JP2013140890A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板1と、該基板の一方の面に形成した、第1導電型エミッタ領域4が形成された第2導電型ベース領域2と、前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極6と、前記基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域10を備え、隣接する2つの第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち前記第2導電型コレクタ領域に隣接していない第2導電型ベース領域2の拡散深さは、前記第2導電型コレクタ領域に隣接する第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深く形成する。
【選択図】図1
Description
該基板の一方の面に形成した、第1導電型エミッタ領域が形成された第2導電型ベース領域と、前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、前記基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域を備え、隣接する2つの第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち前記第2導電型コレクタ領域に隣接していない第2導電型ベース領域の拡散深さは、前記第2導電型コレクタ領域に隣接する第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深く形成する。
2 pベース領域
3 pコンタクト領域
4 nエミッタ領域
5 ゲート酸化膜
6 ゲート電極
7 エミッタ電極
8 エミッタ・ゲート領域
9 nバッファ領域
10 pコレクタ領域
11 コレクタ電極
12 コレクタ領域
13 ドリフト領域
14 チャネル領域
15 隣接するエミッタ・ゲート領域間の領域
16 SOI基板の酸化膜
17 SOI基板の支持基板
18 p層
19 埋め込みp層
20 n層
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板と、
該基板の一方の面に形成した、第1導電型エミッタ領域が形成された第2導電型ベース領域と、
前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、
前記基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域を備え、
隣接する2つの第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、
前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち前記第2導電型コレクタ領域に隣接していない第2導電型ベース領域の拡散深さは、前記第2導電型コレクタ領域に隣接する第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
該基板の一方の面に形成した、第1導電型エミッタ領域が形成された第2導電型ベース領域と、
前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、
前記基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域を備え、
隣接する2つの第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、
前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち、前記第2導電型コレクタ領域より最も離れた位置にある第2導電型ベース領域の拡散深さは、他の第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記拡散深さの深い第2導電型ベース領域の拡散層は、前記第1導電型の半導体基板に設けた埋め込み酸化膜に接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記第1導電型の半導体基板に設けた埋め込み酸化膜の一部表面には第2導電型の埋め込み拡散層を備え、
前記拡散深さの深い第2導電型ベース領域の拡散層は、前記第2導電型の埋め込拡散層に接していることを特徴とする半導体装置 - 請求項1ないし4の何れか1記載の半導体装置において、
前記拡散深さの深い第2導電型ベース領域の側面には第1導電型の埋め込み拡散層を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし5の何れか1記載の半導体装置において、
前記ゲート電極はトレンチゲート構造であることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
該基板の一方の面に形成した、第1導電型エミッタ領域が形成された第2導電型ベース領域と、
前記第1導電型の半導体基板と前記第1導電型エミッタ領域との間の第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極と、
前記基板の前記一方の面に形成した第2導電型コレクタ領域を備え、
隣接する2つの第2導電型コレクタ領域の間に3つ以上の第2導電型ベース領域を有する半導体装置において、
隣接する2つの第2導電型コレクタ領域およびこれらの間に配置された3つ以上の第2導電型ベース領域並びに第2導電型ベース領域上に形成されたゲート電極は、それぞれ矩形状であり、前記3つ以上の第2導電型ベース領域のうち、前記2つの第2導電型コレクタ領域より最も離れた位置にある第2導電型ベース領域の拡散深さは、他の第2導電型ベース領域の拡散深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。
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