JP2013160639A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の磁気抵抗効果素子1及び第2の磁気抵抗効果素子2には同じ素子部9が配置されており、第1の磁気抵抗効果素子には外部磁界H1をY1方向に変換する第1の軟磁性体12が配置され、第2の磁気抵抗効果素子には、外部磁界H1をY2方向に変換する第2の軟磁性体14が配置されている。第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子との磁気抵抗効果は逆極性である。高感度の素子構成に対し、感度調整のために、第1の磁気抵抗効果素子1の一部の第1の軟磁性体12に代えて第2の軟磁性体14を配置して第1の逆極性素子21を直列に接続し、第2の磁気抵抗効果素子の第2の軟磁性体14に代えて第1の軟磁性体12を配置して第2の逆極性素子22を直列に接続した。
【選択図】図2
Description
外部磁界により磁気抵抗効果を発揮する第1の磁気抵抗効果素子と第2の磁気抵抗効果素子とが出力端子を介して直列に接続されており、
前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第2の磁気抵抗効果素子には磁性層と非磁性層とを積層してなる同じ素子部が配置されており、前記第1の磁気抵抗効果素子には前記素子部に対して前記外部磁界の方向を第1の方向に変換する複数の第1の軟磁性体が配置され、前記第2の磁気抵抗効果素子には、前記素子部に対して前記外部磁界の方向を前記第1の方向とは異なる第2の方向に変換する複数の第2の軟磁性体が配置されており、
前記素子部に対して、前記第1の軟磁性体及び前記第2の軟磁性体は夫々、非接触であり、
前記第1の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果と前記第2の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果とは逆極性であり、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子との直列回路で構成された高感度の素子構成に対し、感度調整のために、前記第1の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第1の軟磁性体に代えて前記第2の軟磁性体を配置して前記第1の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第1の逆極性素子を直列に接続し、前記第2の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第2の軟磁性体に代えて前記第1の軟磁性体を配置して前記第2の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第2の逆極性素子を直列に接続したことを特徴とするものである。
前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第2の磁気抵抗効果素子には磁性層と非磁性層とを積層してなる同じ素子部を配置し、前記第1の磁気抵抗効果素子には前記素子部と非接触で前記素子部に対して前記外部磁界の方向を第1の方向に変換する複数の第1の軟磁性体を配置し、前記第2の磁気抵抗効果素子には、前記素子と非接触で前記素子部に対して前記外部磁界の方向を前記第1の方向とは異なる第2の方向に変換する複数の第2の軟磁性体を配置し、
前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第2の磁気抵抗効果素子との直列回路で構成される高感度の素子構成に対して、感度調整のために、前記第1の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第1の軟磁性体に代えて前記第2の軟磁性体を配置して前記第1の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第1の逆極性素子を直列に接続し、前記第2の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第2の軟磁性体に代えて前記第1の軟磁性体を配置して前記第2の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第2の逆極性素子を直列に接続したことを特徴とするものである。
前記第1の軟磁性体は、X2方向からの外部磁界を、前記X1−X2方向と直交するY1方向へ変換できるように配置されており、前記第2の軟磁性体は、X2方向からの外部磁界を、前記Y1方向とは逆方向のY2方向へ変換できるように配置されていることが好ましい。
M1、M2 磁路
P 感度軸方向
S 磁気センサ
1〜4 磁気抵抗効果素子
9 素子部
12 第1の軟磁性体
14 第2の軟磁性体
16 電極層
21 第1の逆極性素子
22 第2の逆極性素子
61 固定磁性層
62 非磁性層
63 フリー磁性層
64 保護層
Claims (6)
- 外部磁界により磁気抵抗効果を発揮する第1の磁気抵抗効果素子と第2の磁気抵抗効果素子とが出力端子を介して直列に接続されており、
前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第2の磁気抵抗効果素子には磁性層と非磁性層とを積層してなる同じ素子部が配置されており、前記第1の磁気抵抗効果素子には前記素子部に対して前記外部磁界の方向を第1の方向に変換する複数の第1の軟磁性体が配置され、前記第2の磁気抵抗効果素子には、前記素子部に対して前記外部磁界の方向を前記第1の方向とは異なる第2の方向に変換する複数の第2の軟磁性体が配置されており、
前記素子部に対して、前記第1の軟磁性体及び前記第2の軟磁性体は夫々、非接触であり、
前記第1の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果と前記第2の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果とは逆極性であり、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子との直列回路で構成された高感度の素子構成に対し、感度調整のために、前記第1の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第1の軟磁性体に代えて前記第2の軟磁性体を配置して前記第1の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第1の逆極性素子を直列に接続し、前記第2の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第2の軟磁性体に代えて前記第1の軟磁性体を配置して前記第2の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第2の逆極性素子を直列に接続したことを特徴とする磁気センサ。 - ASICの出力要求に応じて、各磁気抵抗効果素子と各逆極性素子との間で前記第1の軟磁性体及び前記第2の軟磁性体の数が調整される請求項1記載の磁気センサ。
- 前記素子部はX1−X2方向に延出して形成され、
前記第1の軟磁性体は、X2方向からの外部磁界を、前記X1−X2方向と直交するY1方向へ変換できるように配置されており、前記第2の軟磁性体は、X2方向からの外部磁界を、前記Y1方向とは逆方向のY2方向へ変換できるように配置されている請求項1又は2に記載の磁気センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子と同じ素子構成の第4の磁気抵抗効果素子と、前記第2の磁気抵抗効果素子と同じ素子構成の第3の磁気抵抗効果素子とをさらに有し、前記第1の磁気抵抗効果素子、前記第2の磁気抵抗効果素子、前記第3の磁気抵抗効果素子及び前記第4の磁気抵抗効果素子により構成された高感度のブリッジ回路に対して、感度調整のために、前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第4の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第1の軟磁性体に代えて前記第2の軟磁性体を配置して前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第4の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第1の逆極性素子を夫々直列に接続し、前記第2の磁気抵抗効果素子及び前記第3の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第2の軟磁性体に代えて前記第1の軟磁性体を配置して前記第2の磁気抵抗効果素子及び前記第3の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第2の逆極性素子を夫々直列に接続した請求項1ないし3のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 外部磁界により磁気抵抗効果を発揮する第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子とは磁気抵抗効果が逆極性の第2の磁気抵抗効果素子とを出力端子を介して直列に接続してなる磁気センサの製造方法において、
前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第2の磁気抵抗効果素子には磁性層と非磁性層とを積層してなる同じ素子部を配置し、前記第1の磁気抵抗効果素子には前記素子部と非接触で前記素子部に対して前記外部磁界の方向を第1の方向に変換する複数の第1の軟磁性体を配置し、前記第2の磁気抵抗効果素子には、前記素子部と非接触で前記素子部に対して前記外部磁界の方向を前記第1の方向とは異なる第2の方向に変換する複数の第2の軟磁性体を配置し、
前記第1の磁気抵抗効果素子及び前記第2の磁気抵抗効果素子との直列回路で構成される高感度の素子構成に対して、感度調整のために、前記第1の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第1の軟磁性体に代えて前記第2の軟磁性体を配置して前記第1の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第1の逆極性素子を直列に接続し、前記第2の磁気抵抗効果素子を構成する一部の前記第2の軟磁性体に代えて前記第1の軟磁性体を配置して前記第2の磁気抵抗効果素子に磁気抵抗効果が逆極性となる第2の逆極性素子を直列に接続したことを特徴とする磁気センサの製造方法。 - ASICの出力要求に応じて、各磁気抵抗効果素子と各逆極性素子との間で前記第1の軟磁性体と前記第2の軟磁性体の数を調整する請求項5記載の磁気センサの製造方法。
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