがハイ(H)にされて全画素PXのリセットトランジスタRESがオンにされているので、期間T11において、全画素PXのフォトダイオードPD及びフローティングディフュージョンFDがリセットされる。期間T11は、いわゆるグローバルリセットの期間である。全行のφTXは、期間T11後にロー(L)にされ、画素PXの転送トランジスタTXがオフにされる。
期間T11の後の期間T12において、メカニカルシャッタ(図示せず)が開かれる。この期間T12が露光期間となる。
次いで、期間T13において、1行目のφSELがハイ(H)にされる。これにより、1行目の選択トランジスタSELがオンにされ、1行目の行選択が開始され、1行目の増幅トランジスタAMPによるソースフォロワ読み出しが開始される。
期間T13の開始時点から所定期間経過した後に期間T21が開始される。期間T21では、1行目のφRESがロー(L)にされて1行目のリセットトランジスタRESがオフにされ、1行目のフローティングディフュージョンFDのリセットが終了される。期間T21の開始時点から期間T22の開始時点までの間に、1行目のダークレベル(フローティングディフュージョンFDのリセット状態に対応して1行目の増幅トランジスタAMPから出力される信号)が、増幅トランジスタAMPから垂直信号線27を介してCDS回路29にクランプ(保存)される。
期間T22において、1行目のφTXがハイ(H)にされて1行目の転送トランジスタTXがオンにされる。これにより、1行目の画素PXのフォトダイオードPDに蓄積されていた信号電荷が、当該画素PXのフローティングディフュージョンFDに転送される。そして、期間T22の終了時に、1行目のφTXがロー(L)にされて1行目の転送トランジスタTXがオフにされる。期間T22の終了時点から期間T21の終了時点(期間T13の終了時点)までの間に、1行目のフローティングディフュージョンFDに転送された電荷による電位変動が増幅トランジスタAMPから垂直信号線27を介してCDS回路29にクランプされる。すなわち、フォトダイオードPDの信号読出しが行われる。そして、CDS回路29によって、この信号と先のダークレベルとの差分信号が取得される。
その後、期間T13の終了時点(期間T21の終了時点)において、1行目のφRESがハイ(H)にされて1行目のリセットトランジスタRESがオンにされ、1行目のフローティングディフュージョンFDのリセットが開始されるとともに、1行目のφSELがロー(L)にされて1行目の選択トランジスタSELがオフにされ、1行目の行選択が終了される。
次に、水平帰線期間を経てn行目の選択動作の期間T14へと移行する。1行目の選択動作の期間T13の開始時点からn行目の選択動作の期間T14の開始時点までの期間が、1水平期間である。その後、それぞれ水平帰線期間を経て、2行目の選択動作の期間T15、n−1行目の選択動作の期間T16、3行目の選択動作の期間、n−2行目の選択動作の期間、・・・、(n/2)行目の選択動作の期間、(n/2)+1行目の選択動作の期間へと順次移行し、さらに水平帰線期間へ移行する。1行目以外の各行についても1行目と同様な動作が行われるので、ここではその説明は省略する。各行の選択期間における転送トランジスタTXのオン期間の開始時点は、時間ΔT(=1水平期間の長さta)ずつ遅れていく。このようにして、すべての行から信号が読み出されると、1フレームの画像信号の読み出しを終了する。なお、前記各水平帰線期間において、各CDS回路29で取得された前記差分信号がA/D変換器30にてデジタル信号に変換され、水平読み出し回路31によって外部(図1中のデジタル信号処理部6)へ出力される。
なお、先の説明からわかるように、図5に示す動作例では、同一行の画素PXに関する信号の読み出しタイミングが同一であるとともに、異なる行の画素PXに関する信号の読み出しタイミングが異なっている。
先の説明からわかるように、図5に示す動作例では、j行目の画素PXのフォトダイオードPDは露光期間T12において受光した量に比例する信号電荷を発生させる。j行目の画素PXのフォトダイオードPDには、グローバルリセットの期間T11の終了時点からj行目の選択期間における転送トランジスタTXのオン期間の開始時点(φ(j)の立ち上がり時点)までの期間において、暗電流に起因するノイズ電荷が蓄積され得る。例えば、2行目の画素PXのフォトダイオードPDには、グローバルリセットの期間T11の終了時点から2行目の選択期間におけるφ(2)の立ち上がり時点までの期間において、暗電流に起因するノイズ電荷が蓄積され得る。
ところが、図5に示す動作例では、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に読み出され、画素部21の上下の回路部41に近い行が優先的に読み出されて、上下の回路部41に近い行から内側の行(回路部41から遠い行)に向かって読み出される。したがって、上下の回路部41から画素部21の各行へ伝播してくる熱が到達する以前に当該行から読み出すことができるか、あるいは、上下の回路部41から画素部21の各行へ伝播してから読み出しまでの時間を短くすることができる。このため、上下の回路部41から伝播してきた熱に起因する暗電流ノイズが露光電荷に重畳されるのを防ぐことができるかあるいは低減することができる。その結果、画素部21の周辺に設けられた回路部41から発生する熱に依存する暗電流の影響を低減することができ、得られる画像の画質を向上させることができる。
図6は、比較例による固体撮像装置54の概略構成を示す回路図であり、図2に対応している。図6において、図2中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図6に示す固体撮像装置54が図2に示す固体撮像装置4と異なる所は、上側垂直シフトレジスタ32及び下側垂直シフトレジスタ33に代えて、垂直シフトレジスタ35が設けられている点のみである。垂直シフトレジスタ35は、1行目からn行目までの全行を、その順序で、順次選択するためのシフトパルスφV(1)〜φV(n)を生成する。すなわち、垂直シフトレジスタ35のシフト方向は図2中の下方向となっている。このとき、垂直シフトレジスタ35は、タイミング発生回路22からの信号に応じて、全行読み出しモードの場合には、シフトパルスφV(1)〜φV(n)の全てを生成する一方で、間引き読み出しモードの場合には、シフトパルスφV(1)〜φV(n)のうちの間引く行のシフトパルスはスルーして生成せずに間引かない行(読み出すべき行)のシフトパルスのみを生成するようになっている。タイミング発生回路22からの信号によって垂直シフトレジスタ35が駆動されることによって、全行読み出しモード及び間引き読み出しモードのいずれの場合も、垂直シフトレジスタ35のシフトパルス発生周期は1水平期間とされる。
この比較例による固体撮像装置54では、これによって、画素部21の画素PXの読み出すべき行(全画素読み出しモードの場合には全行、間引き読み出しモードの場合には間引かない行)に関して、1行目からn行目の方向に、各行の画素から信号が順次読み出される。したがって、この比較例では、全行読み出しモードの場合には、1行目、2行目、3行目、4行目、・・・、n−1行目、n行目の画素PXが、その順序で順次読み出されことになる。
図7は、図6に示す固体撮像装置54のグローバルシャッタ動作を示すタイミングチャートであり、図5に対応している。図7において、図5中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。図7に示す動作においても、図5に示す動作例と同じく、全行が読み出し対象行とされる全行読み出しモードで読み出し動作が行われる。
図7に示す比較例による固体撮像装置54のグローバルシャッタ動作が図5に示す固体撮像装置4のグローバルシャッタ動作と異なる所は、図5に示す動作例では、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に読み出されるのに対し、図7に示す動作では、1行目、2行目、3行目、4行目、・・・、n−1行目、n行目の順に読み出される点のみである。
図7に示す動作も図5に示す動作と同じく、j行目の画素PXのフォトダイオードPDには、グローバルリセットの期間T11の終了時点からj行目の選択期間における転送トランジスタTXのオン期間の開始時点(φ(j)の立ち上がり時点)までの期間において、暗電流に起因するノイズ電荷が蓄積され得る。
図7に示す動作では、1行目、2行目、3行目、4行目、・・・、n−1行目、n行目の順に読み出されるので、下側の回路部41に近い下側の行については、暗電流に起因するノイズ電荷が蓄積され得る期間が長くなってしまう。したがって、下側の回路部41に近い下側の行については、下側の回路部41から当該行へ熱が伝播してから読み出しまでの時間が長くなってしまう。このため、画素部21の下側の行については、下側の回路部41から伝播してきた熱に起因する暗電流ノイズが多く露光電荷に重畳されてしまう。その結果、画素部21の下側に設けられた回路部41から発生する熱に依存する暗電流の影響が大きくなってしまい、得られる画像の下側においていわば白浮きが発生してしまい、その画質が低下してしまう。特に、画素PXの数が多くて行数が多い場合や、高速化等に伴って回路部41の発熱量が大きい場合には、その画質低下が大きくなる。
これに対し、図5に示す動作では、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に読み出されるので、前述したとおり、上下の回路部41から画素部21の各行へ伝播してくる熱が到達する以前に当該行から読み出すことができるか、あるいは、上下の回路部41から画素部21の各行へ伝播してから読み出しまでの時間を短くすることができる。このため、本実施の形態によれば、画素部21の周辺に設けられた回路部41から発生する熱に依存する暗電流の影響を低減することができ、前記比較例のような白浮きを防止又は低減することができ、得られる画像の画質を向上させることができるのである。
図8(a)は、図6に示す固体撮像装置54と同様の固体撮像装置について、入射光を遮光した状態で図7に示すグローバルシャッタ動作と同様の動作を行わせることによって実際に得られた各行の画像信号のレベルを、示している。図8(b)は、図2に示す固体撮像装置4と同様の固体撮像装置について、入射光を遮光した状態で図5に示すグローバルシャッタ動作と同様の動作を行わせることによって実際に得られた各行の画像信号のレベルを、示している。
比較例に係る図8(a)では、得られる画像の下側(n行側)において画素信号のレベルが大きくなって白浮きが発生しているのに対し、本実施の形態に係る図8(b)では、得られる画像の下側(n行側)を含む画像の全体において画素信号のレベルが大きくならずに白浮きが発生していない。
また、比較例において白浮きが発生した画像を画像処理で補正する手法を採用することで、画質を向上させることも可能であるが、その場合には、当該補正のための画像処理回路等を要する。本実施の形態では、比較例に対して、各行の読み出し順序を変えるだけであるので、そのような画像処理回路等を要しない。このため、本実施の形態では、電子カメラ1のシステム全体の回路規模を小さくすることができるので、コスト削減にも寄与し、システム全体の発熱も押さえることが可能となる。もっとも、本実施の形態において、前記補正のための画像処理回路等を併用することで、更に画質を向上させることも可能である。
図9は、図2に示す固体撮像装置4のローリングシャッタ動作の一例を示すタイミングチャートである。ローリングシャッタ動作中は、メカニカルシャッタ(図示せず)は開状態に維持される。図9に示す動作例では、全行が読み出し対象行とされる全行読み出しモードで読み出し動作が行われるものとしているが、ローリングシャッタ動作において、例えば、電子ビューファインダーモード時や動画撮影時などでは、実現したい動画規格(Full HD、HD等)やフレームレート(30fps、60fps等)によって、選ばられた行のみを読み出し対象とする間引き読み出しモードとしてもよい。なお、静止画撮影時に、図9に示すような全行読み出しモードでのローリングシャッタ動作を行ってもよい。
図9に示すローリングシャッタ動作では、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に、各行について順次同じ動作が行われる。そこで、ここでは、1行目の動作についてのみ説明する。なお、図9は、1行目、n行目、2行目、n−1行目についての動作を示している。
まず、1行目のφRESがハイ(H)となっている間に1行目のφTXがハイ(H)、ロー(L)とされることによりフォトダイオードPD及びフローティングディフュージョンFDがリセットされる。所定時間経過後に1行目のφSELがハイ(H)とされて、1行目の選択トランジスタSELがオンとされる。1行目のφSELのハイ(H)の開始時点から一定時間だけ1行目のφRESがハイ(H)にされてフローティングディフュージョンFDのレベルが基準レベルにリセットされ、その後1行目のφRESがロー(L)にされる。次いで、フローティングディフュージョンFDの基準レベルに応じたレベル(ダークレベル)が、1行目の増幅トランジスタAMPから垂直信号線27を介してCDS回路29にクランプされる。
次いで、1行目のφTXが再度ハイ(H)、ロー(L)とされる。これにより、1行目のフォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに転送される。その後、基準レベルとこの電荷による信号の重畳された信号に応じたレベルの信号が、1行目の増幅トランジスタAMPから垂直信号線27を介してCDS回路29にクランプされる。そして、CDS回路29によって、ここでクランプされた信号と先のダークレベルとの差分信号が取得される。そして、各CDS回路29で取得された前記差分信号がA/D変換器30にてデジタル信号に変換され、水平読み出し回路31によって外部(図1中のデジタル信号処理部6)へ出力される。
1行目のφRESがハイ(H)となっている間に1行目のφTXがハイ(H)からロー(L)とされる時点から、次に1行目のφTXがハイ(H)にされる時点までの期間が、1行目の露光期間となる。各行の露光期間は、同じ長さであるが、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順にずれていく。
以上の説明からわかるように、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に画素PXのフォトダイオードPDがリセットされるとともに、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に画素PXから信号が読み出される。
図10は、図6に示す固体撮像装置54のローリングシャッタ動作を示すタイミングチャートであり、図9に対応している。図10において、図9中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。図10に示す動作においても、図9に示す動作例と同じく、全行が読み出し対象行とされる全行読み出しモードで読み出し動作が行われるものとしている。
図10に示す比較例による固体撮像装置54のローリングシャッタ動作が図9に示す固体撮像装置4のローリングシャッタ動作と異なる所は、図9に示す動作例では、1行目、n行目、2行目、n−1行目、3行目、n−2行目、・・・、(n/2)行目、(n/2)+1行目の順に同じ動作が行われるのに対し、図10に示す動作では、1行目、2行目、3行目、4行目、・・・、n−1行目、n行目の順に同じ動作が行われる点のみである。
図9に示す動作例においても図10に示す動作においても、いずれの行に関しても、フォトダイオードPDがリセットされた時点から転送トランジスタTXのオン期間の開始時点までの期間の長さは同一であるため、暗電流の影響を受け難い。しかしながら、静止画撮影などにおいてこれらの動作を行う場合においては、比較例に係る図10に示す動作では上下の回路部41から伝播してきた熱に起因する暗電流の影響が比較的大きくなって画質が低下するのに対し、本実施の形態に係る図9に示す動作例では上下の回路部41から伝播してきた熱に起因する暗電流の影響が比較的小さくなって画質を向上させることができる。
本実施の形態に係る図9に示す動作例では、比較例に係る図10に示す動作よりもローリング歪みが目立ち難くなるという利点も得られる。例えば、図11(a)に示すように図中右方向へ進行する長方形の被写体を比較例に係る図10に示す動作で撮像した場合には、図11(b)に示すように被写体像は全体的に斜めになった平行四辺形状となり、ローリング歪みが比較的目立ち易い。これに対し、図11(a)に示すように図中右方向へ進行する長方形の被写体を本実施の形態に係る図9に示す動作例で撮像した場合には、図11(c)に示すように被写体像は上側及び下側に比べて中央付近が右方向へずれたような形状となり、ローリング歪みが比較的目立ち難い。
なお、回路部41へ供給する電圧を下げると、回路部41からの発熱量が低減され、上下の回路部41から伝播してきた熱に起因する暗電流の影響がより低減するため、好ましい。特に、動画撮影の場合には、回路部41からの発熱量が多くなるので、回路部41へ供給する電圧を下げることが好ましい。
以上、本発明の実施の形態及びその変形例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、前記実施の形態では、グローバルシャッタ動作及びローリングシャッタ動作の両方に本発明の行読み出し順序を適用しているが、本発明では、グローバルシャッタ動作及びローリングシャッタ動作のいずれか一方にのみ本発明の行読み出し順序を適用し、他方の動作は前記比較的と同じ行読み出し順序を採用してもよい。
また、本発明は、全行読み出しモードや間引き読み出しモードに限らず、複数の行の画素の信号を加算又は混合して読み出す加算又は混合読み出しモードを行い得るように構成された固体撮像装置にも、適用することができる。
1 電子カメラ
4 固体撮像装置
21 画素部
22 タイミング発生回路
23 垂直走査回路
32 上側垂直シフトレジスタ
33 下側垂直シフトレジスタ
41 回路部
4 固体撮像装置
21 画素部
22 タイミング発生回路
23 垂直走査回路
32 上側垂直シフトレジスタ
33 下側垂直シフトレジスタ
41 回路部
Claims (8)
- 2次元状に配置された複数の画素と、
前記複数の画素のうちの前記複数の画素の列方向の中央付近の行の画素から信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素から信号を読み出すように、前記複数の画素を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。 - 作動時に発熱する回路部が、前記複数の画素が配置されている画素部に対する前記列方向の両側にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記制御手段は、前記複数の画素のうちの同一行の画素からの信号の読み出しタイミングが同一であるとともに、前記複数の画素のうちの異なる行の画素からの信号の読み出しタイミングが異なるように、前記複数の画素を制御することを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
- 前記複数の画素の読み出すべき行に関して、前記列方向の前記一方側と前記他方側とをk(kは1以上の整数)行ずつ交互に選択しつつ選択された側において当該選択された側の最も端から順次選択されたk行のうちの各行の画素から信号を順次読み出すように、前記複数の画素を制御することを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- kが1であり、
前記制御部は、前記列方向の前記一方側の行を選択するための第1のシフトパルスを生成する第1のシフトレジスタと、前記列方向の前記他方側の行を選択するための第2のシフトパルスを生成する第2のシフトレジスタとを有し、
前記第1及び第2のシフトレジスタは、前記第1のシフトパルスの発生周期と前記第2のシフトパルスの発生周期とが同一であるとともに、前記第1のシフトパルスの発生タイミングと前記第2のシフトパルスの発生タイミングとが前記発生周期の半周期だけずれるように、駆動される、
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記制御手段は、グローバルシャッタ動作において、前記複数の画素のうちの複数の画素の列方向の中央付近の行の画素から信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素から信号を読み出すように、前記複数の画素を制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記制御手段は、ローリングシャッタ動作において、前記複数の画素のうちの複数の画素の列方向の中央付近の行の画素をリセットするよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素をリセットするように、かつ、前記複数の画素のうちの複数の画素の列方向の中央付近の行の画素から信号を読み出すよりも先に、前記複数の画素のうちの前記列方向の一方側の行の画素及び他方側の行の画素から信号を読み出すように、前記複数の画素を制御することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の固体撮像装置を備えたことを特徴とする電子カメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024497A JP2013162421A (ja) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | 固体撮像装置及びこれを用いたデジタルカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2012024497A JP2013162421A (ja) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | 固体撮像装置及びこれを用いたデジタルカメラ |
Publications (1)
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JP2013162421A true JP2013162421A (ja) | 2013-08-19 |
Family
ID=49174318
Family Applications (1)
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JP2012024497A Pending JP2013162421A (ja) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | 固体撮像装置及びこれを用いたデジタルカメラ |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2013162421A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20150144026A (ko) * | 2014-06-16 | 2015-12-24 | 한불화장품주식회사 | 저비중 마스카라 화장료 조성물 |
JP7343227B1 (ja) | 2022-03-29 | 2023-09-12 | 三男 眞鍋 | 位置測定装置 |
-
2012
- 2012-02-07 JP JP2012024497A patent/JP2013162421A/ja active Pending
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