JP2013145925A - 処理装置 - Google Patents
処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013145925A JP2013145925A JP2013093226A JP2013093226A JP2013145925A JP 2013145925 A JP2013145925 A JP 2013145925A JP 2013093226 A JP2013093226 A JP 2013093226A JP 2013093226 A JP2013093226 A JP 2013093226A JP 2013145925 A JP2013145925 A JP 2013145925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing
- dilution
- substrate
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims abstract description 118
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 307
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 8
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- NRKYWOKHZRQRJR-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroacetamide Chemical compound NC(=O)C(F)(F)F NRKYWOKHZRQRJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 description 1
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCOBLONWWXQEBS-KPKJPENVSA-N N,O-bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide Chemical compound C[Si](C)(C)O\C(C(F)(F)F)=N\[Si](C)(C)C XCOBLONWWXQEBS-KPKJPENVSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005441 aurora Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】メチル基を有する処理ガスを用いて被処理基板Wの低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理装置1は、被処理基板Wを処理容器11内の載置台12に載置してヒータ15により加熱した状態で、希釈ガス供給配管22およびガス導入部20を介して希釈ガスを導入し、処理容器11内の圧力を処理圧力よりも低圧の第1の圧力まで上昇させ、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理ガス供給配管21およびガス導入部20を介して処理容器11内の被処理基板存在領域に導入し、回復処理の際の第2の圧力まで上昇させ、処理容器11を第2の圧力に維持し、ダメージ層を回復させる回復処理を行うように制御する制御部50を有する。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の方法を実施可能な処理装置の一例を示す断面図、図2は図1の処理装置に用いられるガス導入ヘッドを示す底面図である。
ここでは、デュアルダマシン法等により配線溝や接続孔を形成するためのエッチングやアッシングの際にLow−k膜の表面部分に形成されたダメージ層に対して、メチル基(−CH3)を有する処理ガスにより回復処理を施す。
ここでは、処理ガスとしてメチル基を有するシリル化剤であるTMSDMAを用い、希釈ガスとしてN2ガスを用い、ダメージを受けたLow−k膜を模擬したOH基を含有するフォトレジスト膜における処理前と処理後の膜厚変化Δtにより回復処理の程度を把握した。実際にLow−k膜を形成したウエハにエッチングおよびアッシング処理を施しダメージを導入して回復処理の程度を把握しようとすると、サンプルメーキングが難しく、精度が低いという問題があるが、回復処理の本質がOH基をメチル基またはメチル基を含有する基で置換することにあることに鑑みれば、このようにOH基を含有するフォトレジスト膜に回復処理を行うことにより、簡易にかつ精度良く回復処理の程度を把握することができる。
処理圧力(チャンバ内全圧):667Pa(5Torr)
TMSDMA分圧:100Pa(0.75Torr)]
TMSDMA流量:500mL/min(sccm)
N2流量;:2833mL/min(sccm)
温度:250℃
時間:10sec
図8は本発明の方法を実施可能な処理装置の他の例を示す断面図、図9は図8の処理装置に用いられるガス導入ヘッドを示す底面図である。
この装置は、ガス導入ヘッドの構造が異なっている他は、図1の装置と同様の構成を有しているので、図1の装置と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
11;チャンバ
12;載置台
15;ヒータ
20,20′;ガス導入ヘッド
21;処理ガス供給配管
22;希釈ガス供給配管
25,61a;処理ガス吐出孔
26,65;希釈ガス吐出孔
50;制御部
51;プロセスコントローラ
52;ユーザーインターフェース
53;記憶部(記憶媒体)
W;ウエハ
Claims (6)
- 表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板に対して、メチル基を有する処理ガスを用いて前記低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理装置であって、
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する載置台と、
前記処理容器内で被処理基板を加熱するヒータと、
前記処理容器内に前記メチル基を有する処理ガスおよび希釈ガスを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部に接続し、前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記ガス導入部に接続し、前記希釈ガスを供給する希釈ガス供給配管と、
前記処理ガスおよび前記希釈ガスの流量を制御する流量制御部と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
被処理基板を載置台に載置してヒータにより加熱した状態で、前記処理容器内に前記希釈ガス供給配管および前記ガス導入部を介して前記流量制御部により流量を制御して前記希釈ガスを導入し、前記排気機構により前記処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第1の圧力まで上昇させ、その後、前記希釈ガスを停止し、前記処理ガスを前記処理ガス供給配管および前記ガス導入部を介して前記処理容器内の被処理基板の存在領域に導入し、前記処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第2の圧力まで上昇させ、前記処理容器内を前記第2の圧力に維持し、被処理基板に対して回復処理を行い、前記低誘電率膜に形成されたダメージ層を回復させるように制御する制御部と
を備えることを特徴とする処理装置。 - 前記ガス導入部は、前記希釈ガスを導入するための希釈ガス吐出孔と、前記処理ガスを導入するための処理ガス吐出孔とを有することを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記ガス導入部は、前記載置台と対向するように設けられ、前記処理ガス吐出孔と前記希釈ガス吐出孔は、前記ガス導入部の中央領域に交互に形成されることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。
- 前記ガス導入部は、前記載置台と対向するように設けられ、前記処理ガス吐出孔は、前記ガス導入部の中央領域に形成され、前記希釈ガス吐出孔は、前記被処理基板が存在しない領域に対向する領域に形成されることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。
- 表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板に対して、メチル基を有する処理ガスを用いて前記低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理装置であって、
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する載置台と、
前記処理容器内で被処理基板を加熱するヒータと、
前記処理容器内に前記メチル基を有する処理ガスおよび希釈ガスを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部に接続し、前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記ガス導入部に接続し、前記希釈ガスを供給する希釈ガス供給配管と、
前記処理ガスおよび前記希釈ガスの流量を制御する流量制御部と、
前記処理容器内を排気する排気機構と
を備え、
前記ガス導入部は、前記載置台と対向するように設けられ、前記希釈ガスを導入するための希釈ガス吐出孔と、前記処理ガスを導入するための処理ガス吐出孔とを有し、
前記処理ガス吐出孔と前記希釈ガス吐出孔は、前記ガス導入部の中央領域に交互に形成されることを特徴とする処理装置。 - 表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板に対して、メチル基を有する処理ガスを用いて前記低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理装置であって、
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する載置台と、
前記処理容器内で被処理基板を加熱するヒータと、
前記処理容器内に前記メチル基を有する処理ガスおよび希釈ガスを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部に接続し、前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記ガス導入部に接続し、前記希釈ガスを供給する希釈ガス供給配管と、
前記処理ガスおよび前記希釈ガスの流量を制御する流量制御部と、
前記処理容器内を排気する排気機構と
を備え、
前記ガス導入部は、前記載置台と対向するように設けられ、前記希釈ガスを導入するための希釈ガス吐出孔と、前記処理ガスを導入するための処理ガス吐出孔とを有し、
前記処理ガス吐出孔は、前記ガス導入部の中央領域に形成され、前記希釈ガス吐出孔は、前記被処理基板が存在しない領域に対向する領域に形成されることを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013093226A JP5535368B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013093226A JP5535368B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009132150A Division JP5261291B2 (ja) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 処理方法および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013145925A true JP2013145925A (ja) | 2013-07-25 |
JP5535368B2 JP5535368B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=49041526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013093226A Expired - Fee Related JP5535368B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5535368B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9911596B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-03-06 | Tokyo Electron Limited | Modification processing method and method of manufacturing semiconductor device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11330069A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔質膜の形成方法及びその形成装置 |
JP2006073800A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006086411A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2008029800A1 (fr) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Limited | Procédé de traitement de substrat et support de stockage |
JP2008192642A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2008198848A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および記憶媒体 |
JP2009010043A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法,基板処理装置,記録媒体 |
JP2009188205A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2013
- 2013-04-26 JP JP2013093226A patent/JP5535368B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11330069A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔質膜の形成方法及びその形成装置 |
JP2006073800A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006086411A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2008029800A1 (fr) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Limited | Procédé de traitement de substrat et support de stockage |
JP2008192642A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2008198848A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および記憶媒体 |
JP2009010043A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法,基板処理装置,記録媒体 |
JP2009188205A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9911596B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-03-06 | Tokyo Electron Limited | Modification processing method and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5535368B2 (ja) | 2014-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5261291B2 (ja) | 処理方法および記憶媒体 | |
JP6700459B2 (ja) | タングステン膜の成膜方法および成膜装置 | |
US20090001046A1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium | |
JP5452894B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP2007324350A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置、ならびに基板処理装置 | |
JP4999419B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理システム、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP4800235B2 (ja) | 処理方法 | |
US20090179003A1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium | |
US20120006782A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5272336B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
US20100050867A1 (en) | Gas treatment apparatus, gas treatment method, and storage medium | |
JP2004146516A (ja) | 成膜方法 | |
JP2008034736A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
US20120031266A1 (en) | Exhausting method and gas processing apparatus | |
JP5535368B2 (ja) | 処理装置 | |
JP5941623B2 (ja) | 処理方法および記憶媒体 | |
JP2015115531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20170170065A1 (en) | Carbon film forming method, carbon film forming apparatus, and storage medium | |
JP4889376B2 (ja) | 脱水方法および脱水装置、ならびに基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4787073B2 (ja) | 処理方法および処理装置 | |
JP2011040563A (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理装置 | |
JP2009218276A (ja) | ドライクリーニング方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5535368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |