JP2013145833A - Ｌｅｄ発光素子用反射基板およびｌｅｄパッケージ - Google Patents

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Abstract

【課題】高い発光効率を維持し、配線形成性に優れたＬＥＤ発光素子用反射基板およびＬＥＤパッケージの提供。
【解決手段】ＬＥＤ発光素子を実装する表面を有するＬＥＤ発光素子用反射基板であって、
前記表面のうち、少なくとも前記ＬＥＤ発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さＲａが０．０１〜０．２０μｍであり、かつ、凹凸の平均間隔Ｐｓｍが１０〜２０μｍであるＬＥＤ発光素子用反射基板。
【選択図】なし

Description

本発明は、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）パッケージに用いられるＬＥＤ発光素子用反射基板に関するものである。
一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯に代わり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。
このような白色ＬＥＤに使用できる基板として、本出願人は、特許文献１において、「少なくとも、絶縁層と、該絶縁層と接して設けられる金属層とを有する光反射基板において、３２０ｎｍ超〜７００ｎｍ波長光の全反射率が５０％以上であって、且つ、３００ｎｍ〜３２０ｎｍ波長光の全反射率が６０％以上であることを特徴とする、光反射基板。」を提案しており（［請求項１］［請求項１２］）、光反射基板の表面が平均波長０．０１〜１００μｍの凹凸である態様も提案している（［請求項２］）。
また、本出願人は、特許文献２において、「アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、前記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記絶縁層を構成する元素のうち、アルミニウムおよび酸素以外の元素の含有率が２０原子％以下であり、前記アルミニウム基板の表面が、平均波長５〜１００μｍの大波構造および／または平均開口径０．７〜５μｍの中波構造の形状を有する絶縁基板。」を提案している（［請求項１］［請求項３］）。
更に、本出願人は、特許文献３において、「金属基板と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、前記金属基板がバルブ金属基板であり、前記絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下である絶縁基板。」を提案しており（［請求項１］）、陽極酸化皮膜の表面が、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有する態様も提案している（［請求項２］）。
国際公開第２０１０／１５０８１０号（特開２０１１−２０５０５１号公報） 特開２０１１−１３２５９０号公報 特開２０１１−１９９２３３号公報
本発明者は、特許文献１および２に記載された基板について検討を行った結果、反射率が高く、発光効率が良好であるものの、基板の表面形状によっては、ＬＥＤ発光素子とともに設けられる金属配線の形成性（特に、直線性および密着性）が劣る場合があることが分かった。
そこで、本発明は、高い発光効率を維持し、配線形成性に優れたＬＥＤ発光素子用反射基板およびＬＥＤパッケージを提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、算術平均粗さＲａおよび凹凸の平均間隔Ｐｓｍが特定の範囲内となる表面を有する反射基板を用いることにより、高い発光効率を維持し、かつ、配線形成性にも優れることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（４）を提供する。
（１）ＬＥＤ発光素子を実装する表面を有するＬＥＤ発光素子用反射基板であって、
上記表面のうち、少なくとも上記ＬＥＤ発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さＲａが０．０１〜０．２０μｍであり、かつ、凹凸の平均間隔Ｐｓｍが１０〜２０μｍであるＬＥＤ発光素子用反射基板。
（２）上記表面が、金属基板上に設けられる反射層の表面であり、
上記反射層が、平均粒子径が０．１〜５μｍの無機粒子を用いて形成される上記（１）に記載のＬＥＤ発光素子用反射基板。
（３）上記反射層が、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の無機系結着剤を用いて形成される上記（２）に記載のＬＥＤ発光素子用反射基板。
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに記載のＬＥＤ発光素子用反射基板と、上記表面に実装されたＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
以下に説明するように、本発明によれば、高い発光効率を維持し、配線形成性に優れたＬＥＤ発光素子用反射基板およびＬＥＤパッケージを提供することができる。
図１は、本発明のＬＥＤ発光素子用反射基板の好適な実施態様の例を示した模式的な断面図である。 図２は、本発明のＬＥＤ発光素子用反射基板の他の好適な実施態様の例を示した模式的な断面図である。 図３は、本発明のＬＥＤパッケージの好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
［ＬＥＤ発光素子用反射基板］
本発明のＬＥＤ発光素子用反射基板（以下、単に「本発明の反射基板」という。）は、ＬＥＤ発光素子を実装する表面を有するＬＥＤ発光素子用反射基板であって、上記表面のうち、少なくとも上記ＬＥＤ発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さＲａ（以下、単に「Ｒａ」ともいう。）が０．０１〜０．２０μｍであり、かつ、凹凸の平均間隔Ｐｓｍ（以下、単に「Ｐｓｍ」ともいう。）が１０〜２０μｍである反射基板である。
ここで、「ＬＥＤ発光素子を実装する表面」とは、ＬＥＤ発光素子が実装される部分の表面（以下、「表面（実装領域）」ともいう。）およびＬＥＤ発光素子が実装される部分以外の表面（以下、「表面（非実装領域）」ともいう。）を含む表面である。
また、「Ｒａ」および「Ｐｓｍ」は、それぞれ、ＪＩＳ Ｂ０６０１:2001に記載された表面性状パラメータのことをいい、本発明においては、いずれも触針式の表面粗さ計（例えば、ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａ、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製）を用いて測定することができる。
〔表面形状〕
本発明においては、上記表面（非実装領域）のＲａは０．０１〜０．２０μｍであり、０．１０〜０．１５μｍであるのが好ましい。
上記表面（非実装領域）のＲａがこの範囲であると、配線形成性（特に直線性）が良好となる。これは、配線層の材料（例えば、銀ナノ粒子インクなど）が滲むのが抑制されたためと考えられる。
また、本発明においては、上記表面（非実装領域）のＰｓｍは１０〜２０μｍであり、１０〜１５μｍであるのが好ましい。
上記表面（非実装領域）のＰｓｍがこの範囲であると、配線形成性（特に密着性）が良好となり、反射率が高くなり、高い発光効率を維持することができる。これは、Ｐｓｍで表現される断面曲線要素の平均長さが配線サイズと合致することでアンカーとして機能するためと考えられる。
なお、反射率がより高くなり、より高い発光効率を維持することができる理由から、上記表面（実装領域）やＬＥＤ発光素子を囲繞するように接合された枠体（例えば、特開２００４−２０７６７８号公報の符号２参照。）の表面（以下、「枠体表面」ともいう。）のＲａおよびＰｓｍについても、上述した各数値範囲であるのが好ましい。
〔第１態様〕
本発明においては、図１に示すように、本発明の反射基板１における表面（非実装領域）および表面（実装領域）は、金属基板２上に設けられる反射層３の表面で構成されていてもよい。
なお、図１中、符号４は後述する無機粒子を示し、符号５は後述する無機系結着剤を示す。
＜金属基板＞
上記金属基板の素材である金属は特に限定されず、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
上記金属基板は、加工性および強度にも優れる理由から、以下に詳述するアルミニウム基板であるのが好ましい。
（アルミニウム基板）
上記アルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法（例えば、鋳造方法等）等については特に限定されず、特許文献１（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００３１］〜［００５１］段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
本発明においては、上記アルミニウム基板の厚みは、０．１〜２．０ｍｍ程度であり、０．１５〜１．５ｍｍであるのが好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。
＜反射層＞
上記反射層は、上記表面（非実装領域）のＰｓｍを上述した数値範囲にする観点から、平均粒子径が０．１〜５μｍ、好ましくは０．５〜２μｍの無機粒子を用いて形成されるものである。
ここで、平均粒子径とは、上記無機粒子の粒子径の平均値をいい、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された５０％体積累積径（Ｄ５０）をいう。
（無機粒子）
上記無機粒子の種類は特に限定されず、例えば、従来公知の金属酸化物、金属水酸化物、炭酸塩、硫酸化物などを用いることができ、中でも、金属酸化物を用いるのが好ましい。
上記無機粒子としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物；水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどの水酸化物；炭酸カルシウム（軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、極微細炭酸カルシウムなど）、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウムなどの炭酸塩； 硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸化物；また、その他に、カルシウムカーボネート、方解石、大理石、石膏、カオリンクレー、焼成クレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
この中でも、後述する無機系結着剤との親和性が良好となる理由から、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウムが好ましい。
本発明においては、上記無機粒子は、２種類以上の粒子や、２種類以上の平均粒子径を有する粒子を併用してもよい。
種類や平均粒子径の異なる粒子を併用することにより、上記反射層の強度の向上や、上記反射層と上記金属基板との密着強度の向上を図ることができる。
また、本発明においては、上記無機粒子の形状は特に限定はされず、例えば、球状、多面体状（例えば、２０面体状、１２面体状等）、立方体状、４面体状、星型形状、板状、針状等いずれであってもよい。
これらのうち、断熱性に優れる理由から、球状、多面体状、立方体状、４面体状、コンペイトウ形状が好ましく、入手が容易で断熱性により優れる理由から、球状であるのがより好ましい。
更に、本発明においては、反射率がより高くなり、より高い発光効率を維持することができる理由から、屈折率が１．５〜１．８の無機粒子を用いることが好ましい。
上記屈折率を満たす無機粒子としては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、大理石、石膏、カオリンクレー、タルク、セリサイト、光学ガラス、ガラスビーズなどが挙げられる。
（無機系結着剤）
上記反射層は、上記反射層の強度が向上し、また、上記反射層と上記金属基板との密着強度も向上する理由から、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の無機系結着剤を用いて形成されるのが好ましい。
上記反射層には、上述した無機粒子および無機系結着剤以外に、他の化合物を含有してもよい。
他の化合物としては、例えば、分散剤（水、有機溶媒）、光重合可能なモノマー、光重合開始剤、架橋剤、架橋促進剤、界面活性剤等が挙げられる。
（形成方法）
本発明においては、上記反射層の形成方法は特に限定されず、例えば、上記金属基板上に、上記無機粒子と上記無機系結着剤とを含有する塗布液（組成物）をスクリーン印刷等により塗布し、乾燥させる方法等により形成することができる。
また、本発明においては、上記表面（非実装領域）のＲａを上述した数値範囲にする観点から、必要に応じて、上記反射層の表面を研磨することができる。
ここで、上記研磨の方法は特に限定されず、例えば、上記反射層を設けた金属基板をプレートに固定し、固定した面の反対側の面（反射層）を研摩する方法が挙げられる。
表面の研磨量の合計は、１００μｍ以内が好ましく、６０μｍ以下がより好ましく、５〜６０μｍが更に好ましい。この範囲であると両面の研摩量のバランスが良く、材料の反り、反りによる破損が少ない。
また、研磨に用いる具体的な手段としては、例えば、ラッピング、ポリッシング、ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）、バフ研磨、ショットブラスト、ブラシグレイン等が挙げられる。
これらの手段のうち、乾式または湿式の機械研摩が好ましく、ラッピングであるのがより好ましい。なお、必要に応じて、ポリッシングを行って表面仕上げするのが好ましい。
ここで、ラッピングは、例えば、ラッピングマシンを用い、研磨材である砥粒を供給し、これを水で流しながら、研磨する方法が挙げられる。
また、研磨材のサイズは、研磨量の１／２以下が好ましく、研磨量の１／４以下がより好ましい。
更に、研磨材は、研磨精度と速度の点から粒径１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒が好ましく、仕上げ研磨に用いる研磨材は、粒径１μｍ以下のダイヤモンド、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2等が好ましい。
研磨された表面の精度は、厚さ精度±３μｍ以内、Ｒａ０．１５μｍ以下、反り量２０μｍ／ｍｍ以内が好ましい。
厚さ精度は±１μｍ以内がより好ましく、Ｒａは０．１０μｍ以下がより好ましく、反り量は１０μｍ／ｍｍ以内がより好ましい。
表面をより平滑に仕上げるためには、ＣＭＰによる研磨を行うことが好ましい。研磨プレ−トはエッジの割れや欠けを防止するために、樹脂と金属の複合材料であることが好ましい。樹脂の中に金属粒子を混合させたプレ−トがより好ましい。充填される金属粒子は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉが好ましい。
以下に、研磨方法の詳細を示す。
１）片面を、表面精度５μｍ以内のセラミック等の台にＷＡＸ、ＵＶ接着剤等を用い貼り付け固定する。貼り付けの精度は８μｍ以内、４μｍ以内がより好ましい。
２）貼り付け面と反対の面を研磨する。研磨砥粒はダイヤモンドスラリー５〜１０μｍが望ましい。研磨装置は、ケメットジャパン社製精密ラッピング装置が材料の割れや欠けが無く、精度良く研磨でき望ましい。研磨加重は、１０〜５００ｇ／ｃｍ2が望ましく。研磨板回転速度は１０〜１５０ｒｐｍが望ましい。研磨量は５〜１００μｍ以内が好ましい。中間研磨として平均径２〜４μｍの砥粒を用いて研摩するのが好ましい。
３）仕上げ研磨として、粒径０．２５〜３．０μｍのダイヤモンドスラリー等で仕上げる。また、ＣＭＰで研磨面を仕上げてもよい。これらを組み合わせて仕上げることも可能である。
４）研磨済みの面を表面精度５μｍ以内のセラミック等の台にＷＡＸ、ＵＶ接着剤等を用い貼り付け固定する。貼り付けの精度は８μｍ以内が好ましい。
５）もう一方の面を研磨する。研磨の条件は、上記２）と同様に研磨を行う。その後３）同様の仕上げ研磨を行う。
６）上記研磨を交互に繰り返し行うと尚望ましい。その場合には、仕上げ研磨はそれぞれの研磨面の最後で行えばよい。
また、上記研磨の方法として、回転工具を所定の切り込み高さで固定・回転させ、被加工物を横から送り込むことで、被加工物の表面平坦化を行う装置（例えば、（サーフェースプレーナーＤＦＳ８９１０、ディスコ社製）など）を用いることもできる。複合材料を、ダイヤモンドバイトによって高精度に平坦化することが可能という特徴を有するため、上記反射層の表面のみを研磨除去するのには最適である。
〔第２態様〕
本発明においては、図２に示すように、本発明の反射基板１における表面（非実装領域）および表面（実装領域）は、アルミナセラミックスからなる絶縁基板６の表面で構成されていてもよい。
上記アルミナセラミックスとしては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等の焼結体が挙げられる。
＜エッチング＞
本発明においては、上記絶縁基板は、上記表面（非実装領域）のＰｓｍを上述した数値範囲にする観点から、上記アルミナセラミックスからなる焼結体の表面に所望のエッチングを施して得られるのである。
ここで、上記エッチングとしては、例えば、以下に示すアルカリエッチング処理が好適に挙げられる。
（アルカリエッチング処理）
アルカリエッチング処理は、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させ、表面に存在する焼結体の粒界のエッジ部分を溶解させ、滑らかな凹凸（うねり）を持つ表面に変えることを目的として行われる。
本発明においては、アルカリエッチング処理のエッチング量は、上記表面（非実装領域）のＰｓｍを１０〜２０μｍとする観点から、１ｇ／ｍ2以上であるのが好ましく、５〜２０ｇ／ｍ2であるのがより好ましい。
上記アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩；炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩；アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩；グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩；第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。
また、上記アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、１〜５０質量％であるのが好ましく、１０〜３５質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、３〜８質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は２０〜９０℃であるのが好ましい。処理時間は１〜１２０秒であるのが好ましい。
また、上記絶縁基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルカリ溶液を入れた槽の中に絶縁基板を通過させる方法、アルカリ溶液を入れた槽の中に絶縁基板を浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。
＜研磨＞
本発明においては、上記絶縁基板は、上記表面（非実装領域）のＲａを上述した数値範囲にする観点から、上記アルミナセラミックスからなる焼結体の表面に所望のエッチングを施した後に、必要に応じて、表面を研磨することができる。
ここで、上記研磨の方法は特に限定されず、上述した第１の態様で説明したものが挙げられる。
＜反射層（銀蒸着膜）＞
本発明においては、上記絶縁基板は、正反射率および拡散反射率がより良好となる理由から、上記絶縁基板上に銀（Ａｇ）蒸着膜からなる反射層を有していてもよい。
ここで、上記Ａｇ蒸着膜の膜厚は、上記表面（非実装領域）の表面形状を維持する観点から、０．１〜１０μｍであるのが好ましく、０．５〜１μｍであるのがより好ましい。なお、膜厚の調整は、蒸着装置で用いるＡｇ線質量を変更することにより行い、膜厚は、線質量を変えて平滑なガラス基板上に成膜した膜厚保を非接触干渉膜厚計を用いて測定することにより作成した検量線から算出することができる。
（形成方法）
上記Ａｇ蒸着膜の形成方法は特に限定されず、従来公知の金属蒸着装置を用いて形成することができる。
〔共通態様〕
＜配線層＞
本発明の反射基板は、ＬＥＤ発光素子を実装するに当たり、配線層（金属配線層）を有していてもよい。
本発明においては、上記配線層は、ＬＥＤ発光素子が実装される側の表面の一部に設けられてもよいし、ＬＥＤ発光素子が実装される側の表面（以下、本段落において「実装面」という。）とは反対側の表面（裏面）の一部に設けられてＬＥＤ発光素子の実装面とスルーホールを介して電気的に接続されてもよい。
上記配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。
また、上記配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。
上記配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。
上記めっき処理は、無機材料に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきを用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ−６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ−６７０・７９７、ＳＦＫ−６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ−４１２８、エンプレートＮＩ−４３３、エンプレートＮＩ−４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。
このようにして形成される配線層は、ＬＥＤ発光素子の実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にＬＥＤが実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすいように適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱によるＬＥＤの実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。
配線層の形成方法として以下で説明する金属インクを用いてインクジェット印刷法またはスクリーン印刷法によりパターンを形成すれば、凹凸のある表面に多くの工程を必要とせずに簡易にパターンを有する配線層を形成することができる。
（インクジェット印刷法）
導体金属を含む金属インクを用いてインクジェット印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線層を形成することができる。具体的には、金属インクで配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。
金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子；酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子；Ｃｒ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｎ、Ｍｎ−Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅなどの複合合金の微粒子；銀めっき、銅などのめっき複合体の微粒子；等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。
微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。
金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点から、１〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。
（スクリーン印刷法）
導体金属を含む金属インクを用いてスクリーン印刷法により、反射基板の表面の所望の部位に配線パターンを形成し、その後焼成して配線とする。
スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。
［ＬＥＤパッケージ］
以下に、本発明のＬＥＤパッケージについて詳細に説明する。
本発明のＬＥＤパッケージは、上述した本発明の反射基板と、その表面に実装されたＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージである。
次に、本発明のＬＥＤパッケージの構成について、図３を用いて説明する。
図３に示すように、ＬＥＤパッケージ２０は、反射基板１の表面（反射層３）上に実装されたＬＥＤ８を有する。また、ＬＥＤ８は、蛍光粒子９を混入した透明樹脂１０でモールドされており、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層７を有する本発明の反射基板１にワイヤボンディングされている。
本発明においては、上記ＬＥＤ発光素子は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
また、上記透明樹脂の材質は、熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
更に、上記蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
一方、本発明のＬＥＤパッケージは、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤパッケージとしても使用することができる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のＬＥＤパッケージを使用することができる。
本発明のＬＥＤパッケージにおいて、本発明の反射基板にＬＥＤ発光素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〔反射基板の作製〕
＜実施例１＞
ＡＬ−１６０ＳＧ−３（平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）１００ｇとポリビニルアルコール（ＰＶＡ）バインダー０．５ｇと水２０ｇとを混練した後に、３００℃で２時間、焼成した。
その後、プレスにて、３ｃｍ×３ｃｍ（平面四角形状）、厚さ２ｍｍのサイズに成形し、昇温速度４００℃／時で加熱し、１８００℃になったところで８時間保持して、焼結を行い、アルミナセラミックス焼結体を作製した。
次いで、作製したアルミナセラミックス焼結体に対して、カセイソーダ濃度５．０質量％、温度４０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を１０分間施し、表面を８ｇ／ｍ2溶解させた。
その後、ＤＩＳＣＯ社製のサーフェスプレーナ（型番：ＤＦＳ８９１０）を用いて、エッチング処理後の表面を研磨し、反射基板を作製した。
＜比較例１＞
（アルミニウム基板の作製）
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
（反射層形成材料の調製）
水９０ｇ、リン酸８５％(和光純薬)５５ｇおよび水酸化アルミニウム(和光純薬)２５ｇを混合したバインダー液Ａに、無機粒子としてアルミナ粒子（アドマファイン、平均粒子径：４５ｎｍ、アドマテックス社製）を２５０ｇ添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
（反射層の形成）
上記アルミニウム基板に対して、上記無機組成物をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させることにより、反射層を有する反射基板を作製した。
具体的には、１００メッシュのポリエステルバイアス製の版を用いて、膜厚７０μｍとなるようにベタ印刷し、その後、２５０℃で３０分間、熱風循環式乾燥炉にて乾燥させ成膜した。
なお、反射層におけるリン酸アルミニウム（無機系結着剤）の存在は、赤外分光法（ＩＲ）により確認した。
＜比較例２＞
アルミナ粒子（アドマファイン、平均粒子径：４５ｎｍ、アドマテックス社製）に代えて、アルミナ粒子（ＡＬ−１６０ＳＧ−３、平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）を用いた以外は、比較例１と同様の方法により、反射基板を作製した。
＜比較例３＞
比較例２で作製した反射基板を２．５質量％ケイ酸ソーダ液中に浸漬し、１８０℃、５分乾燥させてケイ酸ガラス質のオーバーコート層を有する反射基板を作製した。
＜実施例２＞
比較例２で作製した反射基板の表面をＤＩＳＣＯ社製のサーフェスプレーナ（型番：ＤＦＳ８９１０）を用いて研磨した反射基板を作製した。
＜実施例３＞
ＤＩＳＣＯ社製のサーフェスプレーナ（型番：ＤＦＳ８９１０）に代えて、ダイアモンドラッピングシステム（ＭＡＴ−ＭＧＲ−３１１ＭＦ、ＭＡＴ社製）を用い、研磨剤（リキッドダイアモンド（１−Ｗ２−ＰＣ−ＳＴＤ、ケメリット社製）を用いて研磨した以外は、実施例２と同様の方法により、反射基板を作製した。
＜実施例４＞
ＤＩＳＣＯ社製のサーフェスプレーナ（型番：ＤＦＳ８９１０）に代えて、ダイアモンドラッピングシステム（ＭＡＴ−ＭＧＲ−３１１ＭＦ、ＭＡＴ社製）を用い、研磨剤（リキッドダイアモンド ６−Ｗ２−ＰＣ−ＳＴＤ、ケメリット社製）を用いて研磨した以外は、実施例２と同様の方法により、反射基板を作製した。
＜比較例４＞
反射層形成材料として、以下に示す無機組成物を用いた以外は、比較例１と同様の方法により、反射基板を作製した。
（反射層形成材料）
以下に示す組成のバインダー液Ｂを１００ｇ用い、それに対して無機粒子としてアルミナ粒子（ＡＬ−１６０ＳＧ−３、平均粒子径：０．５２μｍ、昭和電工社製）を２５０ｇ添加し、撹拌することにより、反射層を形成する無機組成物を調製した。
＜バインダー液Ｂの組成＞
・塩酸８５％ (和光純薬) ４６．９ｇ
・水酸化アルミニウム(和光純薬) １１ｇ
・水 ９０ｇ
＜実施例５＞
比較例４で作製した反射基板の表面をＤＩＳＣＯ社製のサーフェスプレーナ（型番：ＤＦＳ８９１０）を用いて研磨した反射基板を作製した。
＜比較例５＞
比較例４で作製した反射基板の表面を、ダイアモンドラッピングシステム（ＭＡＴ−ＭＧＲ−３１１ＭＦ、ＭＡＴ社製）を用い、研磨剤（リキッドダイアモンド １−Ｗ２−ＰＣ−ＳＴＤ、ケメリット社製）を用いて研磨した反射基板を作製した。
〔表面形状の測定〕
上記で作製した各光反射基板の表面形状について、触針式の表面粗さ計（ＳＵＲＦＣＯＭ４８０Ａ、ＡＣＣＲＥＴＥＣＨ(東京精密)社製）を用いて、ＲａおよびＰｓｍを測定した。これらの結果を下記第１表に示す。
〔発光効率〕
作製した各反射基板の表面に青色ＬＥＤ発光素子をワイヤボンディング法により実装し、Ｃｕ配線層と青色ＬＥＤ発光素子とを接続した。
青色ＬＥＤ発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
作製した各擬似白色型ＬＥＤパッケージについて、１０Ｖの電圧で駆動した際の電流（Ａ）と、色度Ｘ値＝０．３３での光拘束量（ｌｍ）とを測定し、下記式から発光効率（ｌｍ／Ｗ）を算出した。結果を下記第１表に示す。
発光効率（ｌｍ／Ｗ）＝光拘束量（ｌｍ）／（電流（Ａ）×１０（Ｖ））
〔配線形成性〕
銀ペースト（ＡＧＥＰ−２０１Ｘ、住友電工社製）をスクリーン印刷法で所定の配線パターンに形成した後、２００℃で３０分加熱することにより、反射基板の表面に配線（長さ：１ｍｍ、幅：１００μｍ）を形成させた。以下に示す基準で配線の直線性および密着性を評価した。結果を下記第１表に示す。
＜直線性＞
Ａ：光学顕微鏡で撮影し、配線の端部の変動（ＤＶ）を観察し、ＤＶが２μｍ以下であるものを直線性に極めて優れるものとして「Ａ」と評価した。
Ｂ：光学顕微鏡で撮影し、配線の端部の変動（ＤＶ）を観察し、ＤＶが２μｍ超５μｍ以下であるものを直線性に優れるものとして「Ｂ」と評価した。
Ｃ：光学顕微鏡で撮影し、配線の端部の変動（ＤＶ）を観察し、ＤＶが５μｍ超２０μｍ以下であるものを直線性に劣るものとして「Ｃ」と評価した。
Ｄ：光学顕微鏡で撮影し、配線の端部の変動（ＤＶ）を観察し、ＤＶが２０μｍ超であるものを直線性に極めて劣るものとして「Ｄ」と評価した。
＜密着性＞
Ａ：配線（長さ：１ｍｍ、幅：１００μｍ）を上から覆うように市販のテープを貼り付け、その後に剥離した際に、剥離が見られなかったものを密着性に優れるものとして「Ａ」と評価した。
Ｂ：配線（長さ：１ｍｍ、幅：１００μｍ）を上から覆うように市販のテープを貼り付け、その後に剥離した際に、部分的に剥離が見られたものを密着性にやや劣るものとして「Ｂ」と評価した。
Ｃ：配線（長さ：１ｍｍ、幅：１００μｍ）を上から覆うように市販のテープを貼り付け、その後に剥離した際に、全て剥離したものを密着性に劣るものとして「Ｃ」と評価した。
第１表に示す結果から、Ｒａが所定の数値範囲（０．０１〜０．２０μｍ）外にある表面形状を有する反射基板は、配線の直線性が劣ることが分かった（比較例１、２、４および５）。
また、Ｐｓｍが所定の数値範囲（１０〜２０μｍ）外にある表面形状を有する反射基板は、配線の密着性が劣ることが分かった（比較例３）。
これに対し、ＲａおよびＰｓｍが所定の範囲内にある表面形状を有する反射基板は、いずれも高い発光効率を維持し、配線形成性（直線性および密着性）に優れていることが分かった（実施例１〜５）。
１ 反射基板
２ 金属基板
３ 反射層
４ 無機粒子
５ 無機系結着剤
６ 絶縁基板（アルミナセラミックス）
７ 金属配線層
８ ＬＥＤ発光素子
９ 蛍光粒子
１０ 透明樹脂
２０ ＬＥＤパッケージ

Claims (4)

  1. ＬＥＤ発光素子を実装する表面を有するＬＥＤ発光素子用反射基板であって、
    前記表面のうち、少なくとも前記ＬＥＤ発光素子が実装される部分以外の表面が、算術平均粗さＲａが０．０１〜０．２０μｍであり、かつ、凹凸の平均間隔Ｐｓｍが１０〜２０μｍであるＬＥＤ発光素子用反射基板。
  2. 前記表面が、金属基板上に設けられる反射層の表面であり、
    前記反射層が、平均粒子径が０．１〜５μｍの無機粒子を用いて形成される請求項１に記載のＬＥＤ発光素子用反射基板。
  3. 前記反射層が、さらに、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の無機系結着剤を用いて形成される請求項２に記載のＬＥＤ発光素子用反射基板。
  4. 請求項１〜３のいずれかに記載のＬＥＤ発光素子用反射基板と、前記表面に実装されたＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI603497B (zh) * 2016-08-08 2017-10-21 九豪精密陶瓷股份有限公司 發光二極體陶瓷基板及其製造方法
CN112119445A (zh) * 2018-05-17 2020-12-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP2021084849A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 日亜化学工業株式会社 セラミックス複合体の製造方法
US11450709B2 (en) 2019-11-12 2022-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11610877B2 (en) 2019-11-21 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11908850B2 (en) 2018-09-05 2024-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing display device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821632A (en) * 2006-08-23 2008-05-16 Mitsui Chemicals Inc Light reflector and light source having same
JP2009204837A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 防眩フィルム、防眩性偏光板および画像表示装置
KR20110046440A (ko) * 2008-08-21 2011-05-04 파나소닉 주식회사 조명용 광원
JP2010263165A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Mitsubishi Plastics Inc Ｌｅｄ用反射基板及び発光装置
JP2010109328A (ja) * 2009-08-04 2010-05-13 Allied Material Corp 半導体素子搭載部材とそれを用いた半導体装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI603497B (zh) * 2016-08-08 2017-10-21 九豪精密陶瓷股份有限公司 發光二極體陶瓷基板及其製造方法
CN112119445A (zh) * 2018-05-17 2020-12-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
US11908850B2 (en) 2018-09-05 2024-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing display device
US11450709B2 (en) 2019-11-12 2022-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11742379B2 (en) 2019-11-12 2023-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11610877B2 (en) 2019-11-21 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
JP2021084849A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 日亜化学工業株式会社 セラミックス複合体の製造方法
JP7335506B2 (ja) 2019-11-29 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 セラミックス複合体の製造方法

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