JP2013145907A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
従来、固体撮像素子を微細化した場合、画素の回路でリーク電流が大きくなり、画像のSN比が劣化するという問題があった。
【解決手段】
本発明に係る固体撮像素子は、第1の素子分離手段による素子分離領域を有する第1の半導体基板と、第2の素子分離手段による素子分離領域を有する第2の半導体基板とを有し、前記第1の半導体基板の主面と前記第2の半導体基板の主面とは対向して位置され、前記第1の半導体基板の主面および前記第2の半導体基板の主面には、各々を電気的に接続する接続部が設けられたことを特徴とする。
【選択図】 図5
Description
一方、微細化されたCMOSプロセスでは、素子分離領域の微細化が可能なシャロートレンチ分離(以降、STIと称する)が用いられる。しかし、STIは、従来のLOCOS酸化膜による素子分離(以降、LOCOS分離と称する)などに比較してリーク電流が大きくなることが知られている。さらに、微細化されたCMOSプロセスでは、ゲート絶縁膜が薄くなるためリーク電流が増大するという問題も生じる。
さらに、前記接続部は、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを接続するマイクロバンプで構成されることを特徴とする。
(第1の実施形態)
第1の実施形態に係る固体撮像素子101について図1を用いて説明する。固体撮像素子101は、第1の素子分離手段(LOCOS分離)で素子分離領域を形成したセンサ基板102(第1半導体基板)と、第1の素子分離手段とは異なる第2の素子分離手段(STI)で素子分離領域を形成した周辺回路基板103(第2半導体基板)とに回路を分けて構成される。周辺回路は、単位画素から電気信号を読み出すための回路であり、垂直走査回路、水平走査回路などからなる。尚、周辺回路は、NMOS,PMOS,CMOSによって作られ、微細化されたトランジスタが用いられる。
第2の実施形態に係る固体撮像素子201について図6を用いて説明する。固体撮像素子201は、第1の素子分離手段(LOCOS分離)で素子分離領域を形成したセンサ基板202(第1半導体基板)と、第1の素子分離手段とは異なる第2の素子分離手段(STI)で素子分離領域を形成した周辺回路基板203(第2半導体基板)とに回路を分けて構成される。尚、第1の実施形態の図1と同符号のものは同じものを示す。
第3の実施形態に係る固体撮像素子301について図9を用いて説明する。固体撮像素子301は、第1の素子分離手段(LOCOS分離)で素子分離領域を形成したセンサ基板302(第1半導体基板)と、第1の素子分離手段とは異なる第2の素子分離手段(STI)で素子分離領域を形成した周辺回路基板303(第2半導体基板)とに回路を分けて構成される。尚、第1の実施形態の図1と同符号のものは同じものを示す。
102,202,302・・・センサ基板
103,203,303・・・周辺回路基板
P(n,m)・・・単位画素 VSCAN・・・垂直走査回路
HREAD・・・水平読み出し回路 HSCAN・・・水平走査回路
VLINE(m)・・・垂直信号線 PW(m)・・・定電流源
φSEL(n)・・・タイミング信号 φRES(n)・・・タイミング信号
φTX(n)・・・タイミング信号 PD・・・フォトダイオード
QT・・・転送トランジスタ QR・・・リセットトランジスタ
QA・・・増幅トランジスタ QS・・・選択トランジスタ
FD・・・フローティング容量部 Vdd・・・電源
さらに、前記接続部は、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを接続するマイクロバンプで構成されることを特徴とする。
Claims (8)
- 第1の素子分離手段による素子分離領域を有する第1の半導体基板と、
第2の素子分離手段による素子分離領域を有する第2の半導体基板とを有し、
前記第1の半導体基板の主面と前記第2の半導体基板の主面とは対向して位置され、
前記第1の半導体基板の主面および前記第2の半導体基板の主面には、各々を電気的に接続する接続部が設けられたことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
前記第1の半導体基板には、光電変換部と、前記光電変換部から電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタと、前記電荷保持部の電荷をリセットするリセットトランジスタと、前記電荷保持部の電荷を電気信号に変換する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタが出力する電気信号を前記接続部を介して前記第2の半導体基板側の周辺回路に読み出す選択トランジスタとで構成される画素の回路が配置され、
前記第2の半導体基板には、前記画素の回路から前記接続部を介して読み出される電気信号を外部に出力する走査回路を含む周辺回路が配置される
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
画素の回路は、受光側画素部の回路と、出力側画素部の回路とに分けて構成され、
前記第1の半導体基板には、前記光電変換部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタと、前記電荷保持部の電荷をリセットするリセットトランジスタと、前記電荷保持部の電荷を電気信号に変換して前記第2の半導体基板側の出力側画素部の回路に前記接続部を介して出力する増幅トランジスタとで構成される前記受光側画素部の回路が配置され、
前記第2の半導体基板には、前記受光側画素部の回路から前記接続部を介して入力される電気信号を前記周辺回路に読み出す選択トランジスタで構成される出力側画素部の回路と、前記出力側画素部の回路から電気信号を外部に出力する走査回路を含む周辺回路とが配置される
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
画素の回路は、受光側画素部の回路と、出力側画素部の回路とに分けて構成され、
前記第1の半導体基板には、前記光電変換部と、前記接続部を介して前記第2の半導体基板側の出力側画素部の回路に接続される前記電荷保持部に前記光電変換部から電荷を転送する転送トランジスタと、前記電荷保持部の電荷をリセットするリセットトランジスタとで構成される受光側画素部の回路が配置され、
前記第2の半導体基板には、前記受光側画素部の回路の前記電荷保持部に保持される電荷を電気信号に変換して出力する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタが出力する電気信号を前記周辺回路に読み出す選択トランジスタとで構成される出力側画素部の回路と、前記出力側画素部の回路から電気信号を外部に出力する走査回路を含む周辺回路とが配置される
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
前記接続部は、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを接続するマイクロバンプで構成される
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
前記第1の半導体基板に配置された前記転送トランジスタのゲート酸化膜の膜厚は、前記第2の半導体基板に配置されたトランジスタのゲート酸化膜の膜厚より厚い
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
前記第1の素子分離手段としてLOCOS(Local Oxidation of Silicon)を用い、
前記第2の素子分離手段としてSTI(Shallow Trench Isolation)を用いる
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、
前記第1の半導体基板の背面から受光する背面照射型固体撮像素子であることを特徴とする固体撮像素子。
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